「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the guard band cell 11 according to one embodiment of the present invention includes an N-type guard band diffusion layer NGB1 which is of conductive type as is an N well layer, and which is formed on the N well NW1.例文帳に追加

また、本発明の一態様に係るガードバンドセル１１は、ＮウェルＮＷ１の上に形成された、Ｎウェル層と同じ導電型であるＮ型ガードバンド拡散層ＮＧＢ１を有する。 - 特許庁

A plurality of cell gates 2 are formed at intervals on a principal surface of an n-type silicon substrate 1, and n-type diffusion layers 7 are formed in the principal surface of the silicon substrate 1 between the cell gates 2.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１の主面上に複数のセルゲート２が離間形成され、このセルゲート２間のシリコン基板１の主面ｎ型拡散層７が形成されている。 - 特許庁

Since the P-type semiconductor diffusion region 160 is provided, no potential barrier is provided on the way from the surface of silicon substrate 110 to the P-type well region 120.例文帳に追加

このＰ型半導体拡散領域１６０を設けたことにより、シリコン基板１１０の表面からＰ型ウエル領域１２０に至る間の中途位置でポテンシャルバリアをもたないものとなる。 - 特許庁

Further, the diffusion member of the incident light type photometry means 1 is incorporated inside a pop-up type strobe light part, a lens protective cover, etc., not to be projected outside when the camera is not used.例文帳に追加

またカメラの非使用時には入射光式測光手段１の拡散部材を外部に突出させないように、ポップアップ式のストロボ部やレンズ保護カバーなどの内側に組み込む。 - 特許庁

And the p-type epitaxial layer PEpi2 is connected to the ground via the p-type epitaxial layer PEpi1, the p-well PW, a p+ diffusion region PD5, a via V11 and wiring W11.例文帳に追加

そして、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２を、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１、ＰウエルＰＷ、ｐ^＋拡散領域ＰＤ５、ビアＶ１１及び配線Ｗ１１を介して接地端子に接続する。 - 特許庁

The anti-fuse 18 has a structure forming an electrode 16 through the insulating film 15 on an n^+- diffusion layer 14 having the reverse conductivity type to at least the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

アンチヒューズ１８は、少なくともＰ型半導体基板１１と逆導電型のＮ＋拡散層１４上に絶縁膜１５を介して電極１６が形成された構造をもつ。 - 特許庁

The silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１９が設けられている。 - 特許庁

A silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 16 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 19.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１８の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１６上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

To prevent the diffusion or the like of an element at a joint in a thermoelectric module employing N type and P type thermoelectric elements exhibiting excellent characteristics to a high temperature zone of 500°C or thereabout.例文帳に追加

温度が５００℃周辺の高温域まで優れた特性を有するＮ型及びＰ型の熱電素子を用いた熱電モジュールにおいて、接合部における元素の拡散等を防止する。 - 特許庁

At four corner parts of the n-type semiconductor layer region 130, a p type impurity diffusion region 170 is formed so that at least a part of it is in contact with the dielectric separation film 120.例文帳に追加

ｎ−型半導体層領域１３０の四隅部には誘電体分離膜１２０に少なくともその一部が接するようにｐ型不純物拡散領域１７０が形成される。 - 特許庁

The lateral double-diffused MOS transistor has a first conductivity type drift region 2 provided on a second conductivity type semiconductor substrate 1, and a body diffusion region 3 formed on the surface thereof.例文帳に追加

第２導電型の半導体基板１上に設けられた第１導電型のドリフト領域２と、その表面に形成された第２導電型のボディ拡散領域３を備える。 - 特許庁

Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜３及びゲート電極４をマスクとしてＮ型の不純物イオンを注入することで、Ｎ型のソース・ドレイン拡散領域６を複数離間形成する。 - 特許庁

The drain region 45 composed of the n-type diffusion layer is formed to the surface section of the p-type substrate/well 20 on the reverse side to the first storage 41 side of the gate electrode 44.例文帳に追加

このゲート電極４４の第１の蓄積部４１側とは反対側のｐ型基板／ウェル２０の表面部にｎ型拡散層からなるドレイン領域４５が設けられている。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

To provide an edge non-injecting type window-structure semiconductor laser in which the diffusion of Zn from a p-type clad layer to an active layer can be suppressed, and a method for manufacturing the laser.例文帳に追加

