「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

When a gap roller 49 pushes a set region of a platen 46, a hook section 50 rises to rotate a pinch roller 62 in an orientation of separating from a feed roller 61 so that a paper sheet can be inserted thereinto and the tip portion of the paper sheet is brought into contact with a front face section 59.例文帳に追加

ギャップローラ４９がプラテン４６のセット領域を押し当てているときは、フック部５０が上昇し、ピンチローラ６２をフィードローラ６１から離反する向きに回転させ、紙葉類の差入れが可能となると共に、紙葉類の先端部は、正面部５９に突き当てられる。 - 特許庁

That is, since a play in the peripheral direction is reduced in the same way as a conventional example and a contact region of the ball 4 and an inner face of the pocket 10 when the ball is rotated and operated is reduced when compared with the conventional example, the behavior of the ball 4 and the crowned cage 5 is easily stabilized.例文帳に追加

つまり、周方向での遊びが従来例と同様に小さくなるとともに、回転動作時における玉４とポケット１０内面との当接領域が従来例に比べて少なくなるから、玉４および冠形保持器５の挙動が安定しやすくなる。 - 特許庁

The switching circuit is provided with a switch driving means 2 which operates the SSR (solid state relay) 4 at the switch-on time and the switch-off time based on driving pulses SD, while conducting the drive control to operate a relay (contact) 5A in the on-intermediate region of switching other than parts of the switch-on time and the switch-off time.例文帳に追加

駆動パルスＳDに基づいてスイッチングのオン時およびオフ時は、ＳＳＲ（ソリッド・ステート・リレー）４を動作させるとともに、スイッチングのオン時およびオフ時の一部を除いたオン中間領域は、リレー（接点）５Ａを動作させる駆動制御を実行するスイッチ駆動手段２を備える。 - 特許庁

No contact region is formed between addendum circle tracks 7b, 8b of the gears 7, 8 and an inner peripheral surface 18 of a cavity 1 as a thinned part 19 is provided even when the gears 7, 8 at the time of reverse rotation are pushed to the side of a discharge port 17 which in lowered pressure (refer to drawing 6 (b)).例文帳に追加

逆回転時のギヤ７，８が低圧となっている吐出口１７側へ押されても〔図６（ｂ）参照〕、肉盗み部１９を設けてあるので、ギヤ７，８の歯先円軌道７ｂ，８ｂとキャビティ１の内周面１８との間に接触域が形成されない。 - 特許庁

To provide a stepping motor that is simple in constitution, can sufficiently secure an effective contact face in the engagement region of cores that face yoke plates, is improvable in the efficiency of a magnetic circuit, capable of highly obtaining output torque, and favorably suitable for a micro motor.例文帳に追加

構造が簡素でありヨーク板に対する鉄芯の嵌合部位において有効な接触面を充分に確保でき、そして、磁気回路の効率を高くすることができ、出力トルクを高く得られて超小型モータに好ましく適用できるステッピングモータを提供すること - 特許庁

The method for designing the semiconductor circuit device sets the distance SP04 from a central line 121 of an n-type region 106 for contact in an n-well 112 to an n-well end 101' in a cell comprising the n-well 112 and a p-well 113 to the ditance without the transistor coming under the influence of a resist.例文帳に追加

Ｎウェル１１２およびＰウェル１１３を備えたセルにおいて、Ｎウェル１１２内のコンタクト用Ｎ型領域１０６の中心線１２１からＮウェル端１０１’までの距離ＳＰ０４をトランジスタがレジストからの影響を受けないだけの距離に設定する。 - 特許庁

The memory means 14 is arranged at a dead angle region P1 projected by a holding means 10b when the holding means 10b is viewed in a direction intersecting with the longitudinal direction of the electrophotographic photoreceptor 7 from an arbitrary contact point P11 of the electrophotographic photoreceptor 7 and an electrostatic charging means 8.例文帳に追加

電子写真感光体７と帯電手段８との任意の接点Ｐ１１から保持手段１０ｂを前記電子写真感光体７の長手方向と交差する方向にみて、前記保持手段１０ｂによって投影される死角領域Ｐ１に、記憶手段１４を配置する構成とする。 - 特許庁

