「etching reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Normally, plasma is generated from a fed reaction gas which keeps a glow discharge region, and etching to a semiconductor wafer Waf is carried out.例文帳に追加

通常、グロー放電領域を保ちつつ供給される反応ガスによるプラズマが発生され、半導体ウェハＷａｆへのエッチング処理がなされる。 - 特許庁

The dry etching device 1 produces an inert gas atmosphere for preventing the reaction product gas from adhering to the view port 13.例文帳に追加

本発明のドライエッチング装置１では、ビューポート１３の表面に反応生成ガスの付着を防止するための不活性ガスのガス雰囲気が形成される。 - 特許庁

The emission intensity (440 nm) of an SiF as a reaction product of the fluorine radical and a silicon is detected, and the etching end point of the upper layer 34A is also detected.例文帳に追加

フッ素ラジカルとシリコンとの反応生成物であるＳｉＦの発光強度（４４０ｎｍ）を検出して、上層３４Ａのエッチング終点を検出する。 - 特許庁

Accumulated coating thickness is controllable by a sputter etching reaction using the ion sheath on the front surface of divided wall 8 to which high frequency electricity is applied.例文帳に追加

高周波電力が印加されている分割壁８前面では、イオン・シースを用いたスパッタ・エッチング反応によって堆積膜厚を制御することができる。 - 特許庁

Thus, the ratio at which a reaction product 21A generated in etching reaches the quartz windows 53A, 53B and adhere thereon is smaller than a ratio in a conventional case.例文帳に追加

このため、エッチングの際に生成された反応生成物２１Ａが石英窓５３Ａ，５３Ｂに到達して付着する割合は、従来よりも低くなる。 - 特許庁

By such a method, the Schottky barrier transistor can be manufactured without passing a selective wet etching process which removes a non-reacted metal after the silicide reaction.例文帳に追加

このような方法によれば、シリサイド反応後に未反応金属を除去する選択的ウェットエッチング工程を経ずにショットキー障壁トランジスタが製造できる。 - 特許庁

To provide dry etching method/device for reducing reaction products bonded to an equalized ring disposed in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空容器内に設けられた均一化リングに付着する反応生成物を低減させることが可能なドライエッチング方法および装置を提供すること。 - 特許庁

A plurality of recessed portions are formed on the surface of the electrode plate cover and is made to easily collect matters generated by reaction during etching.例文帳に追加

電極板カバー３０の表面には複数の凹部が形成されており、エッチング中に発生する反応生成物を付着集塵しやすくしている。 - 特許庁

The oxide film is removed by surface gas etching reaction (COR) for performing treatment for supplying fluorinated acid gas and ammonia gas and subsequent heat treatment (S6).例文帳に追加

フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応（ＣＯＲ）により、酸化膜を除去する（Ｓ６）。 - 特許庁

To provide a cleaning method of wafers capable of readily suppressing excessive reaction caused by a residual etchant on a wafer after etching without increasing costs.例文帳に追加

エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

Inside the reaction chamber 1 of an etching device, a catalyst (copper member) 5 having the function of changing the radical composition from CF_2 radical of CF radical is disposed.例文帳に追加

エッチング装置の反応室１の内部に、ＣＦ_2ラジカルからＣＦラジカルにラジカル組成を変化させる機能を有する触媒（銅部材）５を配設する。 - 特許庁

This plasma etching treatment is performed in a plasma reaction apparatus with a ceiling electrode 110 that lies on a process region equipped with multiple injection zones shaped as concentric circles.例文帳に追加

複数の同心円状ガス噴射区域を備えた処理領域上に横たわる天井電極１１０を有するプラズマ反応装置内で行われる。 - 特許庁

A substrate processing method includes: a first step of carrying a substrate into a reaction chamber, supplying a material gas into the reaction chamber, irradiating the supplied material gas with the ultraviolet light, processing the substrate with an induced gas, and then carrying the substrate out; and a second step of supplying an etching gas into the reaction chamber after the first step and irradiating the supplied etching gas with the ultraviolet light.例文帳に追加

基板を反応室内へ搬入し、材料ガスを反応室へ供給し、供給された材料ガスに紫外光を照射し、誘起されたガスで基板を処理し、その後基板を搬出する第一のステップと、第一のステップの後、反応室内にエッチングガスを供給し、供給されたエッチングガスに紫外光を照射する第二のステップを有する基板処理方法。 - 特許庁

When carrying out a substrate S after etching from a reaction chamber 11, this dry etching device supplies the reaction chamber with inert gas before separating the board from a lower electrode 13 by means of a lifting mechanism 23, and shifts the electric charge to the inert gas without applying voltage to the lower electrode, and removes the statics on the board and the lower electrode.例文帳に追加

