「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

Only a p-type body layer 103 and a P^+-type diffusion region 104 are formed in a mesa between the gate trenches 110.例文帳に追加

また、ゲートトレンチ１１０の間のメサ部には、Ｐ型ボディ層１０３およびＰ^＋型拡散領域１０４のみが形成されている。 - 特許庁

N-type diffusion layers 20a, 20b, 20c and 20d are formed in the surface region of the p-type well region 15, other than the respective gates 17, 18 and 19.例文帳に追加

各ゲート１７，１８，１９を除く、Ｐ型ウェル領域１５の表面領域にはＮ型拡散層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄが形成されている。 - 特許庁

At the circumference of the N+ type area 5, a P+ type diffusion area 10 formed by diffusing a P+ type area 8B deeply has the same function with a guard ring.例文帳に追加

Ｎ＋型領域５の周囲において、Ｐ＋型領域８Ｂを深く拡散して形成したＰ＋型拡散領域１０がガードリングと同等の機能を有する。 - 特許庁

The n-type FET 10 includes n-type impurity diffusion layers 12, 13, a p-type impurity implantation region 14, a gate insulation film 15, and a gate electrode 16.例文帳に追加

Ｎ型ＦＥＴ１０は、Ｎ型不純物拡散層１２，１３、Ｐ型不純物注入領域１４、ゲート絶縁膜１５、およびゲート電極１６を含んでいる。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type buffer layer 7 have overlapped diffusion regions and the end part of the n-type buffer layer 7 reaches a position under a gate electrode 10.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４及びｎ型バッファ層７は互いの拡散領域が重なり、且つｎ型バッファ層７の端部はゲート電極１０の下方の位置に到達する。 - 特許庁

A diode which is composed of a p-type diffusion layer 9 and an n^--type epitaxial layer 2 is formed in a region of the n-type epitaxial layer 2 immediately beneath the laser diode 11.例文帳に追加

レーザダイオード１１の直下のｎ^−型エピタキシャル層２の領域に、ｐ型拡散層９とｎ^−型エピタキシャル層２とにより構成されるダイオードを形成する。 - 特許庁

When N^+ type impurities for forming an N^+ type buried diffusion layer 11 on a P type substrate 10 are embedded, an oxide film 101 is removed in a specified opening pattern A.例文帳に追加

Ｐ型基板１０上にＮ＋型埋め込み拡散層１１を形成するＮ＋型不純物を埋め込む際に、酸化膜１０１を所定の開口パターンＡで除去する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step to dope an area of first conductivity type of a silicon substrate with impurities of second conductivity type opposite to first conductivity type and heat it so as to form a diffusion layer of the second conductivity type; and a step to implant nitride or fluorine ions to the diffusion layer and give a carbon dioxide gas laser to the diffusion layer.例文帳に追加

シリコン基板の第１導電型の領域に、第１導電型と反対の第２導電型の不純物をドーピングし、熱処理を行って、第２の導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層に窒素又はフッ素をイオン注入し、その後、この拡散層に炭酸ガスレーザーを照射する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の第１導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第１の第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

In a diffusion region 3 of the second conductivity type, a highly doped region 5 of the same conductivity type is introduced in such a manner that a region 2 of the first conductivity type is connected to the region 3 of the second conductivity type.例文帳に追加

第２の伝導型の拡散領域３の中に同じ伝導型の高ドーピング領域５を導入し第１の伝導型の領域２および第２の伝導型の領域３を接続する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a plurality of MOS transistors (high-voltage P-channel MOS transistors 11) each having an impurity region (N-type well region 51) of a first conductivity type and a low-concentration diffusion region (P-type offset diffusion region 3) of a second conductivity type, and the element isolation region 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の不純物領域（Ｎ型ウェル領域５１）と、第２導電型の低濃度拡散領域（Ｐ型オフセット拡散領域３）を有する複数のＭＯＳトランジスタ（高圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１）と、素子分離領域６を有する。 - 特許庁

