「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type semiconductor region composed of the p-type semiconductor layers 3 and 4 has an impurity concentration distribution that combines a primary p-type impurity concentration distribution having a primary diffusion depth and a primary peak concentration, and a secondary p-type impurity concentration distribution having a secondary diffusion depth shallower than the primary diffusion depth and a secondary peak concentration higher than the primary peak concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層３及び４からなるｐ型半導体領域は、第１の拡散深さ及び第１のピーク濃度を持つ第１のｐ型不純物濃度分布と第１の拡散深さよりも浅い第２の拡散深さ及び第１のピーク濃度よりも高い第２のピーク濃度を持つ第２のｐ型不純物濃度分布とを重ね合わせた不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

A three-layer light transparent film constituted of a first silicon oxide film 105, a silicon nitride film 106 and a second silicon oxide film 107 is arranged on the n-type diffusion layers 103, 103 and on the p-type semiconductor layer 102 between the two n-type diffusion layers 103, 103.例文帳に追加

このＮ型拡散層１０３，１０３上と、この２つのＮ型拡散層１０３，１０３の間のＰ型半導体層１０２の上に、第１シリコン酸化膜１０５と、シリコン窒化膜１０６と、第２シリコン酸化膜１０７との３層の光透過性膜を配置する。 - 特許庁

The first electrode 26a is constituted of an N-type diffusion layer 26, having a high impurity concentration so as to prevent breakdown, even when a high voltage is applied to the first electrode 26a; and an N-type well 25, having impurity concentration lower than that of the N-type diffusion layer is formed around the first electrode 26a.例文帳に追加

第１の電極２６ａに高い電圧が印加されてもブレークダウンしないように、第１の電極２６ａは、不純物濃度の高いＮ拡散層２６からなり、その周囲にＮ拡散層よりも不純物濃度が低いＮウエル２５が形成されている。 - 特許庁

Optical carriers generated inside an N-type impurity diffusion layer 8, formed on the surface of an N-type epitaxial layer 6 on a P-type semiconductor substrate 1 move into a depletion layer by a built-in field made by the concentration slope of impurity diffusion, and a photocurrent is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上のＮ型エピタキシャル層６表面に形成されたＮ型不純物拡散層８内で発生した光キャリアは、不純物拡散の濃度傾斜による内蔵電界により空乏層中まで移動し、光電流が生じる。 - 特許庁

Then, a p-type diffusion region 4a is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 2 at least on the side of the gate region 3 of the drain region 4 and a drain electrode 7 is formed, so as to be connected to the p-type diffusion region 4a.例文帳に追加

そして、ドレイン領域４の少なくともゲート領域３側におけるｎ形半導体層２の表面にｐ形の拡散領域４ａが形成され、そのｐ形拡散領域４ａに接続されるようにドレイン電極７が形成されている。 - 特許庁

The concentration of an N-type intrinsic base diffusion area 23 adjoining to the emitter diffusion area 23 of an L-PNP transistor is made higher than that of a base buried layer 3B adjoining to the collector diffusion area 16B of an L-PNP bipolar transistor.例文帳に追加

Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に隣接するＮ型真性ベース拡散領域２２の濃度を、Ｌ−ＰＮＰバイポーラトランジスタのコレクタ拡散領域１６Ｂに隣接するベース埋め込み層３Ｂの濃度より高くする。 - 特許庁

This semiconductor device has: a first-conductivity-type well 10; a plurality of first diffusion layers 200 formed in the well 10; a plurality of second diffusion layers 300 formed in the well 10; and a diffusion resistance layer 400 formed in the well 10.例文帳に追加

第１導電型のウェル１０、ウェル１０に形成された複数の第１の拡散層２００、ウェル１０に形成された複数の第２の拡散層３００、及びウェル１０に形成された拡散抵抗層４００を有する。 - 特許庁

APPARATUS FOR SUPPLYING LARGE AMOUNT OF CITY WATER CLEANED BY USING CORAL AND DIFFUSION TYPE CORAL TREATMENT MEANS FOR CITY WATER例文帳に追加

珊瑚利用の浄化・珊瑚処理水道水大量供給装置と水道水の拡散型珊瑚処理手段 - 特許庁

To reduce the diffusion of vibration to the external by absorbing the noise vibration generated from an engine drive-type apparatus.例文帳に追加

