「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁

On the active region 12A, there are formed a gate electrode 13 which has Schottky contact with the active region 12A, is extendingly formed on the insulating oxide film 12B and has a drawn portion 13a on the insulating oxide film 12B, and ohmic electrodes 14 which are spaced from both sides of the gate electrode 13 in a gate longitudinal direction to form a source electrode and a drain electrode, respectively.例文帳に追加

活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

Thus, the one-side opening sipes 24 formed in the outer rim region 22A opens more largely than a case where the block central part is not set high, and the largely opening sipes 24 contact with the road surface 26, thereby increasing traction force.例文帳に追加

これにより、外周縁領域２２Ａに形成された片側開口サイプ２４が、ブロック中央部分が高く設定されていない場合に比較してより開き、大きく開いた片側開口サイプ２４が路面２６に接触することで、トラクション力の向上を図ることが出来る。 - 特許庁

A transistor 75 is provided with a silicon substrate 1, gate electrode 7, source and drain regions 5b and 5a, silicon nitride film 10, interlayer insulating film 12 having a contact hole 14b to reach a heavily-doped region 4b and wiring 13b to fill the hole 14b.例文帳に追加

トランジスタ７５は、シリコン基板１と、ゲート電極７と、ソース領域５ｂおよびドレイン領域５ａと、シリコン窒化膜１０と、高濃度不純物領域４ｂに達するコンタクトホール１４ｂを有する層間絶縁膜１２と、コンタクトホール１４ｂを充填する配線１３ｂとを備える。 - 特許庁

In addition, a cleaning cloth 24 is sent in advance only in a specified cloth section 22, against a region of another drum peripheral section 10B extending between the gripper claws 12 to which the cleaning cloth 24 is not brought into contact.例文帳に追加

第１洗浄フェーズの間に、順番に続いたくわえ爪（１２）間に延在する胴周囲区間（１０Ａ）のみがそのつど洗浄され、洗浄布（２４）によって接触されないくわえ爪（１２）間に延在する他の胴周囲区間（１０Ｂ）の領域で、洗浄布（２４）は、所定布区間（２２）だけ前送りされる。 - 特許庁

Collector, base, and emitter regions are formed on a substrate, a second substrate is mounted, an original substrate is completely or partially removed, a non-active collector region is removed or is set to a semi-insulator, and wiring and contact are performed from the original back surface of a chip.例文帳に追加

基板上にコレクタ、ベースおよびエミッタ領域を形成し、第２の基板を取り付けた後に、本来の基板を完全にまたは部分的に除去し、非活性コレクタ領域を除去するか、または半絶縁体とし、チップの本来の裏面からワイヤリングおよびコンタクトを実施する。 - 特許庁

To eliminate occurrence of a leakage current due to a conductive foreign matter interposed between a contact hole of a TFT substrate and a counter electrode film of a CF substrate without bringing about lowering of productivity in a liquid crystal display device whose picture frame width on the outside of a display region is 3.5 mm or less.例文帳に追加

表示領域外側の額縁幅が３．５ｍｍ以下である液晶表示装置において、生産性の低下を来すことなく、ＴＦＴ基板のコンタクトホールとＣＦ基板の対向電極膜との間に挟まった導電性異物によってリークが発生することのないようにする。 - 特許庁

A VCSEL 100 is obtained by sequentially laminating semiconductor layers on a substrate 102 including an n-type lower DBR 106, an active layer region 108, a p-type upper DBR 112 constituting a resonator together with the lower DBR, and a p-type GaAs contact layer 114.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１００は、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性層領域１０８、下部ＤＢＲとともに共振器を構成するｐ型の上部ＤＢＲ１１２、及びｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を順次積層する。 - 特許庁

The pneumatic tire 1 also includes a carcass reinforcing layer 5 for reinforcing the carcass layer 4 disposed at turn-back portions of the carcass layer 4; and a rim cushion reinforcing layer 6 for reinforcing the rim cushion disposed in a region brought into contact with a rim flange in a rim assembly state of the tire.例文帳に追加

