「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The floating diffusion layer 103b is formed in an N-type silicon layer 103 of the solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

固体撮像装置１のＮ型シリコン層１０３内には浮遊拡散層１０３ｂが形成されている。 - 特許庁

The n^+-diffusion layer 5 is formed to have such a depth as to reach the p-type epitaxial growth layer 3.例文帳に追加

Ｎ^＋拡散層５は、Ｐ型エピタキシャル成長層３にまで到達する深さで形成されている。 - 特許庁

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.例文帳に追加

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁

An electrode 6 comprising aluminum, titanium or vanadium is bonded to the coagulated P^+ type diffusion layer 4.例文帳に追加

そして、凝固したＰ^＋型拡散層４にアルミニウム、チタン又はバナジウムからなる電極６を接合する。 - 特許庁

A polycrystal silicon film 7a and a silicon nitride film 8 are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリコン窒化膜８を形成する。 - 特許庁

Moreover, a polycrystalline silicon film 7a and a silicide film 11a are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上に多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜１１ａを形成する。 - 特許庁

The extension layer 4 includes a suppression element for suppressing diffusion of p-type impurities of the extension layer 4.例文帳に追加

エクステンション層４は、エクステンション層４のｐ型の不純物の拡散を抑制する抑制元素を含む。 - 特許庁

The resistance change portion 22 is second conductivity-type, and has an impurity concentration lower than that in the impurity diffusion region.例文帳に追加

抵抗変化部は、第２導電型であり、不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion layer 10 is formed on the periphery of a sidewall of the element separation area 16.例文帳に追加

また、素子分離領域１６の側壁周囲には、Ｐ型不純物拡散層１０が設けられている。 - 特許庁

Then the p-type well diffusion region 11 of the protection element 41 included in the electrostatic protection circuit 2 is configured to have higher p-type impurity density than the p-type well diffusion region 4 of the NMOS transistor 31 included in the internal circuit 1.例文帳に追加

そして、静電気保護回路２に含まれる保護素子４１のｐ型ウェル拡散領域１１が、内部回路１に含まれるＮＭＯＳトランジスタ３１のｐ型ウェル拡散領域４よりもｐ型不純物濃度が高くなるように構成されている。 - 特許庁

Some of the noises that reach the p-type diffusion region 206 pass through a parasitic resistor 211 of the p-type semiconductor substrate, a p-type diffusion region 212, a contact hole 213, and a grounding metallic electrode 204; and reach a noise protecting circuit 204.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した一部のノイズは、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１１、Ｐ型拡散領域２１２、コンタクトホール２１３、接地用メタル電極２０４を通過しノイズ保護対象回路２０３に到達する。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed.例文帳に追加

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。 - 特許庁

The MOSFET region 10 includes a p+ type diffusion region 5 provided in a p type base region 3 and having a first impurity concentration.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ領域１０は、ｐ型ベース領域３に設けられ第１の不純物濃度を有するｐ＋型拡散領域５を備える。 - 特許庁

The second conductivity-type diffusion layer 116 and the first conductivity-type collector layer 108 are isolated from each other via an element separation insulation film 16.例文帳に追加

第２導電型拡散層１１６と第１導電型コレクタ層１０８は、素子分離絶縁膜１６を介して互いに分離している。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 7 is formed apart from a base region 5 in an n-type drift region 2 of the semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体装置１００のＮ型ドリフト領域２内部に、ベース領域５に対し離間配置されるＰ型の拡散層７を形成する。 - 特許庁

To provide a thin sheet type heat pipe that has a thinner thickness than a conventional thin sheet type heat pipe and has high heat transport and diffusion performance.例文帳に追加

従来の薄型シート状ヒートパイプよりも更に薄厚で、高い熱輸送・拡散性能を有する薄型シート状ヒートパイプを提供する。 - 特許庁

As a result, the vehicular lamp can irradiate effectively and efficiently the light distribution pattern of condensing type and the light distribution pattern of diffusion type.例文帳に追加

この結果、この発明は、集光タイプの配光パターンと拡散タイプの配光パターンとを有効にかつ効率良く照射することができる。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

Namely, the n-type compound semiconductor layer 103 has its band gap and n-type doping adjusted to suppress the diffusion of the thermally excited carrier.例文帳に追加

つまり、ｎ型化合物半導体層１０３は、そのバンドギャップとｎ型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。 - 特許庁

