「deposition process」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The process for imbedding the oxide semiconductor material in the inorganic porous materia by using the solution deposition method is preferably conducted by applying potential.例文帳に追加

前記無機ポーラス材料内に溶液析出法を用いて酸化物半導体材料を埋め込む工程は、電位を印加して行うことが好ましい。 - 特許庁

The carrier comprises core material particles having magnetism, and a covering layer on the surface of each core material particle, and the covering layer is formed by a vapor deposition process.例文帳に追加

磁性を有する芯材粒子と、該芯材粒子表面に被覆層とを有してなり、前記被覆層が蒸着法により形成されたキャリアである。 - 特許庁

First group-III and nitrogen precursors are flowed into a first processing chamber to deposit a first layer over a substrate with a thermal chemical-vapor-deposition process.例文帳に追加

III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。 - 特許庁

In this manufacturing process, typically, deposition/growth of a dielectric material is excellently controllable, so that a field plate operation can be strictly controlled.例文帳に追加

本製造プロセスは、誘電性材料の堆積／成長が、典型的には、非常によく制御できるプロセスなので、フィールドプレート動作を厳しく制御できる。 - 特許庁

To provide a pigment composition and a coloring composition for a color filter with high lightness and high contrast and with no crystal deposition of pigment during a heating process.例文帳に追加

高明度かつ高コントラストで、加熱工程で顔料の結晶析出が起こらないカラーフィルタ用顔料組成物、着色組成物を提供すること。 - 特許庁

One or more deposition-inhibiting gases 64 are flowed toward the end edges in a direction which substantially opposes the flow of process gases toward the end edges.例文帳に追加

１又はそれ以上の蒸着抑制ガス６４を、端縁部に向かうプロセスガスの流れ方向とは実質的に反対の方向に、端縁部に向けて流す。 - 特許庁

To simplify methods of handling and fixing a work in a rear surface vapor deposition process and prevent defects such as a flaw, crack, etc., due to handling failure or the like.例文帳に追加

裏面蒸着工程でのワークのハンドリングや固定方法を簡単にし、ハンドリングミス等によって生じるキズ，割れ等の不良発生を防止する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and its manufacturing method capable of stably obtaining oxygen deposition without depending on a crystal position and a device process and to provide a method for evaluating the defect area of the silicon wafer whose pulling condition and the defect area are unknown.例文帳に追加

結晶位置やデバイスプロセスに依存せずに安定して酸素析出が得られるシリコンウエーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photoconductive plate for a front light device by which manufacturing process steps can be curtailed and dust deposition prevented from occurring.例文帳に追加

製造工程を短縮するとともに傷の発生やゴミの付着を防止することができるフロントライト装置用導光板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel reflection film having excellent light reflection properties, wherein resin waste deposition in a manufacturing process and production of spitting on the surface of the film will not occur.例文帳に追加

優れた光反射性を有し、製造過程でメヤニが発生したり、フィルム表面にブツが生じることのない、新たな反射フィルムを提供する。 - 特許庁

The basic chip is vapor deposited in a vacuum deposition equipment according to a membrane system designing process and is finally chromium-plated to make a corrected three-primary-color ratio adjustment lens.例文帳に追加

基片を真空蒸着機の中で膜系設計工程に基づいて蒸着し、最後にクロム鍍金して補正三原色比率調整レンズを作成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing apparatus capable of smooth vapor deposition of a source gas on a wafer and preventing deterioration of a process chamber and an injection part.例文帳に追加

ウェハ上にソースガスを円滑に蒸着でき、かつ工程チャンバおよび噴射部の劣化を防止できる半導体素子製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for easily forming a super thin film from various hardly soluble molecules by a wet process without applying vacuum deposition method.例文帳に追加

真空蒸着法を用いずウェット・プロセスにより難溶性の各種の分子から簡便にその超薄膜を作成することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of safely removing lithium from a mechanical mask used in a lithium vacuum deposition process at micro battery manufacturing, as well as recycling the lithium.例文帳に追加

マイクロ電池製造時のリチウム真空堆積プロセスで用いられるメカニカルマスクから安全にリチウムを除去するとともに、該リチウムをリサイクルする方法を提供する。 - 特許庁