また、空気入りタイヤ１は、カーカス層４の巻き返し部に配置されてカーカス層４を補強するカーカス補強層５と、タイヤのリム組み状態にてリムフランジ部に接触する領域に配置されてリムクッション部を補強するリムクッション補強層６とを有している。 - 特許庁

When piezoelectric elements 4 constituting a conversion element unit are attached to the vibration plate 3 of an ink flow channel unit, predetermined relation is provided to the gap lengths formed on both sides of the part directly pressurized by the piezoelectric element 4 arranged in a contact state within the effective displacement region of the vibration plate 3.例文帳に追加

変換素子ユニットを構成する圧電素子をインク流路ユニットの振動板に取付ける際に、振動板の有効変位領域内で、当接配置された圧電素子が直接加圧する部分の両側に形成された間隙長さに所定の関係を持たせる。 - 特許庁

To provide a rally game system for preventing illegal use of a rally point system by associating a non-contact IC storage medium given to a participant one-to-one with the participant for developing a region and promoting sale of a commodity and a service.例文帳に追加

参加者に手渡す非接触式ＩＣ記憶媒体と参加者を１対１に対応づけて巡回ポイント制度を実施して制度が悪用されるおそれを防止でき、地域振興並びに商品若しくはサービスの販売促進を図ることができるラリーゲームシステムを提供すること。 - 特許庁

In this case, the source wiring 17S, the drain wiring 17D and a lower metal layer 11 extend from the side of each of the contact holes CH to cover a region not exceeding an end P3 of a width direction of the gate wiring 15 on the upper or lower part of the semiconductor layer 13 and the gate wiring 15.例文帳に追加

ここで、ソース配線１７Ｓ、ドレイン配線１７Ｄ、及び下部金属層１１は、各コンタクトホールＣＨの側から延びて、半導体層１３及びゲート配線１５の上方もしくは下方において、ゲート配線１５の幅方向の端Ｐ３を越えない領域を覆う。 - 特許庁

The semiconductor device, having the vertical PNP bipolar transistor, formed in a prescribed element area on a semiconductor substrate, is provided with a high-density embedded N+layer 3 formed in the prescribed element region and a P-type collector layer 5, formed on the layer 3 in close contact.例文帳に追加

半導体基板上の所定の素子領域に縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成された半導体装置であって、所定の素子領域に形成された高濃度の埋め込みＮ＋層３と、埋め込みＮ＋層３上に密着して形成されたＰ型のコレクタ層５とを備える。 - 特許庁

This wear resistant assembly is manufactured by preparing the turbine vane 34 to be supported on the turbine outer case 22 in the support region in such a manner that a vane support area 52 comes into contact with a case support area 54 of the turbine outer case 22 when the wear resistant assembly is assembled with the turbine outer case 22.例文帳に追加

本耐摩耗性組立体は、タービン外側ケース（２２）と、組立てた時に、そのベーン支持区域（５２）がタービン外側ケース（２２）のケース支持区域（５４）と接触するように支持領域において該タービン外側ケース（２２）上に支持されるタービンベーン（３４）とを準備することによって製作される。 - 特許庁

Both the contact region and the field ring structure extend into the volume of the base body, wherein the base body has, for the field ring structure, a trench-type cutout assigned to the respective field ring, the surface of the cutout essentially following the contour of the assigned doping profile.例文帳に追加

この接触領域とフィールドリング構造とは、ベース体の容積内部に延び、ベース体は、フィールドリング構造のために、各フィールドリングに割り当てられたトレンチ型切除部分を有しており、この切除部分の表面は、割り当てられたドーピング輪郭線の輪郭を概ねたどる。 - 特許庁