The active region R1' includes an N-type first diffusion region 48 serving as a source or drain of a transistor, and a P-type second diffusion region 71 having a higher impurity concentration than the P-type semiconductor 52 and supplying a potential to the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’には、トランジスタのソース又はドレインとなるＮ型の第１の拡散領域４８と、Ｐ型の半導体５２よりも不純物濃度が高く、Ｐ型の半導体５２に電位を供給するためのＰ型の第２の拡散領域７１とが形成されている。 - 特許庁

The diffusion current stop band 5 is provided with an n-type semiconductor layer connected with the power supply on the semiconductor substrate of p-type semiconductor, and the n-type semiconductor layer of the diffusion current stop band 5 is formed deeper than the n-type semiconductor layer of the light receiving element 2.例文帳に追加

この拡散電流阻止帯５は、ｐ型半導体の前記半導体基板に、前記電源に接続されたｎ型半導体層を備えており、拡散電流阻止帯５のｎ型半導体層は、受光素子部２のｎ型半導体層より深く形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor in which an n-type transistor and a p-type transistor are formed on a (551) plane of silicon, a thickness of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the n-type transistor is smaller than that of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the p-type transistor.例文帳に追加

ｎ型トランジスタおよびｐ型トランジスタがシリコンの（５５１）面に形成された半導体装置において、前記ｎ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さが前記ｐ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さよりも薄い。 - 特許庁

The solar cell further includes: first p-type metal electrodes 7 located above the p-type diffusion regions 3 and formed to embed the insides of the first openings 6; and first n-type metal electrodes 8 located above the n-type diffusion regions 4 and formed to embed the insides of the first openings 6.例文帳に追加

また、ｐ型拡散領域３の上方の第１開口部６の内部を埋め込むように形成された第１ｐ型金属電極７と、ｎ型拡散領域４の上方の第１開口部６の内部を埋め込むように形成された第１ｎ型金属電極８とを備えている。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、Ｐ型またはＮ型シリコン基板に、Ｎ型またはＰ型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

First conductivity impurities of large mass are diffused under the extension high-concentration impurity diffusion layers 15, by which a P-type pocket impurity diffusion layer 16 is formed under the impurity diffusion layers 15.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層１５の下側には、質量の大きい第１導電型の不純物が拡散されることにより形成されたｐ型のポケット不純物拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

The backlight device 4 and a liquid crystal cell 3 which use the heat-resistant light diffusion plate 10 or the multilayer light diffusion plate 10 as a light diffusion plate 10 are provided on a direct type liquid crystal display 2.例文帳に追加

光拡散板１０として本発明の耐熱性光拡散板１０または上記多層光拡散板１０を用いたバックライト装置４、液晶セル３と共に直下型液晶ディスプレイ２に備えられる。 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

Instead of the p-type diffusion layer 2, a trench gate structure may be disposed as the leakage restraining structure.例文帳に追加

Ｐ型拡散層２の代わりに、トレンチゲート構造部をリーク抑制構造部として配置してもよい。 - 特許庁

P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR BATTERY ELEMENT例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

N-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR BATTERY ELEMENT例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

A first conductivity type high concentration diffusion layer 111 is formed all over a contact region 120.例文帳に追加

コンタクト領域１２０の全域に第１導電型の高濃度拡散層１１１が形成されている。 - 特許庁

Then p-type deep expansion diffusion areas 15a and 15b are formed by activating heat-treatment.例文帳に追加

その後、活性化熱処理により、ｐ型の深部膨張形拡散領域１５ａ，１５ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a p-type diffusion layer formation composition capable of forming a p-type diffusion layer and a back electrode while suppressing occurrences of internal stress in a silicon substrate and substrate warpage, in a manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a solar cell formed by using the p-type diffusion layer formation composition.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつｐ型拡散層および裏面電極を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。 - 特許庁

With a mask pattern 9 formed on a first conductive type semiconductor substrate 1 as a mask, a pair of first low-concentration diffusion regions 4 of second conductive type and a pair of second low-concentration diffusion regions 3 of a second conductive type which is deeper than the first low-concentration diffusion region 4 and of high concentration are formed.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成したマスクパターン９をマスクとして、第２導電型の一対の第１低濃度拡散領域４と、第１低濃度拡散領域４よりも深くかつ高濃度の第２導電型の一対の第２低濃度拡散領域３と、を形成する。 - 特許庁

