「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

After a flattening layer is formed on the pixel driving element and on the insulating layer, a part of the flattening layer is removed to form a contact hole which exposes a part of the pixel driving element and to form an aperture which exposes the insulating layer in the light transmitting region.例文帳に追加

次に、平坦化層を画素駆動素子と絶縁層上に形成してから、平坦化層の一部分を除去して、画素駆動素子の一部分を露出するコンタクトホールと透光領域内の絶縁層を露出する開口部を形成する。 - 特許庁

The support plate includes a hole part (12a) to penetrate the power storage element, and a support part (12d) to contact the power storage element and support the power storage element, and in a region positioned between the hole part and the power storage element, movement of the heat exchange medium is restricted.例文帳に追加

支持プレートは、蓄電素子を貫通させる穴部（１２ａ）と、蓄電素子と接触して蓄電素子を支持する支持部（１２ｄ）と、を有し、穴部及び蓄電素子の間に位置する領域において、熱交換媒体の移動を制限する。 - 特許庁

Moreover, the contact area with a gate pad electrode can be gained by further increasing the depth of the N+ type region at the central part of the Zener diode, stable ohmic performance can be obtained, and a protection device of MOSFET capable of reducing the leakage current can be realized.例文帳に追加

さらにツェナーダイオードの中心部のＮ^+型領域を掘り下げることにより、ゲートパッド電極との接触面積を稼いで、安定したオーミック性が得られ、且つリーク電流を低減できるＭＯＳＦＥＴの保護装置を実現できる。 - 特許庁

An n-type impurity is injected into the source region 12 in a quantity larger than that of the p-type impurity via one 24 of contact holes 23 and 24 made through the insulating film 10.例文帳に追加

層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール２２、２３のうちソース領域１２上方に形成されたコンタクトホール２４を介して、同ソース領域１２に注入されているｐ型不純物の量よりも多量のｎ型不純物が注入される。 - 特許庁

The puncture part 10 can be changed over to a use state of protruding the puncture part 10 so as to thrust the same under the skin of the puncture part 10 and a housing state protected so as not to come into contact with an other member in such a state that the fixing member 20 is fixed to the predetermined region of the living body.例文帳に追加

固定部材２０が生体の所定部位に固定された状態で、穿刺部１０は生体の皮下に穿刺可能に突出する使用状態と、他部材に接触しないように保護される収納状態とに切替え可能である。 - 特許庁

An opening hole 10 whose area is greater than the area of a region formed with a sealing resin layer 8 on the surface of the TAB tape 3 is formed on the surface of a support plate 9b, and the sealing resin layer 8 is not in contact with the support plate 9b.例文帳に追加

支持板９ｂ表面において、ＴＡＢテープ３表面の封止樹脂層８が形成された領域の面積よりも大きい開口穴１０が形成されており、封止樹脂層８は支持板９ｂに接触していない。 - 特許庁

To realize transfer of a thin film to the entire region of a substrate as a transfer object under the condition that there is not any transfer error by suppressing any rise of a basic material on a plate due to the expansion of gas existing between the basic material and the plate in contact therewith.例文帳に追加

基材とこれに当接されるプレートとの間に存在する気体の膨張による、プレート上での基材の盛り上がりを抑制し、転写不良などがない状態で、転写対象の基板全域に薄膜が転写できるようにする。 - 特許庁

As the liquid, charged in the region at the side of the delivery port 14, is discharged from the delivery port 14 and decreased and the partition member 31 approaches the side of the delivery port 14, the partition member 31 is brought into contact with the strip conductors 21-35, in the order.例文帳に追加

送出口１４側の領域に充填された液体が送出口１４から排出されて減少するに従って仕切材３１が送出口１４側に近づくと、仕切材３１が帯状導体２１〜２５に順に接する。 - 特許庁

There is also formed a small hole to allow the gas to flow through in the direction of the thickness of the uneven part, the hole formed in a region to be a contact part where the uneven part touches the adjoining members on the side of at least one of the surfaces of the gas passage forming member 25.例文帳に追加

