「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a transfer film used for the manufacture of a diffusion reflection plate for reflection type LCD having good reflection characteristics.例文帳に追加

良好な反射特性を有する反射型ＬＣＤ用拡散反射板等の製造に使用される転写フィルムを提供する。 - 特許庁

Glass powder content ratio of the n-type diffusion layer forming composition is in the range of 1-90 mass%.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物のガラス粉末の含有比率は、１質量％以上９０質量％以下の範囲である。 - 特許庁

A metal layer 48 contacting the n-type buried diffusion layer 18 is formed on the rear surface 47 side of the substrate 3.例文帳に追加

そして、基板３の裏面４７側には、Ｎ型の埋込拡散層１８とコンタクトする金属層４８が形成されている。 - 特許庁

CAPILLARY TYPE CONNECTION PIPING WITH LESS DIFFUSION AND IMPROVED THERMAL CHARACTERISTIC FOR LIQUID CHROMATOGRAPHY, PARTICULARLY FOR HIGH PERFORMANCE LIQUID CHROMATOGRAPHY例文帳に追加

液体クロマトグラフィ用、特に高速液体クロマトグラフィ用の、拡散が少なく熱的特性を改善したキャピラリ形式の接続配管 - 特許庁

Before a second oxide layer is formed, first conductive type diffusion preventive regions are formed in each of the deep body areas.例文帳に追加

第２の酸化物層が形成される前に、第１の導電型の拡散防止領域が各深いボディエリア内に形成される。 - 特許庁

After the heating, the lamp 10 is turned off, and a wafer temperature is made uniform due to diffusion of wafer inner heat in the hot-wall type reaction furnace body 3.例文帳に追加

加熱後、ランプ１０を消灯し、ホットウォール反応炉体３内でウェハ内熱拡散によりウェハ温度を均一化させる。 - 特許庁

A p-type diffusion layer formation composition includes: metal particles; glass particles containing an acceptor element; a resin; and a solvent.例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物を、金属粒子と、アクセプタ元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。 - 特許庁

The n^+-diffusion layer 14 is connected to the n-type well 12 regarding the diode 17, and a current is controlled by the diode 17.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層１４は、ダイオード１７に係るＮ型ウェル１２と接続され、ダイオード１７によって電流が制御される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a silicide film having a small contact resistance on an N-type diffusion layer.例文帳に追加

Ｎ型拡散層上におけるコンタクト抵抗の小さいシリサイド膜を備えた半導体装置とその製造方法とを提供する - 特許庁

Further the n-type diffusion layer 6, polycrystal silicon film 7a, and silicon nitride film 8 are enclosed with a side wall film 9 comprising an insulating film.例文帳に追加

さらにｎ型拡散層６、多結晶シリコン膜７ａ、及びシリコン窒化膜８は、絶縁膜からなる側壁膜９で囲う。 - 特許庁

An n^--type diffusion layer 4 is formed in an SOI layer on an SOI substrate, an unnecessary part is removed, and a collector region is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上のＳＯＩ層にＮ^-型拡散層４を形成し、不要部分を除去してコレクタ領域を形成する。 - 特許庁

To prevent ghost caused by diffused light in a finder system using a diffusion type liquid crystal panel.例文帳に追加

拡散型液晶パネルを用いているファインダ装置において、拡散光に起因するゴーストが生じないファインダ装置の提供。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING CARBONACEOUS FIBER-WOVEN FABRIC AND GAS DIFFUSION LAYER MATERIAL FOR SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL例文帳に追加

炭素質繊維織布の製造方法及び炭素質繊維織布並びに固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料 - 特許庁

This manufacturing method makes it possible to form, in the offset region, the p-type diffusion layer used as a drain region with high accuracy of position.例文帳に追加

この製造方法により、オフセット領域にドレイン領域として用いるＰ型の拡散層を位置精度良く形成できる。 - 特許庁

Next, by using the gate electrode layer 115 as a mask, the impurity is introduced and thus a low concentration impurity diffusion layer of an N type is formed.例文帳に追加

次に、ゲート電極層１１５をマスクにして不純物を導入し、Ｎ型の低濃度不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 19 has trench structure where an n- type diffusion layer 15a is formed on the side face of a trench 12.例文帳に追加

ゲート電極１９はトレンチ構造となっており、このトレンチ１２の側面にｎ^-型の拡散層１５ａが形成されている。 - 特許庁

In each memory cell, an N-type first impurity diffusion area 3 is formed in a top layer of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

各メモリセルにおいて、半導体基板２の表層部には、Ｎ型の第１不純物拡散領域３が形成されている。 - 特許庁

A p^+type diffusion layer 3 whose resistivity is about 0.01 Ω.cm is provided between the semiconductor substrate 2 and the CMOS 5.例文帳に追加

