「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

In each sensor in the array, positions where the supporting hardwares are arranged are decided to come into contact with the active areas at a direction side which is radially separated from a center 32 of an image sensor array, and a free region 44 is assured in the photosensor array 30.例文帳に追加

アレイ中の各センサにおいて、支持ハードウエアの配設される位置は、イメージセンサアレイの中心３２から放射状に離れる方向の側でアクティブエリアに接するように定められて、フォトセンサアレイ３０中に自由領域４４が確保される。 - 特許庁

It is possible to polish the overall surface of a grinding article uniformly at a polishing rate by using the polishing pad 1 having a polishing layer 21 to polish the polishing article by making it contact with the polishing article and density of which is different in each region.例文帳に追加

被研磨物と接触させて、被研磨物を研磨する研磨層２１を有し、その研磨層２１は領域ごとに密度が異なる研磨パッド１を用いることによって、被研磨物全面において研磨レートを均一にすることができる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which the number of fabrication steps is decreased as compared with prior art by performing a patterning step and a recess step of a substrate region connected with a storage node contact plug, which had been performed in two chambers, in one chamber.例文帳に追加

２つのチャンバ内で行っていた、パターニング工程とストレージノードコンタクトプラグが接続される基板領域のリセス工程とを１つのチャンバ内で行い、従来よりも工程数が減少した半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes a sidewall liner 130 that covers inner walls of the trench to be in contact with an active region 102, a doped oxide film liner 140a formed on the sidewall liner 130, and a gap-fill insulating film 150 that buries the trench.例文帳に追加

活性領域１０２に接するようにトレンチの内壁を覆う側壁ライナ１３０と、側壁ライナ１３０上に形成された不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａと、トレンチを埋め込むギャップフィル絶縁膜１５０とを備える半導体素子である。 - 特許庁

A urine non-return edge 16 curling to the inside of the main body 10 of the urine receiver is extended at a peripheral edge part 14a of the urine introducing opening which is provided at a rear end 10b of the cylindrical main body of the urine receiver and makes close contact with the periphery of a urination region.例文帳に追加

筒状をした尿受け本体の後端１０ｂに設けられた排尿部位周囲を密着させる尿導入口の周縁部１４ａに、尿受け本体１０の内方にカールする尿戻り止め縁１６を延設する。 - 特許庁

A tilt angle is set to θ_0, where a virtual surface that includes the edge of the active region and is vertical to the substrate surface is inclined toward a resist pattern until it comes into contact with the resist pattern with a point on the substrate closest to the resist pattern as a support.例文帳に追加

活性領域の縁を含み、かつ基板表面に対して垂直な仮想面を、レジストパターンに最も近い基板上の点を支点として、レジストパターンに向かって、レジストパターンに接触するまで傾けたときのチルト角をθ_０とする。 - 特許庁

To provide a pneumatic tire which suppresses the occurrence of fatigue of a rubber in the vicinity of a contact region between the rubber and a rim flange, the occurrence of ozone crack, and the deterioration of steering stability, and also improves durability of a bead section, while reducing the weight of the tire.例文帳に追加

タイヤの軽量化を図りつつ、リムフランジとの接触域近傍におけるゴムのへたりの発生、オゾンクラックの発生および操安性の低下を抑制すると共にビード部の耐久性を向上させた空気入りタイヤを提供する。 - 特許庁

In the closing mechanism 45, heat insulating materials 44 and 50 such as sponge are arranged in regions where regions of the casing 28 on the opposite sides of the nip region between heat insulating rotation rollers 46 and 48 contact with the heat insulating rotation rollers 46 and 48 individually.例文帳に追加

閉塞機構４５には、遮熱回転ローラ４６，４８のニップ領域と反対側の方向である筐体２８と遮熱回転ローラ４６，４８のそれぞれとが接触する領域において、スポンジ等の断熱材４４，５０を設ける。 - 特許庁

To provide a trench gate type FIN-FET, in which the advantage of an FIN type transistor is sufficiently demonstrated even in micronization, a sufficient contact area is assured in an active region, and dropping of on-current being suppressed.例文帳に追加

トレンチゲート型ＦＩＮ−ＦＥＴにおいて、微細化に対してもＦＩＮ型トランジスタの利点を十分に発揮し、また、活性領域において十分なコンタクト面積を確保し、オン電流の低下を抑制したトレンチゲート型ＦＩＮ−ＦＥＴを提供する。 - 特許庁

