「deposition process」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system, upon film deposition by a sputtering process, which prevents the incidence of electrons and oxygen ions on a substrate and reduces damage to a substrate or a film on the substrate, thus can improve film properties, and to provide a film deposition method.例文帳に追加

スパッタリング法による成膜時において、電子や酸素イオンが基板に入射することを防ぎ、基板や基板上の膜へのダメージを低減することで、膜特性を向上させることができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

Since vapor not of oxygen or ozone having radical oxygen but of alcohol is used as the reactive gas for depositing a thin film, direct oxidation of a substrate or the deposition plane by the reactive gas is suppressed during the deposition process.例文帳に追加

本発明は薄膜の蒸着のための反応性ガスとして酸素、オゾンのようにラジカル酸素を有していないアルコールの蒸気を使用するため、蒸着過程中に反応性ガスによる基板または蒸着面の直接的な酸化を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a thin film while monitoring film thickness and various spectral characteristics in real time when depositing an optical film of laminated structure in a film deposition process by means of sputtering and vapor deposition of various kinds.例文帳に追加

スパッタリングおよび各種蒸着による成膜プロセスにおいて、回転楕円体基盤表面へ積層構造の光学膜を形成する際にその膜厚と各種分光特性をリアルタイムでモニターしながら薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A collector necessary to a conventional method using the ion beam for covering the substrate 8 and an electrode becomes unnecessary, whereby its measuring system can be made simple, and a measurement of the secondary electrons can be carried out in the deposition system, and a deposition process can be made stable.例文帳に追加

イオンビームを用いる従来法に必要であった基板８と電極とを覆うコレコタは不要なので、測定系をシンプルにすることができ、成膜装置内での２次電子の測定が可能となり、成膜工程の安定化を実現できる。 - 特許庁

This cross section form observation method includes a process for forming a protective film on a specimen surface by a deposition method; a process for forming a protective film for working on the protective film by using a FIB; and a process for cutting the specimen with the protective film for working formed thereon by using the FIB to observe its cross section.例文帳に追加

試料表面に蒸着法により保護膜を形成する工程と、前記保護膜上にＦＩＢを用いて加工用保護膜を形成する工程と、前記加工用保護膜の形成された試料をＦＩＢにより切断し、断面を観察する工程とを含む。 - 特許庁

The method comprises a pseudo liquid layer forming process for forming a pseudo liquid layer 6 by the use of material having a melting point lower than that of the oxide-based superconductor, and a superconductive layer forming process for depositing the superconductive layer 8 by the use of the oxide-based superconductor after the pseudo liquid layer deposition process.例文帳に追加

酸化物系超電導体より融点が低い物質で擬似液体層６を成膜する擬似液体層成膜工程と、 擬似液体層成膜工程の後に、酸化物系超電導体で超電導層８を成膜する超電導層成膜工程とを含む。 - 特許庁

In a nucleation process as a previous process, a nucleation process S1 for generating a crystalline nucleus on the substrate is performed by a reactant thermal CVD method or the plasma CVD method using higher-order silane-based gas represented by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and germanium halide gas for deposition gas.例文帳に追加

また前工程として、前記核生成工程では、Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスとハロゲン化ゲルマニウムガスとを成膜ガスに用いた反応性熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって基板上に結晶核を生成するための核生成工程Ｓ１を行う。 - 特許庁

To provide a method for growing a carbon fiber at a low temperature capable of growing the carbon fiber at a low temperature of ≤450°C by an organic metal chemical vapor deposition process.例文帳に追加

有機金属化学気相蒸着法によって、４５０℃以下の低温でカーボンファイバを成長させることができるカーボンファイバの低温成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method by which satisfactory amorphous carbon films can be deposited using a DC plasma CVD process by suppressing the occurrence of sooting.例文帳に追加

直流プラズマＣＶＤ法によるアモルファス炭素膜の成膜において、スーティングの発生を抑制し、良好なアモルファス炭素膜が成膜できる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a mirror-polished wafer providing a high level flatness, especially for a mirror-polished wafer which permits the deposition process for pattern size 0.13 μm or less.例文帳に追加

高平坦度な鏡面ウェーハ、特にパターン寸法が０．１３μｍ以下の成膜工程が可能な鏡面ウェーハを製造するための製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation method which can directly form a ceramic, metal or semi-metal film on the surface of a soft resin substrate using an AD (aerosol deposition) process.例文帳に追加

柔らかい樹脂基板の表面にＡＤ法を用いてセラミックス、金属、半金属膜を直接形成できる製膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After passing through such sequential process, the high-strength cold-rolled steel sheet having strength of ≥590 MPa TS and excellent in the chemical-processing property and the corrosion-resistance after electrostatic-deposition coating, is obtained.例文帳に追加

