「diffusion layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, in a memory array configuration in which a bit line is formed on the side of the lower diffusion layers 108, a reduction in bit line resistance can reduce power consumption, and also can achieve high-speed operation.例文帳に追加

したがって、下部拡散層１０８側をビット線としたメモリセルアレイを構成した場合、ビット線抵抗の低減によって消費電力を低減することができるとともに、高速動作を行うことが可能となる。 - 特許庁

The fuel cell is provided with a power generation unit 12 having an electrolyte membrane, a pair of electrodes formed on both faces of the electrolyte membrane, and a pair of gas diffusion layers which are arranged on the electrodes and made of a porous body.例文帳に追加

燃料電池は、電解質膜と、電解質膜の両面に形成された一対の電極と、電極上に配置された多孔質体から成る一対のガス拡散層と、を備える発電体１２を備える。 - 特許庁

The film-electrode assembly for the solid polymer fuel cell can be manufactured, by laminating the gas diffusion electrodes 3a, 3b on both surfaces of the solid polymer electrolyte film 1 via catalyst layers 2a, 2b.例文帳に追加

このガス拡散電極３ａ、３ｂを高分子電解質膜１の両面に触媒層２ａ、２ｂを介して積層して、固体高分子型燃料電池用の膜−電極接合体を作製することができる。 - 特許庁

To provide a current detection device in which diffusion layers of the respective electrodes do not overlap with each other and which allows high-speed and precise current detection even when current detection is simultaneously performed in microelectrodes which are integrated in high density.例文帳に追加

高密度に集積した微小電極において電流検出を同時行っても、各電極の拡散層が重なり合わず、高速かつ正確な電流検出を可能とする電流検出装置を提供する。 - 特許庁

A shape of the cylindrical fuel battery cell is enabled to be maintained by forming reaction layers 2a, 2b inside and outside a cylindrical polymer electrolyte film 1 and forming cylindrical gas diffusion layers 3a, 3b made of the high-strength complex inside and outside the same, with almost no support from outside.例文帳に追加

筒状の高分子電解質膜１の内外両側に反応層２ａ，２ｂを形成し、その内外両側に上記の高強度複合体からなる筒状のガス拡散層３ａ，３ｂを形成することにより、ほとんど外部から支持することなく、筒型の燃料電池セルの形状を維持することを可能にする。 - 特許庁

To improve the metal diffusion preventing function of a nitrogen- containing layer which is used as a barrier layer between two metallic layers in a semiconductor device which is constituted in such a structure that electrodes, wiring, and bump electrodes are connected to each other, and, at the same time, to improve the closely adhering functions between the metallic layers and nitrogen-containing layer.例文帳に追加

電極、配線、バンプ電極をそれぞれ互いに接続する構造を有する半導体装置に関し、２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くすることことを目的とする。 - 特許庁

Since the dummy patterns are formed in the peripheral area, the film thickness of the interlayer insulating film 5 can be made almost equal in the areas on which the poly-Si layers 4a are formed and the peripheral areas and respective contact holes 5a can arrive at respective diffusion layers 2 in both areas within almost the same etching time.例文帳に追加

このように、周辺領域にダミーパターンを形成することで、層間絶縁膜５の膜厚をＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａが形成された領域と周辺領域とでほぼ同等とすることができ、いずれの領域についてもほぼ同じエッチング時間で各コンタクトホール５ａが各拡散層２に到達するようにできる。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor storage device having a memory cell transistor and the peripheral transistor on the same semiconductor substrate 11, metallic silicide layers 28 are formed on both diffusion layers of the memory cell transistor and the peripheral transistor and on the gate electrode of the peripheral transistor, and the contact of the memory cell transistor has a self-alignment contact structure.例文帳に追加

同一半導体基板１１上にメモリセルトランジスタと周辺トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルトランジスタと周辺トランジスタの両拡散層及び周辺トランジスタのゲート電極上に、金属シリサイド層２８が形成され、メモリセルトランジスタのコンタクトがセルフアラインコンタクト構造を有する。 - 特許庁