A depressed part 5, wherein the surface sheet and the absorbent core 4 are integrally depressed toward the back sheet 3, is formed in a region overlapped with the absorbent core 4 on a plan view of the absorbent article in the skin contact surface of the absorbent article.例文帳に追加

吸収性物品の肌当接面における、該吸収性物品の平面視において吸収性コア４と重なる領域に、表面シート及び吸収性コア４が裏面シート３に向かって一体的に凹陥した、凹陥部５が形成されている。 - 特許庁

In a radiation detector, a window material 3 is made of a conductive material and one part 2k of an electrode of a semiconductor radiation detecting element 2 makes electrical contact with a conductor 5 in a recessed region 1d, while the other part 2j electrically contacting the window material 3.例文帳に追加

この放射線検出器は、窓材３が導電性材料からなると共に、半導体放射線検出素子２の電極の一方２ｋが凹領域１ｄ内の導電体５に、他方２ｊが窓材３に電気的に接触している。 - 特許庁

To provide a double gate MOS transistor and a double gate CMOS transistor which reduce the whole transistor area, and a manufacturing method, while securing the contact area of the electrode sections of a source region and a drain area.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の電極部の接触面積を確保しながらトランジスタ全体の面積を小さくするようにした二重ゲートＭＯＳトランジスタおよび二重ゲートＣＭＯＳトランジスタ、その製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A conductive layer 41 of a second conductive material is allowed to stick to the oxide layer and the electric contact, and the oxide layer is anisotropically etched so that at least one etching hole, as far as the shallow trench isolation region through the oxide layer, is formed.例文帳に追加

酸化物層および電気コンタクトの上に第２の導電材料の導電層４１を付着させ、酸化物層を異方性エッチングして、酸化物層を貫通し浅いトレンチ分離領域まで少なくとも１つのエッチング孔５０を形成する。 - 特許庁

A metal oxide silicide film 121 is formed on at least the contact region 103 by the reaction between the material film containing silicon and oxygen and the metal film, and then a conductive film to fill the opening on the metal oxide silicide film 121 is formed.例文帳に追加

シリコン及び酸素を含有する物質膜と金属膜を反応させて、少なくともコンタクト領域１０３上に金属酸化物シリサイド膜１２１を形成した後、金属酸化物シリサイド膜１２１上の開口を埋める導電膜を形成する。 - 特許庁

When the operation body 15 is tilted and operated, pressing areas of the pressing projections 16 to the upper base plate 20 change according to its tilting degree, by which contact areas of both patterns 25, 22 change according to a difference in a flexible region of the upper base plate 20.例文帳に追加

操作体１５が傾倒操作されると、その傾倒量に応じて上部基板２０に対する押圧突起１６の押圧面積が変化するため、上部基板２０の撓む領域の相違によって両パターン２５，２２の接触面積が変化する。 - 特許庁

Thus, a region G1 by which a shearing surface is formed is maximized, and so a contact area is increased between each of the peripheral wall faces which form the shaft holes 7a, 8a of the opposite side walls 7, 8 and each of the outer peripheral faces at both ends of the supporting shaft 4.例文帳に追加

これにより、せん断面が形成される領域Ｇ１が可及的に大きくなるので、対向側壁７，８の各軸孔７ａ，８ａを形成する周壁面と支軸４の両端部外周面との接触面積を大きくすることができる。 - 特許庁

Since the connection end 82 comes into contact with the inner peripheral surface 14a of the peripheral wall 14 over the whole region thereof in the depth direction, a pressing force X is supported by the entire thickness (plate thickness) of the base 12, when an external force acts on the surface of the battery lid 3 substantially in parallel therewith.例文帳に追加

周壁部１４の内周面１４ａの深さ方向の全域で接続端部８２が接するので、電池蓋３の表面にほぼ平行の外力が作用したとき、押圧力Ｘは、基部１２の厚さ（板厚）全体で支持される。 - 特許庁

To rotatably support a rotary lower die in non-contact by an air support member in a support block when rotating a rotary lower die at the state the rotary lower die is indexed to a working region.例文帳に追加

回転下部金型１３Ｒを加工領域Ａに割り出した状態のもとで回転下部金型１３Ｒを回転させる時に、サポートブロック４７におけるエア支持部材４９により回転下部金型１３Ｒを非接触で回転自在に支持する。 - 特許庁

