「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The drain regions of the PMOSs 20_1, 20_2 are provided with a two-layer structure comprised of P-type heavily doped diffusion layer and lightly doped diffusion layer.例文帳に追加

そして、ＰＭＯＳ２０_１，２０_２のドレイン領域をＰ型の高濃度拡散層と低濃度拡散層による２層構造とする。 - 特許庁

Thus, the N-type well 25 will always be at the same potential as the N-type diffusion layer 26, without having to connect metal wiring 45 to the N-type well 25.例文帳に追加

このため、Ｎウエル２５に金属配線４５を接続しなくても、Ｎウエル２５はＮ拡散層２６と常に同電位となる。 - 特許庁

To detect a P type abnormal diffusion layer 103 produced on the interface of an N type epitaxial 8 and a P type high resistivity epitaxial layer 30.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル８とＰ型高比抵抗エピタキシャル層３０との界面に発生するＰ型異常拡散層１０３を検出する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

A high-density N-type diffusion region 104 is formed in the high-density P-type diffusion region 106, and the N-type diffusion region 104 is connected to a source or a drain region 113 or 114 above a contact 107 with the contact 107 interposed.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６の内方には、高濃度Ｎ型拡散領域１０４が形成され、このＮ型拡散領域１０４は、コンタクト１０７を介してその上層のソース又はドレイン領域１１３、１１４に接続される。 - 特許庁

To provide an internal diffusion semitransmission type reflection plate used for an internal diffusion semitransmission type color liquid crystal display device having a characteristic excellent in color reproducibility of a color filter and to provide the inner diffusion semitransmission type color liquid crystal display device having the characteristic.例文帳に追加

カラーフィルタの色再現性に優れた内面拡散半透過型カラー液晶表示装置に使用される内面拡散半透過型反射板および前記特性を有する内面拡散半透過型カラー液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

The solid-state photographic apparatus has a primary pixel and a secondary pixel, wherein both the pixels have a p-type diffusion layer 301 formed in a semiconductor substrate 300 and an n-type diffusion layer 302 formed on the p-type diffusion layer 301, respectively.例文帳に追加

固体撮像装置は、第１画素と第２画素とを備えており、両画素は、半導体基板３００内に形成されたｐ型拡散層３０１と、ｐ型拡散層３０１上に形成されたｎ型拡散層３０２とをそれぞれ有している。 - 特許庁

A first N-type impurity diffusion layer 41 is formed in the region between adjoining P-type wells 23.例文帳に追加

隣り合うＰ型ウエル２３の間の領域には、第１Ｎ型不純物拡散層４１が形成されている。 - 特許庁

To prevent the inversion of a conductive type of an n type channel formation region due to B(boron) diffusion.例文帳に追加

Ｂ（ボロン）の拡散によってｎ型のチャネル形成領域の導電型が反転してしまうことを防止する。 - 特許庁

Nearby a surface of an n-type well 11, a p-type diffusion region 12 to be a bit line is formed in a stripe shape.例文帳に追加

ｎ型ウェル１１の表面付近にビット線となるｐ型拡散領域１２をストライプ状に形成する。 - 特許庁

N-type diffusion layers 117a and 117b are formed on the surface of the n-type epitaxial layer 104.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＮ型拡散層１１７ａおよび１１７ｂを形成する。 - 特許庁

The n-type diffusion region 2 is formed at an upper part of a p well 10 formed at the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域２は、Ｐ型シリコン基板１に形成されたＰウェル１０の上部に形成される。 - 特許庁

An N-type diffusion layer (CCD transfer channel) 4 is selectively formed on the surface of an N-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１の表面に選択的にｎ型拡散層（ＣＣＤ転送チャンネル）４を形成する。 - 特許庁

A resistance circuit includes resistive elements R1, TR, and R2 comprising a p-type diffusion layer formed in an n-type layer.例文帳に追加

抵抗回路は、Ｎ型層に形成されたＰ型拡散層からなる抵抗素子Ｒ１，ＴＲ，Ｒ２を含む。 - 特許庁

The p-type cladding layer contains a p-type impurity with a diffusion coefficient lower than that of zinc, for example, beryllium.例文帳に追加

