「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device is provided with a p-type second diffusion layer which corresponds to each of the pads and is provided in the first diffusion layer.例文帳に追加

上記パッドのそれぞれに対応し、上記第１拡散層内に設けられたＰ型の第２拡散層を備える。 - 特許庁

Thereafter, source/drain diffusion layers 22a, 22b are formed deeper than the N-type diffusion layer 17.例文帳に追加

その後、非シリサイド領域２４を除く部位に、Ｎ型拡散層１７よりも深く、ソース／ドレイン拡散層２２ａ，２２ｂを形成する。 - 特許庁

The second diffusion region 6 of a higher impurity concentration is formed shallowly from the surface of a P type diffusion region 4.例文帳に追加

そして、不純物濃度の高い第２の拡散領域６は、Ｐ型の拡散領域４表面から浅く形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor element 30 having a P-type well 9 and an N-type diffusion layer 2 to be formed on the P-type well 9; and a P-type diffusion resistance 40 to be formed on the N-type well 8.例文帳に追加

本発明による半導体装置１００は、Ｐ型ウェル９とＰ型ウェル９上に形成されるＮ型拡散層２とを備える半導体素子３０と、Ｎ型ウェル８上に形成されるＰ型拡散抵抗４０とを具備する。 - 特許庁

The n-type pillar region 15 and p-type pillar region 14 each comprises a plurality of n-type diffusion regions 15X and a plurality of p-type diffusion regions 14X formed successively along the depth of the n-type epitaxial layer 13.例文帳に追加

ｎ型ピラー領域１５及びｐ型ピラー領域１４は、ｎ型エピタキシャル層１３の深さ方向に並んで形成される複数のｎ型の拡散領域１５Ｘ及び複数のｐ型の拡散領域１４Ｘにより構成される。 - 特許庁

An n-type well 6 and a p-type well 7 are formed in the silicon layer 4 of the SOI substrate 1 and pluralities of p^+-type diffusion regions 9 (anodes) and n^+-type diffusion regions 10 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the n-type well 6.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１のシリコン層４にＮウエル６及びＰウエル７を形成し、Ｎウエル６の表面に、夫々複数個のＰ^＋拡散領域９（アノード）及びＮ^＋拡散領域１０（ベース電極）を交互に配列する。 - 特許庁

With respect to a semiconductor device including the clamp diode, a P^--type diffusion layer 5 is formed in the surface of an N^--type semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｎ−型の半導体層２の表面には、Ｐ−型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

An N type impurity diffusion layer 41 is formed in a region between adjacent P type wells 23.例文帳に追加

隣り合うＰ型ウエル２３の間の領域には、Ｎ型不純物拡散層４１が形成されている。 - 特許庁

Afterwards, a heat diffusion processing is carried out to form an n type pillar region 5 and a p type pillar region 6.例文帳に追加

その後、熱拡散処理を行って、ｎ型ピラー領域５及びｐ型ピラー領域６を形成する。 - 特許庁

The second conductivity type diffusion layer 14b extends up to the surface portion of the first conductivity type well 5b.例文帳に追加

第２導電型拡散層１４ｂは、第１導電型ウェル５ｂの表面部にまで延伸している。 - 特許庁

GAS DIFFUSION LAYER MEMBER AND CELL MEMBER OF SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL, AND SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL例文帳に追加

固体高分子型燃料電池のガス拡散層用部材及びセル部材、固体高分子型燃料電池 - 特許庁

In the semiconductor device, a p-type diffusion layer 5 is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型のエピタキシャル層３にＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型分離領域２は、Ｐ型不純物拡散層３の上面に達する底面を有している。 - 特許庁

A p^+-type impurity diffusion region 12, an n^+-type impurity diffusion region 14 and a p^+-type impurity diffusion region 16 connected to the source electrode V_dd are shared in field PMOS1 and field PMOS2.例文帳に追加

このソース電極Ｖ_ｄｄに接続されたＰ^＋型不純物拡散領域１２、Ｎ^＋型不純物拡散領域１４およびＰ^＋型不純物拡散領域１６が、フィールドＰＭＯＳ１とフィールドＰＭＯＳ２とで共用されている。 - 特許庁