To provide a movable-type dust collecting hood apparatus for preventing diffusion of powder dust in the circumference of a work area.例文帳に追加

作業場周辺に粉塵が飛散するのを防止する移動式集塵フード装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a spray type combustion device which prevents a fuel diffusion plate from falling off and seldom breaks down.例文帳に追加

燃料拡散板の脱落を防止し、故障の少ない噴霧式燃焼装置の開発を課題とする。 - 特許庁

After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147.例文帳に追加

その後、基板上に第２の層間絶縁膜１４７を堆積し、第２の層間絶縁膜１４７を貫通して応力緩和用金属パッド１５２，Ｐ型拡散層上第１プラグ１６０ｐに到達するＮ型拡散層上第２プラグ１７０ｎ，Ｐ型拡散層上第２プラグ１７０ｐを形成する。 - 特許庁

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.例文帳に追加

不純物拡散領域１２，１３が形成されたＮ型シリコンウエル領域１１の表面を層間絶縁膜１５で覆い、この上にＮ型不純物拡散領域１３の境界線まで広げたメタル配線層２１を形成し、これをＰ型不純物拡散領域１２に電気的に接続する。 - 特許庁

Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region using the liquid form impurity source.例文帳に追加

これにより、液状不純物源を使用してｎ形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁

The diffusion layer (12) has a conductivity type reverse from that of the source/drain region (13).例文帳に追加

ソース／ドレイン領域（１３）の導電型に対する拡散層（１２）の導電型が逆の極性となっている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LENS SHEET WITH LIGHT-SHIELDING LAYER, OPTICAL DIFFUSION SHEET, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND REAR PROJECTION TYPE DISPLAY例文帳に追加

遮光層付きレンズシートの製造方法、光拡散シート、その製造方法及び背面投影型ディスプレイ - 特許庁

Then an n-type source region 9 is formed in the substrate 1 by injecting arsenic (As^-) into the substrate 1 through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

次に、ヒ素（Ａｓ^−）をイオン注入、熱拡散して、ｎ＋型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

INTERNAL LATENT IMAGE TYPE DIRECT POSITIVE SILVER HALIDE EMULSION AND COLOR DIFFUSION TRANSFER PHOTOSENSITIVE MATERIAL USING SAME例文帳に追加

内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤及びそれを用いたカラー拡散転写感光材料 - 特許庁

An N+ semiconductor region 12 is formed at a lower part 3a of a p-type diffusion region 3 where a channel is generated.例文帳に追加

チャネルが生じるｐ型拡散領域３の下部３ａにｎ^+半導体領域１２を形成する。 - 特許庁

To reduce the power consumption of a MOS type sensor including a floating diffusion (FD) amplifier in each pixel.例文帳に追加

画素にフローティングディフュージョン（ＦＤ）型アンプを内蔵したＭＯＳ型センサの消費電力を削減する。 - 特許庁

A P type diffusion layer 5 used as a back gate region is formed on the epitaxial layer 2.例文帳に追加

エピタキシャル層２には、バックゲート領域として用いられるＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 14 is disposed between a source region and the drain region of an MOS transistor 1.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層１４は、ＭＯＳトランジスタ１のソース−ドレイン領域間に配置される。 - 特許庁

First and second diffusion layers 54 and 52 of first conductivity-type are formed in the source region Sc.例文帳に追加

ソース領域Ｓｃに、第１導電型の第１及び第２の拡散層５４、５２とが形成される。 - 特許庁

A decorative plate 60 of a transflective reflection type is arranged on the front side of the second diffusion film 302.例文帳に追加

第２拡散フィルム３０２の正面側には、半透過反射型の化粧板６０が配設されている。 - 特許庁

A channel region 35 is formed between the first and second N-type impurity diffusion layers 41, 42.例文帳に追加

第１および第２Ｎ型不純物拡散層４１，４２の間にチャネル領域３５が形成されている。 - 特許庁

Moreover, the second P-well area 55b is connected to GND, and the N-type diffusion areas 53 are connected to the connection node 90.例文帳に追加

第2Pウェル領域55bがGNDに接続され、N型拡散領域53が接続ノード90に接続されている。 - 特許庁