「etching reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A reaction product 12 adhered to a second clad layer 4 and a cap layer 5 is oxidized by dry etching, and the oxidized reaction product 12 is removed by buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

ドライエッチングにより第２クラッド層４およびキャップ層５に付着した反応生成物１２を、酸化させ、この酸化させた上記反応生成物１２をバッファードフッ酸によって除去する。 - 特許庁

After a reaction vessel of a plasma CVD apparatus has been cleaned by gas plasma etching using a fluoride gas, a substrate is carried into a reaction chamber while the fluoride gas still remains in the reaction vessel, and a thin-film formation process gas is introduced into the reaction chamber, thus forming a thin film on the substrate.例文帳に追加

フッ化物ガスを用いたガスプラズマエッチングによって、プラズマＣＶＤ装置の反応容器のクリーニングを行った後、反応室内にフッ化物ガスが残留した状態で、反応容器に基板を搬入し、薄膜形成用のプロセスガスを反応室に導入し、基板上に薄膜を形成する。 - 特許庁

The process of ashing is carried out in or after the etching to prevent the etching rate from decreasing owing to sputtering of the reaction products deposited on the surface of the target material, thereby obtaining the stable etching rate.例文帳に追加

本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 - 特許庁

To provide a silica glass plate for a fluid circulation and its manufacturing method, wherein in particular in a plasma etching device, a reaction efficiency of a plasma etching or the like is good, and it is intended to miniaturize an assembly device of the plasma etching device or the like, and also a perforation process is facilitated.例文帳に追加

特に、プラズマエッチング装置において、プラズマエッチング等の反応効率がよく、プラズマエッチング装置等の組込み装置の小型化が図れ、かつ、孔明け加工が容易な流体流通用シリカガラス板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In carrying out etching of laminated films consisting of silver or a silver alloy by using an etching solution consisting of mixed acids composed of a phosphoric acid, nitric acid and acetic acid, the etching solution is made to flow and the flow intensity thereof is specified to a range from the fluid intensity at which the etching reaction starts up to the fluid intensity of 67% thereof.例文帳に追加

リン酸・硝酸・酢酸の混酸から成るエッチング溶液を用いて銀または銀合金から成る積層膜のエッチングを行う際に、エッチング溶液を流動させ、その流動強度は、エッチング反応が開始する境界の流動強度からその６７%の流動強度までの範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

In this method for detecting an etching end point, only a signal change based on an etching reaction in each etching cycle is extracted, a discontinuous location in a waveform corresponding to the extracted signal change is continuously corrected with the use of a first correction waveform and then a second correction waveform CW2 to detect an etching end point ED, based on a continuos waveform after correction.例文帳に追加

各エッチングサイクルにおけるエッチング反応に基く信号変化だけを取り出すとともに、取出した信号変化に相応する波形の不連続個所を第１補正波形、次いで第２補正波形ＣＷ２によって連続させる補正を行い、補正後の連続波形よりエッチング終点ＥＤを検出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate for a thermal head, the substrate which has high partially convexed protrusions, and also has small undulations in their convexed top surfaces and slopes, by etching while removing a solid reaction product produced in a glass etching so as to improve a decrease of an etching speed and an unevenness of etching.例文帳に追加

エッチング速度の低下及びエッチングの不均一を改善するために、ガラスエッチング時に生成する固形の反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、凸状部の高さが高く、かつ凸状部頂面およびその斜面のうねりが小さいサーマルヘッド用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The polarizing element 1 includes: a substrate 11A; a plurality of metal filaments 18A provided on the substrate 11A by patterning a metal film by means of etching; and a deposition film 118 formed in an upper end part of each metal filament 18A, by chemical reaction of an etching gas with an etching product when etching the metal film.例文帳に追加

基板１１Ａと、金属膜をエッチングによりパターニングし基板１１Ａ上に設けられた複数の金属細線１８Ａと、金属膜のエッチング時におけるエッチングガス及びエッチング生成物が化学反応することで各金属細線１８Ａの上端部に形成されてなる堆積膜１１８とを備えた偏光素子１である。 - 特許庁

With an inclination 45° or more, a reaction product preventing etching at the lower part of the substrate tends to peel off and drop from the substrate surface, so that unevenness or dispersion in etching amount in vertical direction is suppressed.例文帳に追加