また、少なくとも燃料電池用ガス流路形成部材の一方の面側において、凹凸部が隣接部材に接触する接触部となる領域に形成され、凹凸部の厚み方向にガスが流通可能になる細孔を備える。 - 特許庁

An annular dummy plate 10 is arranged in surface-contact with the flexible film 2 to surround the arranging region PZ, and the wafer W arranged on the inside of the dummy plate 10 is subjected to single side polishing by imparting hydraulic pressure thereto.例文帳に追加

そして、可撓膜２の表面２ｐと面接触して配置領域ＰＺを取り囲むように、リング状のダミープレート１０を配置し、そのダミープレート１０の内側に配置されるウェーハＷに流体圧が付与されるようにして片面研磨を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that improves the contact resistance characteristics of a gate by increasing the area of an active region contacting the gate and increases the channel width in a process of forming a vertical transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

垂直型トランジスタを形成する過程において、ゲートと接触する活性領域の面積を増加させてゲートの接触抵抗特性を改善し、チャネル幅を増加させる半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the roll bend forming apparatus for a steel sheet composed of an upper roll 1 and a lower roll 2, there is provided a projected curvature part 5 facing opposite to a bending direction, in a region of the end 4 of the steel sheet with which the lower roll 2 forming the outside of the steel sheet 3 is in contact.例文帳に追加

上ロール１と下ロール２とからなる鋼板のロール曲げ成形装置において、鋼板３の外側を成形する下ロール２の鋼板端部４との接触領域に、曲げ方向とは逆向きの凸状の曲率部５を設けた。 - 特許庁

When sand is supplied from the upper side to drop downward to the region where the projected parts 22b and 22b of the removal members 22 and 22 neighboring in the axial direction, the projected parts 22b and 22b are brought into contact with the surface of the sand to scrape and remove foreign matter from the sand.例文帳に追加

そして、軸方向に隣り合っている除去部材２２,２２の突起２２ｂ,２２ｂが接触する領域に、砂が上方から落下供給される際に、該突起２２ｂ,２２ｂが砂の表面に接触して異物を掻取り除去する。 - 特許庁

The device is arranged on the drops so that at least one part in each of the drops is contact with an internal region corresponding to the adjustment mechanism of the device and the device is arranged to the arrangement of a plurality of the drops.例文帳に追加

それぞれの上記液滴おける少なくとも一部が上記デバイスの調整機構に対応する内部領域に接触して、上記デバイスが上記複数の液滴の配置に対して配置されるように上記液滴上に上記デバイスを配置する。 - 特許庁

The rear central region 20D is deformed into a protruded shape on receiving the tension force of an underwear and the periphery thereof is easily deformed into the three-dimensionally recessed curved surface having the compressed grooves 11D, 13, 16 and 17 as a bottom part to be certainly brought into contact with the buttocks.例文帳に追加

下着の緊迫力を受けると後方中央領域２０Ｄが凸状に変形し、その周辺は圧縮溝１１Ｄ，１３，１６，１７を底部とする三次元の凹曲面に変形しやすくなって、臀部に確実に密着できるようになる。 - 特許庁

To suppress the parasite bipolar effect and short channel effect in a transistor that uses a semiconductor substrate having an SOI substrate, an SOS substrate, and other insulating layer without increasing the area of an element region by the use of a body contact.例文帳に追加

ＳＯＩ基板、ＳＯＳ基板、その他の絶縁層を有する半導体基板を用いたトランジスタにおいて、ボディコンタクトを用いることによって、素子領域の面積を増大させることなく、寄生バイポーラ効果及び短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

The interposer chip having a chip mounting region in which a semiconductor chip is mounted with a resin fixing material interposed therebetween includes an insulating film, and a wiring layer which is formed on the insulating film in contact therewith.例文帳に追加

チップ搭載領域を有し、前記チップ搭載領域に樹脂性の固定材を介して半導体チップが搭載されるインターポーザチップであって、絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記絶縁膜と接して形成される配線層とを具備する。 - 特許庁