エッチング終了後の基板Ｓを反応室１１から搬出する際、昇降機構２３によって基板を下部電極１３から分離する前に、反応室に不活性ガスを供給し、下部電極に電圧を印加することなく電荷を不活性ガスに移して、基板および下部電極の帯電を除去する。 - 特許庁

In the dry etching system 102, a reaction chamber 106 is evacuated by means of a dry pump 112 upon finishing dry etching and a vacuum pressure gauge 108 delivers a measurement start command signal 18 when the pressure drops below a reference level.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０２では、ドライエッチング終了後、ドライポンプ１１２による反応チャンバー１０６の真空引きが行われ、真空圧力計１０８は、圧力が基準値を下回ったとき計測開始指令信号１８を出力する。 - 特許庁

To provide a jig for plasma etching for preventing leakage of reaction gas or plasma to the rear surface of a silicon substrate at the time of matching the silicon substrate, having a sensor element formed on the rear surface by plasma etching.例文帳に追加

裏面にセンサ素子が形成されたシリコン基板をプラズマエッチングにより加工する際、反応ガスやプラズマのシリコン基板裏面への回り込み、およびそれによるセンサ特性の悪化等を防止するプラズマエッチング治具を提供する。 - 特許庁

By the treating method for the non-volatile material, reaction products inhibitting vertical etching are removed each time, and the material to be etched is exposed, so that the perpendicularity of the shape of the side walls after the etching treatment can be improved.例文帳に追加

この不揮発性材料の処理方法によって、垂直なエッチングを阻害する反応生成物をその都度取り除き、被エッチング材料を露出させることで、エッチング処理後の側壁形状の垂直性を向上できる。 - 特許庁

When the intensity of the laser beams is determined to be sufficiently small and thus the etching reaction on the surface of the wafer 2 is determined not to be affected thereby, the intensity of the laser beams is kept at a constant level (S107) and monitoring on etching of the surface of the wafer 2 is continued.例文帳に追加

レーザ光の光強度が充分小さく、ウエハ２表面のエッチング反応に影響を及ぼさなくなると判別した場合、レーザ光の光強度を一定に保ち（Ｓ１０７）、ウエハ２表面のエッチングをモニタリングし続ける。 - 特許庁

The end of etching can be stably detected without reducing the passing quantity of plasma light, even if a product produced by an etching reaction is deposited on the inside of the vacuum processing chamber, by detecting the plasma light passing through a base material layer 61.例文帳に追加

基体層６１を透過するプラズマ光を検出することによって、エッチング反応生成物が真空処理室１内に付着しても、プラズマ光の透過光量が低下すること無く、安定した終点検出を行なう。 - 特許庁

To provide the gas dispersing plate of a dry etching apparatus which improves uniformity of an etching speed in a wafer surface by uniformly controlling a reaction gas supplied to the wafer with simple configuration without raising an apparatus cost.例文帳に追加

装置コストを上げることなく、簡単な構成でウェーハに供給する反応ガスの流量を均一に制御して、ウェーハ面内におけるエッチング速度の均一性を向上させたドライエッチング装置のガス分散板を提供する。 - 特許庁

Successively, an etching gas containing a fluorine-based reaction component and an oxidative reaction component is brought into contact with a surface of the object 9 to be processed in a processing space 19 on a downstream side on the conveyance path 11 and a semiconductor film 94 is dry etched.例文帳に追加

続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。 - 特許庁

Etching rate can be stabilized by providing a process for cleaning the interior of a reaction chamber by the plasma of an inert gas, and a process for cleaning the interior of the reaction chamber by the plasma of gas containing halogen atoms.例文帳に追加

不活性ガスのプラズマにより反応室内をクリーニングする工程を有すること、または、ハロゲン原子を含むガスのプラズマにより反応室内をクリーニングする工程を有することにより、エッチング速度を安定にすることができる。 - 特許庁

The objective etching method comprises alternately introducing a reactive gas and an inert gas into a reaction chamber 1 in a pulsed way, and applying a high-frequency power to a stage 4, only when introducing the inert gas into the reaction chamber 1.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、反応性ガスと希ガスとを交互にパルスで反応室１内に導入し、希ガスを反応室１内に導入するときにのみステージ４に高周波電力を印加することを特徴とするものである。 - 特許庁

