「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a light diffusion film which has high front brightness characteristic and is excellent in screen symmetry, and to provide a direct type surface light source which uses the light diffusion film and makes a liquid crystal image bright, clear and visible.例文帳に追加

高い正面輝度特性と画面均斉度に優れた光拡散フイルムと、それを用いた液晶画像を明るく鮮明かつ見易くする直下型面光源を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of light diffusion plate for just-under type backlight, a composite sheet consisting of at least transparent resin (a) and glass fiber (b) is punched by a mold and is used as a light diffusion plate.例文帳に追加

少なくとも透明樹脂（ａ）およびガラス繊維（ｂ）からなる複合シートを金型で打ち抜いて拡散板として用いる直下型バックライト用拡散板の製造方法。 - 特許庁

The reflection type screen 1 has a sheet-like substrate 10, a diffusion layer 40 disposed on one surface of the substrate 10 and a reflective layer 30 disposed on the substrate surface on the side opposite to the diffusion layer 40.例文帳に追加

反射型スクリーン１は、シート状の基材１０と、基材１０の片面に設けた拡散層４０と、拡散層４０の反対側の基材面に設けた反射層３０とを有する。 - 特許庁

By this structure, the lateral diffusion width of a P-type diffusion layer 13 in the separation region 1 is suppressed, and the formation region of the separation region and the device size of the MOS transistor are reduced.例文帳に追加

この構造により、分離領域１のＰ型の拡散層１３の横方向拡散幅が抑制され、分離領域の形成領域及びＭＯＳトランジスタのデバイスサイズが低減される。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

The n^--type diffusion areas 44S and 44D are formed in source forming areas S and a drain forming area D respectively in the substrate 40 sandwiching the gate electrodes 42 and n^+-type distribution areas 45S and 45D are formed respectively under the n^--type diffusion areas 44S and 44D.例文帳に追加

このゲート電極４２を挟んで基板４０中のソース形成領域Ｓ及びドレイン形成領域Ｄに、ｎ^−型拡散領域４４Ｓ，４４Ｄをそれぞれ形成し、そのｎ^−型拡散領域４４Ｓ，４４Ｄの下にｎ^＋型拡散領域４５Ｓ，４５Ｄをそれぞれ形成した。 - 特許庁

An N-type first impurity diffusion region that includes a drain region 12 and a drain-side drift region 7 and an N-type second impurity diffusion region that includes a source region 13 and a source-side drift region 8 are formed on a P-type well 10, with a channel region ch interposed therebetween.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０上に、チャネル領域ｃｈを隔てて、ドレイン領域１２及びドレイン側ドリフト領域７を含むＮ型の第一不純物拡散領域と、ソース領域１２及びそース側ドリフト領域８を含むＮ型の第二不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタは、Ｐ型シリコン基板１の上面部に形成されたＮ型拡散領域２を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜３を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４を上部電極としている。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

A p-type second well 23 and an n-type layer 24 in a stray diffusion layer type output circuit are formed in self-alignment ways to completely deplete the p-type second well 23 around the n-type layer 24 and eliminate the parasitic capacity around the peripheral part of the junction.例文帳に追加

浮遊拡散層型出力回路におけるｐ型第二ウエル２３とｎ型層２４を自己整合で形成することによって、ｐ型第二ウエル２３をｎ型層２４の周辺で完全に空乏化し接合周辺部分の寄生容量をなくした。 - 特許庁

An n-type source layer 10 shallowly formed by diffusion formation is arranged at the p-type base layer 4 so that the thyristor may not be latched-up, and a cathode electrode 11 is formed in such a manner that it contacts to the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10, simultaneously.例文帳に追加

ｐ型ベース層４には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたｎ型ソース層１０が設けられ、カソード電極１１はｐ型ドレイン層９とｎ型ソース層１０に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁

In the p-type base layer 4, a shallow diffusion-formed n-type source layer 10 is provided to prevent the thyristor from latching up, and the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10 are simultaneously contacted to form a cathode electrode 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層４には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたｎ型ソース層１０が設けられ、カソード電極１１はｐ型ドレイン層９とｎ型ソース層１０に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁

