「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, when a vane 52 rotates on the inner circumferential surface N2 to pass through a second exhaust port E2, although pump oil is also drained off by the vane 52, a region S1 functions as a buffer part which stores the pump oil and buffers a shock when the pump oil comes into contact with an oil film between the first curved surface part C1 and the rotor 42.例文帳に追加

これによって、ベーン５２が内周面Ｎ２上を回転し、第２の排気ポートＥ２を通過する際、ベーン５２によってポンプ油も掻き出されるが、領域Ｓ１がポンプ油を収容する緩衝部として機能し、ポンプ油が第１の曲面部Ｃ１とロータ４２との間の油膜に接触する衝撃をやわらげる。 - 特許庁

In a liquid crystal device 100, a conductive light-shielding layer 29 is provided in a region lower than a common electrode 21 in a counter substrate 20, and has electric continuity with the common electrode 21 in contact holes 27a and 27b of an insulating layer 27, a first conducting part 25a and a second conducting part 25b.例文帳に追加

液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。 - 特許庁

To provide an abrasion phenomenon analysis system and an abrasion phenomenon analysis method capable of readily analyzing, in a short time, abrasion phenomenon such as powder generation, the state of movement or oxidation, on a material interface of a metal member caused by contact between a plurality of metal members, over a wide-range of analysis region.例文帳に追加

複数の金属部材間の接触による該金属部材の材料界面における、粉の発生・移動や酸化の状態等の磨耗現象を、広い範囲の解析領域について、短時間に容易に解析することが可能な磨耗現象解析システム及び磨耗現象解析方法を提供する。 - 特許庁

The process further includes: applying a second layer 114 in contact with the alkaline surface of the first resist pattern to expose the second layer to the active radiation (Fig. 1D), developing it (Fig. 1F), and removing a region of the second layer near to the first resist pattern to define an opening 118 between the first resist pattern and the second resist pattern.例文帳に追加

第２の層１１４を第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し第２の層を活性化放射線に露光（図１Ｄ）、現像（図１Ｆ）して、第１のレジストパターンの近傍の第２の層の領域が除去されて、前記第１のレジストパターンと第２のレジストパターンとの間に開口１１８を画定する。 - 特許庁

In the mold, an arithmetical mean roughness Ra measured in a measuring region of 10 μm square or less of the mold surface in contact with a molding material is set to 5 nm or less, and fine protrusion structures with diameters of 10-80 nm and heights of 10-40 nm are formed on the mold surface with a density of 400 pieces/μm^2 or more.例文帳に追加

成形材料と接触する金型表面の、測定領域１０μｍ角以下で測定される算術平均粗さＲａを５ｎｍ以下とし、かつ金型表面に直径１０〜８０ｎｍ、高さが１０〜４０ｎｍの範囲にある粒状の微細凸構造物を密度４００個／μｍ^２以上で形成する。 - 特許庁

A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) device, having a metal silicide contact which is durable against high-temperature annealing used for activating the source-drain region of the device is provided by adding at least an alloy element to an initial metal layer used for forming the silicide.例文帳に追加

デバイスのソース・ドレイン領域を活性化するのに使用される高温アニールに耐える金属シリサイド・コンタクトを有する相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイスが、シリサイドを形成するのに使用される初期の金属層に対して少なくとも１つの合金元素を追加することによって提供される。 - 特許庁

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０１の一導電型の単結晶シリコン層１０４の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層１０７ａの側面の全面は、埋め込み絶縁層１０３に達する溝１１３ａに埋め込み絶縁膜１１５が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁

Porous electrolytic solution reservoirs 4a impregnatable with the electrolytic solution provided so as to contact the separator 10 are each arranged to oppose a region not contacting the positive electrode 6 of a main surface connected to the positive electrode 6 in the electric positive collector plate 8, without being sandwiched by the electrodes 6 and 7.例文帳に追加

セパレータ１０に接触して設けられた、電解液を含浸可能な多孔質の電解液リザーバ４ａは、正極６及び負極７に挟まれることなく、正極集電板８における正極６に接続された主面の当該正極６とは接触していない領域と対向して配置されている。 - 特許庁

This active substrate is provided with a semiconductor layer projection part 12A, projected from an extension part 12 by extending a semiconductor layer constituting the drain region of a TFT 4 and a gate metal projection part 7 formed by the same metal layer and in the same process as that of a gate busline 1 so that it is connected to a source busline 2 via a contact hole part 2A.例文帳に追加

