「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A P-type diffusion region 38 for supplying fixed potential to the p-type well 52 is arranged in the P-type well 52 in the predetermined region.例文帳に追加

Ｐ型ウエル５２に固定電位を供給するためのＰ型拡散領域３８が、前記所定領域においてＰ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁

To provide a laser diode epitaxial wafer wherein p-type carrier concentration in a p-type AlGaInP cladding layer is uniform and diffusion of p-type impurities is reduced.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層中のｐ型キャリア濃度が均一でｐ型不純物の拡散が少ないレーザダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

A p-type body 5 is formed at one side of a drift region 11 formed on a semiconductor substrate 1, and an n^+-type first source diffusion region 71S and an n^+-type second source diffusion region 72S are formed on the p-type body 5.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたドリフト領域１１の一方の側方にＰ型ボディ部５を形成し、このＰ型ボディ部５上にＮ^＋型第１ソース拡散領域部７1ＳおよびＮ^＋型第２ソース拡散領域部７２Ｓを形成する。 - 特許庁

n-type diffusion regions 20a, 20b are formed on the surface of the p-type well region 11 and the gate electrode 17 of a transfer transistor 21 is formed on the p-type well region 11 pinched by the n-type diffusion regions 20a, 20b.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域１１表面にはｎ型拡散領域２０ａ，２０ｂが形成され、このｎ型拡散領域２０ａ，２０ｂに挟まれたｐ型ウェル領域１１上に転送トランジスタ２１のゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

A first p-type diffusion layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 are arranged on a silicon substrate 100, two n-type diffusion layers 103, 103 are arranged on a surface part of the p-type semiconductor layer 102, and two light receiving parts are constituted.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、第１Ｐ型拡散層１０１とＰ型半導体層１０２とを備え、このＰ型半導体層１０２の表面部分に２つのＮ型拡散層１０３，１０３を設けて２つの受光部を構成する。 - 特許庁

In an SOI layer 30, an n^+-type source diffusion region 9 is formed adjacent to the p-type body region 3, and also, a p^+-type body contact diffusion region 7B(7A) is formed adjacent to the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

ＳＯＩ層３０内において、Ｐ型ボディ領域３に隣接してソース側にＮ^+型ソース拡散領域９が形成されるとともに、Ｐ型ボディ領域突出部３ａに隣接してＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７Ｂ（７Ａ）が形成される。 - 特許庁

To provide both a producing method for a light diffusion plate, in which a plurality of diffusion reflection plates with reflection characteristics are efficiently and easily produced from a kind of transfer original mold according to use of a reflection type LCD from a reflection plate with intensive specular properties to a diffusion plate with intensive diffusion properties, and the light diffusion plate.例文帳に追加

１種の転写原型から、反射型ＬＣＤの使用に応じて、鏡面性の強い反射板から拡散性の強い拡散板まで、複数の反射特性の拡散反射板を効率よく、容易に製造できる光拡散板の製造方法及び光拡散板を提供する。 - 特許庁

The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域１２及びＰ型拡散領域１７はＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。 - 特許庁

The p-type diffusion region 1B overlaps with the p-type diffusion region 1a, with an end part Sa at a substrate surface positioned directly below the sidewall insulating layer 7.例文帳に追加

ｐ型拡散領域１ｂはｐ型拡散領域１ａと重複した部分を有しており、かつ基板表面における端部ＳＡが側壁絶縁層７の真下に位置している。 - 特許庁

By this setup, an N-type diffusion layer 34a connected to a capacitor node 24 and an N-type diffusion layer 34b connected to a bit line 5 are covered with a spacer insulating film 37.例文帳に追加

これにより、キャパシタノード２４に接続されるｎ型拡散層３４ａ上と、ビット線５に接続されるｎ型拡散層３４ｂ上はスペーサ絶縁膜３７で覆われている。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 117a becomes a drain of the junction field effect transistor 151, and the n-type diffusion layer 117b becomes the source of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｎ型拡散層１１７ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のドレインとなり、前記Ｎ型拡散層１１７ｂは前記接合型電界効果トランジスタ１５１のソースとなる。 - 特許庁

A solar cell is provided with a p-type diffusion layer and an electrode that are formed by heat treatment after the p-type diffusion layer formation composition is applied on a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、半導体基板上に該ｐ型拡散層形成組成物を塗布した後、熱処理することで形成されたｐ型拡散層および電極を備える太陽電池セルである。 - 特許庁

To form silicon oxide films with different thicknesses on a p-type diffusion region and an n-type diffusion region formed on the same silicon layer without need of a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを必要とせずに、同一のシリコン層に形成されたｐ型拡散領域およびｎ型拡散領域に、それぞれ異なる膜厚でシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having N^+ type conductivity, and a second diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ^＋型である第１拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第２拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

One of the source/drain of each of the above-mentioned double diffusion type transistors is individually formed in each transistor, and the n double diffusion type transistors share the other source/drain.例文帳に追加

