「etching reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

In a method for selectively anisotropically etching a silicon nitride film with respect to a silicon oxide film, a polysilicon film and a silicon, the temperature of a substrate is kept at 10°C or below, and a mixed gas of a compound gas, containing fluorine, carbon and hydrogen, and a carbon monoxide (CO) is used as a reaction gas.例文帳に追加

シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコンに対して選択的に異方性エッチングする方法において、基板温度を１０℃以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素（ＣＯ）との混合ガスを反応ガスとして使用する。 - 特許庁

First silicifying annealing, wet-etching, and second silicifying annealing are performed on the Co film, and an invert reaction to a CoSi2 film is completed, and the CoSi2 film is formed on the gate electrode 26, the N-type source/drain region 32 and the P-type source/drain region 34.例文帳に追加

１回目のシリサイド化アニーリング、ウエットエッチング及び２回目のシリサイド化アニーリングをＣｏ膜に施して、ＣｏＳｉ_2 膜への転化反応を完結させ、ゲート電極２６、Ｎ型ソース／ドレイン領域３２及びＰ型ソース／ドレイン領域３４上にＣｏＳｉ_2 膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method and a system for fabricating a semiconductor device in which scattering of particles to an etching object can be suppressed when an insulating film and an antireflection film on a metal film are etched in the same reaction chamber and generation of pattern defect can be suppressed.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜と反射防止膜とを同一の反応室内でエッチングする際におけるエッチング対象物へのパーティクルの散布を抑制でき、パターン欠陥の発生を抑制し得る半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

(1) The method for forming the structure is characterized by using the medium having the laminated structure of the light absorption layer and the thermal reaction layer and forming the fine structure by a step of irradiating at least the medium with the light and a step of etching the medium.例文帳に追加

（１）光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成することを特徴とする構造体形成方法。 - 特許庁

In the dry etching method, gallium-nitride compound layers 22-24, sapphire substrates 21 or alumina substrates are etched by plasma 26 generated from a reaction gas containing chlorine gas and gas of a compound (such as chloroform, dichloromethane, etc.), represented by a chemical formula C_xH_yCl_z, in which each of x, y, and z is a positive integer.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

By using a semiconductor manufacturing apparatus having a purifying apparatus, a plurality of reaction chambers, a heating chamber, a laser apparatus, and an etching apparatus, processes from the formation of a ground film to the gettering of the catalyst element and the removal of a gettering layer are continuously carried out.例文帳に追加

洗浄装置、複数の反応室、加熱室、レーザー装置およびエッチング装置を有する半導体製造装置を用いることにより、下地膜形成から、当該触媒元素のゲッタリングおよびゲッタリング層の除去までを連続的に処理するものである。 - 特許庁

Plasma of the etching gas and a dilution gas is generated between an upper electrode 21 and a lower electrode 5, an electric charge exchanging reaction between ions and neutral particles ionizes neutral particles, and the ionized particles are injected to a semiconductor wafer W to etch the wafer.例文帳に追加

エッチングガスと希釈ガスとのプラズマを上部電極２１と下部電極５との間に発生させて、このプラズマでのイオンと中性粒子との電荷交換反応により中性粒子をイオン化して半導体ウエハＷに入射させてこのウエハをエッチングする。 - 特許庁

In place forming the auxiliary groove 93, a checking liquid 94 is fed inside the cut groove 92, and the etching liquid 94 stored in the cut groove 92 is irradiated with laser beams 101 of the output not to cause any ablation reaction and heated.例文帳に追加

また，補助溝９３を形成する代わりに，切削溝９２の内部にエッチング液９４を供給し，切削溝９２に滞留したエッチング液９４に対してアブレーション反応を起こさない程度の出力のレーザ光１０１を照射して加熱する。 - 特許庁

Kinetic energy distribution of ions in a plasma is varied by regulating the strength of electric field generated from the AC power supply 27 thus controlling the compositional ratio of dissociated ions in the mother gas of a reaction gas being employed for etching or deposition.例文帳に追加