ＴＦＴ４のドレイン領域を構成する半導体層を延在させた延在部１２から突出した半導体層突出部１２Ａを設け、ソースバスライン２にコンタクトホール部２Ａを介して接続されるようにゲートバスライン１と同じ金属層で同一工程で形成されたゲートメタル突出部７を設ける。 - 特許庁

The tool 100 for assembling the cap unit is provided which reproduces a nozzle face of a head unit in the liquid jetting apparatus, and has a nozzle reproduced face 105 with which a cap part constituting the cap unit is brought into contact, and in which at least a contacting region of the cap part on the nozzle reproduced face 105 is transparent or translucent and visually recognizable.例文帳に追加

液体噴射装置におけるヘッドユニットのノズル面を再現し、キャップユニットを構成するキャップ部が当接されるノズル再現面１０５を有し、少なくともノズル再現面１０５におけるキャップ部の当接領域が、透明若しくは半透明であり視認可能となっているキャップユニット組立用治具１００である。 - 特許庁

When the substrate is succeedingly immersed in the organic peeling liquid, since the organic peeling liquid adheres to the surface of the substrate up to the interiors of the minute aperture parts, the entire surface region of the substrate certainly comes into contact with the organic peeling liquid at immersion and the contaminant such as an unnecessary film or the like adhered on the substrate W uniformly can be removed.例文帳に追加

引き続き基板を有機剥離液に浸漬すと、基板表面の微少開口部の内部にまで有機剥離液が付着しているので、浸漬時に基板表面全域が有機剥離液と確実に触れ、均一に基板Ｗ上に付着した不要な膜等の汚染物質を洗浄除去することができる。 - 特許庁

In forming a pixel electrode 9a on an element substrate of a liquid crystal device, a first insulating film 47 including a lattice-shaped convex part 47f extending along an inter-pixel region 10f is formed, then, a contact hole 47a is formed in the first insulating film 47, and thereafter, a conductive film 9 and a second insulating film 49 are sequentially stacked.例文帳に追加

液晶装置の素子基板に画素電極９ａを形成する際、画素間領域１０ｆに沿って延在する格子状の凸部４７ｆを備えた第１絶縁膜４７を形成した後、第１絶縁膜４７にコンタクトホール４７ａを形成し、その後、導電膜９および第２絶縁膜４９を順次積層する。 - 特許庁

A sound propagation system (5) like an acoustic lens to be used through its contact with a living body is equipped with the tip of a ultrasonic probe (3) housing a ultrasonic oscillator (2) so that ultrasonic waves from the ultrasonic oscillator (2) can be focused to a given in vivo region to be stimulated via the sound propagation system (5).例文帳に追加

超音波発振器（２）を内蔵した超音波プローブ（３）の先端に、生体に接触させて使用する音響レンズのような音響伝搬系（５）を取り付け、超音波発振器（２）から出力された超音波が音響伝搬系（５）を介して生体内の任意の刺激部位に集束して照射されるようにした。 - 特許庁

Consequently, the non-contact temperature detecting sensor 20 can have the smallest number of places where it contacts the holding member 30, then, can suppress heat transfer between the sensor 20 and the holding member 30 and also can directly detect the heat radiated from the heat roller 2 in a wide region on the sensor surface.例文帳に追加

これにより、非接触温度検知センサ２０は、保持部材３０との接触箇所をできるだけ少なくすることができ、センサ２０と保持部材３０との間における熱の伝達を抑制するとともに、センサ表面の広範囲にわたる領域で、熱ローラ２から放射される熱を直接検知することが可能である。 - 特許庁

The microtome 10 includes a safety guard 40 having a guard part 40e positioned nearer to the specimen holder 32 side than the cutting blade 15 and below the cutting blade 15 only when the cutting blade holder 16 is located in the waiting region R1, for guarding the hand or finger of the worker from getting into contact with the tip of the cutting blade 15.例文帳に追加

ミクロトーム１０は、切断刃ホルダ１６が待機領域Ｒ１に位置する際にのみ、切断刃１５よりも試料ホルダ３２側に位置するとともに切断刃１５よりも下方に位置して切断刃１５の刃先に人の手指が触れないようにガードするガード部４０ｅを有する安全ガード４０を備える。 - 特許庁