This makes it possible for the blade which can cut the second substrate 12, that is, the blade which is likely to produce the chipping to the first substrate 11, to carry out cutting from the connecting portion 13 to the second substrate 12 without being in contact with the side surface region 15a of the first substrate 11.例文帳に追加

これにより、第２基板１２が切断可能なブレード、即ち、第１基板１１に対してはチッピングが生じる虞のあるブレードは、第１基板１１の側面領域１５ａには接触しないで接合部１３から第２基板１２までを切断することができる。 - 特許庁

A conductive layer 18 is formed on the control gate of each memory cell on a memory column via an insulating film 17, and the conductive layer 18 is connected to an impurity region 11-1 located between a bit line side selective transistor 21 and its adjacent memory cell M1 via a contact 24.例文帳に追加

メモリ列の各メモリセルのコントロールゲートの上に絶縁膜１７を介して導電層１８を形成し、当該導電層１８はコンタクト２４を介してビット線側選択トランジスタ２１とその隣接のメモリセルＭ１との間にある不純物領域１１−１に接続されている。 - 特許庁

To facilitate the surface modification even in a large bearing and prevent the occurrence of smear while suppressing metal contact even when a rolling element and a lace surface have high surface pressure and cause rolling slide movement in a boundary region between load zone and non-load zone so as to inhibit the formation of oil film.例文帳に追加

大型軸受においても表面改質を容易に施すことができ、負荷圏と非負荷圏の境界領域で転動体とレース表面が高面圧でかつ転がりすべり運動となり油膜形成が阻害された場合においても、金属接触を抑制しつつスミアの発生を防止する。 - 特許庁

An 8×8 region having 8 pixels respectively in the longitudinal and lateral directions in contact with the boundary is set for extracting a part of pixels (S1), an average value of signal levels of the left and right regions is evaluated, and the value which negates the signal level difference is evaluated from the average value (S2, S3).例文帳に追加

画素の一部を抽出するために、境界に接して画素を縦横にそれぞれ８個有した８×８領域を設定し（Ｓ１）、左右両領域の信号レベルの平均値を求めて、それらの平均値から信号レベル差を打ち消す値を求める（Ｓ２，Ｓ３）。 - 特許庁

The inductor 101 and rotor 103 are arranged, so that a magnetic induction region S is provided, where the rotating orbit of the magnet 122 of the inductor 101 is overlapped to one portion of the rotating orbit of the magnet 123 of the rotor 103, and at the same time, the magnets 112 and 123 are rotated without any contact each other.例文帳に追加

誘導子１０１の磁石１２２の回転軌道が回転子１０３の磁石１２３の回転軌道の一部と重なる磁気誘導領域Ｓを持ち、かつそれらの磁石１１２，１２３が相互に非接触状態で回転するように誘導子１０１および回転子１０３を配置する。 - 特許庁

Further, the method includes a stage of forming the storage capacitor on the interlayer dielectric so that the storage capacitor partially overlaps with the semiconductor layer and is electrically connected to the pixel-electrode-line-side source/drain region through the contact hole, and also has an in-groove part 70t overlapping the groove.例文帳に追加

更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 - 特許庁

A first region 15 comprising the p-type GaN group compound semiconductor including at least Ni is formed on the surface of a principal side 14b opposed to a principal side 14a of the p-type GaN group compound semiconductor 14 in contact with an MQW light emitting layer 13.例文帳に追加

ＭＱＷ発光層１３と接触するｐ型ＧａＮ系化合物半導体１４の主面１４ａと対向する主面１４ｂの表面には、少なくともＮｉを含むｐ型ＧａＮ系化合物半導体で構成された第１の領域１５が形成されている。 - 特許庁

A back electrode 14 is formed on the second principal surface 20b such that it has contact with both the p-type collector area 9 and the n-type cathode region 10, and has a titanium layer 11, a nickel layer 12 and a gold layer 13 laminated in turn from the side of the second principal surface 20b.例文帳に追加