Next, a deposition process of depositing the films in such a manner that the films adjoin each other in the lamination direction and setting the thicknesses of the boundary diffusion layers existing at the boundaries for the films adjacent to each other in the lamination direction so as to be ≤50% of the thicknesses on the layers on the thinner sides among the adjacent films is performed.例文帳に追加

次に、積層方向において互いに隣接するように膜を成膜すると共に、積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、隣接する膜のうち薄い側の層の厚みの５０％以下となるように設定する成膜工程を実施する。 - 特許庁

According to this method, the necessary change of a circuit is effected through a single layer of all wiring layers, and a desired wiring correction for changing chip version is effected by wiring layers necessary for the correction of mask accompanied by the addition of a function or the correction of bug whereby the shortening of the diffusion period of time and the reduction of expense for the mask are realized.例文帳に追加

これにより、所望の回路変更を全ての配線層の単一層のみで行うことができ、機能追加やバグ修正に伴うマスク修正に必要な配線層のみで、チップバージョンを変更する所望の配線修正が行え、拡散期間の短縮、マスク費用削減が実現できる。 - 特許庁

One cell of the fuel cell is comprised of a membrane-electrode assembly (MEA) 20 formed by arranging catalyst electrode layers on both sides of an electrolyte layer of a solid polymer membrane, gas diffusion layers (GDLs) 21, 22, and reaction gas supply separators 23, 24 arranged on the outside of each of the GDLs 21, 22.例文帳に追加

燃料電池の１セルは、固体高分子膜の電解質層の両面に触媒電極層を配置してなる膜・電極接合体（ＭＥＡ）２０と、このＭＥＡ２０の両面に配置したガス拡散層（ＧＤＬ）２１、２２と、各ＧＤＬ２１、２２の外側に配置した反応ガス供給セパレータ２３、２４とから構成される。 - 特許庁

A membrane electrode assembly (MEA) constituting a fuel cell is provided with an electrolyte membrane, catalyst electrode layers for an oxidizer electrode and a fuel electrode respectively laminated on both sides of the electrolyte membrane, a gas diffusion layer for the oxidizer electrode laminated outside the catalyst electrode layers for the oxidizer electrode, and the gas diffusion layer for the fuel electrode laminated outside the catalyst electrode layer for the fuel electrode respectively as the cell structure.例文帳に追加

燃料電池を構成する膜電極接合体（ＭＥＡ）は、電解質膜と、その電解質膜の両側に各々積層された酸化剤極用及び燃料極用の触媒電極層と、酸化剤極用の触媒電極層の外側に積層された酸化剤極用のガス拡散層と、燃料極用の触媒電極層の外側に積層された燃料極用のガス拡散層とをそれぞれセル構造体として備える。 - 特許庁

In the solid polymer fuel cell, in which the porous metal body is arranged at least one side of the gas diffusion layer, comprising a polymer electrolyte membrane, and pairs of catalyst layers and gas diffusion layers arranged by sandwiching the polymer electrolyte membrane, boehmite alumina with an average roughness Ra of 5 nanometers or more to 1 micrometer or less is arranged at least a part of the surface of the porous metal body.例文帳に追加

高分子電解質膜と、該高分子電解質膜を挟持して配置された一対の触媒層及びガス拡散層とを備え、さらに前記ガス拡散層の少なくとも一方の側に多孔質金属体を配置した固体高分子型燃料電池であって、前記多孔質金属体の表面の少なくとも一部に平均粗さＲａが５ｎｍ以上１μｍ以下のベーマイトアルミナが設けられている固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

A second select transistor 23 is connected between the other end of the first select transistor and a bit line 15, and comprises a stack of a first conductive film 62, inter-electrode insulating film 63, second conductive film 64, and source/drain diffusion layers 65.例文帳に追加

第２選択トランジスタ２３は、第１選択トランジスタの他端とビット線１５との間に接続され、積層された第１導電膜６２と電極間絶縁膜６３と第２導電膜６４と、ソース／ドレイン拡散層６５と、を有する。 - 特許庁

