「diffusion layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The bit line backing region S1 comprises bit line contact regions 9a including a part of the bit line diffusion layers 2 and having contacts 6, and a bit line contact isolation region 9b of the same conductive type as the substrate 1 interposed between the bit line contact regions 9a.例文帳に追加

ビット線裏打ち領域Ｓ１は、ビット線拡散層２の一部を含みコンタクト６を設けるビット線コンタクト領域９ａと、ビット線コンタクト領域９ａに挟まれ基板１と同一導電型のビット線コンタクト分離領域９ｂとを備える。 - 特許庁

Connection electrode portions 31, 32 and a seal electrode part 33 are formed on the surface of the projection parts 37a, 37b, 37c, and they are eutectically bonded or diffusion-bonded to connection metal layers 41, 42 and a seal metal layer 43.例文帳に追加

この凸部３７ａ，３７ｂ，３７ｃの表面に接続電極部３１，３２およびシール電極部３３が形成されており、これらが接続金属層４１，４２およびシール金属層４３と共晶接合または拡散接合されている。 - 特許庁

Separation walls(diffusion layers 14a and 14b), electrically separating a predetermined region that is a magnetic detector HP in a semiconductor substrate, are formed in configurations such that the magnetic detector HP can be made successively narrower from a substrate surface in a direction toward the inside.例文帳に追加

半導体基板内の磁気検出部ＨＰとなる所定領域を電気的に区画する分離壁（拡散層１４ａおよび１４ｂ）についてこれを、基板表面から内部へ向けて磁気検出部ＨＰを順次狭める態様で形成する。 - 特許庁

The diffusion layer 12 is a layer of an oxide formed by diffusing at least a part of elements included in the ceramic element 1 therein, and is formed in a region on a surface side of the ceramic element 1 relative to internal electrode layers 21 and 22 located on the outermost side.例文帳に追加

この拡散層１２は、セラミック素体１に含まれる元素の少なくとも一部が拡散した酸化物の層であって、最外側に位置する内部電極層２１、２２よりも、セラミック素体１の表面側の領域に形成されている。 - 特許庁

The bulk semiconductor device has a charge interrupting film 7 formed below storage nodes 1 and 2 for storing data and has a MOSFET in which a channel part 12 between diffusion layers (1, 6) of a source and a drain is electrically connected to a substrate 11.例文帳に追加

本発明のバルク半導体デバイスは、データを保持する蓄積ノード１、２の下方に電荷遮断膜７が形成され、かつ、ソース・ドレインの拡散層間（１、６）との間のチャネル部１２が基板１１と電気的に接続されているＭＯＳＦＥＴを有する。 - 特許庁

At a position in the column direction of a boundary region of memory units arranged adjacent to each other in the column direction where the third and the fourth diffusion layers are disposed, there is secured a second metal wiring region along the column direction, allowing a second metal layer to be wired.例文帳に追加

列方向に隣接配置されるメモリユニットの境界領域でありは第３、第４拡散層が配置される列方向の位置には列方向に沿って第２のメタル配線領域が確保され、第２メタル層が配線可能とされる。 - 特許庁

The catalyst for cleaning diesel exhaust gas is characterized by comprising (A) a honeycomb monolith substrate layer, (B) a layer containing a platinum group metal carried on a metal oxide, and (C) a gas diffusion layer comprising a metal oxide, wherein the layers are laminated in order of the above (A), (B), and (C).例文帳に追加

(A)ハニカムモノリス基材層と、(B)金属酸化物に担持された白金族金属を含む層と、(C)金属酸化物からなるガス拡散層とを、前記(A)-(B)-(C)の順に積層して有してなることを特徴とするディーゼル排ガス浄化用触媒。 - 特許庁

A p-type well layer 11 added with indium or the like for example is formed on an n-type semiconductor substrate 10, and n^+-type deep diffusion layers 14 that are apart from each other as source and drain areas respectively are formed on the surface of the p-type well layer 11.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１０上に例えばインジウム等が添加されたｐ型ウェル層１１が形成され、ｐ型ウェル層１１表面に互いに離間して、ソースまたはドレイン領域となるｎ＋型ディープ拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

By performing silicidation, cobalt silicide layers 50a1, 50a2, 50b1 and 50b2 are formed on the impurity diffusion regions 7a1 and 7a2 of the DRAM formation region, on the source/drain region 9 of the logic formation region and on the doped polysilicon film 4b of the logic formation region.例文帳に追加