First and second n-type semiconductor parts 203a and 203b are provided on the surface of the p-type semiconductor layer 202, while a p-type surface diffusion part 206 is provided between the first and second n-type semiconductors 203a and 203b.例文帳に追加

Ｐ型半導体層２０２の表面部分に、第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂをすると共に、この第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂの間に、Ｐ型表面拡散部２０６を備える。 - 特許庁

To provide a coating fluid composition in order to form a light diffusion film suitable for coating a glass surface of a pipe type light bulb therewith.例文帳に追加

管球などのガラス表面への塗布に適した光拡散膜を形成するための塗布液組成物を提供する。 - 特許庁

The air is struck to the chemical impregnation body 1 by a blower 12 of the fan type chemical diffusion apparatus 10 to diffuse the chemical.例文帳に追加

ファン式薬剤拡散装置１０の送風機１２により空気を薬剤含浸体１に当て、薬剤を拡散させる。 - 特許庁

N+-type source and drain diffusion layers 16 (16S and 16D) are arranged in a self-aligning way on both sides of the gate electrode 14.例文帳に追加

Ｎ^+ 型のソース，ドレイン拡散層１６（１６Ｓ，１６Ｄ）は、ゲート電極を隔てて自己整合的に配されている。 - 特許庁

A metal layer 57 contacting the n-type buried diffusion layer 21 is formed on the rear surface 56 side of the substrate.例文帳に追加

そして、基板の裏面５６側には、Ｎ型の埋込拡散層２１とコンタクトする金属層５７が形成されている。 - 特許庁

A metal layer 55 contacting the n-type buried diffusion layer 19 is formed on the rear surface 54 side of the substrate.例文帳に追加

そして、基板の裏面５４側には、Ｎ型の埋込拡散層１９とコンタクトする金属層５５が形成されている。 - 特許庁

In the back gate region, a concentration profile is formed gently in a region for forming an N type diffusion region 25.例文帳に追加

そして、バックゲート領域では、Ｎ型の拡散層２５が形成される領域の濃度プロファイルを緩やかに形成する。 - 特許庁

LAMINATED LIGHT GUIDE PLATE, LAMINATED DIFFUSION PLATE, EDGE-LIGHT TYPE BACKLIGHT DEVICE, DIRECT-DOWN BACKLIGHT DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

積層型導光板、積層型拡散板、エッジライト型バックライト装置、直下型バックライト装置および液晶表示装置 - 特許庁

To prevent the deterioration of the crystal quality of an active layer of a ZnO-based compound semiconductor element due to the diffusion of an n-type dopant.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をｎ型ドーパントの拡散によって落とさない。 - 特許庁

To prevent degradation of withstand voltage between the adjacent same-conductivity type diffusion layers interposing a trench groove.例文帳に追加

トレンチ溝を挟んで隣接する同一の導電型の拡散層同士の間の耐圧の低下を防止できるようにする。 - 特許庁

On a side face of the columnar semiconductor 14, silicide 18 and an n-type diffusion layer (impurity region) 19 are formed.例文帳に追加

柱状半導体１４の側面には、シリサイド１８及びｎ型拡散層（不純物領域）１９が形成されている。 - 特許庁

A P type SOI layer functioning as a base diffusion layer is formed to surround them, and a conductive layer 22 is formed thereon.例文帳に追加

それらを囲むように、ベース拡散層として機能するP型SOI層を形成し、その上に導電層２２を形成する。 - 特許庁

The mentioned structure can suppress diffusion of Zn from the p-type InP substrate 1 to the InGaAsP MQW active layer 6.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型InP基板１からInGaAsP MQW活性層６へのZnの拡散を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a high polymer electrolyte type fuel cell provided with a gas diffusion layer which has water repellence and moderate water retentivity.例文帳に追加