エンジン駆動式機器から発生する騒音振動を吸収して外部への振動伝播を低減させること。 - 特許庁

The charge-collecting area (29) includes an active region (32) of a second diffusion type and an inactive region (33).例文帳に追加

電荷収集域（２９）は、第二の拡散形式の作用領域（３２）と、非作用領域（３３）とを含んでいる。 - 特許庁

INTERNALLY LATENT IMAGE FLAT TYPE DIRECT POSITIVE SILVER HALIDE EMULSION AND COLOR DIFFUSION TRANSFER PHOTOGRAPHIC SENSITIVE MATERIAL USING SAME例文帳に追加

平板状内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤及びそれを用いたカラー拡散転写感光材料 - 特許庁

The concentration of impurity on the surface of the p-type diffusion layer 12 is 5×10^15 to 2×10^16 cm^-3.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１２の表面不純物濃度は５×１０^１５〜２×１０^１６ｃｍ^−３である。 - 特許庁

Further, a source of an address transistor 31 which is the n-type diffusion layer 26 is connected to a vertical signal line 34.例文帳に追加

また、ｎ型拡散層２６であるアドレストランジスタ３１のソースは、垂直信号線３４に接続される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an AND-type flash memory cell by which the high-degree integration of a diffusion-layer wiring density can be obtained.例文帳に追加

拡散層配線密度の高集積化を実現したアンドタイプフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To actualize a deep expansion type diffusion area at low cost without increasing the number of processes as much as possible.例文帳に追加

できるだけ工程数を増やすことなく又安価なコストで、深部膨張形拡散領域を実現する。 - 特許庁

FLAT PLATY INTERNAL LATENT IMAGE TYPE DIRECT POSITIVE SILVER HALIDE EMULSION AND COLOR DIFFUSION TRANSFER PHOTOSENSITIVE MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

平板状内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤およびそれを用いたカラー拡散転写感光材料 - 特許庁

INTERNAL LATENT IMAGE TYPE DIRECT POSITIVE SILVER HALIDE EMULSION AND COLOR DIFFUSION TRANSFER PHOTOGRAPHIC SENSITIVE MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤及びそれを用いたカラー拡散転写写真感光材料 - 特許庁

To provide a means for determining quantitatively an acid diffusion constant precisely, in lithography using a chemical amplification type resist.例文帳に追加

化学増幅型レジストを用いたリソグラフィにおいて、高精度の酸拡散定数の定量手段を提供する。 - 特許庁

Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region by using the liquid form impurity source.例文帳に追加

これにより、液状不純物源を使用してｎ形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁

An N type impurity diffusion region 5 is formed in an element formation region surrounded with a field insulating film 2.例文帳に追加

フィールド絶縁膜２によって囲まれた素子形成領域内にＮ型不純物拡散領域５を形成する。 - 特許庁

The composition for forming a p-type diffusion layer includes a glass powder containing an acceptor element and a dispersion medium.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。 - 特許庁

TABULAR INTERNAL LATENT IMAGE TYPE DIRECT POSITIVE SILVER HALIDE EMULSION AND COLOR DIFFUSION TRANSFER PHOTOSENSITIVE MATERIAL USING SAME例文帳に追加

平板状内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤及びそれを用いたカラー拡散転写感光材料 - 特許庁

To surely prevent the clogging of air diffusion holes in an air diffuser belonging to a dipping type membrane separation device.例文帳に追加

浸漬型膜分離装置に付属する散気装置において、散気孔の閉塞を確実に防止できるようにする。 - 特許庁

SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL, GAS DIFFUSION ELECTRODE THEREFOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極とその製造方法、および固体高分子型燃料電池 - 特許庁

Gaps 103 and 104 are formed between a word line W1 of a memory cell transistor and n+ type diffusion regions N21 and N12.例文帳に追加

メモリセルトランジスタのワード線Ｗ_1 とｎ^+ 型拡散領域Ｎ_21，Ｎ_12との間に、隙間１０３，１０４を形成する。 - 特許庁

A first conductivity type charge transfer destination diffusion layer 22 is formed on a surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

第１導電型の電荷転送先拡散層２２は、半導体基板１１の表面に形成されている。 - 特許庁

Trenches 6 and trench oxide films 7 are formed between the respective n^+-type diffusion layers 3 for element separation.例文帳に追加