Resistances between specific electrode materials (between 22 and 20, 20 and 21, and 21 and 23) are detected and based on these detection results, contact resistance, sheet resistance of diffusion layers 16-18 and error of width dimension thereof are calculated.例文帳に追加

所定の電極材間（２２と２０との間、２０と２１との間及び２１と２３との間）の抵抗値を検出し、これら検出結果に基づいて、コンタクト抵抗、拡散層１６〜１８のシート抵抗及び幅寸法の誤差を算出する。 - 特許庁

In the bubble-containing light diffusion sheet composed of a resin sheet 2 of a single layer, the bubble layers 4 in which bubbles exist along a surface direction are formed in one position or a plurality of positions in the thickness direction and the bubbles have 10 to 60 μm average diameter.例文帳に追加

単層の樹脂シート２からなり、厚さ方向の１箇所または複数箇所に気泡が面方向に沿って存在する気泡層４が形成され、前記気泡の平均径が１０〜６０μｍである含気泡光拡散シートとする。 - 特許庁

A crooked plane part 29a is formed against a first contact part 29 coming in contact with the surface of the gas diffusion layers 19, 20 out of a ring part 27 forming each through hole of the gas passage forming members 21, 22.例文帳に追加

前記ガス流路形成部材２１，２２の前記各貫通孔を形成するリング部２７のうち前記ガス拡散層１９，２０の表面と接触する第１接触部２９に対し屈曲平面部２９ａを形成する。 - 特許庁

In the channel area between the impurity diffusion layers 20 and 21, charge densities of an area 51 which can be controlled by the selection gate 18 and an area 52 which can be controlled by the memory gate 17 are different from each other.例文帳に追加

不純物拡散層２０，２１の間に位置するチャネル領域のうち、選択ゲート１８により制御され得る領域５１とメモリゲート１７により制御され得る領域５２とにおける不純物の電荷密度が異なる。 - 特許庁

The submount 50 has substrates 1 and 2 principally comprising Si, and impurity diffusion layers 4 and 5 formed by diffusing impurities in a region on the surface 1a of a substrate where a semiconductor laser chip is mounted.例文帳に追加

この発明のサブマウント５０は、Ｓｉを主材料とした基板１，２と、基板表面１ａのうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層４，５とを備える。 - 特許庁

An exhaust ink absorbing member 92 is composed by laminating ink absorbing bodies 94 and an ink diffusion space 100 is formed in a container 80 by varying the number of laminated layers of the ink absorbing body 94 from region to region.例文帳に追加

排インク吸収部材９２は、インク吸収体９４が積層されて構成されており、領域ごとにインク吸収体９４の積層枚数を変えることで、容器８０内に、インク拡散空間１００が構成される。 - 特許庁

When a titanium film 17 is deposited over the whole surface, and after the film 17 is heat-treated for silicification and unreacted titanium is removed thereafter, a state results in which titanium silicide layers 18 are formed only on the gate electrode 14 and diffusion regions.例文帳に追加

その後、チタン膜１７を全面に堆積し、シリサイド化のための熱処理を施した後、未反応のＴｉを除去すると、ゲート電極１４上および拡散領域上にのみ、チタンシリサイド層１８が形成された状態となる。 - 特許庁

Each of the plurality of cells is formed adjacently to a first direction (X-direction) vertical to the gate, and, in all the plurality of cells, distances between cell frames and diffusion layers in the cells closest to the cell frames in the first direction are equal to one another.例文帳に追加

複数のセルのそれぞれは、ゲートに垂直な第１方向（Ｘ方向）に隣接して設けられ、複数のセルの全てにおいて、セル枠と、セル枠に対し第１方向に最も近いセル内の拡散層との距離は、等しい。 - 特許庁

In designing a layout of transistors, distances from gate electrodes of the transistors to ends of diffusion layers, Lfig1, Lfig2 and Lfig3 are displayed by lines in a multiple manner while adjusting to a variation amount of characteristics of the transistors, using a CAD tool.例文帳に追加

