「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The second conductivity type layer has: a second clad layer; a current diffusion layer; and a second contact layer.例文帳に追加

前記第２導電形層は、第２クラッド層、電流拡散層、第２コンタクト層、を有する。 - 特許庁

To provide a shared-pixel-type image sensor capable of controlling capacitance of a floating diffusion region.例文帳に追加

フローティング拡散領域のキャパシタンスを制御できる共有ピクセル型イメージセンサを提供する。 - 特許庁

POROUS BODY PASSAGE TYPE FUEL CELL SEPARATOR USING LOW-TEMPERATURE DIFFUSION BONDING AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

低温拡散接合を用いる多孔体流路型燃料電池セパレータおよびその製造方法 - 特許庁

The first polysilicon layer 14a is provided on the base diffusion layer 12 and has the second conductivity type.例文帳に追加

第１ポリシリコン層１４ａは、ベース拡散層１２上に設けられ、第２導電型である。 - 特許庁

The chemical impregnation body 1 is stored in a chemical cartridge 2 of a fan type chemical diffusion apparatus 10.例文帳に追加

薬剤含浸体１は、ファン式薬剤拡散装置１０の薬剤カートリッジ２に収容する。 - 特許庁

BASIC COMPOUND, RADIATION-SENSITIVE ACID DIFFUSION CONTROLLING AGENT, AND POSITIVE-TYPE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION例文帳に追加

塩基性化合物、感放射線性酸拡散制御剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物 - 特許庁

To provide a high-quality image using an error diffusion method suitable for a sublimation type image formation apparatus.例文帳に追加

昇華型画像形成装置に適した誤差拡散法を用いて、高品質な画質を実現する。 - 特許庁

This photodiode element (20) includes a first layer having a first diffusion type, and a second layer.例文帳に追加

フォトダイオード素子（２０）が、第一の拡散形式を有する第一の層と、第二の層とを含んでいる。 - 特許庁

DIRECT POSITIVE SILVER HALIDE PHOTOGRAPHIC EMULSION AND DIFFUSION TRANSFER TYPE SILVER HALIDE PHOTOGRAPHIC SENSITIVE MATERIAL例文帳に追加

直接ポジハロゲン化銀写真乳剤および拡散転写型ハロゲン化銀写真感光材料 - 特許庁

The high-concentration diffusion layer region 11 is formed on the substrates 1 and 10 and has the first conductivity type.例文帳に追加

高濃度拡散層領域１１は基板１、１０上に形成され、第１導電型である。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 11 connected to GND line 19 is extracted from among a plurality of elements.例文帳に追加

複数の素子のうち、ＧＮＤライン１９と接続されたＰ型拡散層１１を抽出する。 - 特許庁

The base diffusion layer 12 is provided near a surface of the substrate 11 and has a second conductivity type.例文帳に追加

ベース拡散層１２は、基板１１の表面近傍に設けられ、第２導電型である。 - 特許庁

An interlayer dielectric 7 is formed on a silicon substrate 1 with a p-type diffusion layer 5 formed thereon.例文帳に追加

ｐ型拡散層５が形成されたシリコン基板１上に層間絶縁膜７を形成する。 - 特許庁

The N type diffusion layer 8 is diffused in a γ-shape at least under a gate electrode 9.例文帳に追加

Ｎ型の拡散層８は、少なくともゲート電極９下方で、γ形状に拡散している。 - 特許庁

A guard ring 6 including p-type diffusion regions 5 is formed to surround the anode 2.例文帳に追加

そのアノード２を取り囲むように、ｐ型拡散領域５からなるガードリング６が形成されている。 - 特許庁

An n^+-type drain diffusion region 7D is formed at the other side of the drift region 11.例文帳に追加

上記ドリフト領域１１の他方の側方にＮ^＋型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁

An n^+-type drain diffusion region 7D is formed on the other side of the drift region 11.例文帳に追加

ドリフト領域１１の他方の側方にはＮ^+型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁

To provide a self-diffusion type ion generator without needing a blast means such as a fan.例文帳に追加

ファンなどの送風手段を必要としない自己拡散型のイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

P-type diffusion layers 31, 34 of high concentration are selectively formed on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

更に、基板１の表面に選択的に高濃度のｐ型拡散層３１、３４が形成される。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 8 is formed in a self-alignment manner using drain electrodes 12, 13.例文帳に追加