また、半導体基板２とＣＭＯＳ５との間に、抵抗率が約０．０１Ω・ｃｍであるｐ^＋型拡散層３を設ける。 - 特許庁

To solve a problem that carriers generated from other than a P type heavily doped layer contribute, as a photocurrent, to diffusion and thus deteriorate the response.例文帳に追加

Ｐ型高濃度層以外からの生成キャリアが拡散により光電流として寄与してしまい、応答性が悪くなる。 - 特許庁

The P-type extension high-density diffusion layers 105 contain carbon on at least one side of both sides of the gate electrode 102.例文帳に追加

Ｐ型エクステンション高濃度拡散層１０６は、ゲート電極１０２の両側方のうちの少なくとも一方に炭素を含む。 - 特許庁

The pocket impurity diffusion layer 16 is possessed of a segregation part formed of segregated P-type impurities of large mass such as indium.例文帳に追加

ポケット不純物拡散層１６は、質量の大きいｐ型不純物例えばインジウムが偏析してなる偏析部を有している。 - 特許庁

The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain a boron nitride having a hexagonal crystal form, and a dispersion medium.例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物を、結晶形が六方晶である窒化ホウ素と、分散媒と、を含有して構成する。 - 特許庁

In the transmission type transparent screen, light-diffusion fine particles are two-dimensionally disposed at least on one surface of a light transmission support.例文帳に追加

光透過性支持体の少なくとも一方の面に、光拡散微粒子が２次元配置された透視可能な透過型スクリーン。 - 特許庁

In each resistive element, an island voltage V1 applied to the n-type layer from a pad p1 allows a pn junction formed at the connection section between the n-type layer and the p-type diffusion layer to be set to a backward bias state for composing a resistor.例文帳に追加

各抵抗素子は、パッドＰ１からＮ型層に印加される島電圧Ｖ１によって、Ｎ型層とＰ型拡散層との結合部に形成されるＰＮ接合が逆バイアス状態となり、抵抗体を構成する。 - 特許庁

One end 51 of the first P-type diffusion resistor 41 is connected to a drain of the second N-channel-type MOS transistor 31, and its other end is electrically connected to a second external terminal 402 and the first N-type well 8b.例文帳に追加

第１Ｐ型拡散抵抗４１の一端５１は、第２Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ３１のドレインに接続され、他端は第２外部端子４０２と第１Ｎ型ウェル８ｂとに電気的に接続される。 - 特許庁

In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加

本願発明は、Ｎ型カラムとＰ型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記Ｐ型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁

Furthermore, a heavily doped n type diffusion region 10 is formed on the surface of a region of the lightly doped n type epitaxial layer 3 where the p type well 4 is not formed and connected electrically with a power supply voltage.例文帳に追加

更に、前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３の前記ｐ型ウェル４が形成されていない領域表面に、高濃度ｎ型拡散領域１０を形成し、これを電源電圧と電気的に接続した。 - 特許庁

On a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11, a charge transmission path 13, floating diffusion region 14 composed of an n-type impurity region, n-type embedded region 16 and resetting drain region 15 are formed.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.例文帳に追加

一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁

In a SiC pn diode, a lower inclined plane 14 of a side surface of a mesa portion 13 extends from an upper end 14B above a diffusion position at a diffusion distance D above a junction surface 3A between an n-type drift layer 2 and a p-type layer 3 to a lower end 14A connected with an upper surface 2A of the n-type drift layer 2.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｎダイオードでは、メサ部１３の側面の下部傾斜面１４は、ｎ型ドリフト層２とｐ型層３との接合面３Ａから拡散距離Ｄだけ上方の拡散位置よりも上方の上端１４Ｂからｎ型ドリフト層２の上面２Ａに接続する下端１４Ａまで延在している。 - 特許庁

The isolation region 30 between the analog circuit region 10 and the digital circuit region 20 is constituted so as to comprise heavily doped P^+ type impurity regions 4 and an N type diffusion layer 2, which is formed so as to be apart from the impurity regions 4 and have portions of a P^- type substrate region 1 between the diffusion layer and the impurity regions.例文帳に追加

アナログ回路領域１０とデジタル回路領域２０との間の分離領域３０は、高不純物濃度のＰ^+ 型の不純物領域４と、不純物領域４から離間して間にＰ^- 型基板領域１の部分を有して形成されたＮ型の拡散層２とを具備して構成されている。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

In the oscillator circuit in which both terminals of a piezoelectric oscillator X are connected to input and output terminals of an amplifier A and an oscillating waveform is output from the output terminal of the amplifier A, a diode-type ESD protection circuit B1 having a P-type diffusion layer and an N-type diffusion layer is connected on the input side of the amplifier A.例文帳に追加

圧電振動子Ｘの両端子が増幅器Ａの入出力端子に接続され、増幅器Ａの出力端子から発振波形が出力される発振回路において、増幅器Ａの入力側に、Ｐ型拡散層とＮ型拡散層を有するダイオード型のＥＳＤ保護回路Ｂ１が接続されている。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