In an illustrative embodiment: the free end of the wire stem is bonded to a contact region on the substrate; the wire stem is constructed to have an elastic form; the wire stem is cut by discharge to be free-standing; and applying, by deposition, the protective film to the free-standing wire stem.例文帳に追加

１つの例示的な実施例の場合、ワイヤステムの自由端が基板上の接触領域にボンディングされ、ワイヤステムは弾力のある形状を有するように構成され、ワイヤステムは、自立型となるように、放電により切断されて、自立型ワイヤステムに、メッキにより保護膜が施される。 - 特許庁

The laser diode includes a laminate structure 20 including a lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 15A, an active layer 16 having a light emission region 16A, an upper spacer layer 15B, a current narrowing layer 17, an upper DBR mirror layer 18 and a contact layer 19 in the order from the side of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。 - 特許庁

The conductor layer 2 includes a first conductor layer 21 and a second conductor layer 22 covering the prescribed region of the first conductor and comprising a second metal which is more noble and highly corrosion resistant than the first conductor layer, and the conductor layer and a via hole conductor 4 are brought into contact with each other and electrically conducted.例文帳に追加

導体層２を、第１導体層２１と、第１導体層の所定の領域を被覆する、第１導体層より貴で、耐食性の高い第２の金属からなる第２導体層２２とを備えた構成とし、導体層とビアホール導体４とを互いに接触させて電気的に導通させる。 - 特許庁

Because the lord of Echizen Province Nagahide NIWA had already died in May of the same year, Toshiie was promoted to a post that could be regarded as Soshoku (Governor General) in the Hokuriku-do region under the Toyotomi government, and was appointed as a role that should keep in contact with the Uesugi clan in Echigo Province, the Hojo clan in Kanto, and the territorial lords in Tohoku. 例文帳に追加

同年4月に、越前の国主である丹羽長秀が没しており、それに伴い利家は豊臣政権下における北陸道の惣職ともいうべき地位に上り、越後の上杉氏や関東の北条氏、東北の諸大名とも連絡する役目に任じられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Owing to this decree, Yoritomo was granted the official authority (the administrative authority of the Togoku region and the right to command the local officials of kokuga) by the Imperial Court, which was the then existing national authority, and this contact between Yoritomo and the public authority caused the formation of other national organizations, namely the Togoku state and the Kamakura bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun), according to SATO. 例文帳に追加

佐藤は、本宣旨により頼朝は既存の国家権力である朝廷から公権（東国行政権国衙在庁指揮権）を付与され、この公的権力との接触により一つの国家的存在、すなわち東国国家鎌倉幕府が成立したとする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Two or more kinds of pattern thermistors which are different in composition and resistance-temperature characteristic are combined and a temperature region formed with an envelope coming into contact with all resistance-temperature characteristic curves of the respective pattern thermistors is simulated.例文帳に追加

組成並びに抵抗—温度特性が異なる２種類以上のパターンサーミスタを並列に組合せ、各々のパターンサーミスタの抵抗—温度特性と、各々のパターンサーミスタの抵抗—温度特性曲線のすべての曲線と接する包絡線によって形成される温度領域をシュミレートする。 - 特許庁

The probe sheet includes the probe sheet body comprising a flexible insulating synthetic resin film and an electrically-conducting path embedded in the synthetic resin film and the plurality of contacts formed in such a way as to protrude from a contact region in one surface of the probe sheet body and connected to the electrically-conducting path.例文帳に追加

プローブシートは、可撓性の絶縁性合成樹脂フィルムおよび該合成樹脂フィルム内に埋設された導電路を有するプローブシート本体と、該プローブシート本体の一方の面の接触子領域から突出して形成され前記導電路に接続された複数の接触子とを備える。 - 特許庁

The structure is equipped with a piston 12, an ignition plug 16 provided facing a combustion chamber 11, and a flame inducing groove 13 formed on a crest face of the piston 12 for introducing the flame ignited by the ignition plug 16 to the region where the outer periphery of the piston 12 and the suction port 22 are in close contact with each other.例文帳に追加

