「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Since a P-type implantation layer 14 eliminates compensation, lateral diffusion is accelerated in the channel regions of the N-type source layer 11 and N-type drain layer 12 of a high breakdown strength transistor.例文帳に追加

このため、Ｐ型注入層１４によってコンペンセーションが生じなくなり、高耐圧トランジスタのＮ−型ソース層１１、Ｎ−型ドレイン層１２のチャネル領域における横方向の拡散が促進される。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 111a is formed on a surface part of the n-type epitaxial layer 104 being isolated from the p-type silicon substrate 101 and made a top gate of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｐ型シリコン基板１０１から離れて前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＰ型拡散層１１１ａを形成し、接合型電界効果トランジスタ１５１のトップゲートとする。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed by injecting ions onto an n-type semiconductor substrate 15 and an n-type resistive element region 13 is formed by injecting ions onto the surface layer of the layer 12.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１５の上にイオン注入によってｐ型の拡散層１２を形成し、拡散層１２の表面層にイオン注入によってｎ型の抵抗素子領域１３を形成する。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes gate electrode parts G21a-G21c formed over a P type diffusion region, an N type diffusion region, and an element isolation region, and arranged on a diffusion region; and a plurality of gate polysilicon films G20a-G20c having gate wiring parts G22a-G22c arranged on the element isolation region.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型拡散領域，Ｎ型拡散領域及び素子分離領域に跨って形成され、拡散領域上に位置するゲート電極部Ｇ２１ａ〜Ｇ２１ｃと、素子分離領域上に位置するゲート配線部Ｇ２２ａ〜Ｇ２２ｃとを有する複数のゲートポリシリコン膜Ｇ２０ａ〜Ｇ２０ｃを備えている。 - 特許庁

The gate electrode 5B, p-type diffusion region, and a first-layer wiring M1H are connected to each other at a shared contact 9A1 and the gate electrode 5E, an n-type diffusion region 7A6, and a first-layer wiring M1I are connected to one another at a shared contact 9A2.例文帳に追加

ゲート電極５ＢおよびＰ型拡散領域と１層目配線Ｍ１Ｈとはシェアードコンタクト９Ａ１で接続され、ゲート電極５ＥおよびＮ型拡散領域７Ａ６と１層目配線Ｍ１Ｉとはシェアードコンタクト９Ａ２で接続される。 - 特許庁

A floating diffusion region 131 formed in the p-type impurity layer 113 and a transfer gate electrode 123 formed surrounding the floating diffusion region 131 are provided on the first surface 1 side on the n-type impurity layer 111.例文帳に追加

ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。 - 特許庁

The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加

接合が形成されているソース２０５はバリアメタル２０６によりアロイスパイクが抑制され、Ｐ型拡散層３０１ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、Ｐ型拡散層３０１の電位が安定化される。 - 特許庁

In this fiber-reinforced light metallic cylinder liner, matrix light metal is formed on an inner side of the cylinder liner with preliminarily fiber formed body for the particle diffusion type or particle non-diffusion type fiber-reinforced light metallic cylinder liner cast therein.例文帳に追加

粒子分散型または粒子非分散型繊維強化軽金属製シリンダライナ用の繊維予備成形体を鋳込んでマトリックス軽金属がシリンダライナの内側に形成されて鋳造されたことを特徴とする繊維強化軽金属製シリンダライナである。 - 特許庁

Moreover, a N-type buried diffusion (BDN) layer and a P-type buried diffusion (BDP) layer are adopted to replace the contacts in the layout of conventional decoder, such that the layout can be simplified and the bump pad pitch thereof can be decreased.例文帳に追加

また、Ｎ型埋込拡散（ＢＤＮ）層及びＰ型埋込拡散（ＢＤＰ）層を採用して従来のデコーダのレイアウトにおけるコンタクトを置換しているので、レイアウトを簡素化できるとともにそのバンプパッドのピッチを減少させることができる。 - 特許庁

N-type first and second electrode diffusion layers 221 and 222 and a p-type third electrode diffusion layer 23 are formed in the same step as that at the time, when an n-channel or p-channel MOSFET source/drain region is formed.例文帳に追加

Ｎチャネル型やＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域の形成時と同一の工程でＮ型の第１電極用拡散層２２１及び第２電極用拡散層２２２、Ｐ型の第３電極用拡散層２３を形成する。 - 特許庁