A selective oxidation semi- atmospheric pressure chemical vapor deposition (SELOX SACVD) comprises depositing silicon dioxide on the wafer, using an ozone-activated tetraethyl orthosilicate process.例文帳に追加

さらに、選択的酸化準大気圧化学気相堆積(SELOX SACVD）は、オゾン活性オルトケイ酸テトラエチルプロセスを用いて、ウェーハの上に二酸化ケイ素を堆積する。 - 特許庁

This provides a clean environment for the next deposition process of depositing the intrinsic amorphous silicon layer on the substrate in the same CVD chamber.例文帳に追加

このことにより、同じＣＶＤチャンバ内で基板上に真性アモルファスシリコン層を堆積させる次の堆積プロセスに対してクリーンな環境を与える。 - 特許庁

To provide a vacuum pump for efficiently cooling a base board inside the pump by restraining deposition of a solid product material of process gas in the vacuum pump.例文帳に追加

真空ポンプ内におけるプロセスガスの固体生成物の堆積を抑制し、ポンプ内部基板の冷却を効率的に行う真空ポンプを提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a dielectric film for a plasma display panel, capable of enhancing the uniformity of deposition of the dielectric film using a plasma CVD process.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法を利用した誘電体膜の成膜の均一性を高めることができるプラズマディスプレイパネル用誘電体膜製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for ion plating whereby the evaporation surface of a vapor deposition material is almost uniformly decreased in a film formation process.例文帳に追加

蒸着材料の蒸発面を成膜過程において略均一に減少させることができるイオンプレーティング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate useful for a semiconductor process, having a layer deposited by an ALD (atomic layer deposition) on a dielectric layer formed with an organic material-containing material.例文帳に追加

有機物含有材料でつくられている誘電体層上にＡＬＤにより堆積された層を有する、半導体プロセスに有用な基板を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst-assisted chemical vapor deposition apparatus that can make a low-temperature process possible by reducing heat radiation to a substrate.例文帳に追加

触媒化学蒸着装置において、基板への熱輻射を低減することでさらなるプロセスの低温化を可能にする蒸着装置を提供する。 - 特許庁

A process gas which includes a silane gas, a nitrogen gas, an ammonia gas, and a helium gas is introduced from a gas inlet tube 35 into a reaction chamber 10 of a plasma CVD(chemical vapor deposition) apparatus 1.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１の反応炉１０内に、ガス導入管３５からシラン系ガス、窒素ガス、アンモニアガス及びヘリウムガスを含むプロセスガスを導入する。 - 特許庁

To solve the problem that it is extremely difficult to measure the amount of deposition without opening a treatment chamber, and it is difficult to carry out a deposit film removal process appropriately.例文帳に追加

堆積物の量を、処理室を開けることなく測定することが非常に困難で、堆積膜除去プロセスを適切に行うことが難しい。 - 特許庁

To perform deposition without entailing the degradation in a working rate by exchanging evaporation materials and film forming substrates even in a process in which the amount of formed films is great.例文帳に追加

形成膜量が多いプロセスにおいても、また、蒸発材料および被膜形成基板の交換による稼働率低下を来さず成膜を行う。 - 特許庁

To provide a material for vapor deposition or a material for ion-plating capable of obtaining a transparent conductive film of high density, high transparency and low resistance through the high-speed film deposition without any fluctuation in the composition during a sintering process or without generation of any nodule, deformation of a target, or damages such as cracks during the film deposition.例文帳に追加

高密度であって、焼結工程中に組成の変動が起こらず、成膜中に針立ちの発生やターゲットの変形およびひび割れ等の損傷が起こらず、高透明で低抵抗な透明導電膜を高速成膜により得ることが可能な蒸着用あるいはイオンプレーティング用材料を提供する。 - 特許庁

In a plasma deposition device for depositing a sputtered target material on a substrate, capacitance in an impedance-matching box for an RF coil is varied during the deposition process in such a manner that heating of the RF coil and the substrate and the film deposition become more uniform according to "time-averaging" of the RF voltage distribution along the RF coil.例文帳に追加

スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method and a deposition system therefor where the yield of a plume can be improved by effectively using the plume without any waste, further, even in the case an oxide superconductive thin film with a stacked structure is obtained, a film deposition process can be reduced, and the reduction of the production cost can be attained.例文帳に追加