ピストン１２と、燃焼室１１を臨んで設けられる点火プラグ１６と、ピストン１２の冠面１２ａに形成され、点火プラグ１６が点火した火炎をピストン１２の外周と吸気ポート２２とが近接する領域に誘導する火炎誘導溝１３とを備える。 - 特許庁

Since a ground conductor is wound around spirally in a region embedded and installed in a vertical hole excavated in the earth of a nonconductive support body, the contact area of the ground conductor and the earth can be made large and accordingly the desired ground resistance value can be obtained.例文帳に追加

非導電性支持体の大地に掘削された縦孔に埋設される領域に、接地導電体を螺旋状に巻回したので、接地導電体と大地との接触面積を大きくすることができ、従って、所望の接地抵抗値を容易に得ることができる。 - 特許庁

Cutter set means 30 is provided with feed means 26 scanning the whole contact region of a detecting surface 25A with which the blade tip contacts, image pickup means 12 photographing the image of the cutter set position in the detecting surface 25A, and image recognition means 32 recognizing the photographed image.例文帳に追加

カッターセット手段３０にブレード先端が接触する検出面２５Ａの接触領域全面をスキャン移動させる送り手段２６と、検出面２５Ａにおけるカッターセット位置の画像を撮像する撮像手段１２と、撮像された画像を認識する画像認識手段３２を設けた。 - 特許庁

A metal electrode 3 is arranged interposing a semiconductive layer 2 in a region where polarization is to be reversed on one surface of a crystal substrate 1, and the electrode is brought into contact with a liquid electrode 4 so as to apply the polarization reversal voltage between the electrode 4 and an electrode 5 disposed on the back face of the substrate 1.例文帳に追加

結晶基板１の片面の分極反転すべき領域に、半導電層２を介在させて金属電極３を配置し、これに液体電極４を接触させ、該基板１の裏面に配置した電極５との間で分極反転電圧を印加する。 - 特許庁

Then, a light shielding film 105 is formed in at least a region covering the memory cell 100 on the interlayer insulating film 106, and a part of this light shielding film 105 is formed so as to further extend into a film from the surface of the interlayer insulating film 106, in the vicinity of the bit line contact plug 109.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜１０６上の少なくともメモリセル１００を覆う領域に、遮光膜１０５が形成され、当該遮光膜１０５の一部は、ビット線コンタクトプラグ１０９の近傍において、層間絶縁膜１０６の表面から膜中にさらに延出して形成されている。 - 特許庁

Moreover, the surface of the extension part 19 (the second conductive layer 18 within the element isolation region 16) is exposed, and a third conductive layer 21 is made through a second insulating film 20 on the second conductive layer 18, and a contact 23 is connected to the extension part 19.例文帳に追加

また、延在部分１９（素子分離領域１６内の第２の導電層１８）の表面を露出して、第２の導電層１８上に第２の絶縁膜２０を介して第３の導電層２１が形成され、延在部分１９にコンタクト２３が接続されている。 - 特許庁

In a plasma CVD apparatus to deposit a film on a substrate by generating plasma, a hood to limit a generation region of the plasma is arranged, a heating means (e.g. heater), which maintains a surface temperature to cause the plasma to contact with the hood to a high temperature (e.g. ≥150°C), is arranged.例文帳に追加

プラズマを発生させて基体上に成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記プラズマの発生領域を制限するフードが設けられ、そのフードのプラズマと接する表面温度を高温（例えば１５０℃以上）に維持するための加熱手段（例えばヒータ）を設けた。 - 特許庁

The fuel cell 10 includes shallow ribs 71, 81 with low rib heights as a thrust reduction means in a pushing region PA corresponding to the arranged position of a seal material 60 on the rib 70 of a cathode separator 22 and the rib 80 of the anode separator 23 brought into contact with a film electrode junction 21.例文帳に追加

燃料電池１０は、膜電極接合体２１に当接するカソードセパレータ２２のリブ７０およびアノードセパレータ２３のリブ８０上のシール材６０の配置位置に対応する押圧領域ＰＡに、押圧力低減手段としてのリブ高さが低い浅リブ部７１、８１を備えている。 - 特許庁

After an access transistor 2, a bit line 6 and a first interlayer insulating film 4 are formed on a semiconductor substrate 1, a plug 8 for electrically connecting the access transistor 2 and a ferroelectric capacitor 9 is formed in a contact hole provided in a predetermined region in the first interlayer insulating film 4.例文帳に追加