When a plurality of wafers are successively subjected to etching for forming multilayered film gates formed of metal and poly-Si different from each other in reactivity, the amount of an Si reaction product is properly regulated in an etching condition that is just previously set, by which a dimensional shift is restrained from occurring between a first wafer and a second wafer in an etching process.例文帳に追加

金属とPoly−Ｓｉといったような反応性の異なる多層積膜ゲートを複数枚連続でエッチングする場合、直前のエージング条件でＳｉの反応生成物の量を適量に調節することで、エッチング工程の１枚目、２枚目の寸法シフト異常をなくすることが出来る。 - 特許庁

When a substrate 11 is placed in a pressure reducible reaction vessel and a contact hole 14 is etched in a silicon oxide film 12 formed on the substrate 11 as an insulating film using plasma of etching gas, the pressure of the etching gas plasma is elevated to approach the gas pressure in the contact hole 14 under etching.例文帳に追加

減圧可能な反応容器内に基板１１を設置し、基板１１上に成膜された絶縁膜としてのシリコン酸化膜１２にエッチングガスのプラズマを用いてコンタクトホール１４をエッチングする際に、エッチングガスのプラズマの圧力をエッチング途中のコンタクトホール１４内のガス圧力に近づけるように上昇させる。 - 特許庁

When beveling and etching performed, and generated reaction gas sticks to the gaps between the outer peripheral parts of the respective wafers W, the gas can be swept away by the brush bristles 16a, so that etching irregularity is scarcely generated in each valley part and between the valley parts.例文帳に追加

さらに面取りエッチング時は、発生した反応ガスＰが各ウェーハＷの外周部間の隙間に付着しても、このブラシ毛１６ａで掃き出せるので、ギャザリングウェーハＧの各谷部分および谷部分間にエッチングムラが生じにくい。 - 特許庁

The Y-direction width of the lower part of a first conductive layer 6 becomes narrower than the Y-direction width of the upper part, because the side wall of the first conductive layer 6 is subjected to etching or the reaction product of the etching is removed.例文帳に追加

第１の導電層６の側壁をエッチング処理や当該処理時の反応生成物の除去処理等により除去することで第１の導電層６の下部のＹ方向の幅がその上部のＹ方向の幅よりも狭く形成される。 - 特許庁

Then a mixed gas, which includes an oxygen gas and a nitrogen gas that are selected so as to prevent natural etching substantially and present at a predetermined proportion, flows into a reaction chamber to make plasma etching to the organic compound containing insulating layer 12.例文帳に追加

そして、反応チャンバー内に、自然エッチングが実質的に避けられるように選ばれる、あらかじめ決められた割合で存在する酸素ガスと窒素ガスとからなる混合気体を流入し、有機化合物含有絶縁層１２をプラズマエッチングする。 - 特許庁

The interface film 13 is less reactive to the oxidant alone than the film 12 to be etched and then reacts indirectly to the oxidant through oxidation reaction to O_3, and etching is carried out.例文帳に追加

界面膜１３は、反応剤単独との反応性が被エッチング膜１２より低く、Ｏ_３との酸化反応を経て反応剤と間接的に反応しエッチングされる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of compatibly achieving removal of a reaction product deposited on a dielectric window and obtaining stability of an etching rate of a workpiece.例文帳に追加

誘電体窓に堆積する反応生成物の除去と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The gas dispersing plate of the dry etching apparatus includes the gas dispersing plate 17 newly provided between an upper electrode 3 and a gas blowing plate 7 for uniformly dispersing the reaction gas in a treating chamber 6.例文帳に追加

上部電極３とガス吹出板７の間には、反応ガスを処理室６内に均一分散させるためのガス分散板１７が、新たに設けられている。 - 特許庁

The fluidization makes plasma density inside the chamber uniform, while etching reaction products attached to the inner wall of the chamber is thoroughly gasified, and solid materials can be removed.例文帳に追加

流動化によってプラズマ密度がチャンバー内で一様になり、チャンバー内壁に付着したエッチング反応生成物をもれなくガス化して、固形物を除去できる。 - 特許庁

The etchant of low reaction rate where sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed, is used in the etching device so as to etch the printed circuit board etc., of a fine pitch over a long time.例文帳に追加

エッチング装置に硫酸と過酸化水素水とを混合した反応速度の遅いエッチング液を用いており、ファインピッチのプリント配線基板等を時間をかけてエッチングする。 - 特許庁

To protect side walls of prescribed circuit patterns from contamination with reaction products having low vapor pressures when the patterns are formed by subjecting a Pt film and a PZT film to dry-etching.例文帳に追加