For use, the soft base material is brought into close contact with a region having the same surface shape as the target surface shape, and held until the soft base material is cured by the action of the moisture curable resin to be fixed in the same surface shape as the target surface shape.例文帳に追加

使用に当たっては、前記柔軟な基材を、目標とする表面形状と同一な表面形状を有する部位に密着させ、前記柔軟な基材が前記湿気硬化性樹脂の作用で硬化して前記目標とする表面形状と同一の表面形状に固定されるまで保持する。 - 特許庁

This transparent member is positioned between a light source and a script in an image reader which optically reads a delivered script, and a transparent electroconductive film is formed on the opposite side of the surface on which the script is in contact (paper passing surface), and there is a region having different surface resistance in the transparent electroconductive film.例文帳に追加

搬送原稿を光学的に読み取る画像読取装置の、光源と原稿との間に位置する透明部材であって、透明部材の原稿と接する面（通紙面）と反対の面に透明導電膜が形成されており、かつ、透明導電膜に表面抵抗が異なる領域が存在することを特徴とする透明部材。 - 特許庁

The semiconductor image sensor is most principally characterized in that a surface of a microlens group for condensation is brought into contact with a lower surface of a cover glass 31 in the thinning step of a semiconductor substrate 2 in order to prevent a phenomenon that a principal region of the image sensor where the microlens group 30 etc. are arranged, is pushed toward the cover glass.例文帳に追加

半導体基板２の薄膜化工程で、マイクロレンズ３０群などが配列されているイメージセンサの主要領域がカバーガラス側へ押し込まれる現象を阻止するため、集光のためのマイクロレンズ群の表面をカバーガラス31の下面に接触させることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

The optical recording medium is manufactured by directly irradiating a thin film for the light absorption part or a thin film for forming the heat insulation part layered on the substrate with a laser beam to transform the thin film, removing unnecessary parts by an etchant and forming a thermal control region so that the light absorption parts and the heat insulation parts alternately come in contact with the recording layer.例文帳に追加

基板上に積層された光吸収部用薄膜もしくは断熱部形成用薄膜を直接レーザ光照射により変質させ、不要部分をエッチング液で除去し、光吸収部と断熱部が交互に記録層に接するように熱制御領域を形成し光記録媒体を作製する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method using an SOI (silicon on insulator) substrate capable of high integration that is achieved by solving the problem of breakdown voltage lowering between source and drain which has been a problem in the conventional SOI FET (field effect transister), and by efficiently arranging a body contact region that may be a problem for achieving high integration.例文帳に追加

従来のＳＯＩ電界効果トランジスタの問題点であった、ソース／ドレイン間耐圧の低下を解消するとともに、高集積化に対して問題となるボディコンタクトの領域を効率的に配置することにより、高集積化を可能としたＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In concrete terms, this biosensor is characterized in having two cuffs clamping the tragus and detecting the bioinformation, and the cuff fixing part fixing one of the two cuffs and having a recessed section, which is formed by narrowing a part of the outer wall, coming into contact with the inner wall of the auditory meatus in the occipital region side and the cavum conchae.例文帳に追加

具体的には、本発明に係る生体センサは、耳珠を挟持して生体情報を検出する２個のカフと、前記２個のカフのうちの一方を固定し、外壁の一部がくびれた凹部が外耳道の後頭部側の内壁及び耳甲介腔に接触するカフ固定部と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The volume of a silicon oxide film 17 on an interlayer insulating film 16 in the neighborhood of the control hole C3 in shunt wiring by providing source wiring in a region between a contact portion in the shunt wiring of a selective transistor on a source side and shunt wiring of an adjacent selective transistor.例文帳に追加

ソース側の選択トランジスタのシャント配線のコンタクト部と、隣接する選択トランジスタのシャント配線との間の領域にもソース線の配線を設けることにより、シャント配線のコンタクトホールＣ３付近の層間絶縁膜１６上のシリコン酸化膜１７の体積を低減していることを特徴としている。 - 特許庁

In a step of increasing voltage, when a voltage is increased at a contact surface pressure of 0, a voltage at a first change point C that allows a current density to start to decrease after an increase is defined as a threshold voltage and the voltage is increased so that the voltage in a region where a barrier film is exposed is higher than the threshold voltage.例文帳に追加