前記各二重拡散トランジスタのソース／ドレインのうちの一つは各トランジスタに個別的に形成され、他の一つのソース／ドレインは前記ｎ個の二重拡散トランジスタが共有する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a as the top gate, and becomes a channel layer of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

トップゲートとなる前記Ｐ型拡散層１１１ａの直下に選択的に形成された前記Ｎ型拡散層１１０ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のチャネル層となる。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

Contacts 103-1 to 103-3 are formed on the metal layer 107-1, the diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and the diffusion layer 108 of the second conductive type, respectively.例文帳に追加

金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８上には、それぞれコンタクト１０３−１〜１０３−３が形成されている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 33 of high concentration is formed in a part between the two P-type diffusion layers 34a and 34b so as to prevent it from deteriorating in withstand voltage.例文帳に追加

２つのＰ型拡散層３４ａ，３４ｂの間の耐圧が低下するのを防ぐために、Ｐ型拡散層３４ａ，３４ｂ間に高濃度のＮ型拡散層３３が形成されている。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 3 is formed on the optical receiver surface side of a p-type silicon substrate 2, while an anti-reflective coating 4 and a silver electrode 7 for the optical receiver surface are attached on the diffusion layer 3.例文帳に追加

ｐ型のシリコン基板２の受光面側にｎ型の拡散層３が形成され、この拡散層３の上に反射防止膜４と受光面銀電極７が設けられている。 - 特許庁

A p-type extension diffusion layer 14 is formed under the lateral side of the gate electrode 12, and a p-type source-drain diffusion layer 15 is formed under the lateral side of the side wall 13.例文帳に追加

そして、ゲート電極１２の側方下にはＰ型エクステンション拡散層１４が形成され、サイドウォール１３の側方下にはＰ型ソース・ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

An N-type high-concentration diffusion layer 2 is selectively formed on a P-type silicon substrate 1, and a silicon oxide film is formed as a first interlayer insulating film 3 on the surface on the diffusion layer 2.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上には選択的にｎ型高濃度拡散層２が形成され、その表面には第１層間絶縁膜３としてシリコン酸化膜が配置されている。 - 特許庁

When an n-type or a p-type impurity diffusion layer 52 is formed on a surface of a monocrystalline silicon substrate 51, the impurity concentration in the impurity diffusion layer 52 is appropriately determined.例文帳に追加

単結晶シリコン基板５１の表面上にＮ型またはＰ型の不純物拡散層５２を形成する際に、不純物拡散層５２中の不純物濃度を適宜設定する。 - 特許庁

A P-type impurity diffusion region 13 is formed below the gate electrodes 11 and 12 and an N-type impurity diffusion region 16 is formed below the gate electrodes 14 and 15.例文帳に追加

ゲート電極１１，１２の下部にはＰ型不純物拡散領域１３が形成され、ゲート電極１４，１５の下部にはＮ型不純物拡散領域１６が形成されている。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LIGHT MODULATION PATTERN, METHOD OF MANUFACTURING LIGHT DIFFUSION PLATE, LIGHT DIFFUSION PLATE, LIGHT MODULATION FILM, SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE, AND TRANSMISSION TYPE IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

調光パターンの生成方法、光拡散板の製造方法、光拡散板、調光フィルム、面光源装置、及び、透過型画像表示装置 - 特許庁

A first low concentration diffusion layer 103 is of the first conductivity type, and formed to include the first high-concentration diffusion layer 109 inside.例文帳に追加

第１低濃度拡散層１０３は第１導電型であり、第１高濃度拡散層１０９を内側に含むように形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses horizontal diffusion in a p-type diffusion layer for composing a separation region, and reduces the size of the device.例文帳に追加

分離領域を構成するＰ型の拡散層の横方向への拡散を抑制し、デバイスサイズを縮小した半導体装置の提供。 - 特許庁

The heat-resistant light diffusion plate 10 is made by dispersing a light diffusion agent into a styrene type monomer-methacrylic acid copolymer.例文帳に追加

耐熱性光拡散板１０は、スチレン系単量体−メタクリル酸共重合体に光拡散剤が分散されてなることを特徴とする。 - 特許庁

CELLULAR PHONE-SHAPED PENDANT TYPE ELECTRIC FAN WITH CHEMICAL DIFFUSION, FRAGRANCE DIFFUSION AND FLASHLIGHT FUNCTION, BULB LIGHTING FUNCTION AND AZIMUTH MAGNETIC NEEDLE METER例文帳に追加

薬剤拡散、芳香剤拡散、懐中電灯機能付き、電球点灯機能付き、方位磁針計付き、携帯電話型ペンダント式小型扇風機 - 特許庁

An n-type channel diffusion layer 24, a p-type high density diffusion layer 26 for a source, an n-type high density diffusion layer 28, a gate oxide film 30, and a gate electrode 32 which constitute a p-channel DMOS transistor are formed in an area different from the CMOS formation area of the p-type low density epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