トランジスタのレイアウト設計時において、ＣＡＤツールを用いて、トランジスタの特性の変動量に合わせて、トランジスタのゲート電極から拡散層の端までの距離Ｌｆｉｇ１、Ｌｆｉｇ２、Ｌｆｉｇ３を、多重にライン表示させる。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a semiconductor substrate 100 having a pixel region and a peripheral region, and plural diffusion layers 102, 103 formed in the pixel region of the semiconductor substrate 100 and arranged in a matrix form.例文帳に追加

固体撮像素子は、画素領域と周辺領域とを有する半導体基板１００と、半導体基板１００の画素領域に形成され、行列状に配置された複数の拡散層１０２、１０３とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough.例文帳に追加

セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An membrane-electrode integrated structure 12 composed of an ion exchange film 10 and a pair of gas diffusion layers 15 is located on and between the separation plates 5, and the ion exchange film 10 having a peripheral edge 14 is located in the chamber 20.例文帳に追加

イオン交換膜１０と１対の気体拡散層１５を含んで成る膜電極一体構造１２を分離版５の上および間に前記イオン交換膜１０の周囲縁１４が前記チャンバ２０の中に位置させる。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

Conductor parts 39a-39c and 39d-39f comprising gas diffusion layers projecting outward are integrally formed at both ends in the arrow direction of a cathode side electrode 38 configuration the electrolyte membrane/electrode assembly 22.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体２２を構成するカソード側電極３８の矢印Ｂ方向両端部には、それぞれ外方に突出してガス拡散層からなる導体部３９ａ〜３９ｃ及び３９ｄ〜３９ｆが一体成形される。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell with high durability and high performance by preventing a short circuit between gas diffusion layers and to provide a method for manufacturing the fuel cell in high reliability.例文帳に追加

ガス拡散層間の短絡をなくすことにより耐久性の優れた高性能の高分子電解質型燃料電池を提供すること、さらに、この電池を高い信頼性をもって製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Because the adhesion transition layer exists between the upper low-k dielectric layer and the diffusion barrier cap dielectric layer, the possibility that the layers in the interconnection structure are separated in a packaging process is reduced.例文帳に追加

上部低誘電率（low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

A charge accumulation film and a gate electrode 105 are formed on a semiconductor layer, and two first conductivity diffusion regions A and B are formed in semiconductor layers on both sides of a channel region formed below the gate electrode 105.例文帳に追加

半導体層上に電荷蓄積膜とゲート電極１０５を形成し、ゲート電極１０５の下部に形成されたチャネル領域の両側の半導体層に２つの第１導電型の拡散領域Ａ及びＢを形成する。 - 特許庁

The platinum ion trapping layers 40 and 42 comprise a member having a mesh structure, and are provided in regions near an air inlet between the electrolyte membrane 10 and the catalyst layer 20 and between the catalyst layer 20 and the gas diffusion layer 30, respectively.例文帳に追加

白金イオン捕捉層４０，４２は、それぞれ、メッシュ構造を有する部材からなり、電解質膜１０と触媒層２０との間、および、触媒層２０とガス拡散層３０との間の、空気の入口近傍の領域に配置される。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and manufacturing method thereof in which diffusion layers obtained from a desired channel width can be formed without depending on a transistor size, in the semiconductor device consolidated with memories or logics of different transistor sizes.例文帳に追加

トランジスタサイズの異なるメモリ、ロジックなどを混載する半導体装置において、トランジスタサイズに依存することなく、所望のチャネル幅が得られる拡散層を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method is provided with a reduction process for reducing an aspect ratio of a partial region between gate electrodes and diffusion layers made to be lower than that of a region, except for the partial region between the gate electrodes, prior to the formation of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成する前に、ゲート電極間かつ拡散層間の一部領域のアスペクト比を、このゲート電極間のこの一部領域以外の領域のアスペクト比より低減させる低減工程を備える。 - 特許庁

Resistor elements are serially connected with an output stage of the inverter 100 by connecting wiring layers 174 and 176 with the high fusion temperature silicide layer 140 of the both sides of the diffusion resistance regions 150A and 150B via a contact 160.例文帳に追加