次に、シリサイド化を行うことにより、ＤＲＡＭ形成領域の不純物拡散領域７ａ１，７ａ２上、ロジック形成領域のソース・ドレイン領域９上、及びロジック形成領域のドープトポリシリコン膜４ｂ上に、コバルトシリサイド層５０ａ１，５０ａ２，５０ｂ１，５０ｂ２を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate, which is used for evaluation of contamination in the semiconductor substrate manufacturing process and the semiconductor device manufacturing process, is characterized in that the structure is composed of three layers of a semiconductor substrate body, a contaminant diffusion preventing film, and a contamination evaluation layer.例文帳に追加

半導体基板製造工程及び半導体デバイス製造工程の汚染評価に用いられる半導体基板であって、その構造が半導体基板本体、汚染物質の拡散阻止膜、及び汚染評価層の三層からなるようにした。 - 特許庁

To suppress current leakage between wiring due to diffusion of copper into an interlayer insulation film and to improve electromigration resistance by fully obtaining the step coverage of barrier and copper seed layers corresponding to the tendency toward the high aspect ratio of a groove and a connection hole.例文帳に追加

溝や接続孔の高アスペクト比化に対応し、バリア層や銅シード層のステップカバリッジを十分に得ることで層間絶縁膜中への銅の拡散による配線間での電流リークを抑制し、かつエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor laser element by which AlGaAs clad layers are made to be not damaged because of well control of Zn diffusion at the time of forming a window structure on the end face of a semiconductor laser element by diffusing Zn.例文帳に追加

Ｚｎを拡散させて半導体レーザ素子の端面に窓構造を形成する際、Ｚｎ拡散の制御性が良好で、ＡｌＧａＡｓクラッド層を損傷することがないようにした半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Layers of the optical diffusion film 9, etc. have a zone 10' whose opacity declines from the limitation 25 located near the borderline of the lightguide plate 7, which receives light from the light source, to attenuate light intensity throughout the zone 10'.例文帳に追加

光拡散膜９等の層が光ガイド・プレート７の境界域の近くに位置する限界２５から不透明度の低下するゾーン１０’を有し、前記ゾーン１０’が光源の光線を受けることにより、ゾーン１０’にわたって光の強さが減衰される。 - 特許庁

A gate electrode 6 and the resistant wiring 7 are formed on a board 1, respectively, and an impurity ion is injected into the board 1 to form respective source areas and drain areas (diffusion layers) 1A, 1B under the part of the surface of the board 1 that correspond to both sides of the gate electrode 6.例文帳に追加

基板１上に、ゲート電極６と抵抗用配線７とをそれぞれ形成し、ゲート電極６の両脇の基板１の表面内に各ソース・ドレイン領域（拡散層）１Ａ，１Ｂを形成するために、不純物イオンの注入を行う。 - 特許庁

On the surface of the epitaxial layer 2, a high-concentration diffusion layer 13 made of an N-type impurity and an electrode extraction layer 14 are so formed between a low-concentration drain layer 9 and the insulating isolation layer 12 as to be adjacent to the layers 9 and 12.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層２の表面であって、低濃度のドレイン層９と絶縁分離層１２との間に、それらの層に隣接してＮ型不純物から成る高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４が形成されている。 - 特許庁

One end in source and drain diffusion layers for a transistor Tr is connected to a bit line BL and the other end at one end of a ferroelectric capacitor C, and both a gate for the transistor Tr and the other end of the ferroelectric capacitor C are joined with a word line WL.例文帳に追加

強誘電体メモリのセルの構成として、強誘電体キャパシタの一端をワード線に接続することで、従来必要であったプレート線を排除し、ワード線及びビット線のみの制御で書き込み及び読み出しを可能とする。 - 特許庁

This backlight device has a light reflection film 2, a light guide plate 4 provided on the light reflecting film 2, diffusion layers 6, 8, 10 formed on the light guide plate 4, and the light source 12, 14 for leading the light from the side face of the light guide plate 4.例文帳に追加

光反射フィルム２と、この光反射フィルム２上に設けられた導光板４と、この導光板４上に設けられた拡散層６，８，１０と、前記導光板４の側面から光を導入する光源１２，１４とを具備する。 - 特許庁

In a manufacturing method for providing insulation (isolation) between the adjacent regions of an integrated circuit (10), guard layers (40, 68, 72, 88, 90, and 128) are provided on a field edge that is the interface between field oxide film regions (30, 54, and 92) and diffusion regions (14, 26, 52, 86, and 96) where dopant is introduced.例文帳に追加

