「etching reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method which carries out maintenance-free and particle-free CVD and etching, controlling the deposition of reaction products to the wall surface of a reaction chamber etc.例文帳に追加

反応室壁面等への反応生成物の付着を抑制し、メンテナンスフリー．パーティクルフリーのＣＶＤ，エッチングを行う方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the etching chamber 24 is prevented from being brought into vacuum state thus facilitating discharge of remaining reaction gas 37.例文帳に追加

これにより、エッチング室２４が真空状態になることを抑制し、残った反応ガス３７を排気しやすくする。 - 特許庁

Furthermore, the durability of the heating element 110 to the reaction gas can be enhanced and a stable etching characteristic can be maintained.例文帳に追加

また、反応ガスに対する加熱体１１０の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 - 特許庁

A substance under a supercritical state, in which the etching reaction species are contained, is used preferably as the treating fluid.例文帳に追加

処理流体としては、エッチング反応種を含有させた超臨界状態の物質が好適に用いられる。 - 特許庁

The electrode 20 is arranged in the reaction chamber and used to generate plasma by ionizing the etching gas.例文帳に追加

電極２０は反応室内に配置されており、エッチングガスを電離させてプラズマを発生させるために用いられる。 - 特許庁

To control contamination due to the reaction chamber wall material which is caused during the dry-etching of a silicon oxide film on Pt.例文帳に追加

Ｐｔ上のシリコン酸化膜のドライエッチング時に発生する、反応室壁材料による汚染を抑制する。 - 特許庁

The first paddle treatment selectively removes a reaction product 5 produced when dry-etching the aluminum film 3.例文帳に追加

第１パドル処理は、アルミニウム膜３をドライエッチングするときに生成する反応生成物５を選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a method for etching a magnetic material which makes the manufacture of a fine element possible by reducing the amount of again adhering reaction products and etching a magnetic material into a satisfactory shape.例文帳に追加

反応生成物の再付着量が少なく、エッチング形状が良好になり、微細な素子の作製を可能にする磁性材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To solve the following problem: wet etching a silicon nitride film including arsenic with the use of phosphoric acid generates a reaction product (a particle) in a wet etching solution to cause a contamination.例文帳に追加

砒素を含んだシリコン窒化膜に対して、燐酸を用いたウェットエッチングを行うと、ウェットエッチング液中に反応生成物（パーティクル）が発生し、汚染の原因になってしまう。 - 特許庁

To provide an aluminum foil for an electrolytic capacitor, which gives higher capacitance to the electrolytic capacitor, by preparing more starting points of etching therein, from which pits start growing through an etching reaction.例文帳に追加

エッチングによるピット形成の起点となるエッチング開始点を増加させて、静電容量をより増大させることが可能な電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供する。 - 特許庁

Thereby, the deposition/ stack of a reaction product of the fluorogas on the etching surface is controlled to be etched uniformly, and the mirror-like etching surface can be attained.例文帳に追加

これによりフッ素系ガスの反応生成物のエッチング表面への付着・堆積を抑制してエッチングを均一に行い、鏡面状のエッチング面を得ることができる。 - 特許庁

To provide a dry etching device which can fix the gas composition in a reaction chamber so as to always maintain optimum etching conditions, regardless of the area of an object to be etched.例文帳に追加

被エッチング物の面積によらず常に最適なエッチング条件を保つよう反応室内のガス組成を一定に制御可能なドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electron-beam excitation dry etching technique using a reaction gas having low toxicity and corrosiveness in the partial etching of a metallic material required in a fine machining technique.例文帳に追加

微細加工技術で必要な金属材料の局所的エッチングを毒性、腐食性の低い反応ガスを用いた電子ビーム励起ドライエッチング技術を提供する。 - 特許庁

Furthermore, it is mounted on a reaction ion etching device capable of performing aeolotropic etching, and the SiO2 film 43g is etched until a surface of an Al film 42g is exposed (f).例文帳に追加

更に、異方性エッチングが可能な反応性イオンエッチング装置に装着し、ＳｉＯ_2膜４３ｇをＡｌ膜４２ｇの表面が露出するまでエッチングする(ｆ)。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of preventing reaction product gas from adhering to a view port by a simple method and determining the end point of the etching stably.例文帳に追加

簡単な方法でエッチングの反応生成ガスがビューポートへ付着するのを防止し、安定したエッチングの終点判定ができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Using a high frequency inductively-coupled plasma etching apparatus having two reaction chambers, the second Pt film 108 is etched with a mixture gas of chlorine and argon in one of the reaction chambers.例文帳に追加

反応室を２つ持つ高周波誘導結合型プラズマエッチング装置を用い一方の反応室で塩素とアルゴンの混合ガスで第２のＰｔ膜１０８をエッチングする。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

As the etching reaction advances, the concentration of the fluorine radical decreases, and in due course, an atmosphere in the reaction vessel is replaced by the thin-film formation process gas, a deposition reaction is started, and a film grows on the thin-film formation surface of the substrate.例文帳に追加

