「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The high breakdown voltage semiconductor device is characterized in that a low concentration collector diffusion layer of a first conductivity type is formed in a second conductivity type collector buffer layer so as to enclose a first conductivity type high concentration collector diffusion layer.例文帳に追加

第２導電型コレクタバッファ層内に第１導電型高濃度コレクタ拡散層を包囲するように第１導電型の低濃度コレクタ拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A second diffusion region 110 of a second conductivity type for electrically connecting a body region 106 of the second conductivity type to a first diffusion region 107 of the second conductivity type is provided between gate trenches 112.例文帳に追加

ゲートトレンチ１１２の間に、第２導電型のボディ領域１０６と第２導電型の第１拡散領域１０７とを導通する第２導電型の第２拡散領域１１０を設ける。 - 特許庁

The drain of an MOS transistor formed on a first conductivity type semiconductor substrate 1 comprises a second conductivity type first lightly doped diffusion layer 14, a second conductivity type first heavily doped diffusion layer 19, a second conductivity type first lightly doped diffusion layer 21, and second conductivity type second heavily doped diffusion layer 18 formed sequentially from the side close to a gate electrode 12.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成されたＭＯＳ型トランジスタのドレインが、ゲート電極１２に近い側から順に、第２導電型の第１の低濃度拡散層１４と、第２導電型の第１の高濃度拡散層１９と、第２導電型の第１の低濃度拡散層２１と、第２導電型の第２の高濃度拡散層１８とを備える。 - 特許庁

It is achieved by setting the intervals of the n^+-type diffusion layer 12 and the p^+-type diffusion layer 14 shorter at the end of the element as compared with those in the central part of the element or by setting the areas of the n^+-type diffusion layer 12 and the p^+-type diffusion layer 14 larger at the end of the element as compared with those in the central part of the element.例文帳に追加

その設定は、ｎ^＋型拡散層１２の間隔及びｐ^＋型拡散層１４の間隔を素子中央部に比較して素子端部において小さくすることにより、又はｎ^＋型拡散層１２の面積及びｐ^＋型拡散層１４の面積を素子中央部に比較して素子端部において大きくすることにより達成される。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

The second conductive type current diffusion layer 17 is formed covering the second conductive type base layer 15 and the first conductive type current block layer 16.例文帳に追加

第２導電型の電流拡散層は、第２導電型の下地層および第１導電型の電流ブロック層を覆って形成される。 - 特許庁

A P-type isolation region 2 is formed in part by the diffusion of the P-type impurity in the upper face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、Ｐ型分離領域２が部分的に形成されている。 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded electrode 4.例文帳に追加

埋め込み電極４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

The extension part is of the same conductivity type with the impurity diffusion region and connected to an impurity diffusion region on a corresponding side.例文帳に追加

エクステンション部は、不純物拡散領域と同一導電型であり、対応する側の不純物拡散領域に接続されている。 - 特許庁

The n+ type source diffusion layers 8 are formed locally at the parts of a diffusion layer forming region F extending in the transverse direction of the paper.例文帳に追加

ｎ＋型ソース拡散層８は、紙面の左右方向に延びた拡散層形成領域Ｆの一部に局在して設けられている。 - 特許庁

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region.例文帳に追加

たとえば、Ｐ^+ 型ソース拡散層２２とＮウェル領域１２とが同電位になるＰチャネルＭＯＳトランジスタにおいては、Ｎウェル領域１２の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層２２と、ソース拡散層２２とは異種拡散領域となるＮ^+ 型基板拡散層２３とを形成する。 - 特許庁

In an IGBT, an N--type epitaxial layer 3 is formed on a P+-type silicon substrate 1 via an N+-type silicon layer 2, and a P-type impurity diffusion region 4 and an N+-type impurity diffusion region 5 are formed in the surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、Ｐ^+ 型シリコン基板１の上にＮ^+ 型シリコン層２を介してＮ^- 型エピタキシャル層３が形成され、エピタキシャル層３の表層部にＰ型不純物拡散領域４およびＮ^+ 型不純物拡散領域５が形成されている。 - 特許庁

