「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The pn junction diode 22a for temperature detection is formed with an n-type diffusion layer 21 formed in the p-type diffusion layer 20 as a cathode region, and a P^+ diffusion layer 19b formed in the n-type diffusion layer 21 as an anode region.例文帳に追加

温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａは、Ｐ型拡散層２０内に形成されるＮ型拡散層２１をカソード領域とし、Ｎ型拡散層２１内に形成されるＰ＋拡散層１９ｂをアノード領域とする。 - 特許庁

N-type diffusion layers 25 and 26 are formed in a surface parts of the p-type wells 22 and 24.例文帳に追加

ｐ型ウェル２２及び２４の表面部には、ｎ型拡散層２５、２６が形成される。 - 特許庁

A plurality of n type diffusion layers 24 are formed on the surface of a p type semiconductor layer 23.例文帳に追加

ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散層２４を形成する。 - 特許庁

An N+ type buried diffusion layer 103 and an N type epitaxial layer 102 are formed on a P type silicon substrate 101, and a P type diffusion layer 104 and an N+ type drain lead-out diffusion layer 106A in a surface region are formed in the N type epitaxial layer 102.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にＮ＋埋め込み拡散層１０３およびＮ型エピタキシャル層１０２が形成され、Ｎ型エピタキシャル層１０２内には表面領域内のＰ型拡散層１０４とＮ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａが形成されている。 - 特許庁

The charge generated in the P-type diffusion region 38 is absorbed in the N-type region 60.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域３８で発生した電荷がＮ型領域６０に吸い込まれる。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed on the surface of the n-type low-concentration layer 11.例文帳に追加

Ｎ型低濃度層１１の表面にはＰ型拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

The drain diffusion well (115) has a dopant type, which has dopant type opposite to that of the doped semiconductor substrate (105).例文帳に追加

ドレイン拡散ウエル(115)は、ドープされた半導体基板(105)とは反対のドーパント型をもつ。 - 特許庁

The p-type drain diffusion layer 11d and n-type drain diffusion layer 12d of the first CMOS inverter 10 are electrically connected and a p-type drain diffusion layer 21d and an n-type drain diffusion layer 22d of a second CMOS inverter 20 are electrically connected.例文帳に追加

第１のＣＭＯＳインバータ１０のｐ型ドレイン拡散層１１ｄとｎ型ドレイン拡散層１２ｄとは電気的に接続され、第２のＣＭＯＳインバータ２０のｐ型ドレイン拡散層２１ｄとｎ型ドレイン拡散層２２ｄとは電気的に接続されている。 - 特許庁

Other contact holes are opened in the insulation layer 9 on the P^+-type diffusion layer 7 and the N^+-type diffusion layer 8, respectively, and a wiring layer 11 (an anode electrode) connecting the P^+-type diffusion layer 7 and the N^+-type diffusion layer 8 is formed through the respective other contact holes.例文帳に追加

Ｐ＋型の拡散層７及びＮ＋型の拡散層８上の絶縁膜９には、それぞれコンタクトホールが開口され、各コンタクトホールを通して、Ｐ＋型の拡散層７とＮ＋型の拡散層８とを接続する配線１１（アノード電極）が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING LIGHT DIFFUSION LAYER, LIGHT DIFFUSION SHEET OR FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSMISSION TYPE SCREEN例文帳に追加

光拡散層の形成方法、光拡散シートまたはフィルム及びその製造方法、及び透過型スクリーン - 特許庁

The diffusion sheet 16 is of a type, in which the surface of a transparent base material film 16a is coated with a diffusion material.例文帳に追加

拡散シート１６は、透明基材フィルム１６ａの表面に拡散材をコーティングしたタイプである。 - 特許庁

Then, a high-concentration p-type diffusion layer 108 is formed by ion implantation, and a high-concentration n-type diffusion layer 109 is formed at the upper portion of the high-concentration p-type diffusion layer 108 by ion implantation.例文帳に追加

その後、高濃度Ｐ型拡散層１０８をイオン注入により形成した後、高濃度Ｐ型拡散層１０８の上方に高濃度Ｎ型拡散層１０９をイオン注入により形成する。 - 特許庁

An N-type well diffusion layer 32 serving as a drain is formed in a P-type silicon substrate 30, and two P-type diffusion layers 34a and 34b that are separate from each other are provided in the well diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板３０にドレインとなるＮ型ウエル拡散層３２が形成されており、そのウエル拡散層３２内に互いに分離した２つのＰ型拡散層３４ａと３４ｂが形成されている。 - 特許庁