エッチング反応の進行によりフッ素ラジカルの濃度は減少し、やがて、薄膜形成用プロセスガスに反応容器内の雰囲気が置換されて、堆積反応が開始し、基板の被形成面に膜が成長する。 - 特許庁

Thus, it is possible to reduce the amounts of the reaction products remaining in the etching chambers 15a, and to extend a wet cleaning cycle.例文帳に追加

これにより、エッチングチャンバ１５ａ内に残留する反応生成物の量を低減し、ウエットクリーニングサイクルを延長する。 - 特許庁

To provide a selective etching treatment method which brings about high selectivity by controlling water concentration inside a reaction chamber.例文帳に追加

反応チャンバ内の水分濃度を制御することにより高い選択性をもたらす選択エッチング処理方法を与える。 - 特許庁

When a material is desired to be etched, the etching can be increased by increasing the energy of the reaction gas.例文帳に追加

材料をエッチングすることが望まれる場合は、反応イオンをより高エネルギーにして、エッチングを増強することができる。 - 特許庁

Etching is performed, using carbon monoxide gas added with a compound gas containing nitrogen as the reaction gas, and using a mask made of titanium oxide.例文帳に追加

含窒素化合物ガスを添加した一酸化炭素ガスを反応ガスとし、窒化チタンによるマスクを使用してエッチングを行う。 - 特許庁

To easily remove reaction products remaining on a semiconductor substrate in a dry etching stage for an organic material film.例文帳に追加

有機材料膜のドライエッチング工程において、半導体基板上に残存する反応生成物を容易に除去する。 - 特許庁

The layer 14 is selectively etched with a plasma of HBr/Cl2/O2 gas, while reaction products suppress side etching.例文帳に追加

ＨＢｒ／Ｃｌ_２／Ｏ_２ガスのプラズマにより反応生成物でサイドエッチングを抑制しつつ層１４を選択的にエッチングする。 - 特許庁

Reaction ion etching for the electrode film 12 is so made by using chloride gas 0.5 to 1,000 nm of the electrode film 12 as to remain.例文帳に追加

電極膜１２を０.５ｎｍ〜１０００ｎｍ残すように、塩素系ガスで電極膜１２を反応性イオンエッチングする。 - 特許庁

At the same time, an etching reaction suppressing agent 9, such as pure water is fed around the polishing pad 4 on the substrate 1, the etching operation of the etching liquid is suppressed except for the abutting area of the substrate 1 and the polishing pad 4, etching nonuniformity is eliminated and the substrate is planarized uniformly a whole.例文帳に追加

同時に、純水等のエッチング反応抑制剤９を基板１上の研磨パッド４の周辺に供給し、基板１と研磨パッド４の当接領域以外でのエッチング液７によるエッチング作用を抑制し、エッチングむらをなくし全面を均一に平坦化する。 - 特許庁

In an etching method of a silicon wafer, silicon wafers, having a process degenerated surface layer are sequentially impregnated with in an acid-etching solution having a chemical composition of a reaction rate limiting type including a hydrofluoric acid and a nitric acid fully stored in two to six etching tanks sequentially, and the wafers are etched.例文帳に追加

２〜６槽のエッチング槽に満たされたフッ酸及び硝酸を含む反応律速型の化学組成を有する酸エッチング液に加工変質層を有するシリコンウェーハを順次浸漬させてウェーハをエッチングする方法である。 - 特許庁

The exposure of a wall surface rising from the surface of the base layer 34 is blocked on the MR film 41 during the etching processing, and the reaction of etching gas and the MR film 41 is surely evaded.例文帳に追加

エッチング処理中にＭＲ膜４１では基礎層３４の表面から立ち上がる壁面の露出は阻止され、エッチングガスとＭＲ膜４１との反応は確実に回避される。 - 特許庁

Consequently the radical reacts on the etching gas adsorbed to the surface of the substrate 15 and since reaction progresses uniformly on the surface of the substrate 15, uneven etching does not take place on the surface of the substrate 15.例文帳に追加

従って、ラジカルは基板１５表面に吸着されたエッチングガスと反応し、基板１５表面で反応が均一に進行するので、基板１５表面にエッチングむらが起こらない。 - 特許庁

Ions accelerated by the ion sheath formed through capacitive coupling of the coil antenna 23 collide against etching products trying to adhere to the inner wall of the reaction tube 14 thus diffusing the etching products.例文帳に追加

コイルアンテナ２３の容量結合によるイオンシースで加速されたイオンと反応管１４内壁に付着しようとしているエッチング生成物は衝突し、エッチング生成物は拡散される。 - 特許庁

Alternatively, a method for etching a substrate in a chemical reaction can be used as a method to thin or eliminate the substrate, thus forming a stopper layer by the use of a material having resistance characteristics for an etchant used when etching is performed by the chemical reaction.例文帳に追加

または、基板の薄膜化または基板の除去の方法として、基板を化学反応によりエッチングする方法を用い、化学反応によるエッチングを行う際に用いるエッチャントに対して耐性を有する材料によりストッパー層を形成する。 - 特許庁