Ｎ型の拡散層８は、ドレイン電極１２、１３を用いたセルファラインにより形成される。 - 特許庁

In an epitaxial layer 4, a trench 9 that reaches the N-type embedded diffusion layer 6 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル層４には、Ｎ型の埋め込み拡散層６に達するトレンチ９が形成されている。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate capable of more brightly illuminating a transmission type image display panel or the like.例文帳に追加

透過型画像表示パネル等をより明るく照明できる光拡散板を提供する。 - 特許庁

To obtain an optical diffusion layer uniformly and brightly producing a display in a screen in a reflective liquid crystal display device of an interior optical diffusion layer type with the optical diffusion layer formed on a substrate of a liquid crystal cell.例文帳に追加

液晶セルの基板に光拡散層が形成された内部光拡散層方式の反射型液晶表示装置において、画面内で均一かつ明るく表示できる光拡散層を得る。 - 特許庁

In a direct type backlight using a diffusion plate consisting of plastic, a moisture absorption suppressing sheet for the purpose of suppressing the moisture absorption of the diffusion plate is provided on the surface of the lamp house side of the diffusion plate.例文帳に追加

プラスチック樹脂からなる拡散板を使用した直下型バックライトにおいて、拡散板のランプハウス側の面に、拡散板の吸湿を抑制することを目的とした吸湿抑制シートを設置する。 - 特許庁

An N-type impurity diffusion region 124 is provided adjacent to the surface-layer P-type impurity diffusion region 122, and the diffusion regions 122 and 124 are connected to a signal terminal 140, via a silicide layer 130 that is formed on the surface.例文帳に追加

表層のＰ型不純物拡散領域１２２と隣接してＮ型不純物拡散領域１２４が設けられ、これらの拡散領域１２２，１２４は、その表面に形成したシリサイド層１３０を介して信号端子１４０に接続される。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive type reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further formed shallower than the first impurity diffusion region 20.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電型である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともに、これを第１不純物拡散領域２０より浅く形成する。 - 特許庁

Then, a P^-type second diffusion area 34 is formed so as to be overlapped with the first diffusion area 32, and to be extended in the terminating area R3.例文帳に追加

第１拡散層３２にオーバーラップすると共に終端領域Ｒ３内に延在するようにＰ^--型の第２拡散層３４が形成される。 - 特許庁

BATTERYLESS CODE DIFFUSION TYPE MICROWAVE RADIO AUTHENTICATION CARD DEVICE OBTAINING TRANSMISSION ORDER BY PSEUDO RANDOM NUMBER AND USING FIXED DIFFUSION MODULATION CODE IN COMMON例文帳に追加

擬似的乱数による発信順位の取得と固定的拡散変調符号を共用する無電池型符号拡散方式マイクロ波無線認証カード装置 - 特許庁

To provide a light diffusion plate which has a satisfactory sticking property even when using a glass substrate as the substrate, and to provide a transmission type screen using the light diffusion plate.例文帳に追加

本発明は、基板としてガラス基板を用いた場合であっても、貼合性の良好な光拡散板およびそれを用いた透過型スクリーンの提供。 - 特許庁

There are formed a source diffusion layer 22 connected to the ion implantation region 18 for connection, and a drain diffusion layer 23 on the n-type impurity region 14.例文帳に追加

接続用イオン注入領域１８につながるソース拡散層２２及びＮ型不純物領域１４上のドレイン拡散層２３を形成する。 - 特許庁

Since a p-type base layer 3 is formed by diffusion on the entire surface of an element portion above a p-type epitaxial layer becoming a p-type pillar layer and then it is divided when a trench 5' is formed and left on the p-type pillar layer 2, diffusion hardly take place in the lateral direction.例文帳に追加

ｐ型ベース層３は、ｐ型ピラー層となるｐ型エピタキシャル層上の素子部全面に拡散により形成させ、その後トレンチ５’の形成時に分断されてｐ型ピラー層２の上に残った層として形成されるため、横方向に殆ど拡散されない。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

The noises generated at a noise generating source 201 pass sequentially through a grounding metallic electrode 202, a contact hole 208, a p-type diffusion region 209, and a parasitic resistor 210 on a p-type semiconductor substrate and reach a p-type diffusion region 206.例文帳に追加

ノイズ発生源２０１で発生したノイズは接地用メタル電極２０２、コンタクトホール２０８、Ｐ型拡散層領域２０９、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１０を順に通過しＰ型拡散領域２０６に到達する。 - 特許庁

The second switch SW2 includes a second diffusion layer region 14 of a second conductive n-type formed on the substrate 15, a third diffusion layer region 11a of the first conductive p-type surrounded by the second diffusion layer region 14, and a second MOS transistor 10a formed on the second diffusion layer region 11a.例文帳に追加