Ｐ型低濃度エピタキシャル成長層４のＣＭＯＳ形成領域とは異なる領域に、ＰｃｈＤＭＯＳトランジスタを構成する、Ｎ型チャネル拡散層２４、ソース用のＰ型高濃度拡散層２６、Ｎ型高濃度拡散層２８、ゲート酸化膜３０及びゲート電極３２が形成されている。 - 特許庁

Further, the device has a transfer path for transferring a charge from the first impurity diffusion region of the first conductivity type to the second impurity of the first conductivity type and an impurity diffusion region of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate so as to contain the first impurity diffusion region of the first conductivity type.例文帳に追加

さらに、第１の第１導電型不純物拡散領域から第２の第１導電型不純物拡散領域へ電荷を転送する転送経路と、半導体基板上に第１の第１導電型不純物拡散領域を包含するように形成された第２導電型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

The second conductive (p-type) diffusion region (body region) 2 is formed on the surface side of the first conductive type (n-type, for example), which is used as a drain region 1, and the first conductive type (n-type) source region 3 is formed on the surface side of the diffusion region 2.例文帳に追加

ドレイン領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体層の表面側に第２導電形（ｐ形）の拡散領域（ボディ領域）２が形成され、その拡散領域２の表面側に第１導電形（ｎ形）のソース領域３が形成されている。 - 特許庁

At the time of connecting an n-type polycrystalline silicon film(storage node electrode) 12 through an n-type polycrystalline silicon film 15 to an n-type source/drain diffusion layer 23 of an MOS transistor, a WSiN layer 14 is interposed between the n-type polycrystalline silicon film 15 and the n-type source/drain diffusion layer 23.例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコン膜（ストレージノード電極）１２をｎ型多結晶シリコン膜１５を介してＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層２３に接続させる際に、ｎ型多結晶シリコン膜１５とｎ型ソース／ドレイン拡散層２３との間にＷＳｉＮ層１４を介在させる。 - 特許庁

To provide a composition for forming a p-type diffusion layer, which allows formation of a p-type diffusion layer without causing internal stress in a silicon substrate and warpage of the substrate during the step of producing a solar battery cell using the silicon substrate, to provide a process for forming a p-type diffusion layer, and to provide a process for producing a solar battery cell.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a p-type diffusion layer forming composition capable of forming a p-type diffusion layer without causing an internal stress in a silicon substrate and a warpage of the substrate, in a manufacturing process of a solar cell element using the silicon substrate, a method for manufacturing the p-type diffusion layer, and a method for manufacturing the solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The image displayed on the light transmission diffusion type screen 7' is the positive/negative reversal image, but enough for confirmation, so that the display image can be confirmed without installing the light transmission diffusion type screen 7 only by looking at the light transmission diffusion type screen 7' for the monitor screen.例文帳に追加

光透過拡散型スクリーン７’に表示される画像はポジ／ネガ反転画像ではあるが確認用としては十分であり、光透過拡散型スクリーン７を設置しなくてもモニタ画面用の光透過拡散型スクリーン７’を見ることにより表示画像の確認をすることができる。 - 特許庁

The Hall element has a first N type diffusion region 10 provided in a semiconductor substrate 1, a plurality of second N type diffusion regions 20 provided in the semiconductor substrate 1 and bonded electrically to the first N type diffusion region 10, and an STI region 30 provided in the semiconductor substrate 1 and electrically separating the plurality of second N type diffusion regions 20.例文帳に追加

半導体基板１に設けられた第１のＮ型拡散領域１０と、半導体基板１に設けられ、第１のＮ型拡散領域１０に電気的に接合された複数の第２のＮ型拡散領域２０と、半導体基板１に設けられ、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々の間を電気的に分離するＳＴＩ領域３０と、を有する。 - 特許庁

To provide a vehicular lamp which can irradiate effectively and efficiently the light distribution pattern of condensing type and the light distribution pattern of diffusion type.例文帳に追加

集光タイプの配光パターンと拡散タイプの配光パターンとを有効にかつ効率良く照射することが重要である。 - 特許庁

An n-type source/drain diffusion layer 15 is formed on the surface of a p-type Si substrate 11 via a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型のＳｉ基板１１表面に、チャネル領域１２を隔ててＮ型のソース／ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 6 is formed by dispersing n-type impurities in a part of the silicon film 5 whose cross section has protruded contour.例文帳に追加

このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成したものである。 - 特許庁

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁

This diode 10 is composed of pn bonding by means of a p-type impurity diffusion layer 11 and an n-type silicon substrate S.例文帳に追加

このダイオード１０は、ｐ型の不純物拡散層１１とｎ型のシリコン基板Ｓとによるｐｎ接合で構成されている。 - 特許庁

A diffusion layer depth of an N-type high concentration source region 107 is larger than that of an N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ソース領域１０７は、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂよりも拡散層深さが深くなっている。 - 特許庁