「etching reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To facilitate the execution of the control of etching conditions such as an etching rate, etching depth and an etching surface smoothening degree in an etching reaction stage on the spot and to enable wet chemical etching of a higher degree.例文帳に追加

エッチング速度、エッチング深さ、および、エッチング表面平滑度などのエッチング条件の制御をエッチング反応過程においてその場で行うことを容易とし、より高度な湿式化学エッチングを可能とする。 - 特許庁

Application of electrolytic etching is made possible as well, and etching having a more increased reaction rate is made possible.例文帳に追加

電解エッチングの適用も可能であり、反応速度をより高めたエッチングが可能になる。 - 特許庁

To provide an etching method exhibiting high rate of reaction and uniformity.例文帳に追加

反応速度が速く、均一性の良いエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To inhibit deposition of a reaction product that is generated in dry etching, and to carry out etching with high machining accuracy.例文帳に追加

ドライエッチング時に生じる反応生成物の付着を抑制して、高い加工精度でエッチングを行う。 - 特許庁

The reaction products produced by the chlorine series etching seeds have a higher vapor pressure than the reaction products produced by the fluorine series etching seeds, so that the etching rate of chlorine series etching seeds is slow, the reaction products of the fluorine series etching seeds are attached to the oxide film 2 and the tungsten film 3 and conducive to an improvement in shape controllability.例文帳に追加

塩素系エッチング種から生成される反応生成物は弗素系反応生成物の蒸気圧より高いのでエッチング速度は遅く、反応生成物は酸化膜２とタングステン膜３の表面に付着し、形状の制御性を向上させるためにも有効となる。 - 特許庁

To perform uniform etching, and eventually perform uniform cleaning in a reaction tube.例文帳に追加

均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なう。 - 特許庁

The etching gas supply means supplies, to the reaction room 11, an etching gas capable of forming reaction products by reacting with the target to be processed.例文帳に追加

エッチングガス供給手段は、加工対象と反応して反応生成物を生成可能なエッチングガスを反応室１１内に供給する。 - 特許庁

To provide an etching device, an etching method and a method for manufacturing semiconductor device capable of accurately etching a BARC without leaving an etching residue generated by reaction with a bose layer film.例文帳に追加

下地膜と反応したエッチング残渣が残ることなく、ＢＡＲＣを精度良くエッチングできるエッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This reaction rate limiting type etching is executed with an acid etching liquid containing hydrofluoric acid and nitric acid, and further containing acetic acid.例文帳に追加

反応律速型エッチングはフッ酸及び硝酸を含む酸エッチング液により行われ、酢酸を更に含む。 - 特許庁

ELECTROCHEMICAL ETCHING PERFORMED IN FORM OF REACTION LIQUID FLUIDIZED ON WORKING FACE例文帳に追加

反応液が加工面を流動する形態で行う電気化学的エッチング - 特許庁

The deteriorated solution is charged inside a non-diaphragm electrolytic solution tank, and reaction in a direction reverse to the etching reaction is allowed to occur.例文帳に追加

この劣化液を無隔膜電解液槽に入れて、エッチング反応と逆方向の反応が起生せしめる。 - 特許庁

The etching rate of alkali etching is slower than that of acid etching, the reaction of the wafer to an elution is comparatively gentle and the quantity of bubbles which are generated in the solution is inhibited.例文帳に追加

アルカリエッチングは酸エッチングよりエッチング速度が遅く、かつ比較的ウェーハ溶失の反応がゆるやかで、発生する気泡の量が抑制される。 - 特許庁

To provide an apparatus for etching monitoring which can carry out precise monitoring of a member to be etched as to etching rate, end point of etching, or the like without affecting the etching reaction on the member to be etched; and to provide a method for etching monitoring.例文帳に追加

被エッチング部材へのエッチング反応に影響を与えず、被エッチング部材のエッチングレートやエッチングの終点を正確にモニタリングすることが可能な、エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method capable of etching precisely by solving the problems wherein etching reaction products are deposited and etching cannot be made precisely for the dry etching method for performing micromachining.例文帳に追加

微細加工を行うドライエッチング方法に関し、エッチング反応生成物が堆積して精度良くエッチングできないという課題を解決し、精度良くエッチングできるドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A cleaning method includes: a step for etching deposits including a thin film adhering to the inner wall of a reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube composed of a heat-resistant nonmetallic member after forming a thin film on a substrate; and a step for etching the surface of the inner wall of the reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube after etching the deposits.例文帳に追加

耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁

Reaction gas 37 produced by performing etching in the etching chamber 24 is discharged after etching while introducing etching gas 34 under such a state as not generating plasma.例文帳に追加

エッチング室２４でエッチング処理を行ったことにより発生する反応ガス３７を、エッチング処理後に、プラズマを発生させない状態でエッチングガス３４を導入しながら反応ガス３７を排気する。 - 特許庁