交流電源２７の発生する電界の強度を調整することで、プラズマ中のイオンの運動エネルギーの分布を変化させ、エッチングあるいはデポジションに用いる反応ガスの母ガスの解離状態または解離したイオンの組成比を制御することができる。 - 特許庁

The magnetic recording layer 13 is etched with reactive ion etching under heating, by using a reaction gas composed of gaseous chlorine in a vacuum, and using the first mask layer 14a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスからなる反応ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

This electrode degradation preventing system comprises an electrode 12 which is provided in a reaction chamber 10 of an etching device and supports a substrate 26 to be etched and has a plurality of openings 24, and a gas line 122 for supplying a gas passing through respective openings 24 to prevent the adherence of the deposited materials onto the openings 24 during the pre-process or post-process of the etching processing.例文帳に追加

電極部劣化防止機構は、エッチング装置の反応室１０に設けられる電極部であって、エッチング処理される基板２６を支持するとともに、開口部２４を複数有する電極部１２と、エッチング処理の前工程または後工程における、開口部２４に対する堆積物の付着を防止するため、開口部２４のそれぞれに通気されるガスを供給するためのガスライン１２２とを具える。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode comprises a process of etching a ZnSe substrate 1 with an etchant and then forming a protective film 3 by depositing a deposit generated by the etching reaction on the etched surface of the ZeSe substrate 1, and a process of removing the protective film 3 formed on the surface of the ZeSe substrate 1 and then forming an electrode 4 on the exposed surface of the substrate 1.例文帳に追加

この電極製造方法は、ＺｎＳｅ基板１をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜３を形成する工程と、ＺｎＳｅ基板１の表面に形成された保護膜３を除去して、表面１１を露出させる工程と、露出した表面に電極４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which an suppress an increase in the contact resistance of an Al alloy wire in a connection hole, by preventing products of reaction on Al from being formed, when etching for forming the connection hole in an interlayer insulating film is carried out.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a member composed principally of yttria is used for the transmission window 108 of the porous structure and then even when an apparatus constituent member is caused to rise in temperature, the transmission window of the porous structure and etching reaction products sticking on the transmission window can be substantially equalized in coefficient of linear expansion.例文帳に追加

また、多孔構造の透過窓１０８にイットリアを主成分とする部材を用いることにより、装置構成部材の温度上昇を招いたとしても、前記多孔構造の透過窓と前記透過窓に付着したエッチング反応生成物の線膨張係数をほぼ一致させる。 - 特許庁

The high-frequency power of 13.56 MHz is applied to a substrate S including the insulating film I in the range of 50-300 W while exposing the substrate S to the plasma, whereby the insulating film I is etched in a condition where an etching reaction by an ion component in the plasma becomes dominant.例文帳に追加

上記絶縁膜Ｉを有する基板Ｓをこのプラズマに曝しつつ、該基板Ｓに対し５０Ｗ〜３００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可することにより、プラズマ中のイオン成分によるエッチング反応が支配的となる条件で絶縁膜Ｉをエッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a method of fabrication, in which the contact resistance of an Al alloy interconnection can be prevented from increasing in a contact hole by preventing formation of reaction products with Al when a contact hole is made in an interlayer insulation film by etching.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface layer of the semiconductor substrate 1 exposed from the gate electrode 3a and the TEOS sidewall 5 is subjected to preprocessing based on a surface gas etching reaction in which processing of supplying a hydrofluoric acid gas and an ammonia gas and thermal processing are executed, thereby removing a natural oxidation film 6.例文帳に追加

ゲート電極３ａおよびＴＥＯＳサイドウォール５から露出された半導体基板１の表面層に対して、フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応による前処理を行い、自然酸化膜６を除去する。 - 特許庁