集積回路(10)の隣接する領域間に絶縁（アイソレーション）を提供するための製造方法は、フィールド酸化膜領域(30,54,92)と、ドーパントが導入される拡散領域(14,26,52,86,96)との界面であるフィールドエッジ上にガード層(40,68,72,88,90,128)を設けることを含む。 - 特許庁

A lower layer 31 inserted between the upper layer 32 and a multilayered film 20 has a double structure comprising two or more diffusion prevention layers, and prevents a component metal constituting the upper layer 32 from diffusing to the multilayered film 20 side.例文帳に追加

上部層３２と多層膜２０との間に挿入された下部層３１は、２層以上の拡散防止膜からなる２重構造を有しており、上部層３２を構成する成分金属が多層膜２０側に拡散することを防止している。 - 特許庁

The planographic printing plate characterized by containing an oil dispersing solution in at least one of layers in the planographic printing plate using a method of transferring silver complex salt diffusion in which at least a silver halide emulsion layer is provided on an anodically oxidized aluminum substrate.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体上に、少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版に於いて、少なくとも何れかの層にオイル分散液を含む事を特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

Electrode substrates 32, 33 having gas diffusion property are formed on both sides of a polymer electrolyte membrane 10 through catalyst layers 20, 21, and a membrane electrode assembly 50 having a fuel electrode 70 on one side and an oxidant electrode 71 on the other side is formed.例文帳に追加

高分子電解質膜１０の両面に、触媒層２０、２１を介してガス拡散性を有する電極基材３２、３３を設け、一方を燃料極７０、他方を酸化剤極７１とする膜・電極接合体５０を形成する。 - 特許庁

A cell 5 constituting the fuel cell includes a membrane-electrode assembly 1 with electrodes arranged on both surfaces of an electrode membrane, and separators 8 arranged on both sides of the membrane-electrode assembly 1 through diffusion layers 6 and porous body passages 7.例文帳に追加

燃料電池を構成するセル５は、電解質膜の両面に電極が配置された膜−電極アッセンブリ１と、膜−電極アッセンブリ１の両側に、拡散層６と多孔質体流路７を介して設けられたセパレータ８とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer for extremely efficiently manufacturing an epitaxial wafer where a plurality of epitaxial layers are laminated through an embedded ion injection layer, and for reducing the lateral diffusion of the formed ion injection layer.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrode/membrane assembly 7 is formed by arranging there layers of a second alloy catalyst layer 3, a first alloy catalyst layer 4, and a ruthenium catalyst layer 5 sequentially from the polyelectrolyte membrane 1 side to the gas diffusion layer 9 side in this order.例文帳に追加

高分子電解質膜１側からガス拡散層１３側に順に、第二合金触媒層３、第一合金触媒層４、ルテニウム触媒層５の３層が配置されている電極／膜接合体７を用いることにより課題を解決できる。 - 特許庁

A plurality of through holes for discharging water generated in the reaction layer are formed on the diffusion layers 201 of at least one of cells, and a filling material having heat insulating and hydrophilic performance is filled in each through hole.例文帳に追加

セルの少なくとも一方の前記拡散層２０１に、前記反応層において生成された水を外部に排出するための複数の貫通孔が形成され、該各貫通孔に、断熱性及び親水性を有する充填材が充填される。 - 特許庁

(2) In this fuel cell, the passages 31, 32 capable of discharging at least a part of the reaction gas directly to the outside of the separator surface without passing through gas passages 26, 27 are formed in the diffusion layers 13, 15 in contact with the separator 18 having the metallic surface.例文帳に追加

（２）表面が金属製のセパレータ１８に接する拡散層１３、１５に反応ガスの少なくとも一部をセパレータのガス流路２６、２７を経由することなく直接セパレータ面外へ排出可能な通路３１、３２を形成した燃料電池。 - 特許庁

The fuel cell also has a gasket which is arranged so as to contact at least a part of the end face of the power generation body in order to suppress leakage of gas to the outside and circulation of gas between the gas diffusion electrode layers on both sides of the electrolyte layer.例文帳に追加