To solve the conventional problem of supplying an etching gas to do uniform etching, and eventually do uniform cleaning of the inside of a reaction pipe.例文帳に追加

従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。 - 特許庁

The heating reaction unit 101 takes in mixed gas G1 containing exhaust gas from a dry etching device with SF_6 gas as an etching gas.例文帳に追加

加熱反応部１０１は、ＳＦ_６ガスをエッチングガスとしたドライエッチング装置からの排気を含む混合ガスＧ１を取り込む。 - 特許庁

To provide a wet etching processing method characterized by the effective processing of any impurities generated by the etching reaction, and an etching system implementing such a method.例文帳に追加

エッチング反応によって生じた不純物を効果的に処理することを特徴とする湿式エッチング処理方法、及びそれを実施するエッチングシステムを提供すること - 特許庁

Next, dry etching is performed to the etching film (ferroelectric material 2) to form the reaction product 9 made from etching gas and the ferroelectric material 2 on the adherent layer 11.例文帳に追加

次いで、被エッチング膜（強誘電体材料２）をドライエッチングして、密着層１１上にエッチングガスと強誘電体材料２との反応生成物９を形成する。 - 特許庁

Surface of the glass substrate A is subjected to film deposition processing or etching processing in a reaction chamber 2.例文帳に追加

反応室２でガラス基板Ａの表面に成膜処理あるいはエッチング処理をする。 - 特許庁

A method for forming a dry etching reaction mask is also provided.例文帳に追加

さらに、本発明によりドライエッチング反応用マスクを形成する方法も提供される。 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING MATERIAL SURFACE BY FOCUSING ELECTRONIC BEAM INDUCED CHEMICAL REACTION例文帳に追加

材料表面を集束電子ビーム誘導化学反応によってエッチングするための方法 - 特許庁

Furthermore, all or some of the etching bath 11, etching liquid exhaust pipe 12, first-order reaction settling tank 14, and second-order reaction settling tank 16 are provided with the spraying means 32 through 35 which spray the impurities removal fluid 31 to the etching liquid 1 or etching drain 2, thereby triggering the settling reaction of the impurities 3.例文帳に追加

そして、エッチング槽１１、エッチング液排出管１２、一次反応沈澱槽１４、および二次反応沈澱槽１６の全部または一部に噴射手段３２〜３５を設け、不純物除去流体３１をエッチング液１またはエッチング排液２に噴射して、これらから不純物３が沈殿する反応を誘起する。 - 特許庁

In the etching method, an etching step is repeated, wherein the etching step comprises a step wherein the glass is soaked in a glass-etching liquid containing hydrofluoric acid for ≤120 sec and a subsequent washing step wherein an etching reaction product is removed from the glass surface.例文帳に追加

エッチング方法は、フッ酸を含有させたガラスエッチング液に、ガラスを１２０秒以内の時間で浸漬する工程と、この工程の後にエッチング反応生成物をガラス表面から除去する洗浄工程と、からなるエッチング工程を繰り返し行う。 - 特許庁

To solve a problem in known etching gas supply, in order to perform uniform etching, and in order to eventually perform uniform cleaning of the inside of a reaction pipe.例文帳に追加

従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。 - 特許庁

A plasma etching method according to an embodiment of the invention comprises, upon etching amorphous TiO_2, a first etching step where a radical reaction is dominant; and a second etching step where an ion irradiation is dominant.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。 - 特許庁

According to the present invention, by abundantly generating radicals and ions required for etching reaction by using the inductively coupled plasma source and the remote plasma source, etching reaction can be made active and etching efficiency can be improved.例文帳に追加

本発明によると、誘導結合プラズマ源とリモートプラズマ源とを使用してエッチング反応に必要なラジカルとイオンとを豊富に生成させることによって、エッチング反応が活発になってエッチング効率を向上させることができる。 - 特許庁

Since reaction between the etching gas and the radical takes place on the surface of the substrate 15, and intermediate products of reaction between the etching gas and the radical react quickly on the etching object, the intermediate products are not discharged excessively from the processing chamber 12 and high etching efficiency is ensured.例文帳に追加

また、エッチングガスとラジカルとの反応は基板１５表面で起こるため、エッチングガスとラジカルとの反応により生成される中間生成物は速やかにエッチング対象物と反応するため、中間生成物が過剰に処理室１２から排気されることなく、エッチング効率が高い。 - 特許庁

The occurrence of the unstable etching period is avoided by generating the plasma by supplying a gas that does not contribute to etching to a reaction chamber 1 and, after the plasma is stabilized, replacing the gas with a gas used for etching through gas replacement.例文帳に追加

反応室１にエッチングに寄与しないガスを供給し、プラズマを発生させ、プラズマ安定後、ガス置換によりエッチングを行うガスに置換し、エッチングが不安定な期間を回避する。 - 特許庁

To improve etching uniformity and prevent delay of etching reaction due to natural oxide film generated on a polysilicon surface in etching of polysilicon using XeF2 gas.例文帳に追加