To provide a composition for forming a p-type diffusion layer capable of forming the p-type diffusion layer while suppressing occurrence of warpage of a silicon substrate, and to provide a method of producing a p-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板の反りの発生を抑制しながら、ｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The low-density N-type diffusion region 108, low-density and high-density N-type diffusion regions 109 and 106, and high-density N-type diffusion region 104 form parasitic bipolar transistors 203 and 204.例文帳に追加

前記ゲートＧの近傍には、前記低濃度Ｎ型拡散領域１０８と、前記低濃度及び高濃度Ｎ型拡散領域１０９、１０６と、高濃度Ｎ型拡散領域１０４とにより寄生バイポーラトランジスタ２０３、２０４が形成される。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having P type conductivity, a second diffusion layer 9 having N^+ type conductivity, and a third diffusion layer 10 having N^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＰ型である第１拡散層８、導電型がＮ^＋型である第２拡散層９、および導電型がＮ^＋型である第３拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

Two diffusion layers 2 and 3 of N-type regions spaced apart at a certain distance are provided inside a P-type semiconductor substrate 1, so as to be flush with the top surface of the substrate 1, and the diffusion layers 2 and 3 are made to serve as diffusion resistors 4 and 5.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１内の表面側に、所定の間隔をおいてＮ型領域からなる２つの拡散層２、３を形成し、この拡散層２、３を拡散抵抗４、５とする。 - 特許庁

Common source line electrode layers 14 extend perpendicular to the diffusion layer forming region F on the plurality of n+ type source diffusion layers 8 and are in contact with the respective n+ type source diffusion layers 8.例文帳に追加

そして、複数のｎ＋型ソース拡散層８上には、拡散層形成領域Ｆに直交して、共通ソースライン電極層１４が延びており、各ｎ＋型ソース拡散層８にコンタクトしている。 - 特許庁

The drain diffusion layer 8 comprises an N-type lightly doped impurity diffusion layer 8a formed on the buried oxide film 2 and an N-type deeply doped impurity diffusion layer 8b formed thereon.例文帳に追加

ドレイン拡散層８は、埋込酸化膜２上に形成されたＮ型低濃度不純物拡散層８ａと、その上に形成されたＮ型高濃度不純物拡散層８ｂとから構成されている。 - 特許庁

To provide a membrane type air diffusion device which can prevent the breakage of an air diffusion membrane by stress concentration, has improved water-stopping properties upon the stop of an operation, and can perform air diffusion over the whole face of the air diffusion membrane.例文帳に追加

応力集中による散気膜の破損を防止でき、運転停止時の止水性が向上するとともに、散気膜の全面にわたって散気を行えるメンブレン式散気装置を提供する。 - 特許庁

Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.例文帳に追加

ｐ型拡散領域２３からｎ型拡散領域２４までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１０とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１２とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

This p^+-type body contact diffusion region 7B is formed at the center of the n^+-type source diffusion region 9 in plan view, and has an electric connection relation with the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

このＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７ＢはＮ^+型ソース拡散領域９の平面視中心部に形成され、Ｐ型ボディ領域突出部３ａと電気的接続関係を有する。 - 特許庁

Consequently, a sufficient range of P type diffuse conditions can be ensured in a P^+ type buried diffusion layer 12 being formed on the N^+ type buried diffusion layer 11.例文帳に追加

これにより、Ｎ＋型埋め込み拡散層１１上に形成するＰ＋型埋め込み拡散層１２におけるＰ型拡散条件の範囲を十分に確保することが自在となる。 - 特許庁

A metal layer 107-1, a diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and a diffusion layer 108 of the second conductive type are formed in a surface portion of the well 106 of the second conductive type.例文帳に追加

第２導電型のウェル１０６の表面部には、金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８が形成されている。 - 特許庁

Reflected light which is not projected on a light transmission diffusion type screen 7 and obtained when a DMD element 5 is off is projected on a light transmission diffusion type screen 7' for the monitor screen and then a positive/negative reversal image of an image which should be projected on the light transmission diffusion type screen 7 is displayed on the light transmission diffusion type screen 7'.例文帳に追加

光透過拡散型スクリーン７に投影されないＤＭＤ素子５がオフの時の反射光を、モニタ画面用の光透過拡散型スクリーン７’に投影することにより、光透過拡散型スクリーン７に投影されるべき画像のポジ／ネガ反転画像が光透過拡散型スクリーン７’に表示される。 - 特許庁