電圧を高める工程では、接触面圧を０とした状態で、電圧を高めた場合に、電流密度が増加から減少に転じる第１変化点Ｃ電圧を閾値電圧とし、バリア膜を露出させた領域における電圧が、閾値電圧を超えるように、電圧を高めることを特徴とする。 - 特許庁

A light absorbing layer is formed; an insulating layer is formed on the light absorbing layer; the light absorbing layer and the insulating layer are selectively irradiated with laser light to remove the irradiated region of the insulating layer to form an opening in the insulating layer; and a conductive film is formed in the opening so as to be in contact with the light absorbing layer.例文帳に追加

光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。 - 特許庁

An electrode film of low resistor which is mainly composed of TISi_2 is formed by the occurrence of a TiSi_2 part 12 by the reaction with the Si and Ti, a TiN part 13 by the reaction with the Ti and the AlGaN, a nitrogen vacancy 14, and a metallic part of group III with Ga and Al having lost nitrogen in the ohmic contact forming region 11.例文帳に追加

コンタクト形成領域１１内で、ＳｉとＴｉとの反応によるＴｉＳｉ_２部分１２、ＴｉとＡｌＧａＮとの反応によるＴｉＮ部分１３、および窒素空孔１４、窒素を失ったＧａとＡｌのＩＩＩ 族金属部分が発生して、ＴｉＳｉ_２を主体とする低抵抗の電極膜が形成される。 - 特許庁

On the bonding surface of a plurality of metal blocks 60-62, solder paste 75 is applied to a region separated inward from the outer edge of the bonding surface, the plurality of metal blocks 60-62 are then brought into pressure contact with each other and heated to solder the plurality of metal blocks 60-62 and produce a gas supply member 40.例文帳に追加

複数の金属ブロック６０〜６２同士の接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペースト７５を塗布し、複数の金属ブロック６０〜６２同士を圧接させ、加熱することにより、複数の金属ブロック６０〜６２同士をろう付けさせてガス供給部材４０を製造する。 - 特許庁

By this, while nearly flatness of the image display region 15 is secured, the contact pressure at a barrier rib 4 by the front face substrate 2 and the rear face substrate 3 exists in the inside of at least either the front face substrate 2 or the rear face substrate 3, and the gap is hardly formed between the front face substrate 2 and the barrier rib 4.例文帳に追加

このことにより、画像表示領域１５の略平坦性は確保されたまま、前面基板２と背面基板３とが隔壁４で圧接する力を、前面基板２、背面基板３の少なくとも一方に内在した構成となり、前面基板２と隔壁４との間に隙間は生じ難くなる。 - 特許庁

The contact area S and an electric resistance R between the conductive members 16, 17 are adjusted to be in reverse proportion to each other, and thereby a nonlinear output characteristic (output voltage) can be acquired to an input load (tire generated force), and a great change of the output voltage can be acquired to a change of the tire generated force in the fine transient region.例文帳に追加

接触面積Ｓと導電部材１６，１７間の電気抵抗Ｒとを反比例させることで、入力荷重（タイヤ発生力）に対して非線形の出力特性（出力電圧）を得ることができ、微小過渡領域におけるタイヤ発生力の変化に対して、出力電圧の大きな変化を得ることができる。 - 特許庁

The method for producing the propylene block copolymer using a specific catalyst includes specific processes (a)-(e) including a process for supplying an electron donor compound to a polymerization reactant retained in a specific region of the polymerization process by a specific method for bringing the electron donor compound into contact with the polymerization reactant.例文帳に追加

特定の触媒を用いるプロピレン系ブロック共重合体の製造方法であって、重合工程の特定の部位に停滞させた重合反応物に、特定の方法で電子供与体化合物を供給し接触させる工程を含む、特定の工程（ａ）〜（ｅ）を有するプロピレン系ブロック共重合体の製造方法による。 - 特許庁

The method for purifying water at pH less than 4 is carried out by bringing a ferric hydroxide adsorbent bonded with the polymer substance which is hydrophilic and insoluble in a strongly acidic region into contact with water at pH less than 4 and containing iron ion and arsenic-containing ion to selectively separate the arsenic-containing ion.例文帳に追加

また、ｐＨ４未満の水の浄化方法は、親水性で、かつ強酸性領域で溶解しない高分子物質で結合した水酸化第２鉄吸着剤を、鉄イオン及び砒素を含有するイオンを含むｐＨ４未満の水と接触させて砒素を含有するイオンを選択的に分離すること特徴とする。 - 特許庁