Then, in performing film deposition in the reaction vessel, the film deposition is performed in a state where the exhaust piping is electrically non-grounded, and in subjecting the inside of the reaction vessel to dry etching, the dry etching is performed in a state where the exhaust piping is electrically grounded.例文帳に追加

そして、反応容器内で成膜を行う場合には、該排気配管を電気的に非接地とした状態で行い、反応容器内をドライエッチングする際には、該排気配管を電気的に接地した状態で行うことを特徴とする。 - 特許庁

The etching device according to an embodiment comprises: a reaction room 11; a vacuum pump 12 connected to the reaction room 11 via a gate valve GV; a holder 19 configured to hold a target to be processed; etching gas supply means; a heater 20; and sublimation amount determination means.例文帳に追加

実施形態によれば、反応室１１と、反応室１１とゲートバルブＧＶを介して接続される真空ポンプ１２と、加工対象を保持する保持部１９と、エッチングガス供給手段と、加熱部２０と、昇華量判定手段と、を備える。 - 特許庁

A buffer tank 35 is connected to a reaction chamber 6, the buffer tank 35 is filled with an etching gas generated by heating a gas feeder 31 arranged with solid XeF_2, the reaction chamber 6 and the buffer tank 35 are connected, the etching gas is introduced, and, while irradiating the object to be treated with ultraviolet rays, it is contacted with the etching gas.例文帳に追加

反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ_2が配置されたガス供給装置３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続し、エッチングガスを導入し、処理対象物に紫外線を照射しながらエッチングガスと接触させる。 - 特許庁

A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、被処理物であるシリコン基板２の表面にエッチングガス４を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド１０と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板２を洗浄する洗浄ヘッド２０とを備える。 - 特許庁

A dry etching process, constituted of a process for dry-etching the upper electrode film 10 by using a condition that the adhesion 14 of a reaction product to the sidewall of the photoresist mask 5, and a process subjecting the ferroelectric film 11 to dry etching by condition that the reaction product does not adhere to the sidewall of the photoresist mask, when a ferroelectric film single layer is subjected to dry etching is performed.例文帳に追加

フォトレジストマスク５側壁への反応生成物の付着１４が発生する条件を用いて上部電極膜１０のドライエッチングを行う工程と、強誘電体膜単層のドライエッチング時にフォトレジストマスク側壁に反応生成物の付着が発生しない条件により強誘電体膜１１のドライエッチングを行う工程からなるドライエッチングプロセスを行う。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

Lights having long wavelengths of 703 nm, 836 nm, 837.6 nm, etc., have high transmittances with respect to reaction products in plasma etching, as compared with short wavelengths of 396.2 nm, etc., and hence, even if reaction products deposit on the end point detecting window of an etching reaction chamber, the end point can be detected stably.例文帳に追加

例えば、７０３ｎｍ、８３６ｎｍ、８３７．６ｎｍ等の長波長の光は、３９６．２ｎｍ等の短波長の光に比べてプラズマエッチング時の反応生成物に対する透過率が高いので、エッチング反応室の終点検出窓に反応生成物が付着しても、安定した終点検出が可能である。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device wherein such a state of its inside as the end point of an etching reaction can be detected accurately.例文帳に追加

エッチング反応の終点等の装置内の状態を精度よく検出することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a plasma processor for easily removing a reactant in a reaction chamber, after a plasma etching processing.例文帳に追加

プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供すること。 - 特許庁

By the reaction of silicon and the trimethyl gallium, meltback etching occurs and the gallium nitride layer 13 is selectively grown on the small areas.例文帳に追加

シリコンとトリメチルガリウムの反応により、メルトバックエッチングが生じ、小領域上に選択的に窒化ガリウム層１３が成長する。 - 特許庁

To suppress dust generation due to pressure variation in a chamber in an etching room and to remove the dust generated by deposition (reaction product).例文帳に追加

エッチング処理室のチャンバー内の圧力変動による発塵を抑制し、デポ（反応生成物）により生ずるゴミをなくす。 - 特許庁

As a result, at partial etching, reaction products between the upper portion and lower portion change and detection can become easy due to the light emission.例文帳に追加

この結果、部分エッチングの際、上部分及び下部分間での反応生成物が変化し、発光により検出が容易になる。 - 特許庁

A reaction gas (NF3+nitrogen) for plasma etching is not supplied to the plasma-generating chamber 20 but rather is supplied directly to the wafer treatment chamber 10.例文帳に追加

プラズマエッチング用の反応ガス（ＮＦ__3＋窒素）はプラズマ発生室２０ではなく、ウェーハ処理室１０に直接供給する。 - 特許庁

The function of the backside peeling of the present invention can be strengthened by chemical reaction-aided ion beam etching (CAIBE).例文帳に追加

本発明の裏面層剥離は、化学反応併用イオン・ビーム・エッチング（ＣＡＩＢＥ）処理によって機能強化することができる。 - 特許庁