このような一連の工程を経ることにより、TS≧590Mpaの強度を有する、化成処理性および電着塗装後耐食性に優れた高強度冷延鋼板が得られる。 - 特許庁

To provide a process and a system for a magnetron sputtering by which a highly efficient film deposition can be realized at low temperature near to ordinary temperature by preventing the temperature of a base material from rising.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおいて、基材の温度上昇を防止して常温に近い低い温度で高能率の薄膜形成を可能にする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for measuring surface temperature, which can accurately measure the temperature of a surface of a substrate that is in process of deposition.例文帳に追加

成膜中における基板上の表面温度を正確に測定することができる表面温度測定方法及び表面温度測定装置を提供すること。 - 特許庁

A correction member 9 is arranged between a base material holder 4 and a crucible 6, and the correction member 9 is moved so as to cross the space between the base material 4 and the crucible 6 in the process of film deposition.例文帳に追加

基材ホルダ４及びルツボ６の間に補正部材９を配置し、成膜中に該補正部材９を基材４及びルツボ６間を横切るように移動させる。 - 特許庁

To provide a negative electrode that does not degrade charge and discharge characteristics, by forming a silicon oxide which is a high-capacity active material for the negative electrode, through a vacuum deposition process of a high productivity.例文帳に追加

高容量負極活物質であるケイ素酸化物を、生産性の高い蒸着法で形成し、充放電特性劣化を起こさない負極とすること。 - 特許庁

When the depositing process is completed, the middle body and the ring-shaped body are removed from the workpiece supporting chuck with the deposition of the material left, and a wafer spacing mask is formed.例文帳に追加

堆積プロセスが完了すると、中央体とリング形状体は、材料の堆積を残してワークピース支持チャックから除去され、ウエハスペーシングマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which a protective deposition film is stripped and removed completely, and in which a cleaning process not corroding a wiring body is provided.例文帳に追加

保護堆積膜を完全に剥離除去し、かつ配線体を腐食しない洗浄工程を備えた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Especially, for this protective film 14, it is suitable to use a chemical vapor phase deposition method, and forming conditions (temperature, raw material supply amount) are changed during the process of forming.例文帳に追加

特に、この保護膜１４は化学気相堆積法を用いることが好適であり、その際の形成条件（温度、原料供給量）を形成途中で変更する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus capable of efficiently exchanging large masks and preventing deposition of contaminations on a mask to be used in the next exposure process.例文帳に追加

大型のマスクの交換を効率良く実施し、かつ、次の露光処理に使用されるマスクに対する異物の付着を防止することが可能な露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a deposited film structure having a deposited film formed on a substrate by an aerosol deposition process, in which the peeling of the film caused by heat treatment for promoting crystallization is prevented.例文帳に追加

エアロゾルデポジション法によって基板に堆積膜を形成した堆積膜構造物において、結晶化を促進するための熱処理による膜の剥離を防ぐ。 - 特許庁

To provide a bismuth-based lead-free sealing material which can be sufficiently softened and fluidized, has a high degree of crystallinity, and can not be again fluidized in a heating process after crystal deposition.例文帳に追加

十分に軟化流動し、しかも結晶化度が高く、結晶析出後の加熱工程で再流動することのないビスマス系無鉛封着材料を提案する。 - 特許庁

To smoothly exhaust excess soot formed in a reaction tube to the exterior of the reaction tube in manufacturing an optical fiber preform by a chemical vapor deposition process.例文帳に追加

化学気相蒸着方法による光ファイバー母材製造において、反応管内部に過度に生成されたシュートを反応管の外部へ円滑に排出できるようにする。 - 特許庁

Second group-III and nitrogen precursors are flowed into the second processing chamber to deposit a second layer over the first layer with a thermal chemical-vapor-deposition process.例文帳に追加

II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。 - 特許庁

A polymer layer is formed on the cleaned surface of the layer using a plasma-enhanced deposition process to protect the cleaned surface of the layer against exposure to an oxidizing gas.例文帳に追加

プラズマ強化堆積プロセスを用いて層の洗浄された表面上にポリマー層が形成され、酸化ガスへの曝露に対し層の洗浄された表面が保護される。 - 特許庁

The structure and the method for manufacturing a magnetic reading head include a process of forming a fill layer for a magnetic reading head gap by using an atomic layer deposition(ALD) method.例文帳に追加

磁気読取りヘッドを製造する構造および方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して磁気読取りヘッドギャップのためのフィルレイヤーを形成することを含む。 - 特許庁

A vapor-phase growth apparatus that performs a deposition process to a substrate using a material gas introduced in a reactor comprises a shower head and a shower plate 20 in the reactor.例文帳に追加

反応炉内に導入された材料ガスを用いて基板に成膜処理を施す気相成長装置は、シャワーヘッドおよびシャワープレート２０を反応炉内に備える。 - 特許庁

A high purity source material having an impurity index low enough to reduce spitting during the vapor deposition process and increase evaporation rate is provided.例文帳に追加

本発明の方法は蒸着プロセス中の吐出を減少し蒸発速度を増大させるに十分に低い不純物指数を有する高純度源材料を提供する。 - 特許庁

The Cr-B-Si-N alloy film 4 is coated on the outer peripheral sliding surface (a part corresponding to the sliding surface) of the nitriding layer 3 by a PVD (physical vapor deposition) process.例文帳に追加