Since the second P-type high concentration impurity region 6 is brought into contact with the P-type semiconductor substrate 1, the concentration of P-type impurity in the P-type semiconductor substrate 1 is increased, and thereby, the holding voltage of the electrostatic protection element is increased.例文帳に追加

すなわち、第２のＰ型高濃度不純物領域６がＰ型半導体基板１と接触するため、Ｐ型半導体基板１におけるＰ型不純物の濃度が高くなり、従って静電気保護素子の保持電圧が高くなる。 - 特許庁

To provide a paper feeding device capable of absorbing a thickness of an overlapped and bonded part of an envelope and bringing a paper feeding roller and a friction separation pad into linear pressure-contact in the whole region of a paper feeding roller width in the same way as ordinary paper to prevent the occurrence of improper conveyance.例文帳に追加

封筒の重ね貼り部分の厚みを吸収し、給紙コロと摩擦分離パッドを普通紙同様に給紙コロ幅全域での直線的な圧接にすることで、搬送不良を引き起こしにくくすることが可能な給紙装置を提供する。 - 特許庁

A female three-beam terminal 100 is an elongate and substantially flat member having a holding region 102 at its one end an insulation eliminating contact part 104 at its other end, and a connector body 106 between them.例文帳に追加

３ビーム構造を有する改良された電気端子が電気コネクタのハウジングの中に受容されるように適合してあり、間に摺動可能に配設される従来の雄型ピンに高い垂直保持力を提供する２本の保持ビームを有する。 - 特許庁

Subsequently, the leading end part 129a of a probe 129 is brought into contact with the first protective film 121, and the part for covering the observing region 117 of the first protective film 121 and the leading end part 129a of the probe 129 are covered with a second protective film 131.例文帳に追加

続いて、プローブ１２９の先端部１２９ａを第１の保護膜１２１に接触させ、第１の保護膜１２１の観察領域１１７を覆う部分とプローブ１２９の先端部１２９ａとを第２の保護膜１３１で覆う。 - 特許庁

(2) The rolling elements are rolled out along the transfer groove which shows a continuous reduction in the contact angle, so that the energy of rotation of the rolling elements is partly converted to the energy of the revolution to increase the revolution speed of the rolling elements entering the load region.例文帳に追加

２）接触角を連続的に減少させた転送溝上で転動体を転送させることにより、転動体の自転エネルギーの一部を公転のエネルギーに置換させ、負荷領域に突入する転動体の公転速度を上昇させる。 - 特許庁

In the cylindrical bladder 1 arranged on inner surface side of the tire at the time of production of the pneumatic tire, the body part 2 coming into contact with the inner surface of the tire is constituted of a short fiber-containing rubber and the compounding ratio of short fibers is changed corresponding to the region of the body part 2.例文帳に追加

空気入りタイヤの製造時にタイヤ内面側に配置される円筒状のブラダー１であって、タイヤ内面に当接する胴部２を短繊維入りのゴムから構成し、短繊維の配合割合を胴部２の部位に応じて変化させる。 - 特許庁

Preferably, the diameter of the region, wherein the suction cup is brought into contact with the object to be mounted, in mounting, is in a range of 10-80 mm, and an interval between an object to be mounted and the lightproof sheet in the mounting is in a range of 5-50 mm.例文帳に追加

また、装着時における吸盤の被装着物との接触領域の直径は１０ｍｍ〜８０ｍｍであること、または装着時における被装着物と遮光シートとの間隔は５ｍｍ〜５０ｍｍであることが好ましい。 - 特許庁

In particular, when the reflective film pattern is formed by using silver (Ag) between the lower pixel electrode and the upper pixel electrode, an interface characteristic between the reflective film pattern and the insulation film, and an electrical characteristic in a contact region can be improved.例文帳に追加

特に、下部画素電極と上部画素電極間に銀（Ａｇ）を利用して反射膜パターンを形成すれば、反射膜パターンと絶縁膜間の界面特性を向上させて、コンタクト領域での電気的特性を向上させることができる。 - 特許庁

Using the emitter and the conductive spacer as a mask, one portion of the first insulating layer is removed, and using the emitter and conductive spacer as a mask, the epitaxial layer is subjected to different doping to change one portion of the layer into a base contact region 218.例文帳に追加

エミッタ及び導電性のスペーサをマスクとして、第１絶縁層の一部分を除去し、エミッタ及び導電性のスペーサをマスクとして用いて、他のドーピングを実行して、エピタキシャル層の一部分をベース接触領域２１８として形成する。 - 特許庁