The passing surface 3 is the surface coming into contact with the surface of the object to be inspected and the shape and position thereof are determined so as to include a part of the irradiation region of the surface 2b on the object side of the delay chip when the surface 2b on the object side is irradiated with ultrasonic beam W.例文帳に追加

通過面３は、被検査物の表面と接触する面であって、超音波ビームＷが対物側の面２ｂに照射された場合に、その照射領域の一部を包含するように形状と位置とが決定される。 - 特許庁

By making the particle sizes of the NOx reductant small, the contact probability of the NOx reductant with NOx in the exhaust gas is enhanced and high denitration effects can be attained even at a low temperature region having hitherto been unsuitable for the conventional non-catalytic denitration method.例文帳に追加

ＮＯｘ還元剤の粒子径を小さくすることでＮＯｘ還元剤と排ガス中のＮＯｘとの接触確率が上がり、排ガス温度が従来の無触媒脱硝法に適さない低温度域においても高い脱硝効果が得られる。 - 特許庁

An antibody to be specifically bonded to 5-methyl cytosine is brought into contact with single strand DNA, and an antibody bonded in the monovalent state is separated from the DNA strand, and the antibody quantity bonded in the divalent state is measured, to thereby specify a crowded region of 5-methyl cytosine.例文帳に追加

５−メチルシトシンと特異的に結合する抗体を１本鎖ＤＮＡと接触させ、１価結合した抗体をＤＮＡ鎖から分離し、２価結合した抗体量を測定することによって、５−メチルシトシンの密集領域を特定する。 - 特許庁

An interlayer insulation film having a source/drain contact hole exposing a part of the region of the semiconductor layer is positioned on the semiconductor layer apart from at least one edge getting across the gate electrode out of edges of the semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体層上に前記半導体層のエッジらのうち前記ゲート電極を横切る少なくとも一つのエッジから離隔して前記半導体層の一部の領域を露出させるソース/ドレインコンタクトホールを有する層間絶縁膜が位置する。 - 特許庁

A polycide film 3 is selectively formed on the bonding region on a silicon substrate 1, a BPSG film 4 is formed thereon as a boron containing interlayer insulating film, and a plurality of contact holes 5 are formed on the BPSG film 4 on the polycide film 3.例文帳に追加

シリコン基板１上のボンディング領域にポリサイド膜３が選択的に形成され、更にボロンを含む層間絶縁膜としてＢＰＳＧ膜４が形成されており、ポリサイド膜上のＢＰＳＧ膜４に多数のコンタクト孔５が形成されている。 - 特許庁

An organic solvent, in which calixarene as an extractant is diluted with alcohols or alcohols and aliphatic hydrocarbon, is brought into contact with an aqueous chloride solution in a strongly acidic region containing copper and iron to extract the copper in the aqueous chloride solution into the organic solvent.例文帳に追加

銅と鉄を含む強酸性領域の塩化物水溶液に、抽出剤としてカリックスアレーンをアルコール類又はアルコール類と脂肪族炭化水素で希釈した有機溶媒を接触させ、塩化物水溶液中の銅を有機溶媒に抽出する。 - 特許庁

The overlap portion of the endless web on the peripheral edge of the ITM is preferably greater than a nip length or nip region to ensure intimate contact of the receiver member in the nip and reduce the pre-nip transfer and the pre-nip ionization.例文帳に追加

ニップ内における受取部材の緊密接触を保証するために、また、ニップ前転写やニップ前イオン化を低減するために、ＩＴＭの周縁部に対する無端ウェブの重なり部分は、ニップ長さまたはニップ領域よりも大きいことが好ましい。 - 特許庁

The tooth faces 34, 35 include main parts 36, 38 forming a helical tooth shape as a basic tooth shape, and recesses 37, 39 in a worm wheel tooth shape formed in part of the tooth faces 34, 35 (corresponding to the contact region with the worm).例文帳に追加