In a region RB, a P-type well 4a to be a base B, an N+ diffusion region 15a to be an emitter E, and a bottom N-type well 6 to be a collector C are formed.例文帳に追加

領域ＲＢには、ベースＢとなるＰ型ウェル４ａ、エミッタＥとなるＮ＋拡散領域１５ａおよびコレクタＣとなるボトムＮ型ウェル６が形成されている。 - 特許庁

A plurality of transistor elements connected in parallel with each other are formed on a p-type substrate 8, and a well contact 1 is configured of a p-type diffusion layer so as to surround them.例文帳に追加

互いに並列接続された複数のトランジスタ素子をＰ型基板８上に形成し、これらを取り囲むようにウェルコンタクト１をＰ型拡散層により構成する。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion regions (body region 2) are regularly formed on, for example, on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１とするたとえばｎ形の半導体層の表面側に規則的にｐ形の拡散領域（ボディ領域２）が複数個形成されている。 - 特許庁

In a guard ring region 3, second diffusion layers 3a, 3b, 3c of a second conductivity type are provided in the main surface of a semiconductor substrate 5 of a first conductivity type.例文帳に追加

ガードリング領域３において、第１導電型の半導体基板５の主面に、ガードリングとなる第２導電型の第２拡散層３ａ、３ｂ、３ｃが設けられている。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部３３及び分離部３２は、前記ｎ型拡散層４よりも浅く、且つ基板１のｐ型ウェル２よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

To fabricate a high performance silicon carbide power device enabling preferable diffusion from a deep p-type implant region to a surface of a silicon carbide surrounding a shallow n-type implant region.例文帳に追加

深いｐ型注入領域から浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコンの表面への好ましい拡散が可能な高性能炭化シリコン・パワーデバイスを製造する。 - 特許庁

To prevent the epitaxial growth of an n-type polycrystalline silicon film connecting the storage node electrode of a trench capacitor to the n-type source/drain diffusion layer of an MOS (metal oxide semiconductor) transistor.例文帳に追加

トレンチキャパシタのストレージノード電極とＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層とを接続するｎ型多結晶シリコン膜のエピタキシャル成長を防止すること。 - 特許庁

Namely, the source area 16S is formed on the surface of the P--type body diffusion layer 15 and the drain area 16D is formed on the N--type well 112.例文帳に追加

すなわち、ソース領域１６Ｓは、上記Ｐ^- 型ボディー拡散層１５の表面上に形成され、ドレイン領域１６Ｄは、Ｎ^- 型ウェル１１２上に形成されている。 - 特許庁

An n-well 10 having no p-type diffusion layer inside is formed between pads 5 and the outside device region 4 on a chip formed by a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１により形成されたチップ上の、パッド５と外側素子領域４との間に、その内部にＰ型拡散層を有さないＮウェル１０が形成される。 - 特許庁

Injecting ions of impurity elements through the reflection preventing film 12 form N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 in the light receiving region.例文帳に追加

前記受光領域のＮ型およびＰ型不純物拡散層３２，３３は、反射防止膜１２を通して不純物元素をイオン注入することによって形成される。 - 特許庁

To provide a high pressure discharge lamp having an improved total luminous flux almost equal to or more than a transparent type or a correlated color temperature almost equal thereto even in a diffusion type.例文帳に追加

拡散形であっても透明形とほぼ同等ないしはさらに向上する全光束、またはほぼ同等な相関色温度を有する高圧放電ランプを提供する。 - 特許庁

A body region 2, comprising a plurality of regular p-type diffusion regions, is formed on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１となるｎ形の半導体層の表面側に規則的に複数個のｐ形拡散領域からなるボディ領域２が形成されている。 - 特許庁

A guard ring 6 is a circular diffusion layer formed to surround a periphery of the P+ type layer 4 and the N+ type layer 5, and the ring mainly improves breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング６は、Ｐ＋型層４とＮ＋型層５との周囲を取り囲むように形成した環状の拡散層であり、主に耐圧を向上させるためのものである。 - 特許庁

In order to reduce the on-resistance of the MOSFET, and at the same time, to increase the breakdown voltage of the MOSFET, a p+-type diffusion layer 13 having a cavity 14 inside is formed in an n- type epitaxial Si layer 12.例文帳に追加

低オン抵抗かつ高耐圧を実現するために、内部に空洞１４を有するｐ^+ 型拡散層１３をｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層１２内に形成する。 - 特許庁