The PNP bipolar transistor 164 is formed by P-type, N-type, and P-type impurity diffusion regions 122, 126, and 128 that are formed in the direction of the depth of a substrate, and the zener diode 150 is formed by the N-type and P-type impurity diffusion regions 126 and 128.例文帳に追加

ＰＮＰバイポーラトランジスタ１６４は、基板の深さ方向に形成したＰ型、Ｎ型及びＰ型不純物拡散領域１２２，１２６，１２８にて形成され、ツェナーダイオード１５０は、Ｎ型及びＰ型不純物拡散領域１２６，１２８にて形成される。 - 特許庁

A diffusion region 7, where p-type impurity is diffused, is formed in the window layer 6.例文帳に追加

窓層６にはｐ型不純物が拡散された拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

The diffusion region 14 is of an n-type, and high in impurity concentration relative to the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、ｎ型であり、ドリフト領域２２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

SILVER SALT DIFFUSION TRANSFER TYPE PLANOGRAPHIC PRINTING ORIGINAL PLATE AND METHOD FOR MAKING PLANOGRAPHIC PRINTING PLATE例文帳に追加

銀塩拡散転写型平版印刷原版および平版印刷版の製版方法 - 特許庁

LIGHT DIFFUSION SHEET, TRANSMISSION SCREEN, REAR PROJECTION TYPE DISPLAY DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

光拡散シート、透過型スクリーン、背面投射型表示装置及び液晶表示装置 - 特許庁

To improve directivity and diffusion effect for high frequencies in a full-range type double cone speaker.例文帳に追加

フルレンジ型ダブルコーンスピーカでの高域の指向特性及び分散効果を改善する。 - 特許庁

The P-type diffusion layers 11, 13 are electrically connected to each other via upper layer wiring.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１１，１３は上層配線を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

To improve light shielding of a floating diffusion portion of a MOS-type solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置のフローティングディフュージョン部の遮光性を向上すること。 - 特許庁

The second conductivity-type diffusion layer 116 has a higher impurity concentration than the sinker layer 115.例文帳に追加

第２導電型拡散層１１６はシンカー層１１５より不純物濃度が高い。 - 特許庁

An anti-fuse has a gate electrode 120 and a second-conductive-type diffusion layer 130.例文帳に追加

アンチヒューズは、ゲート電極１２０及び第２導電型拡散層１３０を有している。 - 特許庁

A P--type body diffusion layer 15 is largely extended to an area under the electrode 14.例文帳に追加

Ｐ^- 型ボディー拡散層１５は、ゲート電極１４下方領域にまで大きく延びている。 - 特許庁

GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR SOLID POLYMER ELECTROLYTE MEMBRANE TYPE FUEL CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

固体高分子電解質膜型燃料電池用ガス拡散電極及びその製造方法。 - 特許庁

A diode is formed of an N+ diffusion layer 209 and a P-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２０９とＰ型の半導体基板２０１とで、ダイオードが形成される。 - 特許庁

The floating diffusion layer 43 is a doped first impurity type for receiving signal charge.例文帳に追加

浮遊拡散層４３は第１不純物型でドーピングされ、信号電荷を受信する。 - 特許庁

In the transition region, a p-type deep diffusion layer 3c which serves as FLR is provided.例文帳に追加

遷移領域には、ＦＬＲとなるｐ型の深い拡散層３ｃが設けられている。 - 特許庁

A second impurity diffusion region 11b is formed on the surface of the semiconductor substrate, one end of the second impurity diffusion region is contacted with the first side wall, and has the same conduction type as the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第２不純物拡散領域１１ｂは、半導体基板の表面に形成され、一端が第１側壁に接し、第１不純物拡散領域と同じ導電型を有する。 - 特許庁

An impurity diffusion device is constituted into a structure, wherein carrier gas containing impurities for diffusion, which is passed through an impurity bubbler 27, is introduced in a reaction tube 22 of a vertical type diffusion furnace 21 through a nozzle 26 provided in the upper part of the tube 22.例文帳に追加

縦型拡散炉２１の反応管２２内には、上部に設けられるノズル２６から、不純物バブラ２７を通過して拡散用の不純物を含むキャリアガスが導入される。 - 特許庁

The life time of a carrier injected from the p-type diffusion layer 12 to the n-type low-concentration layer 11 is 1 to 20 μs.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１２からＮ型低濃度層１１に注入されるキャリアのライフタイムは１〜２０μｓである。 - 特許庁