ＸｅＦ_2 ガスを用いたポリシリコンのエッチングにおいて発生する、ポリシリコン表面の自然酸化膜によるエッチング反応の遅れを解決するとともに、エッチング均一性の向上を図る。 - 特許庁

To enable reaction products attached to the wall surface or the like of an etching pattern to be surely removed off.例文帳に追加

被エッチングパターンの壁面等に付着した反応生成物を確実に除去できるようにする。 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING MATERIAL SURFACE USING CHEMICAL REACTION DERIVED BY FOCUSED ELECTRONIC BEAM例文帳に追加

集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 - 特許庁

Thereafter, the substrates are retransferred to the reaction chambers 11A and 11B and then subjected to etching.例文帳に追加

その後、再び反応室１１Ａ、１１Ｂへ基板Ｗを搬送し、エッチング処理を続行する。 - 特許庁

First etching gas is supplied into the reaction chamber and plasma is generated by discharge from the plasma etching system in order to etch the antireflection film 2.例文帳に追加

反応室内に第１のエッチングガスを供給し、プラズマエッチング装置からの放電によりプラズマを生成して反射防止膜２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching device capable of attaining plasma etching which decelerate accumulation of sediment by suppressing the sticking local reaction product.例文帳に追加

局部的な反応生成物の付着を抑え、堆積物の蓄積速度が減少するプラズマエッチングが達成できるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

High dependency of the etching rate distribution on the gas flow field is well known but when an etching gas introducing method, an etching gas discharging method or a uniforming ring 5 being driven in a reaction chamber 1 is employed, the etching gas flow field in the reaction chamber 1 can be operated to realize a desired etching rate distribution and a highly uniform etching rate for each of different kinds of multilayer film.例文帳に追加

エッチングレート分布はガス流れ場依存性が大きな事で知られているが、エッチングガス導入方法、もしくはエッチングガス排気方法、もしくは反応室１内で駆動する均一化リング５を用いると、反応室１内のエッチングガス流れ場の操作が可能となり、所望のエッチングレート分布と異種積層膜の膜種毎高エッチングレート均一性保持を実現できる。 - 特許庁

The device 1 for etching the semiconductor wafer, which supplies an etchant to a surface of the wafer to etch the surface, includes a reaction operation device 20 which operates etching reaction by positions on the wafer surface.例文帳に追加

ウェーハ表面にエッチング液を供給してエッチングを行なう半導体ウェーハのエッチング装置１において、エッチング反応をウェーハ表面の位置ごとに操作する反応操作装置２０を備える。 - 特許庁

A reaction heat monitoring part 21 obtains a temperature within a reaction tube 11 of a semiconductor containing film deposited inside the reaction tube 11 and an etching gas 14 introduced from a gas introduction tube 18.例文帳に追加

反応熱モニタリング部２１は、反応管１１内に堆積した半導体含有膜とガス導入管１８から導入されたエッチングガス１４との反応管１１内の温度を取得する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that realizes a slimming processing method by plasma etching that requires no removal of resist reaction product materials by enhancing accuracy of dimensions in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程における寸法精度を向上させ、レジスト反応生成物の除去が必要でないプラズマエッチングによるスリミング処理方法を実現する。 - 特許庁

To provide etching technique adaptive to a film to be processed of a laminate structure including a film which may produce difficult-to-remove reaction products during etching.例文帳に追加

エッチング時に、除去しにくい反応生成物を生じさせうる膜を含む積層構造の被加工膜にも対応できるエッチング技術を提供する。 - 特許庁

To separate a reaction product produced in etching quickly from an etched layer to suppress nonuniformity of etching rates on an etched surface.例文帳に追加

エッチング時に生成した反応生成物を速やかに被エッチング層から離すことにより、被エッチング面内においてエッチングレートが不均一になることを抑制する。 - 特許庁

To prevent reaction of the etching material and the electrode material at the time of etching of the oxide film in the electron emission region and, thereby, prevent contamination of the electron emission region.例文帳に追加

電子放出領域の酸化膜をエッチングする際のエッチング材料と電極材料との反応を防ぎ電子放出領域の汚染を防止する。 - 特許庁

An oxygen-based gas plasma and then an etching reaction gas plasma are introduced into an etching chamber for removing deposits generated therein.例文帳に追加

堆積物が生成したエッチング処理室内に、第１に酸素系ガスのプラズマを、次いでエッチング反応ガスのプラズマを導入して前記堆積物を除去する。 - 特許庁

Consequently, the etching reaction in the cleaning gas supplying-side region A is slowed and the etching reactions in the regions B, C, and D on the exhaust side are successively made faster.例文帳に追加

これにより、クリーニングガス供給側の領域Ａでのエッチング反応を遅く、排気側の領域Ｂ、Ｃ、Ｄでのエッチング反応を順次速くする。 - 特許庁