また燃料電池は、外部への気体の漏洩と、電解質層の両面のガス拡散電極層間における気体の流通とを抑制するために、発電体の端面の少なくとも一部に当接するように配置されたガスケットを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate SUB containing silicon and having a main surface; impurity diffusion layers IDL1, IDL2 formed on the main surface of the semiconductor substrate SUB; metal silicide MS formed on the impurity diffusion layer IDL2; and a silicon nitride film SNF and a first inter-layer insulating film IIF1, which are successively laminated on the metal silicide MS.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコンを含み主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された不純物拡散層ＩＤＬ１，ＩＤＬ２と、不純物拡散層ＩＤＬ２上に形成された金属シリサイドＭＳと、金属シリサイドＭＳ上に順に積層されたシリコン窒化膜ＳＮＦ、第一の層間絶縁膜ＩＩＦ１とを備える。 - 特許庁

An anode side electrode 28 and a cathode side electrode 30 composing the structure 12 is provided with gas diffusion layers 32a, 32b, of which, the diffusion layer 32a is composed of a foam made from metallic material such as stainless steel, and supporting parts 36a-36d made of resin for supporting a load acting in a layer direction are installed by impregnation in the foam.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体１２を構成するアノード側電極２８およびカソード側電極３０は、ガス拡散層３２ａ、３２ｂを設けるとともに、ガス拡散層３２ａは、ステンレス等の金属材料製の発泡体で形成されており、この発泡体内には、積層方向に作用する荷重を支持するための樹脂製支持部３６ａ〜３６ｄが含浸により組み込まれている。 - 特許庁

To provide a solid high polymer type fuel cell with a separator, in which the separator can be brought into electrical contact with diffusion layers very satisfactorily without application of high pressure and no dispersion or aging effects in contact resistance occurs, and provide a method for fabricating the separator.例文帳に追加

高い圧力を加えることなくセパレータと拡散層とを電気的に極めて好適に接触させ、接触抵抗のばらつきや経時変化が生じないセパレータを備えた固体高分子型燃料電池と同セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

In each of active regions AA, serially connected memory cell transistors M1-M16 are formed by providing impurity diffusion layers to become source and drain regions so as to sandwich the floating gate FG and the control gates CG1-CG16.例文帳に追加

活性領域ＡＡには、上記浮遊ゲートＦＧ及び制御ゲートＣＧ１〜ＣＧ１６を挟むように、ソース、ドレイン領域となる不純物拡散層が設けられることで、直列接続されたメモリセルトランジスタＭ１〜Ｍ１６が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

At least one of the pair of diffusion layers is provided with a plate-like member, having a plurality of pores making reaction gas pass and diffuse through the reaction gas to each electrode, and linear members embedded in the plate-like member.例文帳に追加

この燃料電池の一対の拡散層のうち少なくとも一方の拡散層は、反応ガスを通過させて電極のそれぞれに反応ガスを拡散させる複数の気孔を有する板状部材と、板状部材に埋め込まれた線状部材とを備えている。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

The fuel supply part 40 is provided with a fuel storage part 42 wherein methanol solution is filled, a liquid fuel vaporization film 43 for vaporizing methanol in the methanol solution, and fuel electrode gas diffusion layers 46 and 48 for diffusing methanol and introducing methanol into the fuel electrode 23.例文帳に追加

燃料供給部４０は、メタノール水溶液が充填される燃料貯蔵部４２、メタノール水溶液中のメタノールを気化させる液体燃料気化膜４３、メタノールを拡散させ燃料極２３に導入する燃料極ガス拡散層４６、４８等を有する。 - 特許庁

Fixed resistors (3, 4, 5) and a variable resistor (14) are formed on a semiconductor substrate (2) and ions are injected into diffusion layers (22, 23) constituting the variable resistor (14) such that the combined resistance (R) of the fixed resistors (3, 4, 5) and the variable resistor (14) will be equal to a predetermined resistance (Ro).例文帳に追加

本発明では、半導体基板(2)に固定抵抗(3,4,5)と可変抵抗(14)とを形成し、同可変抵抗(14)を構成する拡散層(22,23)に固定抵抗(3,4,5)と可変抵抗(14)との合成抵抗値(R)が所定の抵抗値(Ro)となるようにイオンを注入することにした。 - 特許庁

Transparent base materials 12, 13 are layered on a light selection layer 11 composed of a resin layer obtained by dispersing a reflection material having a flake-like particle shape and light diffusion layers 21, 31 are formed on both the sides, i.e. the front and rear sides, of the transparent base materials 12, 13 to constitute the screen 1.例文帳に追加