A suction force exerting region 47 in which a pattern electrode 49 is buried and which sucks and holds an upper substrate SA by exerting adsorption force, is provided on a contact surface 46 of an electrostatic chuck 45 provided on a lower edge of a substrate holding part 44.例文帳に追加

基板保持部４４の下端に設けられた静電チャック４５の接触面４６には、パターン電極４９が埋設され、吸着力が作用して上側基板ＳＡを吸着、保持する吸着力作用領域４７が備えられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element and a method of forming the element, in which an area for an active region in a semiconductor substrate is easily assured, a resistance of a stored electrode contact is reduced, and a line width of the semiconductor element is also efficiently reduced.例文帳に追加

半導体基板で活性領域の面積の確保が容易であり、格納電極コンタクトの抵抗を減少させることができ、半導体素子の線幅を効果的に減少させることができる半導体素子及びその形成方法の提供。 - 特許庁

The carrier plate is constructed to be mounted on an annular region at the outer peripheral edge and to be in contact with each workpiece while the first and second sides of the workpiece are exposed to the plasma through one of the plurality of first openings, respectively.例文帳に追加

キャリアプレートは、外側周辺縁部にて環状領域に載せてそれぞれのワークピースに接触すべく構成され、ワークピースの第１及び第２の面は、前記複数の第１の開口部のそれぞれ１つを通してプラズマに暴露される。 - 特許庁

Through charge migration between an organic semiconductor layer 3 and the metal oxide layer 5, a region including a plenty of carriers and a small number of traps is formed up to near the end of the electrode 4 in which the current concentrates, thereby the contact resistance is greatly reduced.例文帳に追加

有機半導体層３と金属酸化物層５との間の電荷移動により、電極４の電流が集中する端近傍まではキャリアが豊富でトラップの少ない領域が形成されるので、コンタクト抵抗が大幅に低下する。 - 特許庁

An oxide-containing film containing at least one kind selected from the group comprising silicon, germanium, and tin is formed by a liquid phase method such as a liquid phase deposition method in a region coming in contact with an electrolyte out of the surfaces of the negative active material particles.例文帳に追加

この負極活物質粒子の表面のうち電解液と接する領域に、液相析出法などの液相法により、ケイ素，ゲルマニウムおよびスズからなる群のうちの少なくとも１種の酸化物を含む酸化物含有膜を形成する。 - 特許庁

The arcuate prisms HCPP1 to HCPP6 in a region contributing to lighting of the liquid crystal panel all have the same radius R1 of curvature, and contact angles α1, α2, and α3 at joining points between the adjacent arcuate prisms are made different.例文帳に追加

液晶表示パネルの照明に寄与する領域にある円弧形状プリズムＨＣＰＰ１〜ＨＣＰＰ６の曲率半径Ｒ１を全て同一とし、隣接する円弧形状プリズムとの接合点での接触角α１、α２、α３を異ならせた。 - 特許庁

(1) The fuel cell 10 having a electrolytic film 11, a separator 18 forming gas passages 27, 28 between ribs 29, and catalyst layers 12, 15 formed only the region except the surface in contact with the rib 29 of the separator on the electrolytic film.例文帳に追加

（１）電解質膜１１と、リブ２９間にガス流路２７、２８を形成したセパレータ１８と、電解質膜上の、セパレータのリブ２９との当接面以外の部位にのみ形成された触媒層１２、１５と、を有する燃料電池セル１０。 - 特許庁

To inhibit a parasitic bipolar effect without increasing an area of an element region by using a body contact electrically insulated from a gate, in a transistor which uses an SOI substrate, an SOS substrate, or a semiconductor substrate having other insulating layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板、ＳＯＳ基板、その他の絶縁層を有する半導体基板を用いたトランジスタにおいて、ゲートと電気的に絶縁されたボディコンタクトを用いることによって、素子領域の面積を増大させることなく、寄生バイポーラ効果を抑制する。 - 特許庁

When compared with a case where the p-type deep layer 10 is formed so as to come into contact with the trench 6, width of a JFET region can be widened and since the JFET resistance can be reduced, the on-resistance can be reduced.例文帳に追加

したがって、ｐ型ディープ層１０をトレンチ６と接するように形成する場合と比較してＪＦＥＴ領域の幅を広くすることができ、ＪＦＥＴ抵抗を低減することができるため、オン抵抗の低減を図ることが可能となる。 - 特許庁