４５度以上傾けるので、基板下部のエッチングを妨げる反応生成物が基板表面から脱離下降しやすくなり、エッチング量の上下方向の不均一やばらつきが抑制される。 - 特許庁

The controlability of ridge shape and ridge width can be improved by removing the reaction product 9 of dry etching by its oxidization so as to raise the stability of the wet etching following it.例文帳に追加

ドライエッチングの反応生成物９を酸化して除去することにより、それに続くウェットエッチングの安定性を向上させて、リッジ形状およびリッジ幅の制御性を向上させることができる。 - 特許庁

To suppress the adhesion of a reaction product at a semiconductor wafer periphery for forming trenches by etching e.g., a silicon layer with plasma to suppress the reduction of an etching rate.例文帳に追加

半導体ウエハに対してプラズマにより例えばシリコン層をエッチングしてトレンチを形成するあたり、ウエハ外縁部における反応生成物の堆積を抑えてエッチングレートの低下をを抑制すること。 - 特許庁

In copper-etching reaction by a ferric chloride solution, copper is dissolved by ferric chloride, so as to be changed into cupric chloride, and the ferric chloride itself is reduced into ferrous chloride, and its etching capacity is deteriorated.例文帳に追加

塩化第二鉄溶液による銅エッチング反応では、銅は塩化第二鉄に溶解されて塩化第二銅に変化し、塩化第二鉄自身は塩化第一鉄に還元されてエッチング能力が劣化する。 - 特許庁

To uniformly bring the surface of an anode plate with an etching soln. while the etching soln, is stirred, to uniformize the reaction rate and to increase the applying voltage to a space between the electrode plates while the generation of gaseous chlorine is suppressed.例文帳に追加

陽極板表面に対しエッチング液を撹拌しつつ均一に接触させて反応速度を一様にし、塩素ガスの発生を抑制しつつ、電極板間に対する印加電圧を高くする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for preventing deterioration of wiring reliability due to a reaction product generated in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for accurately determining the end point of dry etching for cleaning a reaction tank.例文帳に追加

反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry processing device which is small in storage of charge and at the same time fast in reaction speed, and is suitable for etching and ashing treatment, or the like.例文帳に追加

電荷の蓄積が少なくかつ反応速度が速い、エッチング処理やアッシング処理等に適したドライプロセッシング装置を提供する。 - 特許庁

Etching is performed, using carbon monoxide gas added with a compound gas containing nitrogen as a reaction gas, and using a mask made of tantalum or tantalum nitride.例文帳に追加

含窒素化合物ガスを添加した一酸化炭素ガスを反応ガスとし、タンタル又は窒化タンタルによるマスクを使用してエッチングを行う。 - 特許庁

To make easier the removal of reaction product and reduce fish-born faults in a result of microwave plasma etching.例文帳に追加

マイクロ波プラズマエッチングの結果、清々される反応生成物の除去を容易にすること、殊にフィッシュボーン不良の発生を低減する。 - 特許庁

The ferrous chloride in the solution of the iron salt is oxidized into ferric chloride by the reaction to regenerate an etching solution of ferric chloride.例文帳に追加

この反応により鉄塩溶液中の塩化第一鉄が塩化第二鉄へと酸化され、塩化第二鉄エッチング液が再生される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a dry etching equipment and a semiconductor device, in which uniform etching is realized in a wafer surface, by making the amount of incidence of an etching reaction product in a wafer peripheral part and a wafer central part uniform, even when a wafer having a large diameter is used.例文帳に追加

大口径のウエハを用いた場合でも、ウエハ周辺部とウエハ中心部とのエッチング反応生成物の入射量を均一にして、ウエハ面内で均一なエッチングを実現するドライエッチング装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate-treatment device for mounting a circuit board, where at jetting an etching liquid to a substrate upper surface for etching, a etching reaction is propagated evenly over the entire upper surface of substrate for improved circuit formation accuracy.例文帳に追加

エッチング処理の際、基材上面にエッチング液を噴射してエッチング処理を行うにあたり、基材上面の全面に亘ってエッチング反応を均一に進行させて回路形成精度を向上することができる回路板製造用基材処理装置を提供する。 - 特許庁

Further, this method is provided with a step for forming a reaction layer on the surface of the semiconductor wafer, and a step for etching the surface of the wafer by detaching the reaction layer formed on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