Accordingly, the concentration of the N^+-type impurity in the N^+-type embedded diffusion layer 11 can be freely controlled.例文帳に追加

これにより、Ｎ^+型埋め込み拡散層１１におけるＮ^＋型不純物の濃度を自在に制御することができる。 - 特許庁

This n-type diffusion layer 6 is formed by diffusing an n-type impurity into part of the silicon film 5 having a convex cross-sectional shape.例文帳に追加

このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成する。 - 特許庁

An n-type channel layer 12 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the deep diffusion layers 14 and 14.例文帳に追加

ディープ拡散層間１４，１４間のｐ型ウェル層１１表面に、ｎ型チャネル層１２が形成されている。 - 特許庁

Therefore, it is possible to reduce the generation of leakage currents between those n type diffusion layers 24 through the n type inversion region.例文帳に追加

したがって、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層２４間での漏れ電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

And a p^+-type diffusion layer 6 having a high p-type impurity concentration is formed on the second n-well 3.例文帳に追加

そして、第２Ｎウエル３の表面には高いＰ型不純物濃度を有したＰ＋型拡散層６が形成されている。 - 特許庁

A p-type InP impurity diffusion region which constitutes a light receiver 9 is provided in part of the i-type InP window layer.例文帳に追加

ｉ型ＩｎＰ窓層の一部に、受光部９となるｐ型ＩｎＰ不純物拡散領域が設けられている。 - 特許庁

A halo region 13 as an n-type region is formed along one side of the p-type diffusion region 12.例文帳に追加

このｐ型拡散領域１２の一方の辺に沿ってｎ型領域であるｈａｌｏ領域１３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting element capable of efficiently forming a current diffusion layer whose conductivity type is n-type.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The drain region 3 is constituted of a deep low concentration diffusion region 3B, and a shallow high concentration diffusion domain 3A which is the same conductivity type as that of the low concentration diffusion region 3B and arranged in the low concentration diffusion region 3B.例文帳に追加

ドレイン領域３が、深さの深い低濃度拡散領域３Ｂと、低濃度拡散領域３Ｂと同じ導電型であって低濃度拡散領域３Ｂに設けられた浅い高濃度拡散領域３Ａとから構成される。 - 特許庁

An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type diffusion region 17 which functions as a cathode of the photodiode PD and the source of a MOS transistor MT, and is constituted from two diffusion layers of a relatively deep first diffusion layer 15 and a relatively second shallow diffusion layer 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのカソード、および、ＭＯＳトランジスタＭＴのソースとして機能するＮ型拡散領域１７を、比較的深い第１拡散層１５および比較的浅い第２拡散層１６の２つの拡散層で構成する。 - 特許庁

An N+ type layer 5 is a diffusion layer formed adjacently to the P+ type layer 4 just below the P+ type layer 4, and it is formed by ion-implanting N-type impurities in a way similar to the P+ type layer 4.例文帳に追加

Ｎ＋型層５は、Ｐ＋型層４直下に、Ｐ＋型層４と隣接して形成された拡散層であり、Ｐ＋型層４と同様にＮ型の不純物をイオン注入して形成される。 - 特許庁

According to this structure, the P-type diffusion layers 18-20 and the N-type diffusion layers 22, 23 are formed with high positional accuracy, the width wb1 of a base region is narrowed, and a horizontal-type PNP transistor having a high breakdown voltage is formed.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の拡散層１８〜２０、Ｎ型の拡散層２２、２３が位置精度良く形成され、ベース領域幅Ｗｂ１が狭められ、高耐圧の横型ＰＮＰトランジスタが形成される。 - 特許庁

Gate electrodes 8a and 8b are formed on the P- type diffusion region 5a positioned between the N+ type diffusion regions 6a and 6b and the N- type epitaxial layer 2 through a gate insulating film.例文帳に追加

Ｎ＋型拡散領域６ａ、６ｂとＮ−型エピタキシャル層２との間に位置するＰ型拡散領域５ａ上にゲート絶縁膜を介在させてゲート電極部８ａ、８ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