半導体基板１上にアクセストランジスタ２、ビット線６、第１の層間絶縁膜４を形成した後、第１の層間絶縁膜４の所定の領域に設けられたコンタクト穴にアクセストランジスタ２と強誘電体キャパシタ９とを電気的に接続するためのプラグ８を形成する。 - 特許庁

The cylindrical filter member is in a laid over state wherein the first surface of one leg part is in close contact with the second surface of the adjacent leg part of the pleat over a continuous region and a first impermeable end cap is connected to the first end surface of the filter member.例文帳に追加

連続領域にわたって１つの前記脚部の第１の面が前記プリーツの隣接脚部の第２の面に緊密に接触しているレイドオーバー状態にある円筒形フィルタ部材と、前記フィルタ部材の第１の端面に接続された第１の不透過性の端部キャップとを有する。 - 特許庁

The thermally-assisted magnetic memory structure is composed of a first conductor (120) surrounded by cladding (110), a memory cell (170) thermally separated from the first conductor (120) by a thermal resistance region (130), and a second conductor (180) which electrically comes into contact with the memory cell (170).例文帳に追加

クラッディング（１１０）によって包囲された第１の導体（１２０）と、熱抵抗領域（１３０）によって前記第１の導体から熱的に分離されたメモリセル（１７０）と、前記メモリセル（１７０）と電気的に接触する第２の導体（１８０）とからなる熱アシスト型磁気メモリ構造。 - 特許庁

While a material containing at least one metal element from among nickel, iron, cobalt, and platinum is brought into contact with the top surface of an amorphous silicon film 12, a heat treatment is carried out for crystallization and then the crystallized silicon film has an impurity region, doped with phosphorus, selectively formed and thermally treated.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜の表面にニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つの金属元素を含有する材料が接した状態で熱処理して結晶化し、しかる後結晶化されたシリコン膜にリンを添加した不純物領域を選択的に形成し、熱処理する。 - 特許庁

A part of the upper surface of each substrate setting part 4 is arranged at a substrate setting part to hold the substrate through contact with a ridge 10 formed at the boundary region between a smoothing surface (rear surface) 8 of the substrate placed on the substrate setting part and a chamfering part (chamfering surface) 9 formed at the external circumference of the smoothing surface 8.例文帳に追加

各基板支持部４の上部面の一部が、基板載置部に載置される基板の平滑面（裏面）８と該平滑面８の外周に設けられた面取部（面取面）９との境界領域に形成される稜部１０に当接して基板を保持するように基板載置部内に配置されている。 - 特許庁

A throttle section 17 adjusts an area or a position of the opening so as to allow the edge of the junction between the element 12 and the sheet 11 to agree with the edge of a contact region between a lower surface of the sheet 11 and the sheet 16a in the exfoliation process of the element 12.例文帳に追加

絞り部１７は、半導体素子１２の剥離過程において、半導体素子１２と粘着シート１１との接合部の縁部が、粘着シート１１の下面と突き上げシート１６ａとの接触領域の縁部とが一致するようにその開口部の面積又は位置を調整する。 - 特許庁

A non-contact communication medium 1 is manufactured by interposing an RFID module 2 configured by electrically bonding a COB 5 to an antenna 3 and a pressure relaxation body 4 arranged in the air-core region of the antenna 3 between laminated resin sheets 6a and 6b, and laminating and burying them.例文帳に追加

非接触通信媒体１は、ＣＯＢ５とアンテナ３を電気的に接合してなるＲＦＩＤモジュール２と、アンテナ３の空心部領域に配置した圧力緩和体４を、積層した樹脂製のシート６ａ及び樹脂製のシート６ｂで挟み、積層し、埋設して作製する。 - 特許庁

The high-breakdown voltage vertical MOSFET is constituted, which has the surface pattern shape of a source region 3a which contacts a part of a channel 4 and does not contact all the sides in order to reduce effective channel density as controlling it so as to suppress rise of the on-resistance and increase of feedback capacity.例文帳に追加