In the P-type silicon layer 3, every memory cell, N-type source and drain diffusion layers 7, 8 extended to the buried oxide film 2 are so formed that the region sandwiched between the source and drain diffusion layers 7, 8 becomes a body region 9 under a gate insulation layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層３には、メモリセル毎に、埋込酸化膜２まで達するＮ型のソース拡散層７及びドレイン拡散層８が形成され、ゲート絶縁膜５の下でソース拡散層７及びドレイン拡散層８に挟まれた領域がボディ領域９となっている。 - 特許庁

Furthermore, the impurity concentration of the low-concentration n-type impurity diffusion region 44 formed in the memory cell forming region is set lower than that of a low-concentration n-type impurity diffusion region 50 formed in a high-dielectric strength MISFET forming region.例文帳に追加

さらに、メモリセル形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の不純物濃度を、高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域５０の不純物濃度よりも薄くする。 - 特許庁

In a semiconductor device, an n+-type drain diffusion areas 4 which is formed as an impurity diffusion layer is formed in the n-type silicon layer (silicon active layer) of an SOI substrate constituted by forming the silicon layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1 through a silicon oxide insulating layer 2.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁層２を介してｎ形シリコン層（シリコン活性層）３を有するＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３に不純物拡散層たるｎ^+形ドレイン拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

By controlling potentials of the p-type diffusion layer 31 and the n-type diffusion layer 32 via wirings 33 and 34, a decline of the amount of saturated electric charge in the photoelectric conversion region 1 can be suppressed and electric charges generated excessively can be discharged.例文帳に追加

配線３３及び３４を介してｐ型拡散層３１及びｎ型拡散層３２の電位を制御することによって、光電変換領域１の飽和電荷量の低下を抑制したり、過剰に発生した電荷を排出したりすることが可能となる。 - 特許庁

A resist mask is formed and the p^+-type buried diffusion layer is formed by implanting ions to the opening section of the mask in this case but the opening section corresponding to a scribing line is not formed only by forming the opening section corresponding to the p^+-type buried diffusion layer to the resist mask.例文帳に追加

このとき、レジストマスクを形成し、その開口部にイオン注入することでＰ^＋型埋め込み拡散層を形成するが、レジストマスクには、Ｐ^＋型埋め込み拡散層に対応する開口部を形成するだけで、スクライブラインに対応した開口部は形成しない。 - 特許庁

Each of transistor elements comprises a drain 4 and a source 5 configured with a n-type diffusion layer, a gate 3 formed on a channel region between the drain 4 and the source 5, and the well contact 1 configured of a p-type diffusion layer at a position adjacent to the drain 4.例文帳に追加

各トランジスタ素子は、Ｎ型拡散層により構成されたドレイン４及びソース５と、ドレイン４とソース５との間のチャネル領域上に形成されたゲート３と、ドレイン４に隣接する位置にＰ型拡散層により構成されたウェルコンタクト１とを有する。 - 特許庁

When the conductivity type of the diffusion layer of a dummy cell region 22 is made opposite to that of the diffusion layers of adjacent memory cells, the diffusion layer formed in the dummy cell region 22 can also the used as a well potential supplying diffusion layer and the increase of the chip area caused by the increase of the split number of a memory cell array section can be suppressed.例文帳に追加

ダミーセル領域２２の拡散層の導電型をそれと隣接するメモリセルのセルの拡散層と逆にすれば、ダミーセル領域２２に形成される拡散層をウェル電位供給用拡散層として兼用することができ、メモリセルアレイ部の分割数が増大することによるチップ面積の増大を抑制することができる。 - 特許庁

The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加

結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第１の電極及び前記基板と電気的に接続する第２の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁

A PMOS transistor Q2 provided to short-circuit between a base and an emitter of an N type IGPT when turned off comprises a P diffusion area 5, P diffusion area 6 and a conductive film 10 and a second gate electrode 15 which are provided on a surface of an N-epitaxial layer 2 between the P diffusion area 5 and the P diffusion area 6 through a gate oxide film 21.例文帳に追加

ターンオフ時にＮ型のＩＧＢＴのベース・エミッタ間を短絡するために設けるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｐ拡散領域５、Ｐ拡散領域６、及びＰ拡散領域５、Ｐ拡散領域６間のＮ^−エピタキシャル層２の表面上にゲート酸化膜２１を介して設けられた導電膜１０及び第２ゲート電極１５により構成される。 - 特許庁

In this winding type roller blind, a blind sheet part is formed of a transparent or semi-transparent resin composition, and includes a light diffusion layer having a light diffusion function, an intermediate layer reflecting light from the light diffusion layer, and a light shielding layer formed of resin composition having light shielding property in this order.例文帳に追加

ブラインドシート部が、透明ないし半透明の樹脂組成物からなり、かつ、光拡散機能を有する光拡散層、光拡散層からの光を反射する中間層、および、遮光性を有する樹脂組成物からなる遮光層をこの順で有する巻上げ式ロールブラインド。 - 特許庁