さらに、半導体ウエハの表面に反応層を形成する段階及び前記半導体ウエハの表面に形成された反応層を脱着させてウエハ表面をエッチングする段階を含む。 - 特許庁

To relate to a reaction furnace which decomposes organic halogen gas such as PFC,HFC to be used in a wafer etching device such as a semiconductor production device into a harmless substance with high temperature, and also relate to a reaction method used for the same.例文帳に追加

半導体製造装置などのウエハエッチング装置で使用されるＰＦＣ、ＨＦＣなどの有機ハロゲンガスを、高温で無害な物質に分解する反応炉、および反応方法に関する。 - 特許庁

In a method of cleaning the reaction vessel of an epitaxial growth device, vapor-phase etching by gas including hydrogen chloride is performed for cleaning within the reaction vessel of an epitaxial growth device; and then the temperature of a susceptor within the reaction vessel is set between 400°C and 800°C, to circulate a gas including silane within the reaction vessel.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置の反応容器内を、塩化水素を含むガスで気相エッチングしてクリーニングした後に、さらに前記反応容器内のサセプタの温度を４００℃以上８００℃以下にしてシランを含むガスを前記反応容器内に流通することを特徴とするエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents the degradation of wiring reliability, which is caused by a reaction product produced during an etching process.例文帳に追加

エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, only the reaction product 12 can be removed without etching the second clad layer 4 and the cap layer 5.例文帳に追加

したがって、上記第２クラッド層４および上記キャップ層５をエッチングすることなく、上記反応生成物１２だけを除去することができる。 - 特許庁

The tank 11 is used for the dip type substrate treatment equipment, and prescribed treatment such as cleaning, etching and substitution at the time of reaction is performed.例文帳に追加

このような貯留槽１１を浸漬式基板処理装置に利用し、所定の処理、例えば洗浄、エッチング、反応の際の置換などを行う。 - 特許庁

In the surrounding of the reaction container 2 of an etching apparatus, the magnetic generator 6 for generating magnetism so as to quicken forming of plasma is arranged.例文帳に追加

エッチング装置の反応容器２の周囲には、プラズマの形成を促進させるべく磁気を生成する磁気発生装置６が配置されている。 - 特許庁

A gas decomposition product of the electrically negative insulating gas reacts on copper remaining on the DBC substrate, and the reaction product is identified as a defect of etching.例文帳に追加

電気負性絶縁ガスのガス分解生成物がDBC基板に残存した銅と反応した生成物を、エッチングの欠陥として判別する。 - 特許庁

To prevent hillock and electrochemical reaction with an ITO electrode in an Al wiring film, and then suppress the generation of etching residue.例文帳に追加

Ａｌ配線膜におけるヒロックの発生やＩＴＯ電極等との電気化学反応を防止した上で、エッチング残渣の発生を抑制する。 - 特許庁

Etching in the depth direction has selectivity, depending on the kind of compound constituting the layer, and reaction comes to a halt at the interface between the upper and lower layers.例文帳に追加

また、深さ方向のエッチングには層を構成する化合物の種類により選択性があり、下層との界面で反応は停止する。 - 特許庁

Consequently, etching takes place in the bottom section of a contact hole, but does not take place on a resist 31, because a resulted product 32 of reaction accumulates on the resist 31.例文帳に追加

これにより、コンタクトホール底部ではエッチングが進行するが、レジスト31上部ではRIEでの反応生成物32が堆積し、エッチングが進まない。 - 特許庁

To provide a method for etching material at its surface by a focused electronic beam for deriving a chemical reaction on the surface.例文帳に追加

本発明は、表面で化学反応を誘導する集束された電子ビームによって表面で材料をエッチングするための方法に関する。 - 特許庁

The control section 1 controls time for supplying hydrofluoric acid into the vessel 1 longer than the time when the etching of a reaction product begins and shorter than the time when the etching of a gate insulation film begins.例文帳に追加

制御部１１により、容器１内にフッ酸ガスを供給する時間は、反応生成物のエッチングが始まるまでの時間よりも長く、ゲート絶縁膜のエッチングが始まるまでの時間よりも短く設定される。 - 特許庁

After plasma etching treatment, interior of the vacuum vessel 1 in a plasma etching apparatus is cleaned by means of plasma P while exposing the surface of a susceptor 3, and reaction products A adhering to the interior of the vacuum vessel 1 are removed.例文帳に追加