The cavity part is etched by a reaction ion etching method and completely specified along side surfaces by side walls arranged at angles between 80°-100° with respect to the membrane, and the adjacent side walls are arranged at an angle of at least 40° with respect to each other.例文帳に追加

空洞部は反応イオンエッチング法によってエッチングされ、空洞部は、薄膜に対して８０度と１００度との間の角度で配置された側壁によって側面に沿って全面的に規定され、隣接する側壁は互いに対して少なくとも４０度の角度で配置される。 - 特許庁

Thereafter, in the dry etching process of the second stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, a bottom part 4R of the hole 4a is removed in a state where pressure in the reaction chamber is set to 50-1,000 Pa, and the upper surface of the carbon nanotube layer 3 is exposed.例文帳に追加

その後、第２段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０以上１０００Ｐａ以下に設定されている状態で、ホール４ａの底面部４Ｒが除去され、カーボンナノチューブ層３の上面が露出する。 - 特許庁

The chemical polymerization reaction can be promoted by stages by executing at least twice or more of heat treatment for a fixed time, the solid-state electrolytic layer is formed into the etching pit 8 of the anode electrode foil 1, and the residue of the solvent can also be removed effectively.例文帳に追加

少なくとも２回以上の熱処理を一定時間ほど超すことで、化学重合反応を段階的に促進させることができ、陽極電極箔１のエッチングピット８内部に固体電解質層が生成され、溶媒の残留物を効果的に除去することもできる。 - 特許庁

When a silicon area 6B containing a large amount of metal is etched by performing plasma etching using a mixed gas of HBr gas and Cl2 gas, superior anisotropy is secured, because reaction products, etc., deposit and form side-wall protective films 8 on the side walls of a resist mask and the thin silicon film 10.例文帳に追加

ＨＢrガスとＣl_2ガスとの混合ガスを用いたプラズマエッチングにより多量に金属を含むシリコン領域６Ｂをエッチングすると、反応生成物等がレジストマスクやシリコン薄膜の側壁に堆積して側壁保護膜８が形成され、優れた異方性が確保される。 - 特許庁

To provide a plasma processor capable of preventing reaction products from sticking on an optical window of a view port for collecting plasma light in a chamber and capable of continuously collecting the light in real time, in the plasma processor which performs plasma processes such as etching, CVD, and ashing.例文帳に追加

エッチング、ＣＶＤ、アッシングといったプラズマプロセスを行うプラズマプロセス装置において、チャンバ内のプラズマ光を採光するためのビューポートの光学窓に反応生成物が付着することを防止し、かつ、リアルタイムで連続的に採光を行うことができるプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system and a method for reusing exhaust gas in which the size of the system can be reduced easily, the system can be fixed to each etching system, exhaust gas used for plasma reaction can be reused entirely, and exhaust gas component can be collected with high efficiency.例文帳に追加

装置の小型化が容易であり、エッチング装置毎に装着することができると共に、プラズマ反応に使用した後の排ガス全てを再利用することができ、排ガス成分を高効率で回収することができる排ガス再利用装置及び排ガス再利用方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises a step of preparing a reactor (including an etching apparatus and a vapor deposition apparatus) using chlorine-based gases, and a step of removing residues present in a reaction tube by forming plasma containing at least one of hydrogen and nitrogen in the reactor.例文帳に追加

塩素系列の気体を用いる反応装置（エッチング装置、蒸着装置を含む）を用意するステップと、前記反応装置内に、水素及び窒素の内の少なくとも１つを含むプラズマを形成して反応管内に存在する残留物を除くステップと、を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof.例文帳に追加

熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a vertical section in a treated shape, when an antireflection film formed of at least two separate layers of at least two kinds of polysilanes is dry-etched with a resist pattern used as a mask and thereby to enable control of the influence of microloading effects produced by a reaction product in etching.例文帳に追加

少なくとも二種類のポリシランを少なくとも二層に分けて成膜した反射防止膜を、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う際、加工形状の断面が垂直状に得られるようになり、エッチング時の反応生成物によって生じるマイクロローディング効果の影響を制御できる。 - 特許庁