オン抵抗の上昇と帰還容量の増加を抑制するように、実効的なチャネル密度を制御しながら低下させるために、チャネル４の一部に接し、全辺には接しないソース領域３ａの表面パターン形状を有する高耐圧縦型ＭＯＳＦＥＴとする。 - 特許庁

A heat insulating plate 86 is placed on the upper end surface of the substrate support 30; and the heat insulating plate 86 is supported by, for example, a plurality of protruding parts 78, arranged in the region inside an edge 76a of the upper end surface 76 of the substrate support 30, so as not to contact the edge 76a.例文帳に追加

基板支持具３０の上端面に断熱板８６が載置されていて、断熱板８６は、基板支持具３０の上端面７６の縁部７６ａよりも内側の領域であって、縁部７６ａとは接触しないように配置された、例えば複数の凸部７８で支持されている。 - 特許庁

A seal member 22 fixed to the whole region of the outer periphery of a face directed to the conveying direction of a container 20 is in close contact with the inner wall of a seal cylinder 24 while being elastically deformed when the container in open air is transported into a steam chamber 2 while being passed in the interior of the seal cylinder 24.例文帳に追加

外気中の容器２０が、シール筒体２４内を通過しながら蒸気室２内に向けて搬送されていくと、容器２０の搬送方向を向く面の外周全域に固定したシール部材２２が弾性変形しながらシール筒体２４の内壁に密接する。 - 特許庁

In conclusion, in only two parts industries i.e. automobile parts and electronic parts, there are considerable different structures by sector and by regions. Therefore it is necessary to examine the situation of the Japanese economy, in consideration of varieties of worlds with which each Japanese region is in contact.例文帳に追加

結論として、自動車部品、電子部品の両部品産業だけでも、部門間及び地域間によって大きく構造が異なっており、国内の地域ごとに連結している世界が少しずつ違うことを前提として、国内経済の状況も確認していく必要があろう。 - 経済産業省

In addition to these systemic factors, a specific focus on the Silicon Valley region reveals cultural factors such as the acceptance of independence as a natural drive, a trend which began with the “eight traitors” who “span out” from the Shockley Research Institute, and acceptance of contact between ventures and large companies as equal partners.例文帳に追加

こうした制度的背景に加えてシリコンバレーという地域に目を落とせば、ショックリー半導体研究所からスピンアウトした通称「８人の裏切り者」に始まる、独立を当たり前のものとみなし、ベンチャー企業でも大企業と対等に渡り合える文化があった。 - 経済産業省

The low molecular weight substance is detected by using a low molecular weight substance detection instrument provided with a reactant contact region for bringing a labeled antibody for partially containing an antibody bonded to the target substance in a subject sample into contact with a reactant of the subject sample and using immuno-chromatography for detecting the target substance in the subject sample.例文帳に追加

被験試料中の標的物質に結合し得る抗体を一部とする標識抗体と、被験試料の反応物を接触させるための、反応物接触部位が設けられている、被験試料中の標的物質を検出可能な、イムノクロマトグラフィーを用いた低分子物質検出用器具を用いて、上記低分子物質の検出を行うことにより、上記の課題を解決し得ることを見いだした。 - 特許庁

The method for forming contact holes regardless of the coarseness and denseness of the gate electrode forming region comprises the steps of: depositing a BPSG film 4 on a semiconductor wafer on which transistors are formed; leveling the BPSG film; depositing an insulation film 5 on the BPSG film; and forming contact holes 8 extending to the semiconuctor wafer on the BPSG film and the insulation film.例文帳に追加

ゲート電極形成領域が疎な場合と密である場合があるとき、トランジスタが形成された半導体基板上にＢＰＳＧ膜４を堆積する工程と、ＢＰＳＧ膜を平坦化する工程と、ＢＰＳＧ膜上に絶縁膜５を堆積する工程と、ＢＰＳＧ膜および絶縁膜に半導体基板に達するコンタクトホール８を形成する工程と、を備えることを特徴とするコンタクトホールの形成方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device which includes a semiconductor substrate, a semiconductor pillar, and a contact plug comprises a semiconductor substrate which includes at least a pair of fins which functions as an active region, a semiconductor pillar which is intervened across a pair of fins so as to connect the fins, and a contact plug formed on the semiconductor pillar so as to be connected with the upper surface of a pair of fins electrically.例文帳に追加