The diffusion prevention layer is formed between the p-type semiconductor substrate and the mesa structure part and between the p-type semiconductor substrate and the semi-insulating semiconductor embedded layer.例文帳に追加

拡散防止層は、ｐ型半導体基板とメサ構造部の間、及び、ｐ型半導体基板と半絶縁性半導体埋込層との間に設けられている。 - 特許庁

According to the structure, the area can be reduced significantly as compared with a connection structure of the n+ type source region 5 and the p+ type silicon substrate 1 employing a deep diffusion layer.例文帳に追加

この構成により深い拡散層によるｎ＋型ソース領域５とｐ＋型シリコン基板１の接続構造に比べて、大幅に面積を縮小することができる。 - 特許庁

The ESD protection circuit 110 includes a bipolar transistor 121 comprising a first diffusion layer 115 of a first conductive type connected to a high potential power supply VDD, a second diffusion layer 114B of a second conductive type connected to a low potential power supply VSS, and a third diffusion layer 14A of the second conductive type connected to an input/output pad 101.例文帳に追加

本発明によるＥＳＤ保護回路１１０は、高電位電源ＶＤＤに接続される第１導電型の第１拡散層１１５と、低電位電源ＶＳＳに接続される第２導電型の第２拡散層１１４Ｂと、入出力パッド１０１に接続される第２導電型の第３拡散層１４Ａとによって形成されるバイポーラトランジスタ１２１を具備する。 - 特許庁

P-type impurity is diffused into a semiconductor substrate 100 with an n-type semiconductor region 1 and an n^--type semiconductor region 2a formed thereon through heat diffusion method, until a predetermined depth is obtained to form an n^--type semiconductor region 2 and a p-type semiconductor region 3a.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１及びｎ^−型半導体領域２ａが形成された半導体基板１００に、熱拡散法によってｐ型不純物を所定の深さまで拡散させ、ｎ^−型半導体領域２及びｐ型半導体領域３ａを形成する。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁

A p^++-type first diffused layer 11 is formed on the surface of an n^--type semiconductor substrate 10 by diffusing a p-type impurity, and an n-type fourth diffused layer 14 shallower than the first diffusion layer 11 is formed on the surface of the substrate 10 by diffusing an n-type impurity.例文帳に追加

Ｎ^−型半導体基板１０の表面にＰ型不純物の拡散によって、Ｐ^＋＋型の第一拡散層１１が形成され、基板１０の表面にＮ型不純物の拡散によって、第一拡散層１１より浅いＮ型の第四拡散層１４が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of unidirectional diffusion plate capable of manufacturing a diffusion plate having a fine relief pattern of the order of several micrometer pitch which can be used also for a high precision display device, and to provide a surface relief type diffusion plate.例文帳に追加

本発明は、高精細なディスプレイ装置にも用いることができるような、数μｍピッチ程度の細かいレリーフパターンの拡散板の作成ができるような、一方向性拡散板の作成方法および表面レリーフ型拡散板を提供することを目的としている。 - 特許庁

In this near field light probe provided with a through hole 4 having the micro-opening 3 in the photodetector including the first conductive type semiconductor layer 1 and a second conductivity type impurity diffusion layer 2, the second conductivity type impurity diffusion area 5 is provided along an inner circumference of the through-hole 4 in the first conductivity type semiconductor layer 1.例文帳に追加

第一導電型の半導体層（１）及び第二導電型の不純物拡散層（２）を含む光検出器に微小開口（３）を有する貫通孔（４）を設けた、本発明の近接場光プローブは、第一導電型の半導体層（１）に、貫通孔（４）の内周に沿って、第二導電型の不純物拡散領域（５）を設けた。 - 特許庁

The semiconductor device 20 is provided with a trench 3 formed in an n-type well region 2a of an epitaxial layer 2, an embedded electrode 5 formed inside the trench 3, and a bidirectional zener diode which is formed in a p^--type region 2b of the epitaxial layer 2 and is composed of a plurality of n^+-type diffusion regions 7 and p^+-type diffusion regions 8.例文帳に追加

この半導体装置２０は、エピタキシャル層２のｎ型ウェル領域２ａに形成されたトレンチ３と、トレンチ３の内面上に形成された埋め込み電極５と、エピタキシャル層２のｐ^-型領域２ｂに形成され、複数のｎ^+型拡散領域７およびｐ^+型拡散領域８によって構成された双方向ツェナーダイオードとを備えている。 - 特許庁