また、素子分離のために、トレンチ６及びトレンチ酸化膜７が、各ｎ^＋型拡散層３の間に形成されている。 - 特許庁

The SiGe alloy layer 4 and the n-type diffusion layer 5 are surrounded by a side wall film 6 composed of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。 - 特許庁

A gate oxide film 19 for a memory is formed on a P substrate 1 between N-type diffusion layers 7 and 9.例文帳に追加

Ｎ型拡散層７と９の間のＰ基板１上にメモリ用ゲート酸化膜１９が形成されている。 - 特許庁

The SiGe alloy layer 4 and the n-type diffusion layer 5 are surrounded by a sidewall film 6 made of a silicon oxide film.例文帳に追加

またＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into a P type well layer 11 at the light receiving part while leaving the resist to form a diffusion layer 14.例文帳に追加

レジストを残したまま受光部のＰ型ウエル層１１にイオン注入し拡散層１４を形成する。 - 特許庁

A p-type overflow barrier region 36 is formed between the floating diffusion 33 and the photodiode 21.例文帳に追加

フローティングディフュージョン３３と、フォトダイオード２１との間には、ｐ型のオーバーフローバリア領域３６が形成されている。 - 特許庁

The NPN transistor forms an N-type collector region 60 through diffusion in the island region 25, to form a collector layer.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタは、島領域２５にＮ型のコレクタ領域６０を拡散により形成して、コレクタ層とする。 - 特許庁

The SFMR filter is a thin film or other type modulation filter including the conventional optional diffusion filter.例文帳に追加

上記ＳＦＭＲフィルタは、従来の任意の拡散フィルタを含む薄膜または他の型式の変調フィルタである。 - 特許庁

When a depression type reset transistor is adopted, a leak current to floating diffusion is suppressed and a dynamic range is extended.例文帳に追加

リセットトランジスタをディプレション型にすることで、フローティングディフュージョンへのリーク電流を抑制し、ダイナミックレンジを広げる。 - 特許庁

The trap layer reduces hydrogen diffusion from the intrinsic amorphous silicon layer to the p-type amorphous silicon layer.例文帳に追加

このトラップ層により、真性な非晶質シリコン層からｐ型非晶質シリコン層への水素拡散を抑制する。 - 特許庁

Then the thickness L1 of a group of the p^+-type collector regions 22 is thinner than the electron diffusion length.例文帳に追加

そして、ｐ^＋型コレクタ領域２２群の厚みＬ１が、電子の拡散長よりも薄いことを特徴としている。 - 特許庁

The p-type diffusion layer forming composition of the present invention includes a glass powder including an accepter element, and disperse soot.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。 - 特許庁

To provide a light diffusion type guide (signal) lamp using light emitting diodes, light, and capable of displaying letters, etc.例文帳に追加

発光ダイオードを用いた、明るい、文字等の表示も可能な光拡散型の誘導(合図)灯を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the N^+ type diffusion region 2 is formed to be spaced apart from the STI end 3a by ion implantation.例文帳に追加

その後、イオン注入により、Ｎ^+型拡散領域２をＳＴＩ端部３ａから離間するように形成する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer forming composition contains glass powder containing a donor element, and a dispersion medium.例文帳に追加

本発明のｎ型拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。 - 特許庁

Four n^+ regions (electrode diffusion regions) 3, 4, 5, 6 are formed in the n-type epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層２において４つのＮ^+領域（電極用拡散領域）３，４，５，６が形成されている。 - 特許庁

On top of the p-type diffusion layer 15, a plate electrode 5b is formed via a capacity insulation film 4b.例文帳に追加

そして、Ｐ型拡散層１５上には、容量絶縁膜４ｂを介してプレート電極５ｂが形成されている。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 6 as a collector region is formed across the substrate 2 and the epitaxial layer 3.例文帳に追加

コレクタ領域としてのＮ型の埋め込み拡散層６が基板２とエピタキシャル層３に渡り形成されている。 - 特許庁

LIGHT DIFFUSION LAMINATED BOARD MADE OF POLYCARBONATE RESIN FOR DIRECT-TYPE BACKLIGHT, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

直下型バックライト用ポリカーボネート樹脂製光拡散積層板およびそれを用いた液晶表示装置 - 特許庁