フレーク状の粒子形状をした反射材を分散させた樹脂層からなる光選択層１１に透明な基材１２、１３を積層し、この表側と裏側の両方に光拡散層２１、３１を設けることによりスクリーン１を構成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silica film which prevents excessive diffusion of source and drain layers and has a high crack limit, in place of a chemical vapor deposition method which has been so far used when it is desired to provide a flattened film or an insulating film on a wiring layer having a high heat resistance.例文帳に追加

これまで高耐熱性配線層上に、平坦化膜又は絶縁膜を設ける際に用いられていた化学蒸着法に代わる、ソース層及びドレイン層の過度の拡散を生じない、かつクラック限界の高いシリカ被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Since when the material of the positive injecting layer 15 and the material of luminescent layers 17R, 17G, 17B are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, first diffusion areas 16R, 16G, 16B, the inclined composition areas, can be formed.例文帳に追加

正孔注入層１５の材料と発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第１の拡散領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成することができる。 - 特許庁

A pair of gas diffusion electrodes constituted of an anode electrode 1a and a cathode electrode 1b are arranged on both sides of each solid polymer electrolyte film 3, and catalyst layers 2a, 2b are formed on the faces of the electrodes 1a, 1b kept in contact with the solid polymer electrolyte film 3.例文帳に追加

固体高分子電解質膜３の両側にアノード電極１ａ及びカソード電極１ｂからなる一対のガス拡散電極が配置され、各電極１ａ、１ｂの固体高分子電解質膜３に接する面に触媒層２ａ、２ｂが形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device at least having a portion of capacitor electrodes 14, 16 or an information memory part above a gate electrode 5, a MISFET has at least one first plug 9 respectively connected to each of source/drain diffusion layers 7.例文帳に追加

ゲート電極５より上方に少なくともキャパシタ電極１４，１６または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置において、ＭＩＳＦＥＴは、ソース・ドレイン拡散層７に接続する少なくとも１つずつの第１のプラグ９を有する。 - 特許庁

To provide an oxide laminated film comprising an upper/lower perovskite-type oxide films containing different alkaline-earth metal elements, in which an atomic diffusion between the layers is prevented and the growth of the upper perovskite-type oxide film is not hindered.例文帳に追加

異なるアルカリ土類金属元素を含む上層／下層ペロブスカイト型酸化膜の積層において、層間における原子拡散を防止し、かつ上層ペロブスカイト型酸化膜の成長を阻害しないような酸化物積層膜を提供することを課題とする。 - 特許庁

By surrounding each of drain diffusion layers having the same conductivity type as that of a first well arranged on the substrate by a second well and a third well each having a conductivity type opposite to that of the first well and shallower than the first well, leak to the substrate is suppressed.例文帳に追加

また、基板上に配置される第１のウェルと同一の導電型を持つドレイン拡散層のそれぞれを第１のウェルと反対の導電型を持ち、第１のウェルより浅い第２のウェル及び第３のウェルで囲むことにより、基板へのリークを抑制する。 - 特許庁

While using mutually reverse oblique ion injections with a previously formed gate 207a as a mask, a heavily-doped region 501 of the same conductive type as that of the diffusion layers 205 and the well is formed in self-aligned manner to the gate 207a.例文帳に追加

あらかじめ形成しておいたゲート２０７ａをマスクに用いて互いに逆方向からの斜めイオン打ち込み法を用いて、ゲート２０７ａに対して自己整合的に拡散層２０５とウェルと同導電型の高濃度不純物領域５０１を形成する。 - 特許庁

A bonding layer 3 is formed above a conductive support substrate 21, a reflective layer made up of an oxide silicon layer 15' and a reflective electrode layer 16' is formed above the bonding layer 3, and a current diffusion layer 14' is formed between the reflective layer and light emitting layers 11, 12 and 13.例文帳に追加

導電性支持基板２１上方に接合層３を形成し、接合層３の上方に酸化シリコン層１５’及び反射電極層１６’よりなる反射層を形成し、反射層と発光層１１、１２、１３との間に電流拡散層１４’を形成する。 - 特許庁

The composition and the structure of the diffusion layers 13 and 16 of the electrodes 14 and 17 are also made to differ in the reaction gas flow direction upstream side from the downstream side so as to improve the dry-up resistance in the upstream side of the reaction gas flow direction and the flooding resistance in the downstream side.例文帳に追加

電極１４、１７の拡散層１３、１６の組成、構造も、反応ガス流れ方向上流側で耐ドライアップ性向上、下流側で耐フラッディング性向上となるように、反応ガス流れ方向上流側と下流側で異ならせた燃料電池１０。 - 特許庁