プルームを無駄なく効果的に使用することで、プルームの収率を向上させることができ、しかも、積層構造の酸化物超電導体薄膜を得る場合においても、成膜工程を短縮することができ、製造コストの低減を図ることができる薄膜の形成方法及び形成装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the laminated thin-film device (an electrophotographic photoreceptor) by successively laminating at least two layers by a hot wire CVD (Chemical Vapor Deposition) process on a substrate 29 to be deposited with films, the component of heating element used for the deposition of the thin films afterward is made different from that used for the deposition of the previous thin films.例文帳に追加

被成膜用基板２９上にホットワイヤーＣＶＤ法により少なくとも２層を順次積層する積層型薄膜デバイス（電子写真感光体）の製造方法であって、先の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分に対し、その後の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分を違える。 - 特許庁

To provide a gas supply unit and a chemical vapor deposition apparatus with which by-products resulting from a chemical vapor deposition process is immediately exhausted, so that a high quality thin film is deposited on the surface of a deposition object, a cleaning cycle for the inside of a chamber is extended, for greater productivity.例文帳に追加

本発明は、化学気相蒸着工程時に発生する反応副産物を素早く排出することにより、被蒸着体の表面に高品質の薄膜を形成でき、チャンバ内部のクリーニングサイクルが延ばされ、生産性を向上させることができるガス供給ユニット及び化学気相蒸着装置を提供する。 - 特許庁

Especially the method includes a catalyst deposition process of depositing the fine particles of the γ-Al_2O_3 on the fiber, and a functional material deposition process of depositing the mixture of the cellulose resin and fine particles of the functional material on the fiber, and preferably, thereby the functional material is made to be carried on the fiber.例文帳に追加

特に、繊維にγ−Ａｌ_２Ｏ_３の微粒子を付着させる触媒付着工程と、その後、前記繊維にセルロース樹脂と機能性材料の微粒子の混合物を付着させる機能性材料付着工程とを具備し、これによって前記機能性材料を前記繊維に担持させることが好ましい。 - 特許庁

To provide an apparatus for carring out a plasma chemical vapor deposition (PCVD) process, in which leakage of high frequency energy is small even when a high frequency output level of about 2.5 kW is used so as to enhance the vapor deposition speed in PCVD process for vapor depositing a doped or undoped layer onto the interior of a glass substrate tube.例文帳に追加

ドープされているか又はされていない層をガラス基材チューブの内側に蒸着させるプラズマ化学蒸着処理（PCVD処理）において、蒸着速度を上げるために約2.5kW以上の高周波出力レベルを用いた場合であっても、高周波エネルギーの漏洩の少ないPCVD蒸着処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for supplying gaseous hydrogen into a process chamber of a vapor deposition system which is capable of stably forming a vapor deposited metallic film on the surface of a material to be treated, such as a rare earth permanent magnet, by eliminating the adverse influence of the O_2 existing in the process chamber even when long-time vapor deposition treatment is performed.例文帳に追加

長時間の蒸着処理を行う場合であっても、処理室内にＯ_２が存在することによる悪影響を解消し、希土類系永久磁石などの被処理物の表面に金属蒸着被膜を安定に形成することができる蒸着装置の処理室内への水素ガス供給方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive lithographic printing plate material, relating to a photosensitive lithographic printing plate material for performing water development, in which sludge and development unevenness are improved when a developing process is continued by using a process device, and excellent contamination preventing property, ink deposition property and uniformity of ink deposition are obtained.例文帳に追加

水による現像を行う感光性平版印刷版材料に関して、処理装置を用いて現像処理を続けていった場合のスラッジおよび現像ムラの発生を改善し、耐汚れ性、インキ乗り性およびインキ乗りの均一性に優れたネガ型の感光性平版印刷版材料を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon substrate for magnetic recording medium which reduces cost reduction while having sufficient impact resistance and excellent surface flatness without complicating working process and deposition process of a magnetic recording layer.例文帳に追加

充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and process capable of executing the process in the cycle time of a high speed by avoiding the undesirable condensation of gaseous precursors in atomic layer deposition which is a method for depositing an extremely thin film on a surface.例文帳に追加