A method and an apparatus for manufacturing a polycrystal silicon permitting the reactor to be continuously operated by effectively preventing silicon from precipitating and depositing by injecting an etching gas containing hydrogen chloride onto the surface of the reaction gas feeding means, when manufacturing at a large scale the polycrystal silicon of particle form by fluidizing silicon particles while feeding the reaction gas by using a fluidized bed reactor, are provided.例文帳に追加

本発明は、流動層反応器を用いて反応ガスを供給しながらシリコン粒子を流動させて粒子形態の多結晶シリコンを量産するにおいて、塩化水素を含むエッチングガスを反応ガス供給手段の表面に注入することによってシリコンが析出されて堆積されるのを有効に防ぎ、反応器を連続的に運転することを可能とする多結晶シリコンの製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of preventing the depletion of a wiring layer by removing a mask, while maintaining even thickness of an underlying film by preventing the generation of reaction active species of fluorine caused by a by-product due to etching when removing the mask, and reducing subsequent underlying film overetching time.例文帳に追加

マスクを除去する時にエッチングによる副生成物に起因するフッ素の反応活性種の生成を防止して下地膜の膜厚を均一に保ちながらマスクを除去して、その後の下地膜のオーバーエッチングの時間を少なくして配線層の減少を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

An inner region on the surface of a focus ring is finish-worked at mean surface roughness Ra in e.g., 0.1 or less as fine as suppressing the adhesion of a reaction product in an etching process, and an outer region is finish-worked at mean surface roughness Ra e.g., 3.2 or less.例文帳に追加

フォーカスリングの表面における内側領域を、エッチング処理時の反応生成物の付着を抑えることができる程度の平均表面粗さＲａとなるように例えば０．１以下に仕上げ加工し、外側領域を反応生成物を捕集するためにその平均表面粗さを例えばＲａ３．２以下に仕上げ加工する。 - 特許庁

At dry etching of a silicon nitride film deposited on copper using a mixture gas containing a fluorocarbon based gas and an inert gas as a reaction gas, the fluorocarbon based gas contains CF4 and CHF3 at a flow rate ratio of 3:7 to 0:1 or CF4 and CH2F2 at a flow rate ratio of 2.5:1 to 0:1.例文帳に追加

銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、フルオロカーボン系ガスがＣＦ_4とＣＨＦ_3とを３：７〜０：１の流量比、或いはＣＦ_4とＣＨ_2Ｆ_2とを２．５：１〜０：１の流量比で含むことを特徴とする。 - 特許庁

(b) a complexing agent which stabilizes gold ions into a plating soln. but substantially does not dissolve nickel, cobalt or palladium and (c) a gold precipitation inhibitor capable of suppressing the partial and excessive etching of the base metal generated at the time of executing gold plating by substitution reaction with the base metal.例文帳に追加

（イ）水溶性金化合物、（ロ）めっき液中に金イオンを安定化するが、ニッケル、コバルト又はパラジウムを実質的に溶解しない錯化剤、及び（ハ）下地金属との置換反応によって金めっきを行なう際に生じる下地金属の部分的かつ過剰なエッチング又は浸食を抑制することのできる金析出抑制剤。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a group III nitride crystal, with which it is possible to take out the group III nitride crystal without substituting or etching an alkaline metal not forming a reaction product directly and thereby, without using a reagent such as an alcohol or an acid when the group III nitride crystal is grown using the alkaline metal.例文帳に追加

アルカリ金属を用いてIII族窒化物結晶を成長させるときに、直接反応生成物を形成しないアルカリ金属をアルコールや酸等の薬液を用いずに、置換やエッチングすることなく、III族窒化物結晶を取り出すことの可能なIII族窒化物結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