ｐ型クラッド層から活性層へのＺｎ拡散を抑制することができる端面非注入型の窓構造半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To facilitate atomization of fuel and thereby to improve emission characteristics in a combustor for a gas turbine engine which is constituted by combining a diffusion combustion type with a premixing/preevaporation combustion type.例文帳に追加

拡散燃焼方式および予混合・予蒸発燃焼方式を組み合わせたガスタービンエンジン用燃焼器において、燃料の微粒化を促進してエミッション特性の向上を図る。 - 特許庁

A second conductive type of first impurity diffusion region 13 is formed in a partial region of a surface of the first layer 12.例文帳に追加

第１の層１２の表面の一部の領域に第２導電型の第１の不純物拡散領域１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for spectral diffusion type radar systems in which any virtual image signal due to a nonlinear component of an active device is inhibited.例文帳に追加

能動素子の非線形成分に起因した虚像信号を抑制したスペクトル拡散型レーダ装置用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a mask ROM with the intervals between embedded type impurity diffusion regions shrunk efficiently, and also provide a method for its manufacturing.例文帳に追加

埋め込み型不純物拡散領域同士の間隔が効率良く縮められるマスクＲＯＭ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid tank type thermal shock testing device capable of reducing a consumption by diffusion of a bath liquid, and suitable for a test for a long period.例文帳に追加

浴液の拡散による消費が少なく、長期間の試験にも適した液槽式冷熱衝撃試験装置を提供する。 - 特許庁

To easily and efficiently produce aluminum oxide fine particle-including type polyorganosilsesquioxane particles excellent in light diffusion property, slippage and the like.例文帳に追加

光拡散性やすべり性等に優れた酸化アルミニウム微粒子内包型ポリオルガノシルセスキオキサン粒子を簡便かつ効率よく製造する。 - 特許庁

Then, a contact hole 10 reaching a part, where the p-type diffusion layer 5 of the silicon substrate 1 is formed, is formed on the interlayer dielectric 7.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜７に、シリコン基板１のｐ型拡散層５が形成された部位に達するコンタクトホール１０を形成する。 - 特許庁

The first diffusion layers 200 are each a second conductivity type, and are connected in parallel with each other to an input/output terminal of the semiconductor device.例文帳に追加

第１の拡散層２００は、第２導電型であり、半導体装置の入出力端子に互いに並列に接続している。 - 特許庁

The second clad layer 6 has a p-type impurity selective diffusion region 7 formed by selectively diffusing Zn.例文帳に追加

また、第２クラッド層６は、Ｚｎが選択拡散されることによって形成されたｐ型の不純物選択拡散領域７を有している。 - 特許庁

By such a structure, the N type diffusion layer 8 spreads in the vicinity of the surface of an epitaxial layer 4 and becomes a low concentration region.例文帳に追加

この構造により、エピタキシャル層４表面近傍では、Ｎ型の拡散層８の拡散領域は広がり、低濃度領域となる。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which a high-concentration impurity diffusion layer 9 is embedded in a polysilicon film as a gate electrode of the groove type transistor.例文帳に追加

溝型トランジスタのゲート電極であるポリシリコン膜中に高濃度不純物拡散材料９が埋設された構造を有する。 - 特許庁

In particular, this invention relates to the use of the SPF/DB ("Super Plastic Forming/Diffusion Bonding") process for this type non-hollow part.例文帳に追加

特に、本発明は、このタイプの非中空部品のためのＳＰＦ／ＤＢ（「超塑性成形／拡散接合」）方法の使用に関連している。 - 特許庁

Thus, the transportation efficiency of carriers passing the first conductive-type deep well diffusion layer is improved, thus realizing a reduced on-voltage.例文帳に追加

これにより、第１導電型のディープウェル拡散層を通過するキャリアの輸送効率を向上し、オン電圧の低減を実現する。 - 特許庁

Accordingly, diffusion of B at activation thermal treatment can be suppressed and areas made of p-type semiconductor are formed without spreading.例文帳に追加

これにより、活性化熱処理の際のＢの拡散が抑制され、ｐ型半導体で構成される各領域が広がらずに形成される。 - 特許庁

To provide a membrane type air diffusion device capable of producing fine air bubbles excellent in oxygen moving efficiency while suppressing a pressure loss.例文帳に追加

圧力損失を抑制しつつ、酸素移動効率に優れた微細気泡を生成することができるメンブレン式散気装置を提供する。 - 特許庁

The P-channel MOS transistor 109 is formed in an N well diffusion area formed on a substrate of a P conductivity type.例文帳に追加

このＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０９は、Ｐ導電型の基板上に形成されたＮウェル拡散領域内に形成されている。 - 特許庁

The N-type guard band diffusion layer NGB1 is connected to the power supply potential of a random logic region 2 by sufficient low resistance wiring.例文帳に追加

Ｎ型ガードバンド拡散層ＮＧＢ１は、十分な低抵抗の配線により、ランダムロジック領域２の電源電位と接続される。 - 特許庁

The globe 6 is an A form type, and has a diffusion film for diffusing light emitted from the arc tube 2 formed on the inside.例文帳に追加

グローブ６は、Ａ形タイプであり、この内面に発光管２から発せられた光を拡散させるための拡散膜が形成されている。 - 特許庁

In succession, N-type impurities are diffused in the intrinsic base region 6 through high-temperature heat treatment, to form an emitter diffusion layer 11.例文帳に追加

続いて、高温の熱処理により、真性ベース領域６内にＮ型不純物を拡散させ、エミッタ拡散層１１を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF LIGHT DIFFUSION LAYER, MANUFACTURING METHOD OF FRESNEL LENS SHEET, MANUFACTURING METHOD OF DIFFUSING LENS ARRAY SHEET AND MANUFACTURING METHOD OF TRANSMISSION TYPE SCREEN例文帳に追加

光拡散層の製造方法、フレネルレンズシートの製造方法、拡散レンズアレイシートの製造方法及び透過型スクリーンの製造方法 - 特許庁

To provide a diffusion plate for direct backlight type liquid crystal display that prevents a decrease in luminance and completely eliminates visual lamp unevenness.例文帳に追加

輝度低下を防ぎ、目視のランプムラを完全に消すことである直下型バックライト式液晶ディスプレイ用の拡散板を提供する。 - 特許庁

Therefore, when a P-type base region 3 is formed, the diffusion of B caused by the holes of carbon sites can be prevented.例文帳に追加

このため、ｐ型ベース領域３を形成する際に、炭素サイトの空孔に起因して発生するＢの拡散を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which suppress width variations in a diffusion layer source connected to a trench type capacitor.例文帳に追加

トレンチ型キャパシタと接続する拡散層ソースの幅のばらつきを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A cathode-side p-type diffusion region 14 is formed in a guard ring-facing region 15 in the cathode facing the guard ring 6.例文帳に追加

カソードにおける、ガードリング６と対向するガードリング対向領域１５に、カソード側ｐ型拡散領域１４が形成されている。 - 特許庁

In the second conductivity type well 13, a driver transistor Q13 is formed, and the well 13 is connected to a source diffusion layer 18a of the driver transistor Q13.例文帳に追加

第２導電型ウェル１３は、ドライバトランジスタＱ１３が形成され、ドライバトランジスタＱ１３のソース拡散層１８ａに接続される。 - 特許庁

Upper surfaces of an insulating layer 22 and the n-type diffusion region 23 are the same in height and almost flat surface without level difference.例文帳に追加

絶縁膜２２とｎ型拡散領域２３の上面は同一の高さとなっており、段差のないほぼ平坦な面となっている。 - 特許庁

Many pairs of memory cells, each sharing an n+ type source diffusion layer 8, are arranged in a matrix to constitute a memory array.例文帳に追加

ｎ＋型ソース拡散層８を共有した一対のメモリセルを単位として、これらがマトリックス状に配置され、メモリセルアレイを構成している。 - 特許庁

A content ratio of the glass powder in the p-type diffusion layer forming composition is within a range of 1 mass% and over to 90 mass% and under.例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物のガラス粉末の含有比率は、１質量％以上９０質量％以下の範囲である。 - 特許庁

Further, the n-type diffusion layer 6, the polycrystalline silicon film 7a, and the silicide film 11a are surrounded by a sidewall film 9 consisting of an insulating film.例文帳に追加

さらにｎ型拡散層６、多結晶シリコン膜７ａ、及びシリサイド膜１１ａは、絶縁膜からなる側壁膜９で囲う。 - 特許庁

A drain of a reset transistor and a drain of an amplification transistor 30 which constitute the n-type diffusion layer 26 are connected to a power supply line 33.例文帳に追加

ｎ型拡散層２６を構成しているリセットトランジスタのドレインと増幅トランジスタ３０のドレインは、電源線３３に接続される。 - 特許庁