非常に薄い膜を表面にめっきする方法である原子層めっきにおいて前駆物質ガスの望ましくない凝縮を回避し、プロセスが高速のサイクル時間で実施できる装置とプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing technique of semiconductor devices capable of setting a residual level difference in CMP polishing to not more than a prescribed value, improving the manufacturing throughput of a film deposition process and a CMP process, and suppressing costs.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨における残留段差を規定値以下としつつ、膜堆積プロセスとＣＭＰプロセスの製造スループット向上とコスト抑制を実現することができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a process monitoring device that can individually distinguish whether a measured value is greater or smaller than a threshold value about a partial pressure for a specific gas in the process gas after having distinguished the conditions in a deposition apparatus individually.例文帳に追加

成膜装置の状態を個別に認識した上で、プロセスガス中の特定ガスの分圧について測定値が閾値を上回っているか下回っているかを個別に認識することが可能なプロセスモニタ装置を提供する。 - 特許庁

To stabilize the channel and the flow rate of process gas by reducing the quantity of process gas flowing into a gap between the lower surface of a housing and the back surface of an injector shield section thereby preventing deposition of undesired productions.例文帳に追加

本発明の目的は、筐体の下面とインジェクタシールド部の背面との間の隙間に流れ込むプロセスガスを低減し、不所望な生成物が堆積することを防止しプロセスガスの流路及び流量を安定させる。 - 特許庁

When a deep trench machining is performed for monocrystal silicon by using this device to repeat switching of an etching primary process and a deposition primary process, a generated reflection electric power can be suppressed.例文帳に追加

この装置を用いて、エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えて繰り返し行うことにより、単結晶シリコンに深い溝加工を行ったところ、発生する反射電力を抑制することができた。 - 特許庁

To provide a diamond electrode member that prevents peeling and cracks of a diamond film in a deposition process of diamond and in a using process as an electrode and into which a diamond electrode superior in durability is incorporated.例文帳に追加

ダイヤモンドの成膜過程及び電極としての使用過程においてダイヤモンド膜の剥離及び亀裂が生じることが防止され、耐久性が優れたダイヤモンド電極を組み込んだダイヤモンド電極部材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.例文帳に追加

ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To provide a plating process including the application of a soft metallic coating, composed of substantially pure metal or alloy, to resilient metal seals utilizing a high-volume, high-energy electro-deposition plating process.例文帳に追加

本発明は、高容量および高エネルギーの電着めっきプロセスを用いた、弾力性金属シールにほぼ純粋な金属あるいは合金からなる軟質金属コーティングの塗布を含むめっき方法を提供する。 - 特許庁

A deposition preparation process (step S1) for preparing an electrode member which functions as a fuel electrode or an air electrode as an object of deposition, a gel formation process (step S2) mixing metal salt and citric acid solution to form anhydrous citric acid complex gel, and a solution formation process (step S3) esterifying anhydrous citric acid complex gel and forming anhydrous citric acid complex solution are carried out.例文帳に追加

燃料極または空気極として機能する電極部材を成膜の対象として準備する成膜準備工程（ステップＳ１）と、金属塩とクエン酸水溶液とを混合し、無水クエン酸錯体ゲルを作製するゲル作製工程（ステップＳ２）と、無水クエン酸錯体ゲルをエステル化し、無水クエン酸錯体溶液を作製する溶液作製工程（ステップＳ３）とを行う。 - 特許庁

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film.例文帳に追加

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。 - 特許庁

This method for preventing scale deposition in a kraft pulp- bleaching process comprises using chlorine-free bleaching method [ECF (elemental chlorine free) bleaching method] and is characterized by adding 1- hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid or its salt into a pulp slurry in the bleaching process to prevent scale deposition in equipments applied in the bleaching process.例文帳に追加

無塩素漂白方法（ＥＣＦ漂白方法）を用いたクラフトパルプ漂白工程におけるスケール付着防止方法において、該漂白工程のパルプスラリー中に、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸またはその塩を添加し、該漂白工程に用いられる装置内にスケールが付着するのを防止することを特徴とするクラフトパルプ漂白工程におけるスケール付着防止方法。 - 特許庁