A first cleaning liquid which has a relatively weak etching power against the insulating film 15 and a second cleaning liquid which has a relatively strong power against the insulating film 15 are successively used, by which reaction products 18 deposited on the wall surface and base of the viahole 17 are removed, and then the inside of the viahole 17 is rinsed with wafer.例文帳に追加

絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に弱い第１の洗浄液、及び絶縁膜１５に対するエッチング力が相対的に強い第２の洗浄液を順次用いることにより、ビアホール１７の壁面又は底面等に付着した反応生成物１８を除去した後、ビアホール１７の内部を水洗する。 - 特許庁

To suppress troubles of allowing insulative reaction byproducts to adhere on the surface of an underlying Cu interconnections exposed on the bottoms of interconnection grooves, and allowing a silicon carbide film and an organic insulating film exposed on the sidewalls of interconnection grooves to be side-etched, in forming interconnection grooves on the underlying Cu interconnections by dry-etching an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises: forming the insulating film on a first conductor film; and forming a recess in an upper part of the insulating film exposed in an opening of a mask film and sticking reaction products on a lower part of a side wall part of the mask film through anisotropic etching using the mask film having the opening for exposing the insulating film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、第１の導電体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を露出する開口部を有するマスク膜を用いた異方性エッチングにより、開口部に露出した絶縁膜の上部に凹部を形成すると共に、マスク膜の側壁部下部に反応生成物を付着させる。 - 特許庁

The gas blow-out plate of a plasma etching device constituting a part of electrode and capable of passing reaction gas internally has one major surface provided with lattice-like grooves and a large number of through holes are made at lattice points or in the vicinity thereof.例文帳に追加

電極の一部を構成し、その内部に反応ガスを流通させることができるプラズマエッチング装置のガス吹き出し板であって、上記ガス吹き出し板は、その一主面に格子状の溝が形成され、上記溝の格子点又はその近傍に多数の貫通孔が設けられていることを特徴とするプラズマエッチング装置のガス吹き出し板。 - 特許庁

The transparent conductive thin film laminated product formed by laminating the transparent, high-refraction factor thin film layer 2 and the transparent metal thin film layer 30 on a transparent substrate 10 is exposed to the gas obtained by decomposing reaction gas with plasma and having the pressure of 10 Pa or below for etching.例文帳に追加

透明基体１０上に、透明高屈折率薄膜層２０及び透明金属薄膜層３０を積層してなる透明導電性薄膜積層体を、反応ガスをプラズマにより分解した圧力１０Ｐａ以下の気体に曝すことによりよってエッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thereby, while controlling deposition of solid SiC through infiltration of raw material gases 3 or the like into the heat-insulating base material 10a by virtue of the graphite sheet 10b, further chemical reaction of the graphite sheet 10b with components contained in etching gases and raw material gases is controlled by virtue of the high-melting point metal carbide film 10c.例文帳に追加

これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。 - 特許庁

The oxygen-based gas plasma removes carbon-based substances in deposits, containing carbon-based substances and metallic substances as carbon dioxide, in most cases; the etching reaction gas removes metallic substances or the like which are not removed by cleaning using the oxygen-based gas; and by using the two gases combined, effective removal of deposits can be made.例文帳に追加

酸素系ガスのプラズマで、少なくとも炭素系物質と金属性物質を含有する堆積物から炭素系物質を多くの場合二酸化炭素として除去し、エッチング反応ガスで、前記酸素系ガスによるクリーニングでは除去できない金属性物質等を除去し、両ガスを組み合わせて使用することにより、効果的な堆積物除去を可能にする。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

To provide a method for cleaning deposition film forming device, by which a high-quality deposited film of, particularly, high quality electrophotographic sensitive material can be obtained stably, by efficiently removing by-products in a reaction vessel, a dry etching method, and to provide a method of manufacturing article including a step of executing either of the methods.例文帳に追加

反応容器内の副生成物を効率的に除去することができ、高品質の堆積膜、特に高品質の電子写真感光体を安定して得ることが可能な堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