裏面電極１４は、ｐ型コレクタ領域９およびｎ型カソード領域１０との双方に接するように第２主面２０ｂ上に形成され、かつ第２主面２０ｂ側から順に積層されたチタン層１１、ニッケル層１２および金層１３を有している。 - 特許庁

The fixing device is provided in the image forming apparatus having, for example, an image output means for forming a toner image on a recording medium, a conveyance means for conveying the recording medium formed with the toner image by the image output means to a contact region of the covering layer and the pressure member.例文帳に追加

この定着装置は、例えば、記録媒体上にトナー像を形成する画像出力手段と、画像出力手段によってトナー像の形成された記録媒体を被覆層と加圧部材との接触領域に搬送する搬送手段とを有する画像形成装置に設けられる。 - 特許庁

In order to remove each gold plating layer 12 in the peeling region HE almost all over, relative movement (scanning) is performed between the YAG second harmonic laser beam SHG and each contact W as a work in a direction at a desired angle to the major axis direction of the elliptic beam spot SP_SHG.例文帳に追加

剥離領域ＨＥ内の金メッキ層１２をほぼ隈なく除去するために、ＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧと加工対象のコンタクトＷとの間で楕円状ビームスポットＳＰ_SHGの長軸方向に対して所望の角度をなす方向に相対移動（走査）が行われる。 - 特許庁

At the same time, the region (contact part) containing the area, where the voltage applying terminal parts (outer electrodes) 11 for a plurality of the individual electrodes 10 are arranged, of the first substrate 15 and larger than this area is etched so as to become the same thickness as the diaphragms 13.例文帳に追加

同時に複数の電極１０の各個別電極用電圧印加端子部（個別電極用外部電極）１１が配置されている面積に対向する第一基板１５の、前記面積を含むそれ以上の大きさの領域（コンタクト部）を、振動板１３と同じ厚さにエッチングする。 - 特許庁

Since the number of rings can be decreased for attaining a desired breakdown strength and the interval between well regions can be increased, a mask for forming a p+ type well region can be formed stably and the well regions can be prevented from coming into contact with each other.例文帳に追加

従って、所望の耐圧を得るためのリング数が減少でき、各ウェル領域間の間隔を広く取ることができるため、ｐ^+型ウェル領域形成用のマスクを安定して形成することができ、ウェル領域同士が接触してしまう等の不具合を防止することができる。 - 特許庁

An electrically conductive film 9c made of ITO film formed simultaneously with the common electrode 9a over the whole region superimposed planarly with the contact hole 6a is formed on the upper layer of the interelectrode insulating film 8, wherein the electrically conductive film 9c is electrically separated from the common electrode 9.例文帳に追加

電極間絶縁膜８の上層には、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域の全体にわたって共通電極９ａと同時形成されたＩＴＯ膜からなる導電膜９ｃが形成され、導電膜９ｃは、共通電極９ａと電気的に分離された状態にある。 - 特許庁

The contact plug in the semiconductor device is formed on the junction region on the semiconductor device, and the upper part is narrow and the lower part is wide to electrically connect a specified metal wire among upper metal wires to the junction area while dispersing an electric field.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子のコンタクトプラグは、半導体基板の接合領域上に形成され、電界を分散させながら上部の金属配線のうちの所定の金属配線を接合領域と電気的に接続するために、上部は狭く、下部は広いことを特徴とする。 - 特許庁

To form a contact with high reliability in a source/drain region and to form, with high reliability, a silicide layer at a part of the silicon layer which is crystal-grown by contacting to a silicon-contained metal molten liquid.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン領域の接合深さが０．１μｍ程度になると、拡散層の厚さが薄すぎるために、エッチングによりソース、ドレイン領域上に接続孔の形成したり、シリサイド化反応によりソース、ドレイン領域にシリサイド層を形成することは、リーク電流の増大により困難になる。 - 特許庁