上記ｐ型クラッド層は、亜鉛より拡散係数が低いｐ型不純物、例えば、ベリリウムを含有する。 - 特許庁

The present invention further provides the direct type and the edge type backlight modules whose diffusion plates have the scatters.例文帳に追加

この発明は、更に、拡散プレートが散光体を有するダイレクト型およびエッジ型バックライトモジュールを提供する。 - 特許庁

The DMOS transistor is provided with a p-type diffusion region 3 formed on the first main surface, an n^+ diffusion region 5 formed on the first main surface within the p-type diffusion region 3, and a gate electrode 6 facing the p-type diffusion region 3 held between the n^+ diffusion region 5 and an n^- layer 1 through a gate insulation layer 12.例文帳に追加

このＤＭＯＳトランジスタは、第１主面に形成されたｐ型拡散領域３と、ｐ型拡散領域３内の第１主面に形成されたｎ^+拡散領域５と、ｎ^+拡散領域５とｎ^-層１との間に挟まれるｐ型拡散領域３にゲート絶縁層１２を介在して対向するゲート電極６とを有している。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. is accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

A first conductivity type source diffusion region 6 and a first conductivity type drain diffusion region 7 are formed, respectively, on the surface of the body diffusion region and the drift region corresponding to the opposite sides of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の両側に相当するボディ拡散領域の表面、ドリフト領域の表面にそれぞれ形成された第１導電型のソース拡散領域６、第１導電型のドレイン拡散領域７を備える。 - 特許庁

All of the base drawer p^+-type diffusion layers 14A-14E are connected to a base contact 8, and all of the emitter n^+-type diffusion layers 15A-15I are connected to an emitter contact 9.例文帳に追加

全てのベース引き出しＰ＋拡散層１４Ａ〜１４Ｅをベースコンタクト８に接続し、全てのエミッタＮ＋拡散層１５Ａ〜１５Ｉをエミッタコンタクト９に接続する。 - 特許庁

N-type diffusion regions 2b and 2c and p-type diffusion regions 2a and 2d are extended in the same direction, and polysilicon interconnections 3a-3d are extended in the same direction.例文帳に追加

そして、Ｎ型拡散領域２ｂ，２ｃと、Ｐ型拡散領域２ａ，２ｄとを同じ方向に延在させ、ポリシリコン配線３ａ〜３ｄを同じ方向に延在させる。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N-type diffusion layer 6 is formed as a source region so that it is convoluted with a P-type diffusion layer 5 as a backgate region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５と重畳するように、ソース領域としてのＮ型の拡散層６が形成されている。 - 特許庁

An anode electrode 12 is formed on a p-type diffusion layer 4 and a cathode electrode 13 is formed on the n-type high concentration diffusion layer 10 at the outer side of the light-receiving region.例文帳に追加

受光領域の外側においては、ｐ型拡散層４上にアノード電極１２、ｎ型高濃度拡散層１０上にカソード電極１３が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device, LOCOS oxide films 14, 15, and N-type diffusion layers 22, 23 are formed around a P-type diffusion layer 18 as an emitter region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、エミッタ領域としてのＰ型の拡散層１８の周囲には、ＬＯＣＯＳ酸化膜１４、１５、Ｎ型の拡散層２２、２３が形成される。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7 and a silicide film 8 on the n-type diffusion layer 5 are provided over the n-type diffusion layer 5, the sidewall film 6 and the element isolation film 3.例文帳に追加

ｎ型拡散層５の上の多結晶シリコン膜７およびシリサイド膜８は、ｎ型拡散層５、側壁膜６、及び素子分離膜３にまたがって設けられる。 - 特許庁

A P type diffusion layer 106 to become an emitter layer of a horizontal PNP transistor of the IIL and a P type diffusion layer 107 to become a collector layer are formed on the first element region.例文帳に追加

第１の素子領域にはＩＩＬの横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ層となるＰ型拡散層１０６と、コレクタ層となるＰ型拡散層１０７が形成される。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7 and a silicide film 8 which are formed on the n-type diffusion layer 5 are so formed as to be extended over the n-type diffusion layer 5, the side wall film 6, and the element isolation film 3.例文帳に追加