Ｐｔ膜やＰＺＴ膜をドライエッチングして所定のパターンを形成する際に、蒸気圧の低い反応生成物がパターンの側壁に付着するのを防止する。 - 特許庁

To provide a wafer processing system, in which a wafer can be dried surely, after removing reaction products originating from a resist and produced through dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによって生じたレジストに由来する反応生成物の除去処理後に基板を確実に乾燥することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can dissolve nonconformity caused by the foreign matters produced by the reaction at the time of etching a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜のエッチングの際の反応により生成された異物による不具合を解消することができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

Etching in the reaction chamber is conducted in a temperature range of approximately 600-800°C in a decompression atmosphere of approximately 10 Torrs and in a gas, in which hydrochloric acid is diluted with hydrogen.例文帳に追加

反応室内でのエッチングは１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気、塩酸を水素で希釈したガス中で６００℃〜８００℃程度の温度領域で行う。 - 特許庁

In this dry etching method of the aluminum film containing copper, the gas staying time of a chlorine gas in a plasma reaction chamber is limited between 0.15 seconds and 0.3 seconds.例文帳に追加

銅含有アルミニウム膜のドライエッチングにおいて、プラズマ反応室内の塩素系ガスのガス滞在時間が、0.15秒から0.3秒の範囲内とすることを特徴とするドライエッチング方法。 - 特許庁

A main gas nozzle 13 is provided for supplying Si system reaction gas and etching gas simultaneously from the upper part of a substrate processing region 203 for processing the mounted wafer 200.例文帳に追加

積載したウェハ２００を処理する基板処理領域２０３の上部から、Ｓｉ系反応ガス及びエッチングガスを同時に供給するメインガスノズル１３を備える。 - 特許庁

In dry cleaning, a deposition film deposited inside a reaction both 5 of a semiconductor-manufacturing apparatus is subjected to etching removal by a cleaning gas at least containing a halogen gas.例文帳に追加

半導体製造装置の反応槽５の内部に堆積した堆積膜を少なくともハロゲンガスを含むクリーニングガスによってエッチング除去するドライクリーニングに関するものである。 - 特許庁

An article to be treated is exposed in a treating fluid containing etching reaction species, and the treating fluid is kept under a fluidized state to the article to be treated (a fourth step S4).例文帳に追加

エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒し、かつ被処理物に対して前記処理流体を流動させた状態に保つ（第４ステップＳ４）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for suppressing the adhesion of a reaction product on the sidewall of a mask material by etching regardless of the density of a pattern.例文帳に追加

パターンの密度に関係なく、エッチングによる反応生成物がマスク材料の側壁に付着することを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce adhesion of reaction products in a plasma generation part in a device for removal of hazards, to facilitate cleaning when the reaction products are adhered and to prevent the back flow to a treatment chamber of a material harmful to etching and deposition generated during decomposition of the gas to be treated when the device is provided in the treatment chamber of etching, deposition or the like.例文帳に追加

除害装置内のプラズマ生成部での反応生成物の付着を低減し、また反応生成物の付着が生じたときに容易にクリーニングすることができるとともに、エッチングや成膜等の処理チャンバに備え付けられた場合に被処理ガスの分解過程で生ずるエッチングや成膜に有害な物質の処理チャンバへの逆流を防止する。 - 特許庁

The etching method includes a process (a) of etching the material containing silicon using the gas plasma containing halogen atoms other than fluorine, a process (b) of dry cleaning the interior of the reaction chamber using the gas plasma containing fluorine after the above process (a), and a process (c) of generating oxygen plasma within the above reaction chamber and performing plasma treatment immediately after the above process (b).例文帳に追加

エッチング方法は、（ａ）反応室内で、シリコンを含む材料を弗素以外のハロゲン元素を含むガスプラズマを用いてエッチングする工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記反応室内を弗素を含むガスプラズマを用いてドライクリーニングする工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の直後に、前記反応室内で酸素プラズマを発生させ、プラズマ処理する工程とを含む。 - 特許庁

The etching equipment 20 is provided with: a reaction chamber 10 having an exhaust vent 9; a table 2 which is installed in the reaction chamber and on which a silicon substrate 1 is mounted; a rotatingly driving part 8 for rotating the table; and gas supply piping having a nozzle 3 which supplies gas to the silicon substrate in the reaction chamber.例文帳に追加

エッチング装置２０は、排気口９を有する反応室１０と、前記反応室の内部に設けられ、シリコン基板１を載置するテーブル２と、前記テーブルを回転させる回転駆動部８と、前記反応室の内部で前記シリコン基板上にガスを供給するノズル３を有するガス供給配管とを備える。 - 特許庁