To provide a transmission type screen excellent in angle-of-visibility characteristic and light utilization efficiency, to provide a lens base plate with a diffusion part suitably used for the transmission type screen, and also to provide a rear type projector equipped with the transmission type screen.例文帳に追加

視野角特性、光利用効率に優れた透過型スクリーンを提供すること、前記透過型スクリーンに好適に用いることができる拡散部付きレンズ基板を提供すること、また、前記透過型スクリーンを備えたリア型プロジェクタを提供すること。 - 特許庁

A p-type well layer 11 added with indium or the like for example is formed on an n-type semiconductor substrate 10, and n^+-type deep diffusion layers 14 that are apart from each other as source and drain areas respectively are formed on the surface of the p-type well layer 11.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１０上に例えばインジウム等が添加されたｐ型ウェル層１１が形成され、ｐ型ウェル層１１表面に互いに離間して、ソースまたはドレイン領域となるｎ＋型ディープ拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４は、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５にドーピングされたｎ型不純物であるＳｅが、結晶成長中またはプロセス中にｐ型ＧａＡｓベース層５０３に拡散することを防止している。 - 特許庁

An N-well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1, and an N^+-diffusion area 3 (N-well potential control electrode) and P^+-diffusion area 4 (anode) are formed on the surface of the N-well.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にＮウエル２を形成し、Ｎウエル２の表面にＮ^＋拡散領域３（Ｎウエル電位制御用電極）及びＰ^＋拡散領域４（アノード）を形成する。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet which is for a transmission type screen, and which has excellent diffusion performance in such a way that an observer does not feel abnormal even when an image is observed while varying a viewing angle.例文帳に追加

透過型スクリーン用の光拡散シートであって、視野角を変えながら映像を観察した場合でも観察者が違和感を覚えることの無い良好な拡散性能の光拡散シートを提供する。 - 特許庁

A nozzle tip 14 of the washer nozzle is made to a constitution of "fluidics type nozzle" and a diffusion angle β of a diffusion flow is set to a larger angle than a predetermined angle W of a pair of injection side wall.例文帳に追加

ウォッシャノズルのノズルチップ１４は、「フルイディクス式ノズル」の構成とされており、拡散流の拡散角度βは、一対の噴射側壁の所定の角度Ｗよりも大きな角度に設定されている。 - 特許庁

An n+diffusion region 14 to which a high potential is to be applied is formed in the n-type semiconductor region 3 and is electrically connected with the n-diffusion region 5 by wiring 20 having a resistor R.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３の領域には、高電位が印加されるｎ+拡散領域１４が形成され、抵抗Ｒを有する配線２０によってｎ-拡散領域５と電気的に接続されている。 - 特許庁

A P-type first well region 300 lower in concentration than the push-in diffusion region 440 is formed in the semiconductor layer 200 partly overlapping the push-in diffusion region 440 in a plan view.例文帳に追加

押込拡散領域４４０よりも低濃度のＰ型の第１ウェル領域３００は、半導体層２００に、平面視で一部が押込拡散領域４４０と重なるように設けられている。 - 特許庁

To provide a diffusion spray nozzle of a type using an easily-manufactured nozzle piece which is simple in structure, easy to set the diffusion angle of spray mist and capable of obtaining a uniform spray density.例文帳に追加

簡単な構成でかつ噴射ミストの拡散角度の設定が容易であると共に均一な噴射密度が得られる製造も容易なノズル駒を使用した形式の拡散噴射ノズルを提供する。 - 特許庁

On the epitaxial layer 4, an embedded diffusion layer 13 connected so as to make continuity with the trench sidewall diffusion layer 9 is formed by diffusing P-type impurities into the epitaxial layer 4.例文帳に追加

エピタキシャル層４には、エピタキシャル層４中にＰ型不純物を拡散させることにより、トレンチ側壁拡散層９と導通可能に接続された埋め込み拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

On the epitaxial layer 4, an embedded diffusion layer 12 connected so as to make continuity with the trench sidewall diffusion layer 6 is formed by diffusing N-type impurities into the epitaxial layer 4.例文帳に追加

エピタキシャル層４には、エピタキシャル層４中にＮ型不純物を拡散させることにより、トレンチ側壁拡散層６と導通可能に接続された埋め込み拡散層１２が形成されている。 - 特許庁