An insulating film 905 is attached, a gate electrode 108 is deposited, a trench 105 is cut by etching, a spacer 103 is attached, then N-type ions are implanted to form a drain region 106 adjacent to the upper gate 108, and the opening 105 is filled up with conductor to serve as a contact.例文帳に追加

絶縁膜９０５を付着させゲイト電極１０８を堆積し、エッチングによりトレンチ１０５を開口しスペーサ１０３を付着させた後ｎ型イオン注入してドレイン領域１０６を基板１０上部ゲート１０８に隣接して形成し、開口部１０５に導電体を充填してコンタクトとする。 - 特許庁

Both the refrigerant inlet and outlet 311, 312 are concentrated at one region of two regions divided by a center straight line M passing through the geometrical center of gravity at a body section 20 of the semiconductor module 2 in contact with the surface of the cooling pipe 31 in which the refrigerant inlet and outlet 311, 312 are formed.例文帳に追加

冷媒入口３１１と冷媒出口３１２との双方は、これらが形成された冷却管３１の表面に接触する半導体モジュール２の本体部２０の幾何学的重心を通過する中央直線Ｍによって区切られる２つの領域のうちの一方の領域に集中して存在している。 - 特許庁

A region inside a mask frame and outside aperture regions 10 of the mask on a rear surface of the substrate 20 is pressed by a pressing body 30 in lines along two opposing sides of the substrate, so that the substrate and the mask can be brought into intimate contact with each other in a substantially horizontal state without deforming mask apertures.例文帳に追加

基板２０の裏面の、マスクフレームの内側であって、マスクの開口領域１０の外側の領域を、基板の対向する２辺に沿った線状に、押圧体３０によって押圧することにより、マスク開口部の変形を招くことなく、基板とマスクとを略水平状態にして密着させることができる。 - 特許庁

In the electrostatic chuck comprising an insulating substrate and a unipolar type electrode for electrostatic attraction, a substrate is attracted to the end of a projection, arranged on a flat surface on a side of a substrate-attracting surface of the insulating substrate, and wherein the end of the projection has a conducting region, in contact with the substrate.例文帳に追加

絶縁性基体と、単極型の静電吸着用電極とを備え、前記絶縁性基体の基板吸着面側の平面に設けられた突起先端に基板を吸着する静電チャックであって、前記突起先端は、基板と接触する導電性領域を有することを特徴とする静電チャック。 - 特許庁

A control device 40 drives illumination light sources 31 to 34 and projects a printing region with projection light in response to a print start signal, and after a preset time which is set from the print start signal elapses, the contact device makes laser light from a laser oscillator 21 go out to a processing face of an object to be processed.例文帳に追加

制御装置４０は、印字開始信号に応答して、照明用光源３１〜３４を駆動させて印字領域を投影光にて投影するとともに、印字開始信号から予め定めた時間経過した後、レーザ発振器２１からのレーザ光を加工対象物の加工面に出射させる。 - 特許庁

To provide a fixing device configured to lessen temperature fall of a flexible member by reducing area of a region where a heating body supporting member comes into contact with the flexible member on an upstream side of a nip part in a recording material conveying direction in order to melt a surface part of the unfixed toner image on recording material.例文帳に追加

記録材上の未定着トナー像の表面部を溶融できるようにするため、ニップ部の記録材搬送方向上流側で加熱体支持部材の可撓性部材と接触する領域の面積を小さくし可撓性部材の温度低下を減少させるようにした定着装置の提供。 - 特許庁

In a region on a foot pattern 7" coming into contact with a heat dissipation electrode 3 of the electronic component 1, a plurality of solder layers 8" of the same size in the same shape with solder layers 6 having a shape and a size matching signal electrodes 2 as electrodes of minimum size of the electronic component 1 are provided at intervals.例文帳に追加

電子部品１の放熱電極３に接するフットパターン７”上の領域内に、電子部品１において最小の大きさの電極となる信号電極２に適合する形状および寸法の半田層６と同形同寸法の半田層８”を間隔を空けて複数個分散して設ける。 - 特許庁