A recessed portion 19 which is a shape in which a region corresponding to an elastic bending portion 17 of an elastic contact member 16 is partially and shallowly recessed than the plate thickness dimension of a side plate 13, and which is not exposed to the outer side face of the side plate 13, is formed on the inner side face of a pair of side plates 13.例文帳に追加

一対の側板１３の内側面には、弾性接触片１６の弾性撓み部１７と対応する領域を部分的に且つ側板１３の板厚寸法よりも浅く凹ませた形態であって、側板１３の外側面には露出しない形態の凹部１９が形成されている。 - 特許庁

An association part 25 controls the region width of the handwritten characters or lines from a change in the number of graphics as well as the writing speed calculated from the specified coordinate positions and the detection result of the contact state, and records the information of handwritten characters or lines in association with the coordinate positions in a handwriting recording part 26.例文帳に追加

対応付け部２５は、特定された座標位置から算出された筆記速度と接触状態の検出結果とともに、図形の数の増減から、筆記された筆跡の領域幅を制御し、座標位置と対応付けて筆跡の情報を筆跡記録部２６に記録する。 - 特許庁

A second guide member 4 is curved in a direction in which a region brought into contact with the carriage 2 includes a component of a parallel direction to the conveying direction a of the recording medium so that the rotation of the carriage 2 is guided by the own weight of the carriage 2 when the carriage 2 moves along the first guide member 3.例文帳に追加

第２のガイド部材４は、キャリッジ２が第１のガイド部材３に沿って移動する時に、キャリッジ２の自重によるキャリッジ２の回転を案内するように、キャリッジ２に当接する領域が記録媒体の搬送方向ａと平行な方向成分を含む方向に湾曲している。 - 特許庁

A trench 61 formed to reach the n^+ type silicon substrate 1 from the principal surface 72 of the n^+ type silicon substrate 1 so as to contact with the n^- type silicon region 3 having the high resistance, is filled with a conductive body 5 through an insulating material 4, and the conductive body 5 is electrically connected to a source electrode 13.例文帳に追加

また、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３に接してｎ^＋型シリコン基板１の主面７２からｎ^＋型シリコン基板１に達するトレンチ６１内に、絶縁体４を介して導電体５を充填し、前記導電体５を電気的にソース電極１３に接続させる。 - 特許庁

Out of two portions on mutually opposite side interposing a region where these cut-out 3A and the through-hole 3B are formed, the portion on the lower side in the Figure is a solder jointed part 5 to be solder-jointed to one member and the other portion is a contact part 6 to be contacted to the other member.例文帳に追加

これら切欠き３Ａ及び貫通孔３Ｂが形成された領域を挟んで互いに反対側にある二つの部分のうち、図中下側にある部分は、一方の部材に対しはんだ接合されるはんだ接合部５、他方の部分は、他方の部材に接触する接点部６となっている。 - 特許庁

An electrophoretic display layer 63 is sealed between a transparent substrate 61 and a rear substrate 65 with a sealing part 67 provided in a region including a periphery of the electrophoretic display layer 63, and a protrusion 53 avoiding the sealing part 67 and coming into contact with the rear substrate 65 is provided on the panel frame 52.例文帳に追加

電気泳動表示層６３は、電気泳動表示層６３の周縁部を含む領域に設けられる封止部６７によって透明基板６１と背面基板６５との間に封止され、パネル枠５２には、封止部６７を避けて背面基板６５と接触する突起５３が設けられている。 - 特許庁

To provide a thermoelectric generation system with a large power generation amount without occurrence of uneven contact even if there is variation in thickness of a thermoelectric conversion module, and without a damage in the thermoelectric conversion module even if a tightening force is increased, because waste heat of a comparatively low temperature region is collected.例文帳に追加