A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ型である複数の第１拡散層２５、導電型がＰ^＋型である複数の第２拡散層２６、導電型がＮ型である第３拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第４拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition which forms an n-type diffusion layer at a specific part in a short time without forming an unnecessary n-type diffusion layer in the manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a method of forming an n-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition excellent in dispersion stability, capable of forming an n-type diffusion layer at a specific portion without forming an unnecessary n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell using a crystalline silicon substrate; a method for manufacturing an n-type diffusion layer; and a method for manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成可能で、分散安定性に優れるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer in a desired form at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を、所望の形状に形成可能であるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

An n-type cathode area 6 and a p-type short area 8 adjacent to the n-type cathode area 6 are formed on the surface layer of the n-type diffusion area 4.例文帳に追加

ｎ形拡散領域４の表面層にｎ形カソード領域６とこのｎ形カソード領域６と隣接してｐ形ショート領域８を形成する。 - 特許庁

A p-type anode area 7 and an n-type short area 9 adjacent to the p-type anode area 7 are formed on the surface layer of the p-type diffusion area 5.例文帳に追加

ｐ形拡散領域５の表面層にｐ形アノード領域７とこのｐ形アノード領域７と隣接してｎ形ショート領域９を形成する。 - 特許庁

In, for example, a high-breakdown-voltage P-type MOS transistor structure, a low-density P-type diffusion region 109 is formed on a low-density N-type diffusion region 108 to the right and the left of a gate G, and a high-density P-type diffusion region 106 is formed thereupon.例文帳に追加

例えば高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタ構造では、低濃度Ｎ型拡散領域１０８の上において、ゲートＧの右方及び左方に、低濃度Ｐ型拡散領域１０９が形成され、その上に高濃度Ｐ型拡散領域１０６が形成される。 - 特許庁

The guard band region 34 has the same conductivity type (N-type) as that of the N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD, and has a dopant concentration lower than that of the N-type diffusion layer 33.例文帳に追加

ガードバンド領域３４は、フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３と同じ導電型（Ｎ型）であり、かつ不純物濃度がＮ型拡散層３３の不純物濃度よりも低く形成されている。 - 特許庁

An N+-type surface diffusion layer 8 is arranged between P+-type surface layers 6a and 6b which serve as an anode, by which a photocurrent is restrained from leaking out through a P-type channel formed between the P+-type surface diffusion layers 6.例文帳に追加

アノードとなる複数のＰ^+型表面拡散層６ａ，６ｂ間にＮ^+型表面拡散層８を配置して、Ｐ^+型表面拡散層６間に生成するＰ型チャネルを通じての光電流のリークを抑制する。 - 特許庁

Sources and drains of the transistors Q are constituted of N+ type diffusion layers 31 which are diffused upward from the buried straps 23 to the P-type silicon layer 13 and an N+ type diffusion layer 32 on an upper surface of the P-type silicon layer 13.例文帳に追加

トランジスタＱのソース、ドレインは、埋め込みストラップ２３からｐ型シリコン層１３への上方拡散によるｎ^+型拡散層３１とｐ型シリコン層１３の上面のｎ^+型拡散層３２により構成する。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

To provide a membrane type air diffusion device capable of preventing the propagation of cracking.例文帳に追加

亀裂の伝播を防止することができるメンブレン式散気装置を提供する。 - 特許庁

In the InP window layer 5, a p-type diffusion layer region 7 is formed.例文帳に追加

また、ＩｎＰ窓層５には、ｐ型拡散層領域７が形成されている。 - 特許庁

BIAXIALLY ORIENTED POLYESTER FILM ROLL FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DOWNWARD PRISM TYPE DIFFUSION PLATE例文帳に追加

液晶ディスプレイ下向きプリズム方式拡散板用二軸延伸ポリエステルフィルムロール - 特許庁

SOLID HIGH POLYMER FILM TYPE FUEL CELL AND FORMING METHOD FOR GAS DIFFUSION LAYER THEREOF例文帳に追加

固体高分子膜型燃料電池およびそのガス拡散層形成方法 - 特許庁

An n-type padding diffusion layer 101 is formed in the upper part of a substrate 100.例文帳に追加

基板１００の上部にＮ型埋め込み拡散層１０１を形成する。 - 特許庁

WATER-REPELLENT TYPE GAS DIFFUSION ELECTRODE, ITS FORMATION METHOD, AND MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY例文帳に追加

撥水型ガス拡散電極、その形成方法、および膜−電極接合体 - 特許庁