拡散抵抗領域１５０Ａ，１５０Ｂの両側の高融点金属シリサイド層１４０にコタンクト１６０を介して配線層１７４，１７６を接続することで、インバータ１００の出力段に抵抗素子が直列接続される。 - 特許庁

The widths of the first and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are operated as the field alleviating layer correspond to the widths L1 and L3 of the space of the first insulating film pattern, and correspond to the amount of gate overlap.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３の幅は、第１の絶縁膜パターンのスペースの幅Ｌ１、Ｌ３にそれぞれ相当すると共に、ゲートオーバーラップ量に相当する。 - 特許庁

Subsequently, after interlayer insulating films 7 are formed on the upper layers of the semiconductor substrate 1 and the gate electrode 4, a plurality of contact plugs 8 are formed to secure the electrical connection of the source-drain diffusion regions 6 with the gate electrode 4.例文帳に追加

その後、半導体基板１及びゲート電極４の上層に層間絶縁膜７を形成した後、各ソース・ドレイン拡散領域６及びゲート電極４夫々との電気的接続を確保する複数のコンタクトプラグ８を形成する。 - 特許庁

In this gas diffusion electrode for solid polymer electrolyte fuel cell, the catalyst layers comprises proton conductive a solid polymer electrolyte having holes communicating with catalyst particles, and a porous resin which has no proton conductivity.例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池用のガス拡散電極において、触媒層が、触媒粒子と連通孔を有するプロトン伝導性固体高分子電解質とプロトン伝導性をもたない有孔性樹脂とを含む。 - 特許庁

With such constitution, the layout of the isolation region is properly designed by a designer without visually measuring the distances, even if the characteristics of the transistors change according to the distances from the gate electrodes of the transistors to the ends of the diffusion layers.例文帳に追加

従って、トランジスタのゲート電極から拡散層の端までの距離に応じてトランジスタ特性が変化する場合であっても、設計者が目視にて前記距離を測ることなく、分離領域を適切にレイアウト設計できる。 - 特許庁

Transistors 13 and 14 formed on a semiconductor substrate are provided with a gate electrode formed through a gate insulating film, and first and second diffusion layers formed in the semiconductor substrate positioned at the both sides of the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトランジスタ１３，１４は、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極の両側に位置する半導体基板内に形成された第１、第２の拡散層とを有している。 - 特許庁

To provide a plating treatment device for electronic parts substrates, etc., which prevents the diffusion of metal contamination in and out of a plating device, does not dissolve seed layers and cleans only the outer peripheral edges without the occurrence of defects by splashing of a cleaning tank.例文帳に追加

めっき装置内外での金属汚染の拡散を防止し、シード層が溶解せず、洗浄液が飛散して欠陥が発生せず、外周縁部のみを洗浄する電子部品基板等のめっき処理装置とその方法を提供する。 - 特許庁

The ceramics wiring board provides such wiring layers laminated in sequence on its top surface as a groundwork metallization layer, a primary diffusion preventive layer, a conductor layer, a secondary diffusion preventive layer, a layer mainly consisting of at least one kind of material among Ti, Ag, Cu, or Bi, Au or Au-Sn alloy layer, and a soldering layer comprising Sn or Sn alloy.例文帳に追加

セラミック基板の上面に、下地金属層、第１拡散防止層、導体層、第２拡散防止層、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの少なくとも１種を主成分とする層と、ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ合金層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 - 特許庁

To provide a component part for a fuel cell 1 capable of reinforcing adhesive force between a gas diffusion layer 3 and a polymer film 2 and without gaps formed due to stress at the time of mold release, and therefore capable of preventing gas leakage, in one equipped with the polymer film 2 and porous gas diffusion layers arranged at its either side.例文帳に追加

高分子膜２とその両面に配置される多孔質のガス拡散層３を有する燃料電池用構成部品１において、ガス拡散層３と高分子膜２の接着力を強化することができ、離型時の応力による隙間が形成されず、もって気体漏れを防止することができる燃料電池用構成部品１を提供する。 - 特許庁