第２スイッチＳＷ２は、基板１５上に形成された第２導電型Ｎの第２拡散層領域１４と、第２拡散層領域１４に囲まれた第１導電型Ｐの第３拡散層領域１１ａと、第２拡散層領域１１ａ上に形成された第２ＭＯＳトランジスタ１０ａとを備える。 - 特許庁

By electrically connecting the transfer gate TG2 to an N-type floating diffusion region FD1, a potential is changed in accordance with the amount of photogenerated charge transferred to the N-type floating diffusion region FD1.例文帳に追加

この転送ゲートＴＧ２が、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１と電気的に接続されることによって、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送される光電荷量に応じてポテンシャルが変化する。 - 特許庁

Since the contact electrodes are connected to the p^+-type diffusion layer in the form of a row, a damage to a part of the photodiode around the p^+-type diffusion layer and having an electric charge stored therein is prevented during manufacture.例文帳に追加

コンタクト電極がＰ＋型拡散層に列状に接続されていることにより、Ｐ＋拡散層の周囲にあるフォトダイオードの電荷が蓄積される部分に対する製造過程のダメージが防止される。 - 特許庁

After an element forming groove is formed at the center of an island-shaped SOI layer, an N^- type diffusion layer used as a collector and a p^+ type diffusion layer used as an outside base are formed while the groove is held between the layers.例文帳に追加

島状のＳＯＩ層の中央に素子形成溝を形成した後、この溝を挟むようにして一方にコレクタになるＮ^-型拡散層と他方に外部ベースになるＰ^+型拡散層とを形成する。 - 特許庁

An N type buried diffusion layer 5 is formed to be superposed on the P type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 19 for overvoltage protection is formed below an element forming region.例文帳に追加

Ｎ型の埋込拡散層５が、Ｐ型の埋込拡散層４と重畳するように形成され、素子形成領域の下方に過電圧保護用のＰＮ接合領域１９が形成されている。 - 特許庁

On the side closer to the cathode region than the P type diffusion layer 9, floating P type diffusion layers 10 and 11 are formed and coupled capacitively with a metal layer 18 applied with anode voltage.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層９よりカソード領域側にフローティング状態のＰ型の拡散層１０、１１が形成され、アノード電位が印加された金属層１８と容量結合している。 - 特許庁

To provide a solar cell manufacturing method which forms an n-type diffusion layer in a specific area without forming unnecessary n-type diffusion layers in a manufacturing process of solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成する太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

A bit line contact 51 is formed on the surface of an n-type diffusion layer 36, and an n-type diffusion layer 27 is connected to a storage node electrode 22 through a buried strap 41 and a polysilicon electrode 22A.例文帳に追加

ｎ型拡散層３６の表面にはビット線コンタクト５１が形成され、ｎ型拡散層２７は、埋め込みストラップ４１、及びポリシリコン電極２２Ａを介してストレージノード電極２２に接続されている。 - 特許庁

A contact hole is opened in an insulation layer 9 on the N^+-type diffusion layer 6, and a cathode electrode 10 electrically connected with the N^+-type diffusion layer 6 is formed through this contact hole.例文帳に追加

Ｎ＋型の拡散層６上の絶縁膜９にはコンタクトホールが開口され、このコンタクトホールを通して、Ｎ＋型の拡散層６と電気的に接続されたカソード電極１０が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, reduction in the capacity of the pin diode 1 is realized by decreasing the product of the width D of the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 and the thickness t of an epitaxial layer (i layer) 4.例文帳に追加

さらに、ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６の幅Ｄとエピタキシャル層（ｉ層）４の厚さｔとの積とを小さくすることによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

To provide a method for controlling electrical characteristics of a semiconductor layer by which an n type diffusion layer and a p type diffusion layer that have low resistance and high impurity density can be very simply formed.例文帳に追加

極めて簡単な方法で、低抵抗・高不純物密度のｎ型拡散層及びｐ型拡散層を形成することが出来る半導体層の電気的特性制御方法を提供する。 - 特許庁

The p^+-type diffusion layer 3p is electrically connected with a wiring layer 6a via a contact 7p, and the n^+-type diffusion layer 4n is electrically connected with a wiring layer 6 via a contact 7.例文帳に追加

ｐ^＋型拡散層３ｐは、コンタクト７ｐを介して配線層６ａと電気的に接続されており、ｎ^＋型拡散層４ｎは、コンタクト７を介して配線層６と電気的に接続されている。 - 特許庁