Between the gate electrode 12 and the plurality of drain contacts 14, a salicide block 15 for preventing silicide formation on the drain region 11D is formed, and a substrate contact 16 is formed on the semiconductor substrate that is electrically connected to the semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート電極１２と複数のドレインコンタクト１４との間にはドレイン領域１１Ｄ上のシリサイド化を妨げるサリサイドブロック１５が形成され、半導体基板上には半導体基板に電気的に接続された基板コンタクト１６が形成されている。 - 特許庁

An upper main electrode region of a 3D pillar SGT includes a selective epitaxial growth semiconductor layer, and at least two adjacent 3D pillar SGTs are connected in parallel by bringing the respective selective epitaxial growth semiconductor layers into contact with each other.例文帳に追加

３Ｄピラー型ＳＧＴの上部主電極領域が選択エピタキシャル成長半導体層を含み、少なくとも２つの隣接する３Ｄピラー型ＳＧＴを、各々の選択エピタキシャル成長半導体層を接触させて並列接続する。 - 特許庁

The interposer 7 is arranged in the vicinity of a microchip device 1 so that a first electric contact point is accessible from the surface side of the interposer 7 via the aperture 11 and the first aperture 15 while the second aperture 16 is positioned outside a packaging region.例文帳に追加

インターポーザー７の表面側からアパーチャ１１および第１開口１５を通じて第１電気接点にアクセス可能であって、第２開口１６がパッケージ領域外に位置するように、インターポーザー７をマイクロチップデバイス１の近隣に配置する。 - 特許庁

In the DRAM and logic circuit forming region of a semiconductor device on which a DRAM and logic circuit are mixedly mounted, contact holes 8 for diffusion layers 6 and metallic wiring M1 are formed at prescribed positions by depositing interlayer insulating films 7 on the diffusion layers 6.例文帳に追加

ＤＲＡＭとロジック回路とが混載される半導体装置にあって、ＤＲＡＭ及びロジック回路の形成領域において、拡散層６上に層間絶縁膜７を堆積し、所定位置に拡散層６とメタル配線Ｍ１とのコンタクトホール８を形成する。 - 特許庁

The integrated circuit including a field plate resistance, on which a region increased so as to form a route of a metal conductor formed in the same layer as the metal layer forming a contact to the resistance is provided, is formed by a serial process step.例文帳に追加

抵抗への接触を形成する金属層と同じ層内に形成された金属導電体のルートを形成するための増加した領域を有するフィールドプレート抵抗を含む集積回路が、一連のプロセス工程で形成される。 - 特許庁

The thin-film transistor includes the oxide semiconductor layer as the channel forming region, wherein an oxygen concentration of a surface which is in contact with an insulation film as a protective film on an opposite side (a back channel side) to a gate insulation film of the oxide semiconductor layer is controlled.例文帳に追加

酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタであって、該酸化物半導体層のゲート絶縁層とは反対側（バックチャネル側）であって、保護膜である絶縁膜と接する面の酸素濃度を制御することを要旨とする。 - 特許庁

A vapor deposition source is constituted of a heating means 13 such as refractory metal resistor, a heating-region-restricting means 12 provided for the heating means 13, and a vapor deposition material 14 disposed in a manner to be partly brought into contact with the heating means 13.例文帳に追加

高融点金属抵抗体等の加熱手段１３と、加熱手段１３に設けられた加熱領域制限手段１２と、一部が加熱手段１３に接して配置された蒸着材料１４とから蒸着源を構成する。 - 特許庁

A microcomputer 16a releases a contact 16b based on the OK signal, supplies power to a power supply part 49 of the unit 40, and also lights up a display region 21 corresponding to the amplifier unit 40 of a display panel 20 in green.例文帳に追加

マイコン１６ａはＯＫ信号に基いて接点１６ｂを解除し、アンプユニット４０の電源供給部４９へ電力を供給するとともに、表示パネル２０のアンプユニット４０と対応する表示領域２１を緑色に点灯させる。 - 特許庁

In the reduced pressure drying apparatus, the substrate is supported in face contact on the entire surface of a lift plate over the entire back side of a product region where a treatment liquid is present, when drying the liquid on the substrate for preventing irregularities in the liquid effectively (step S4).例文帳に追加

減圧乾燥装置では、処理液のムラを有効に防止するために、基板上の処理液を乾燥する際に、処理液が存在する製品領域の裏側全体に、リフトプレートの上面で面接触して基板が支持される（ステップＳ４）。 - 特許庁