歯面３４，３５は、基準の歯形形状として、はすば歯形形状をなす主体部３６，３８と、歯面３４，３５の一部（ウォームとの歯当たり領域に相当する）に形成されウォームホイール歯形形状をなす凹部３７，３９とを有している。 - 特許庁

A left side part of a cover plate 3 is provided with a non-contact part 31a in a protruding convex form so as not to touch a pixel substrate 6 (glass substrate S) corresponding to a region in a left side over the left end 30a of a sealing substrate 23.例文帳に追加

カバープレート３の左側部に、封止基板２３の左側端部３０ａよりも左側の領域に対応した画素基板６（ガラス基板Ｓ）に接触しないように凸形状に盛り上った形状をした非接触部３１ａを設けた。 - 特許庁

The mask member prevents plating liquid from flowing into the inside of the mask member 3 by allowing a seal member 11 which is arranged therein to contact with the treated surface Ws of the substrate and, at the same time, the edge surface W2 of the substrate W is set as a non-plating region.例文帳に追加

マスク部材は内部に配置されたシール部材１１が基板の処理面Ｗｓに当接することで、メッキ液Ｌがマスク部材３の内部に流れることを防止するとともに、基板Ｗの端面Ｗ２を非メッキ領域として設定する。 - 特許庁

The semiconductor wafer is set at a prescribed position on a table, and the roller-shaped probe having a conductive periphery, with the length to cover the region where the cells are arranged, is made to come into contact with a plurality of cells, and then a combined current is measured.例文帳に追加

半導体ウエハをテーブル上の所定位置にセットし、セルが配設された領域をカバーするような長さで、外周が導電性としたローラ状の測定子を前記セルの複数に当接させ、そのときの合成電流を測定する。 - 特許庁

On a region of the high-concentration p-type GaN layer 106 which is exposed in an opening 107a formed in the n-type AlGaN layer 107, a gate electrode 112 having an ohmic contact with the high-concentration p-type GaN layer 106 is formed.例文帳に追加

高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６におけるｎ型ＡｌＧａＮ層１０７に形成された開口部１０７ａからの露出領域の上には、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接触するゲート電極１１２が形成されている。 - 特許庁

The cap member 43 is equipped with a seal part 80 formed to surround a nozzle forming region of the jetting head 13 and pressed between the jetting head 13 and the cap member, and a contacting part 81 which is formed outside the seal part 80 and is brought into contact with the jetting head 13.例文帳に追加

キャップ部材４３は、噴射ヘッド１３のノズル形成領域を囲むように設けられて噴射ヘッド１３との間で押圧されるシール部８０と、シール部８０の外側に設けられて噴射ヘッド１３に当接する当接部８１とを備える。 - 特許庁

A part (an exposed surface 13B) which becomes a channel region 13A of a channel layer 13 is covered with a protective film 14 including an oxygen permeable film 14A making contact with the channel layer 13 and an oxygen barrier film 14B in order from the channel layer 13 side.例文帳に追加

チャネル層１３のうちチャネル領域１３Ａとなる部分（露出面１３Ｂ）が、チャネル層１３に接する酸素透過膜１４Ａと、酸素障害膜１４Ｂとをチャネル層１３側から順に含む保護膜１４によって覆われている。 - 特許庁

By this constitution, it is suppressed that only the contact region with the suction pad 21 in the resin molded product is overcooled and the occurrence of the suction mark or warpage is avoided to enhance the quality and molding yield of the resin molded product 1.例文帳に追加

これにより、樹脂成形品１における吸着パッド２１との当接領域のみが過冷却されるのを抑制して、吸着痕やソリの発生を回避することで、樹脂成形品１の品質および成形歩留を向上させる。 - 特許庁

To effectively ignite a sintering raw material by regulating a length of a frame in an igniting furnace so that a highest temperature region of the frame is brought into contact with a surface of the material even if a layer thickness of the material in a sintering pallet is changed.例文帳に追加