半導体基板、半導体柱及びコンタクトプラグを備える半導体素子において、活性領域として機能する少なくとも一対のフィンを備える半導体基板と、一対のフィンの一部分の間に該フィンを連結するように介在される半導体柱と、一対のフィンの上面に電気的に連結されるように半導体柱上に形成されるコンタクトプラグとを備える半導体素子である。 - 特許庁

A scanning liquid recovery arm 16 and a scanning liquid recovery tool 16a installed at the tip of the scanning liquid recovery arm 16 are operated in a recovery region from a scanning start position to a scanning end position on a wafer surface set based on the origin position of the wafer, thus rotating the wafer turning table 6 for recovering a liquid chemical including impurities while the liquid chemical is in contact with the wafer surface in the recovery region.例文帳に追加

このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム１６および走査液回収アーム１６の先端に設置した走査液回収冶具１６ａを動作させることによって、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台６を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 - 特許庁

This method of manufacturing the heat spreader 10 includes processes of: processing a region at a predetermined depth from a part of one main surface of a metal material member; supplying the thermally-conductive layer into the region; and agitating the thermally-conductive material into the metal material member to form the metal matrix composite material layer 12 by rotating a rotation member in the state where the rotation member is brought into contact with the thermally-conductive material.例文帳に追加

ヒートスプレッダ１０の製造方法には、金属材料部材の一方の主表面上の一部から所定の深さの領域を加工する工程と、上記領域内に熱伝導性材料を供給する工程と、熱伝導性材料に回転部材を当接させた状態で回転部材を回転させることにより熱伝導性材料を金属材料部材の内部に攪拌させて金属基複合材料層１２を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加

更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁

To reliably repair the defect of an organic EL element caused by an electrode short circuit that cannot be detected by emission of light produced from a defective point when a voltage is applied to the organic EL element in which a contact is arranged on an electrode deposition region, and to improve the yield of an organic EL display apparatus.例文帳に追加

コンタクトを電極成膜領域に配置する有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子に電圧を印加したときに、不良個所から発生する発光では検出ができない電極ショートに起因する有機ＥＬ素子の不良を確実にリペアし、有機ＥＬ表示装置の歩留まりを向上させる。 - 特許庁

Next, an enzyme label antibody is specifically joined to the label receptor or the label ligand, and a chemical luminescent substance is brought into contact with the enzyme label antibody specifically joined to the label receptor or the label ligand to photoelectrically detect chemical light emission emitted from the adsorptive region of the unit for the biochemical analysis.例文帳に追加

続いて、酵素標識抗体を標識レセプタまたは標識リガンドと特異的に結合させ、標識レセプタまたは標識リガンドと特異的に結合した酵素標識抗体に化学発光基質を接触させて、生化学解析用ユニットの吸着性領域から放出される化学発光を光電的に検出する。 - 特許庁

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。 - 特許庁

To independently form a grounding potential GND coming into contact with a P type isolation region surrounding an outer periphery of transistors constituting a cascode circuit, whereby a leakage to the input terminal side of a reception signal of a local oscillator signal component is suppressed to the minimum.例文帳に追加

ＩＣチップ小型化に伴い、ダブルバランストミキサ回路の上段部から下段部への局部発振器信号の漏洩経路として、配線を経由する従来のもの以外に、ダブルバランストミキサ部とカスコード部の間のＰ^+型分離領域が持つ寄生容量を経由するものの割合が高まり、ローカル漏洩特性が劣化する。 - 特許庁

The display module has a first substrate, a second substrate layered on a part of the first substrate, a driver tip mounted in a region on the first substrate where the second substrate is not layered and on the same side as the second substrate to control operation of the display module, a cushioning material to protect the driver tip from contact with the touch panel.例文帳に追加

ディスプレイモジュールは、第１基板と、第１基板の一部に重ね合わされた第２基板と、第１基板上の第２基板が重なっていない領域に第２基板と同じ側に搭載され、ディスプレイモジュールの動作を制御するドライバチップと、ドライバチップとタッチパネルとの接触からドライバチップを保護する緩衝材と、を有する。 - 特許庁