ｎ型拡散層５の上の多結晶シリコン膜７およびシリサイド膜８は、ｎ型拡散層５、側壁膜６、及び素子分離膜３にまたがって設けられる。 - 特許庁

In the epitaxial layers 7, 8, p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 constituting separating regions 3, 4, 5 are formed, and also, p-type diffusion layers 46, 47, 48 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル層７、８には、分離領域３、４、５を構成するＰ型の埋込拡散層４３、４４、４５及びＰ型の拡散層４６、４７、４８が形成されている。 - 特許庁

Then, a noise signal is outputted, and then the potential held in the N-type floating diffusion region FD is transferred to an N-type floating diffusion region FD1 so that an image signal is outputted.例文帳に追加

そして、ノイズ信号を出力した後、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤに保持したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送し、画像信号を出力する。 - 特許庁

To stabilize quality of a photodiode when silicide layers are formed on a P-type high concentration diffusion layer and an N-type high concentration diffusion layer of the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードのＰ型高濃度拡散層上及びＮ型高濃度拡散層上にシリサイド層を形成する場合におけるフォトダイオードの品質を安定化させる。 - 特許庁

After implanting impurity ions for forming the N type diffusion region 25, the N type diffusion region 25 is diffused in a γ-shape under a gate electrode 22 by heat treatment.例文帳に追加

そして、Ｎ型の拡散層２５を形成する不純物をイオン注入した後、熱処理により、Ｎ型の拡散層２５をゲート電極２２下方で、γ形状に拡散する。 - 特許庁

Plasma of a treatment gas containing oxygen and Ar oxidizes the p-type diffusion region 103 and the n-type diffusion region 105 at different oxidation rates.例文帳に追加

酸素およびＡｒを含有する処理ガスのプラズマにより、ｐ型拡散領域１０３とｎ型拡散領域１０５とを、それぞれ異なる酸化レートで酸化処理する。 - 特許庁

DIFFUSION TRANSFER TYPE SILVER HALIDE COLOR PHOTOGRAPHIC SENSITIVE MATERIAL AND IMAGE FORMING METHOD例文帳に追加

拡散転写型ハロゲン化銀カラー写真感光材料および画像形成方法 - 特許庁

A tilt 8 is arranged on one side of each n^+-type diffusion layer 3.例文帳に追加

そして、すべてのｎ^＋型拡散層３の片側に傾斜８が設けられている。 - 特許庁

ATOMIC DIFFUSION JOINING METHOD, AND PACKAGE TYPE ELECTRONIC PARTS SEALED BY THE METHOD例文帳に追加

原子拡散接合方法及び前記方法で封止されたパッケージ型電子部品 - 特許庁

A collector n^+-type diffusion layer 16 is arranged between the neighbored base emitter regions.例文帳に追加

隣接するベース・エミッタ領域の間にコレクタＮ＋拡散層１６を配置する。 - 特許庁

The contact 107 is not formed in the high-density P-type diffusion region 106.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６には、コンタクト１０７は形成されない。 - 特許庁

The upper surface of the N-type extension diffusion layer of the semiconductor substrate is flat.例文帳に追加

半導体基板におけるＮ型エクステンション拡散層の上面は平坦である。 - 特許庁

One end 10 of the P-type diffusion resistance 40 is connected to an external terminal 400.例文帳に追加

Ｐ型拡散抵抗４０の一端１０は、外部端子４００に接続される。 - 特許庁

STRUCTURAL BODY OF DIFFUSION TYPE REFLECTOR IN LCD AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

ＬＣＤ内部における拡散タイプ反射体の構造体及びその形成方法 - 特許庁

ION EXCHANGE MEMBRANE TYPE ELECTROLYTIC CELL USING GAS DIFFUSION CATHODE AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

ガス拡散陰極を用いたイオン交換膜型電解槽及びその運転方法 - 特許庁

A photoresist (unillustrated) is formed on a region 12 provided with an n-type diffusion layer.例文帳に追加

ｎ型拡散層を有する領域１２上にフォトレジスト（図示せず）を形成する。 - 特許庁

On the upper surface of the P-type semiconductor layer 5, a current diffusion layer 6 is formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体層５の上面には、電流拡散層６を形成してある。 - 特許庁