比較的低い温度領域の排熱を回収するために、熱電変換モジュールの厚さにバラツキがあっても片当りがおきることがなく、締め付け力を高めても熱電変換モジュールには破損が起こらず発電量の大きい熱電発電システムを提供する。 - 特許庁

The locking bar 31 operates while it is connected with an operation bar 40 through a member 38 in continuous contact, and an operation projection 42 protruding onto a limited zone side (a region permitting entry of only the specified person) of the body part 30 is provided in an upper end part of the operation bar 40.例文帳に追加

係止棒３１は、連接部材３８を介して操作棒４０に作動連結されており、その操作棒４０の上端部には、本体部３０の制限区域側（所定人のみ侵入が認められる領域）に突出する操作突起４２が設けられている。 - 特許庁

To provide a lighting device that secures uniformity in quantity of light to an incident region of a light guide even when light distribution characteristics of a light source are deviated, or when the light source and light guide are varies in installation position, and also to provide a contact type image sensor using the same.例文帳に追加

光源の配向特性に偏差がある場合や光源と導光体との設置位置にばらつきがある場合でも導光体の入射領域に対して光量の均一性を確保した照明装置及びそれを用いた密着型イメージセンサを提供する。 - 特許庁

Thereby, even when the tray T floats up from the medium guide 10, there exists no possibility of bringing the optical disk D set in the tray T into contact with the first discharging following roller 27A and the second discharging following roller 30A, and the data region of the optical disk D is surely protected.例文帳に追加

これによりトレイＴが媒体ガイド１０から浮き上がっても、トレイＴにセットされた光ディスクＤが第１排出従動ローラー２７Ａおよび第２排出従動ローラー３０Ａに接触することがなく、光ディスクＤのデータ領域を確実に保護することができる。 - 特許庁

A testing circuit to determine whether the mask that has been used to from the source/drain and gate electrode of a transistor, contact and wiring of each layer thereof is correct or not is formed within a chip or in the scribe region, and this circuit is then coupled with formation of the pattern of mask used.例文帳に追加

トランジスタのソース・ドレイン、ゲート電極とその上各層のコンタクトと配線を形成する際に使用したマスクが正しい物か否かを判定する為の試験回路をチップ内又はスクライブ領域に形成しておき、この回路を使用マスクのパターン形成により連結される。 - 特許庁

In the mounting region 102, a plurality of electrode portions 103 having an arrangement corresponding to respective terminals 52 of the package 50 are arranged, and configured to penetrate through the front and reverse sides of the socket body and come into contact with electrodes (electrode pads 61) of the substrate on the reverse side of the socket body.例文帳に追加

搭載領域１０２には、パッケージ５０の各端子５２と対応する配置の複数の電極部１０３が配置され、電極部１０３の各々は、ソケット本体の表裏を貫通し、ソケット本体の裏側で基板の電極（電極パッド６１）と接触するように構成されている。 - 特許庁

In the region 9 as a part of the surface of the resin nut holder 2 to be in tight contact with the positioning wall, a groove having its one end being in communication with the outside of the molding cavity 10 and the other end being opened in the molding cavity 10 is provided as a gas discharge channel for the injection molding of the secondary molding product.例文帳に追加

前記位置決め壁と密接させる樹脂製ナットホルダ２の一部表面領域９には、一端が成形キャビティ１０の外に通じ、他端が成形キャビティ１０内に開放される溝を設けて、二次成形品の射出成形時のガス排出通路とする。 - 特許庁

Since the step portions 124 at both ends of the light guide member 65 are supported by the support parts 140 and 142 in this manner, the light guide member 65 is impeded from intruding into the light source placement region where the light emitting elements 61 are disposed, and coming into contact with the light emitting elements 61.例文帳に追加

このように、導光部材６５の両端部の段部１２４が支持部１４０、１４２に支持されることで、発光素子６１が配置される光源配置領域へ導光部材６１が進入し、導光部材６５が発光素子６１に当るのが防止される。 - 特許庁