At this time, the p-type diffusion layers 31, 32 are formed in double diffusion construction, and impurity concentrations of front surface of the base region and its neighboring region become high.例文帳に追加

このとき、Ｐ型の拡散層３１、３２は二重拡散構造となり、ベース領域の表面及びその近傍領域の不純物濃度が高濃度となっている。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a first impurity diffusion region and a second impurity diffusion region of a first conductivity type.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板上に設けられた第１の第１導電型不純物拡散領域と第２の第１導電型不純物拡散領域とを有する。 - 特許庁

Then, the high concentration P type diffusion region 9 for the body contact is formed at the part where the source diffusion region 3 is removed inside the hollow part of the gate electrode 3.例文帳に追加

そして、ゲート電極３の中抜き部分内のソース拡散領域３を除外した箇所に、高濃度Ｐ型のボディーコンタクト用拡散領域９を形成する。 - 特許庁

The direct type backlight device has a reflecting plate 4, a plurality of linear light sources 3, a plurality of optical diffusion sheets 21 and 22, and a diffusion sheet 1 sequentially in this order.例文帳に追加

本発明の直下型バックライト装置は、反射板４と、複数の線状光源３と、複数の光拡散板２１，２２と、拡散シート１とをこの順に備えている。 - 特許庁

With the gate electrode 6 as a mask, a pair of high-concentration diffusion region 8 of a second conductive type which is higher in concentration than the second low-concentration diffusion region 3 is formed.例文帳に追加

そして、ゲート電極６をマスクとして、第２低濃度拡散領域３よりも高濃度の第２導電型の一対の高濃度拡散領域８を形成する。 - 特許庁

In this case, the diffusion depth of the p-type diffusion layer region 7 may be shallower than the light receiver A at least in part of the region below the anode electrode 9.例文帳に追加

この場合、ｐ型拡散層領域７の拡散深さは、アノード電極９の下部領域の少なくとも一部で受光部Ａより浅くなるものとすることができる。 - 特許庁

Reduction in the capacity of a pin diode 1 is realized by mounting the pin diode 1 on a mounting substrate through bump electrodes 8 formed, respectively, on the surface of a p+ type diffusion layer 5 and an n+ type diffusion layer 6.例文帳に追加

ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６それぞれの表面に形成したバンプ電極８をもってｐｉｎダイオード１を実装基板に実装することによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

The p-type diffusion layers 3 is arranged such that a lower region 3b is wider than an upper region 3a and the distance between adjacent p-type diffusion layers 3 is shortened in the lower region 3b.例文帳に追加

ｐ型拡散層３の上部領域３ａよりも下部領域３ｂの方が幅が広くなるようにし、下部領域３ｂにおいて隣り合うｐ型拡散層３同士の距離が短くなるように構成する。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type embedded layer 9 creeps up, a P-type diffusion layer 12 creeps down, and both the diffusion layers 9, 12 are connected, thus composing the back gate region of the MOS transistor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の埋込層９が這い上がり、Ｐ型の拡散層１２が這い下がり、両拡散層９、１２が連結することで、ＭＯＳトランジスタ３のバックゲート領域が構成される。 - 特許庁

On both ends of each semiconductor region 5 in the shape of a bent pattern, an n-type high-density diffusion region 9 and a p-type high-density diffusion region 10 are formed, to form diodes in the semiconductor regions 5.例文帳に追加

一方、屈曲型パターン形状の半導体領域５の両端には、ｎ形高濃度拡散領域９、ｐ形高濃度拡散領域１０を設け、半導体領域５内にダイオードを形成する。 - 特許庁

In the area on the lower side of the insulation film 11, a p-type channel diffusion layer 16 in which indium ions are main impurity and a second p-type channel diffusion layer 17 in which boron is a main impurity are formed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１の下側の領域には、インジウムイオンが主な不純物である第１のＰ型チャネル拡散層１６と、ボロンが主な不純物である第２のＰ型チャネル拡散層１７が形成されている。 - 特許庁

An oxide film on a p^+-type diffusion layer to be formed as an element isolation region of a photodiode is removed by etching, the p^+-type diffusion layer is connected by contact electrodes to a light-shielding metal film of a peripheral upper layer of the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードの素子分離領域となるＰ＋型拡散層の上の酸化膜をエッチングで取り除き、Ｐ＋型拡散層と、フォトダイオードの周囲上層の金属遮光膜とをコンタクト電極により接続する。 - 特許庁