焼結パレット内の焼結原料の層厚が変動しても、それに応じてフレームの最高温度領域が焼結原料表面に接するよう点火炉でのフレーム長さを調整して、確実に焼結原料への着火を行う。 - 特許庁

The cross-sectional shape of a contact plug 17 includes multiple first regions 302 positioned at a predetermined distance from each other in the longitudinal direction and a second region 304 which joins the adjacent first regions 302 and has a width smaller than that of the first regions.例文帳に追加

コンタクトプラグ１７の断面形状を、長手方向に所定の間隔をおいて配置された複数の第一領域３０２と、隣接する第一領域３０２を連結する、第一領域より幅狭の第二領域３０４とを含む形状とする。 - 特許庁

The coupling comprises a first flange coupled to the inspection chamber; a second flange making no contact with the first flange and mounted on the carrier chamber; an outer peripheral edge region fixed at the first flange; and an inner peripheral edge region fixed at the second flange, and as a result, provided with an annular diaphragm to intercouple the flanges and close a space between the flanges.例文帳に追加

カップリングは、検査チャンバに連結されている第１のフランジ、第１のフランジには接触せず搬送チャンバに取り付けられている第２のフランジ、及び第１のフランジに固定されている外周縁領域と第２のフランジに固定されている内周縁領域とを有し、結果的にフランジを相互に連結して、各フランジの間の空間を閉じる環状隔膜を備える。 - 特許庁

In the converged tube 1, a plurality of resin tubes 10 for fluid on which resin heat-shrinkable tubes 20 are fitted at the center side from the prescribed region are arranged in parallel in such a manner of being adjacent with each other to allow flow of fluid 400 and to expose the prescribed region on both ends, and close contact parts m of the adjacent resin heat-shrinkable tubes 20 are integrated by thermal fusion.例文帳に追加

集束チューブ１を、流体４００の導通を許容するとともに、両端の所定範囲を露出するように、所定範囲より中央側に樹脂製熱収縮チューブ２０を外嵌した流体用樹脂製チューブ１０を、互いに隣接するように複数並列配置し、隣り合う樹脂製熱収縮チューブ２０の密着部分ｍを熱融着によって一体化させた。 - 特許庁

The switch arrangement comprises four electrodes 50-56 in which a single region and a mixed region are arranged with the same width along the arrangement direction, four touch sensors 60-66 for detecting the presence or absence of contact to each of the four electrodes 50-56, and seven operation regions "1"-"7" provided corresponding to each of the single and mixed regions.例文帳に追加

配列方向に沿って単一領域と混在領域とが同じ幅になるように配列された４つの電極５０〜５６と、これら４つの電極５０〜５６のそれぞれに対する接触の有無を検知する４つのタッチセンサ６０〜６６と、単一領域と混在領域のそれぞれに対応して設けられた７つの操作領域「１」〜「７」とを備えることによりスイッチ装置が構成されている。 - 特許庁

When through holes such as through trenches 4 are formed on one of the surfaces of the etched product by performing dry etching such as reactive ion etching, dry etching is performed while a conductor, which has a higher electrical conductivity than the etched product, is in contact with a region having through holes to be formed or a region around through holes on the other surface of the etched product.例文帳に追加

被エッチング物の一方の面側から反応性イオンエッチングのようなドライエッチングを行うことにより貫通トレンチ４のような貫通孔を形成する場合に、被エッチング物の他方の面の少なくとも貫通孔の形成予定領域またはその近傍に被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態でドライエッチングを行う。 - 特許庁

A static charge which is injected in the substrate 100 via the pad 170 is chiefly discharged through a first discharge route 190, and a second discharge route 192 which goes via a silicide layer 130 little functions as a discharge route as the contact resistance value between the layer 130 and the region 114 is higher than the resistance value of the region 114.例文帳に追加

パッド１７０より注入される静電気の電荷は、第１の放電経路１９０を主に経由して放電され、シリサイド層１３０を経由する第２の放電回路１９２は、シリサイド層１３０と第１の拡散領域１１４との接触抵抗値が、第１の拡散領域１１４の抵抗値よりも大きいため、放電経路としてほとんど機能しない。 - 特許庁