N-type diffusion layers 36a and 36b serving as sources are provided in the P-type diffusion layers 34a and 34b respectively, and parts of P-type diffusion layer regions 34a and 34b located between the well diffusion layer 32 and the source diffusion regions 36a and 36b are made to serve as channel regions 38a and 38b.例文帳に追加

各Ｐ型拡散層３４ａ，３４ｂ内にはそれぞれソースとなるＮ型拡散層３６ａ，３６ｂが形成され、ウエル拡散層３２とそれぞれのソース拡散層３６ａ，３６ｂの間のＰ型拡散層領域３４ａ，３４ｂがチャネル領域３８ａ，３８ｂとなっている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a semiconductor substrate 21 of the first conductivity type, a first diffusion layer 22 of the first conductivity type, a second diffusion layer of the second conductivity type formed inside the first diffusion layer 22, and a third diffusion layer 27 of the first conductivity type selectively formed on the surface of the second diffusion layer 23.例文帳に追加

半導体装置１０は、第１導電型の半導体基板２１と、第１導電型の第１の拡散層２２と、第１の拡散層２２の内部に形成された第２導電型の第２の拡散層２３と、第２の拡散層２３の表面に選択的に形成され第１導電型の第３の拡散層２７とを備える。 - 特許庁

N+ type diffusion regions 6a-6d as well as P- type diffusion region 5a and the like are formed on the surface and its vicinity of an N- type epitaxial layer 2 on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上のＮ−型エピタキシャル層２の表面およびその近傍にＮ＋型拡散領域６ａ〜６ｄおよびＰ型拡散領域５ａ等が形成されている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 away from the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型ウエル３とは間隔をもってＰ型半導体基板１に互いに間隔をもって形成されたＮ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

The doping of N-type region 111a and P-type region 112a respectively are executed, independent of the doping of N type diffusion layer of NMOS and the doping of P type diffusion layer of PMOS.例文帳に追加

Ｎ型領域１１１ａ，Ｐ型領域１１２ａのドーピングは、それぞれＮＭＯＳのＮ型拡散層のドーピング，ＰＭＯＳのＰ型拡散層のドーピングと独立に行なわれる。 - 特許庁

A second conductivity-type diffusion layer (second of second conductivity-type high-concentration diffusion layer) 116 is formed on a surface layer of the sinker layer 115.例文帳に追加

シンカー層１１５の表層には、第２導電型拡散層（第２の第２導電型高濃度拡散層）１１６が形成されている。 - 特許庁

SILVER SALT DIFFUSION TRANSFER TYPE PLANOGRAPHIC PRINTING PLATE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

銀塩拡散転写型平版印刷版及びその製造方法 - 特許庁

Each base emitter region comprises a base drawer p^+-type diffusion layer (14A, for example) and emitter n^+-type diffusion layers (15A, 15B, for examples).例文帳に追加

個々のベース・エミッタ領域には、ベース引き出しＰ＋拡散層（例えば１４Ａ）と、エミッタＮ＋拡散層（例えば１５Ａ，１５Ｂ）を含ませる。 - 特許庁

A p-type source diffusion layer 10, a p-type drain diffusion layer 11 and an intermediate layer 12 are formed sideward of each electrode part 8, 18.例文帳に追加

各電極部８，１８の側方に、ｐ型ソース拡散層１０，ｐ型ドレイン拡散層１１及び中間拡散層１２を形成する。 - 特許庁

The opening 24 is formed above a spacing region, i.e. the region between the P type diffusion layer 16 and the N type diffusion layer 18.例文帳に追加

開口２４は、Ｐ型拡散層１６とＮ型拡散層１８との間の領域である間隔領域の上部に形成されている。 - 特許庁

THERMAL TRANSFER ACCEPTIVE SHEET OF DYE DIFFUSION TYPE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

染料拡散型熱転写受容シートおよびその製造方法 - 特許庁

LIGHT DIFFUSION SHEET, LIGHT TRANSMISSIVE SCREEN AND REAR PROJECTION TYPE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

光拡散シート、透過型スクリーン及び背面投射型表示装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GAS DIFFUSION LAYER OF SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL例文帳に追加

固体高分子型燃料電池のガス拡散層の製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT WITH P-TYPE DOPANT MATERIAL DIFFUSION PREVENTING LAYER例文帳に追加

ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 - 特許庁

Also, a high-density n-type diffusion layer 10 surrounding the p-type diffusion layer 9 which is an anode region of the diode is formed.例文帳に追加

また、このダイオードのアノード領域であるｐ型拡散層９の周囲を囲むように高濃度のｎ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

FLEXIBLE TYPE GAS DIFFUSION ELECTRODE SUBSTRATE AND MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY例文帳に追加