Reduction in the ON resistance of the pin diode 1 can be realized by forming the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 such that the interval W therebetween is shortened.例文帳に追加

また、ｐ^+型拡散層５とｎ^+型拡散層６との間隔Ｗが小さくなるようにｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６を形成することによりｐｉｎダイオード１の低オン抵抗化を実現する。 - 特許庁

The surface-mounted diode 100d having the above structure can be designed such that it has large ESD resistance by suitably setting the diffusion depth and the surface impurity concentration of the n conduction type impurity diffusion region 12 and the p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

上記の構造を有する表面型ダイオード１００ｄは、ｎ導電型不純物拡散領域１２およびｐ導電型不純物拡散領域１３の拡散深さや表面不純物濃度を適宜設定することで、大きなＥＳＤ耐量を持つように設計することができる。 - 特許庁

The projection type image display apparatus includes: a screen 2 including a Fresnel lens 21 and a diffusion member (lenticular lens screen) 22; a driving mechanism 4 that moves the Fresnel lens 21 or the diffusion member 22 in a plane parallel to an emitting surface of the Fresnel lens or the diffusion member; and a frame 10 that supports the Fresnel lens, the diffusion member and the driving mechanism.例文帳に追加

投写型画像表示装置は、フレネルレンズ２１と拡散部材（レンチキュラーレンズスクリーン）２２とを含むスクリーン２と、フレネルレンズ２１又は拡散部材２２をその出射面と平行な面内で移動させる駆動機構４と、これらを支持する筐体１０とを備える。 - 特許庁

Diffusion of dopant from the current diffusion layer 16 side into an active layer 14 can be prevented by inserting a diffusion stop layer 17 of multilayer structure having a high Al composition and different lattice constants between adjacent layers, between the active layer 14 and the p-type current diffusion layer 16.例文帳に追加

Ａｌ組成が大きく、かつ隣接する層間の格子定数が異なる多層構造の拡散ストップ層１７を活性層１４とｐ型電流拡散層１６との間に挿入すれば電流拡散層１６側から活性層１４内へのドーパントの拡散を防止することができる。 - 特許庁

At a receiving end, synchronization processing and inverse diffusion of the diffusion signal by the PN code at a high chip rate are carried out by an elastic type SAW convolver, and synchronization processing and inverse diffusion of the diffusion signal by the PN code at a low chip rate are carried out by using a correlator, such as a sliding correlator.例文帳に追加

受信側では、高チップレートのＰＮ符号による拡散信号の同期処理と逆拡散を、エラステック型ＳＡＷコンボルバにより行い、低チップレートのＰＮ符号による拡散信号の同期処理と逆拡散を、スライディング相関器等の相関器を用いて行う。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell advantageous for achieving further improvement in gaseous diffusion and drainage capability in the downstream region of a gaseous diffusion layer, a gaseous diffusion layer for the polymer electrolyte fuel cell, and a manufacturing method for a solid-state polymer electrolyte type gaseous diffusion layer thereof.例文帳に追加

ガス拡散層の下流領域におけるガス拡散性や排水性の更なる向上を図るのに有利な固体高分子電解質形の燃料電池、固体高分子電解質形の燃料電池用のガス拡散層、固体高分子電解質形のガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicide layer 18 is provided on a second conductivity type (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the region of the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

A p-type body 5 is formed on one side of a drift region 11 contained in an n-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type source diffusion region 7S is formed on the body 5.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１が含むドリフト領域１１の一方の側方にはＰ型ボディ部５を形成し、ボディ部５上にはＮ^+型ソース拡散領域７Ｓを形成する。 - 特許庁

The p-type diffusion areas 33a, 33b and the n-type wells 31a, 31b include a diode function, and the capacitor electrodes 37a, 37b and the n-type wells 31a, 31b include a capacitor function.例文帳に追加

ｐ型拡散領域３３ａ，３３ｂとｎ型ウェル３１ａ，３１ｂとは、ダイオードの機能を、容量用電極３７ａ，３７ｂとｎ型ウェル３１ａ，３１ｂとは、コンデンサの機能を有する。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region.例文帳に追加

本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.例文帳に追加

たとえばｎ^＋＋形半導体基板１上にｎ^−形半導体層２が設けられ、その表面にｐ^＋形拡散領域３が設けられて、ｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