In the Schottky diodes, the semiconductor area forming a Schottky interface is formed in the same process in which an N well area forming the channel region of a PMOS transistor or a P well area forming the channel region of an NMOS transistor is formed, and the metal area forming the Schottky interface is formed in the same process in which a silicide area forming the contact area of a MOS transistor is formed.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、ショットキー界面を構成する半導体領域が、ＰＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＮウェル領域、または、ＮＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＰウェル領域と同一の過程で形成し、ショットキー界面を構成する金属領域はＭＯＳトランジスタのコンタクト領域を構成するシリサイド領域と同一の過程で形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device and a manufacturing method of the same, which can improve process yield and reliability by eliminating a level difference between a cell region and a peripheral circuit region of a semiconductor substrate to facilitate and simplify a process, and especially prevent contact not open, attack against a lower structure, and the like.例文帳に追加

半導体基板のセル領域と周辺回路領域との間に段差をなくして、工程を容易かつ単純にしつつ、特に、コンタクトナットオープン（Ｃｏｎｔａｃｔ ｎｏｔ ｏｐｅｎ）、下部構造物に対するアタック（Ａｔｔａｃｋ）などを防止し、工程歩留まり及び信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate; an embedded insulating film formed on the semiconductor substrate; a semiconductor film formed on the embedded insulating film; trench separation formed so that the partial region of the semiconductor film is surrounded; and a substrate potential contact that is formed in a region surrounded by trench separation and is connected to the semiconductor substrate through the semiconductor film and the embedded insulating film.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成された埋め込み絶縁膜と、埋め込み絶縁膜上に形成された半導体膜と、半導体膜の一部の領域を囲うように形成されたトレンチ分離と、トレンチ分離で囲まれた領域内に形成され、半導体膜及び埋め込み絶縁膜を貫通して半導体基板に接続された基板電位コンタクトとを有する。 - 特許庁

A liquid crystal display panel 90 of an FFS liquid crystal display device 100 includes a contact hole 12 commonly used by adjacent two pixels 30 where a signal line 5 is not disposed, for connecting a common electrode 8 and a common signal line 82 in a boundary region between the adjacent two pixels in a black matrix BM region of a counter substrate 20.例文帳に追加

ＦＦＳ型の液晶表示装置１００を構成する液晶表示パネル９０は、対向基板２０のブラックマトリクスＢＭ領域下で、信号配線５が配置されない隣接する２個の画素３０の境界領域において、共通電極８と共通信号配線８２との接続に、隣接する２個の画素３０で共用されるコンタクトホール１２を備えている。 - 特許庁

When the contact surface part 41 of the joining sheet material 40 joining sheet material 40 or the vicinal part thereof becomes higher than the other part in temperature and is lowered in strength, breaking force is allowed to act on the hollow part corresponding region 42 of the joining sheet material 40 correspondint to the cross-sectional shape of the hollow part 33 of the hollow seal part 30 to break the hollow part corresponding region 42.例文帳に追加

接合シート材４０のうち、接触面部分４１あるいはその近傍部分の温度が他の部分の温度よりも高くなりかつ強度が低下したときに、中空シール部３０の中空部３３の横断面形状に対応する接合シート材４０の中空部対応領域４２に破断力を作用させて、その中空部対応領域４２を破断させる。 - 特許庁

The output level display device includes: an input means 12 configured of an input sensor of a face contact type and having a sensor pattern operation region 14 in a front surface side; and a display means 15 provided in a back surface side of the input means 12 and displaying input level information from the input means 12 through the sensor pattern operation region 14.例文帳に追加

本発明は、面接触式の入力センサから構成され、表面側にセンサパターン操作領域１４を有する入力手段１２と、この入力手段１２の背面側に配設され、入力手段１２からの入力レベル情報を前記センサパターン操作領域１４を介して表示する表示手段１５とを備える出力レベル表示装置である。 - 特許庁