柔軟型ガス拡散電極基材および膜−電極接合体 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet having an accurate BS pattern according to the design, to provide a manufacturing method of the light diffusion sheet, and to provide a transmission type screen comprising the light diffusion sheet.例文帳に追加

設計どおりの精度のよいＢＳパターンを有する光拡散シート及びその製造方法並びに透過型スクリーンを提供する。 - 特許庁

The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加

ダイオード２２のカソード領域は、ｎ^+拡散層８ｃと、ｎ^-エピタキシャル層４と、ｎ型拡散層５と、ｎ^+拡散層８ｂとで構成されている。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition capable of forming an n-type diffusion layer in a specific part without forming an unwanted n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell element using a silicon substrate, a method for manufacturing the n-type diffusion layer, and a method for manufacturing a solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The NMOS switch element 2's N-type source diffusion region 9s and P-type substrate contact diffusion region 7 are arranged such that they are adjacent, and the NMOS protection element 3's N-type source diffusion region 15s and P-type substrate contact diffusion region 20 are arranged such that they are spaced.例文帳に追加

ＮＭＯＳスイッチ素子２のＮ型ソース拡散領域９ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域７は隣接して配置されており、ＮＭＯＳ保護素子３のＮ型ソース拡散領域１５ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域２０は間隔をもって配置されている。 - 特許庁

The relation between the distance Y between the second P-type drain diffusion layer 11d and the channel 9 in the first P-type drain diffusion layer 5d and the difference Xj in depth between the second P-type drain diffusion layer 11d and the first P-type drain diffusion layer 5d is expressed in an inequality: Y<Xj.例文帳に追加

第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄにおける第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄ、チャネル９間の距離Ｙと、第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄと第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄの深さの差Ｘｊとの間にＹ＜Ｘｊの関係が成り立っている。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 are placed in parallel with a substrate face of a semiconductor substrate 11 as two layers, and a PN junction comprising the N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 forms a diode structure.例文帳に追加

Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４は半導体基板１１の基板面に対して平行となるように２層に設けられ、該Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４とのＰＮ接合によるダイオード構造が形成される。 - 特許庁

In the diffusion plate 7 disposed in the transmission type screen, two first diffusion layers 13, 15 into which diffusion particles are respectively added are arranged via a second diffusion layer 14 into which diffusion particles having a particle size smaller than that of the diffusion layers 13, 15 are added.例文帳に追加

それぞれ拡散粒子を添加した二つの第１の拡散層１３，１５を、第１の拡散層１３，１５よりも粒径の小さい拡散粒子を添加した第２の拡散層１４を介して配置した拡散板７を、透過型スクリーンに設ける。 - 特許庁

The NPN-type transistor 5 comprises an N-type epitaxial layer corresponding to the emitter, a P-type diffusion layer selectively formed on the N-type epitaxial layer and corresponding to the base, and an N-ype diffusion layer selectively formed on the P-type diffusion layer and corresponding to the collector.例文帳に追加

ＮＰＮ型トランジスタ５は、エミッタに相当するＮ型エピタキシャル層と、Ｎ型エピタキシャル層上に選択的に形成され、ベースに相当するＰ型拡散層と、Ｐ型拡散層上に選択的に形成され、コレクタに相当するＮ型拡散層とから構成される。 - 特許庁

Further, a p-type diffusion layer 8 is provided on the p-type layer 3', and the protective resistor 9 is provided on the n-type diffusion layer 6' via a separation insulation film 7.例文帳に追加

さらに、ｐ型埋め込み層３´の上にはｐ型拡散層８が、ｎ型拡散層６´の上には分離絶縁膜７を介して保護抵抗９が設けられている。 - 特許庁

SOLID HIGH POLYMER TYPE FUEL CELL AND GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR SOLID HIGH POLYMER TYPE FUEL CELL例文帳に追加

固体高分子型燃料電池及び固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極 - 特許庁

The second-conductive-type diffusion layer 130 is formed in the substrate 10 and is, for example, n type.例文帳に追加

第２導電型拡散層１３０は基板１０に形成されており、例えばｎ型である。 - 特許庁

VERTICAL DIFFUSION SHEET, REAR PROJECTION TYPE SCREEN AND REAR PROJECTION TYPE TELEVISION DEVICE PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

垂直拡散シート、背面投影型スクリーンおよびそれを備えた背面投影型テレビ装置 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type diffusion layer 4a for low-concentration drain is formed.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に、ｎ型の低濃度ドレイン用拡散層４ａを形成する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 201 and a p-type semiconductor layer 202 are provided on a silicon substrate 200.例文帳に追加

シリコン基板２００上に、Ｐ型拡散層２０１とＰ型半導体層２０２を備える。 - 特許庁