撥水性と適度の保水性を有するガス拡散層を備えた高分子電解質型燃料電池を提供する。 - 特許庁

PREPREG OF NORMAL-TEMPERATURE DIFFUSION CURE TYPE, ITS PRODUCTION METHOD, AND FASTENING EXECUTION METHOD FOR CONCRETE CONSTRUCTION UTILIZING THE SAME例文帳に追加

常温拡散硬化型プリプレグ及びその製造方法、並びにそれを利用したコンクリート構造物の緊締施工方法 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 21 to be used as the collector region is exposed from a rear surface 56 of the substrate 4.例文帳に追加

基板４の裏面５６からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２１が露出している。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 19 to be used as the collector region is exposed from a rear surface 54 of the substrate 4.例文帳に追加

基板４の裏面５４からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層１９が露出している。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, a thin gate oxide film 12 is formed on the upper surface of a P type diffusion layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の拡散層５上面には薄いゲート酸化膜１２が形成されている。 - 特許庁

And then, a p-type diffusion layer 18 is formed using the openings 21 by ion implantation according to a self-aligning technique.例文帳に追加

そして、該開口部２１を用いて、自己整合技術によりＰ型の拡散層１８をイオン注入により形成する。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 20 to be used as the drain region is exposed from a rear surface 49 of the substrate 3.例文帳に追加

基板３の裏面４９からはドレイン領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２０が露出している。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 18 to be used as the drain region is exposed from a rear surface 47 of the substrate 3.例文帳に追加

基板３の裏面４７からはドレイン領域として用いられるＮ型の埋込拡散層１８が露出している。 - 特許庁

When volumetric phase transmission type hologram is photographed, luminous intensity distribution on a diffusion screen surface which is to be an object light is controlled.例文帳に追加

体積位相透過型ホログラムの撮影の際、物体光となる拡散スクリーン表面での配光分布を制御する。 - 特許庁

In the vertical PNP transistor 21, on the other hand, the forming area of the transistor 21 is surrounded by an N^+-type diffusion region 38.例文帳に追加

一方、縦型ＰＮＰトランジスタ２１では、Ｎ＋型拡散領域３８でトランジスタ２１形成領域を囲っている。 - 特許庁

A p^- type diffusion layer 6 is formed, so as to be extended to the lower layer from the inner side (channel side) of a source region 4 or a drain region 5.例文帳に追加

ソース領域４又はドレイン領域５の内側（チャネル側）から下層にかけてｐ^-型拡散層６を延設する。 - 特許庁

To provide a diffusion plate for direct type liquid crystal backlight capable of selecting total light beam transmittance and haze value on the user side.例文帳に追加

ユーザサイドで全光線透過率およびヘイズ値を選択可能な直下型液晶バックライト用拡散板の提供。 - 特許庁

An impurity diffusion region whose conductivity-type is opposite to that of a well under an element isolation region is made to serve as a shielding layer.例文帳に追加

また、素子分離領域下のウエルにこれとは逆導電型の不純物拡散領域をシールド層としてもよい。 - 特許庁

Further, an n-well region 15 of the SCR 11 is connected to a drain diffusion zone 32 of an n-type MOSFET 31.例文帳に追加

さらに、ＳＣＲ１１のＮウェル領域１５は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ３１のドレイン拡散層３２に接続されている。 - 特許庁

Orthologues of PvTRET1 (Trehalose transporter of P. vanderplanki) are widely conserved in insects and all of the orthologues had facilitated diffusion type trehalose transportation activity.例文帳に追加

PvTRET1のオーソログは昆虫で広く保存されており、それらは全て促進拡散型トレハロース輸送活性を有していた。 - 特許庁

In this way, the p^+-type diffusion layer 4 touches the titanium layer 6 via the openings 5a and 5b of a silicided block layer 5.例文帳に追加

これにより、Ｐ＋型拡散層４はシリサイドブロック層５の開口部５ａ，５ｂを介してチタン層６と接触する。 - 特許庁

A pn junction 6s is formed to the semiconductor columns 10a to 10c that is longer than diffusion depth of the p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型の不純物の拡散深さよりも長い半導体コラム１０ａ〜１０ｃにはｐｎ接合６ｓが形成される。 - 特許庁