Ｃｒ−Ｂ−Ｓｉ−Ｎ合金皮膜４は、ＰＶＤ（物理的蒸着）法によって窒化層３の外周摺動面（摺動面相当部）に被覆されている。 - 特許庁

When the generation of the clogging of the ascension pipe during the carbonization process is predicted, the nature of the coal and the operation conditions are changed to suppress the deposition speed of the carbon.例文帳に追加

乾留中の上昇管の閉塞発生が予測された場合に、石炭性状と操業条件を制御して該付着カーボンの生成速度を抑制する。 - 特許庁

To provide a film deposition method which forms a high-quality film in a low-temperature process and which can freely control a nature of the film in a sputtering method and a sputtering apparatus.例文帳に追加

スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method reducing the rejection rate of process gas without reducing the property of a membrane in a film deposition step.例文帳に追加

成膜工程において、膜質を低下させることなく、プロセスガスの廃棄率を低減させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

By this process, it is possible to produce a film both higher in deposition velocity and more uniform in composition and thickness than a film prepared by using a conventional chemical precursor.例文帳に追加

このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。 - 特許庁

During vapor deposition process of the organic layer, the structure is moved to the vapor distributor, so that the organic layer with improved uniformity is provided on the structure.例文帳に追加

有機層の蒸着工程中、構造体を蒸気ディストリビュータに対して移動させることにより、構造体の上に均一性の改良された有機層が設けられる。 - 特許庁

In the deposition process, a cycle including a step of supplying and pyrolyzing the hydrocarbon and a step of exhausting the inside of the reactor after the pyrolysis is repeated two times or more.例文帳に追加

上記成膜工程は、炭化水素を供給し、熱分解させるステップと熱分解の後に反応器中を排気するステップとを含むサイクルを２回以上繰り返す。 - 特許庁

In the manufacturing process of a semiconductor device, a method is indicated, where the method includes a step for exposing the surface of the substrate to a rapid thermochemical vapor deposition(RTCVD).例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、基板の表面を、窒化膜を形成する急速熱化学蒸着（ＲＴＣＶＤ）プロセスに暴露する段階を含む方法を示す。 - 特許庁

To provide a film deposition system having a small footprint and high productivity, which is capable of avoiding cross contamination in each layer formed in a manufacturing process of an organic EL element or the like.例文帳に追加

有機EL素子などの製造工程で形成される各層における相互汚染を回避でき、しかも、フットプリントも小さく、生産性の高い成膜システムを提供する。 - 特許庁

Then, a deposition process is performed such that an organic material is deposited on the surface of the resist pattern PRp and lens material film 111z, thereby forming organic films JM1 and JM2.例文帳に追加

そして、そのレジストパターンＰＲｐとレンズ材膜１１１ｚとの表面に有機材料を堆積し有機膜ＪＭ１，ＪＭ２を成膜するデポジション処理の実施をする。 - 特許庁

To provide a WLP semiconductor circuit and a manufacturing method of the same which employs a metal deposition method fully excluding photolithography in a WLP manufacturing process.例文帳に追加

ＷＬＰ製造工程にフォトリソグラフィーを完全に排除した金属被着方法を採用したＷＬＰ半導体回路およびその製造方法を課題とする。 - 特許庁

The pixel electrodes 22 may be formed by using a sol-gel material and applying this material by a spin coating method or dipping method without using a vacuum deposition device, by which the manufacturing process may be shortened.例文帳に追加

画素電極２２は、ゾルゲル材料を用いてスピンコート法やディップ法で塗布することによって真空成膜装置を用いずに形成でき、製造プロセスを短縮できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a dielectric element in which a dielectric film is formed by a chemical solution deposition method for enhancing the resistance of the dielectric film to a wet process.例文帳に追加

化学溶液法により誘電体膜を形成させる誘電体素子の方法において、誘電体膜のウェットプロセスに対する耐性を高める方法を提供すること。 - 特許庁

Lastly in a semiconductor manufacturing process (for example, sputtering method, vapor deposition method or the like), a metal film is formed as a plating seed layer on the surface of both ends of electronic element.例文帳に追加

最後に、半導体製造工程（例えば、スパッタリング法や、蒸着法等）を以ってめっき用種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating an optical element in which film deposition with uniform thickness is realized even in case of a material which is apt to grow insularly at the time of depositing a capping layer.例文帳に追加

キャッピングレイヤ成膜時に島状に成長しやすい物質であっても、一様な厚みに成膜することを実現する光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem caused by the sagging of a high temperature medium 4 in a chemical vapor deposition system where a high temperature medium CVD process is performed, and to improve running cost and productivity.例文帳に追加

高温媒体ＣＶＤ法を行う化学蒸着装置において、高温媒体４の垂れに起因した問題を解消し、ランニングコストや生産性を向上させる。 - 特許庁