This microstructure transfer device transferring a minute pattern of a stamper to an object to be transferred by bringing the stamper with the minute pattern formed thereon into contact with the object to be transferred has a mechanism providing an elastic force distribution so that bubbles are led outside in the transfer region of the mimnute pattern in the object to be transferred.例文帳に追加

本発明は、微細パターンが形成されたスタンパを被転写体に接触させ、被転写体にスタンパの微細パターンを転写する微細構造転写装置において、被転写体における微細パターンの転写領域で、前記の気泡を外部に導くような弾性力分布を持たせる機構とする。 - 特許庁

A stud bump 13 is formed by a gold wire, and it is heated/pressurized for bonding, so as to electrically connect an electrode 19 provided in a terminal region of an antenna circuit 18 with the electric contact 12 of an IC chip 11 on a noncontact IC medium substrate 17, and then they are filled with a sealing resin 20 and are fixed.例文帳に追加

非接触ＩＣ媒体の基体１７上の、アンテナ回路１８の端子部位に設けられた電極１９と、ＩＣチップ１１の電気接点１２とを電気的に接続するために、金線によりスタッドバンプ１３を形成して加熱加圧接合を行い、その後に封止樹脂２０を用いて充填固定する。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of capacity elements 41, an upper insulating film 34 and a second layer insulating film 28 composed of different materials and formed on each capacity element 41, and a bit line contact plug 31 formed in a region between the capacity elements 41 and connected to a bit line 33.例文帳に追加

半導体装置は、複数の容量素子４１と、各容量素子４１の上に形成された互いに異なる材料からなる上部絶縁膜３４及び第２の層間絶縁膜２８と、容量素子４１同士の間の領域に形成され、ビット線３３と接続されたビット線コンタクトプラグ３１とを備えている。 - 特許庁

The sufficiently large grip force can be generated at braking the vehicle because a toe angle bringing toe-out is applied to front wheels by the inertia of the vehicle at braking the vehicle, a camber angle of a negative value is applied accompanied by the application of the toe angle, and the high grip region 39 is made to contact with the ground surface GRD.例文帳に追加

車両の制動時に、車両の慣性によって前輪に、トウアウトとなるトウ角が付与され、トウ角の付与に伴って、負の値のキャンバ角が付与され、高グリップ領域３９が路面ＧＮＤに接地させられるので、車両の制動時に十分に大きなグリップ力を発生させることができる。 - 特許庁

Then, a partial trench separation insulating film 8 is arranged in the surface of the SOI substrate SB corresponding to lower parts of both the edges, and a body contact region 21 is arranged adjacent to the partial trench separation insulating film 8 in the surface of the SOI substrate SB outside both the edges in the direction of the gate width of the gate electrode 5.例文帳に追加

そして、当該両端部の下部に対応するＳＯＩ基板ＳＢの表面内には部分トレンチ分離絶縁膜８が配設され、ゲート電極５のゲート幅方向両端部外方のＳＯＩ基板ＳＢの表面内には、それぞれ部分トレンチ分離絶縁膜８に隣接してボディコンタクト領域２１が配設されている。 - 特許庁

The wire grid polarizing plate is primarily composed of: a transparent base material 1 having grid-like protrusions 1a; a metal wire layer 2 disposed on a region including the grid-like protrusions 1a of the base material 1; and a protective film 3 having an adhesive layer 3b in contact with tip parts of the metal wire layer 2.例文帳に追加

ワイヤグリッド偏光板は、格子状凸部１ａを有する透明な基材１と、この基材１の格子状凸部１ａを含む領域上に設けられた金属ワイヤ層２と、この金属ワイヤ層２の先端部と接触する粘着剤層３ｂを有する保護フィルム３と、から主に構成されている。 - 特許庁

The protein recognizing structure is manufactured by a method wherein a prepolymer is polymerized in a state that the prepolymer is brought into contact with the surface of a protein crystal to molecularly imprint the surface shape of the protein crystal and the specifical functional base region of the protein disposed on the surface of the protein crystal on the polymer formed by polymerizing the prepolymer.例文帳に追加

タンパク質結晶の表面にプレポリマーを接触させた状態でプレポリマーを重合させることにより、タンパク質結晶の表面形状および前記結晶表面に配位したタンパク質の特異的官能基部位を、前記プレポリマーが重合してなるポリマーに分子インプリントしてタンパク質認識構造体を製造する。 - 特許庁

To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification.例文帳に追加

不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