プラズマエッチング処理後に、サセプタ３の表面を露出した状態でプラズマエッチング装置の真空容器１の内部をプラズマＰによりクリーニングし真空容器１の内部に付着した反応生成物Ａを除去する。 - 特許庁

To suppress the chemical dissolution reaction of the etched part in a non-electrolyzed zone which can not be subjected to current impressing in a electrolytic etching stage, and to suppress the falling, reduction of capacity and reduction of strength in the etching layer.例文帳に追加

電解エッチング処理工程における電流印加ができない無電解部分における既エッチング部の化学溶解反応を抑制するとともに、エッチング層の欠落、容量低下、強度低下を抑える。 - 特許庁

To provide a surface treatment method capable of removing a reaction product or a hard mask from a treated workpiece immediately after etching processing, and to provide an etching processing method and a manufacturing method of an electronic device.例文帳に追加

本発明は、エッチング処理直後に被処理物から反応生成物やハードマスクなどの除去を行うことのできる表面処理方法、エッチング処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

A gas mixture of hydrogen iodide gas and helium gas is introduced into inside of a reaction vessel 1 through a gas inlet opening 6, and the ITO layer of a specimen 8 placed on a lower electrode 2 is dry etching by reactive ion etching.例文帳に追加

ガス導入口６からヨウ化水素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを反応容器１内に導入し、下部電極２上に載置された試料８のＩＴＯ層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a reactant gas supply method of a dry etching device which can prevent a gas composition from altering by the generation of H_2, when HF or a gas containing HF is used as a reactant gas, and can prevent reaction of an etching process from altering, to conduct etching of high accuracy.例文帳に追加

反応ガスとしてＨＦやＨＦを含むガスを用いる場合に、Ｈ_２の発生によりガス組成が変化するのを防ぎ、エッチングプロセスの反応が変化するのを防いで精度の良いエッチング処理を行うことが可能になるドライエッチング装置の反応ガス供給方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁

While sustaining discharge, second etching is supplied into the reaction chamber at a flow rate in the range of ±10% that of the first etching gas and at a gas pressure in the range of ±50% that of the first etching gas and plasma is generated in order to etch the insulating film 3.例文帳に追加

放電を継続した状態で、反応室内に、ガス流量が第１のエッチングガスのガス流量の−１０％〜＋１０％、ガス圧力が第１のエッチングガスのガス圧力の−５０％〜＋５０％である第２のエッチングガスを供給し、プラズマを生成して絶縁膜３をエッチングする。 - 特許庁

At the time of working a coating formed on a semiconductor substrate by plasma etching, predetermined wavelength in the ultraviolet region of a light emission spectrum due to elements contained in reaction gas in the plasma etching is monitored so that an etching end point can be detected according to the change of the strength of the predetermined wavelength.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被膜をプラズマエッチングにより加工する際、前記プラズマエッチングにおける反応ガスに含まれる元素に起因する発光スペクトルの紫外領域における所定波長をモニタし、前記所定波長の強度の変化よりエッチング終点を検出する。 - 特許庁

Thereby, the etching material and the electrode material 12 do not react at etching of the oxide film of the electron emission region 13, and the reaction substance of the etching material and the electrode 12 material does not expand in the electron emission region 13, hence the emission of the electrons can be made efficient.例文帳に追加

このため、電子放出領域１３の酸化膜をエッチングする際の、エッチング材料と電極１２の材料とが反応せず、エッチング材料と電極１２の材料の反応物質が電子放出領域１３に広がることがないので電子の放出を効率よくできるようになる。 - 特許庁

Mask pattern material on a base substrate coated with a multilayer film, and reaction gas which is used when the mask pattern material is worked with plasma dry etching are so combined that at least one kind of reaction product formed when the plasma dry etching is performed becomes solid phase at a room temperature or a substrate temperature which is raised during the plasma dry etching.例文帳に追加

多層膜をコーテイングした下地基板上のマスクパターン材料と、該マスクパターン材料をプラズマ・ドライエッチングで加工する際に用いられる反応ガスとを、プラズマ・ドライエッチング時に生成される反応生成物の少なくとも一種が室温又はプラズマ・ドライエッチング中に昇温した基板温度において固相になるごとく組み合わせて構成したことを特徴とする。 - 特許庁