「etching reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a chuck assembly of semiconductor device etching facilities wherein a residue from reaction is prevented from remaining in the edge portion of a wafer, processing failure is prevented, and the quality and yield of semiconductor devices can be enhanced.例文帳に追加

ウェハのエッジ部位に反応残余物が残存することを防止し、工程不良を防止し、品質と収率を向上させることができる半導体装置食刻設備のチャック組立体を提供する。 - 特許庁

Thereby, the intermediate chamber 4 becomes a power electrode and the upper chamber 2 and the lower chamber 3 become earth electrodes, and further, uniform plasma is formed in the reaction chamber 1, and therefore, cleaning (etching) rate of the deposits on the wall can be enhanced.例文帳に追加

これにより、中チャンバ３がパワー電極、上下チャンバ２、３がアース電極となり、反応室１内に均一なプラズマが形成され、壁面堆積物のクリーニング（エッチング）レートが向上する。 - 特許庁

Subsequently, at a point (point g) when the inside temperature of the central part (center region) rises due to the reaction of the ClF3 gas and depositions, the relation of temperatures at the bottom region and the top region is made reversed for etching.例文帳に追加

ついで中央部分（センター領域）の内部温度が、ＣｌＦ_3ガスと堆積物の反応により上昇した時点（ポイント（ｇ））で、ボトム領域とトップ領域の温度関係を逆転させてエッチングする。 - 特許庁

At least any of acid and base is generated from the reaction initiator, and the acid or the base is introduced to the base film side of the imprint film so as to make an etching speed of the base film side of the imprint film faster than that of other portions.例文帳に追加

反応開始剤から酸及び塩基の少なくともいずれかを発生させ、それをインプリント膜の下地膜の側の部分に導入し、エッチング速度をそれ以外の部分よりも高くする。 - 特許庁

A fluorine compound gas having comparatively low toxicity and corrosiveness or the fluorine compound gas and 0_2 or the fluorine compound gas and H_20 gas are used as the reaction gas 7 employed for the electron-beam excitation dry etching.例文帳に追加

電子ビーム励起ドライエッチングに用いる反応ガス７として、毒性、腐食性が比較的低いフッ素化合物ガスまたはフッ素化合物ガスとＯ_２またはフッ素化合物ガスとＨ_２Ｏガスを用いる。 - 特許庁

The etching of an optical member OW by the ion GI of reaction gas progresses with sputtered particles SP as a mask, and innumerable cone-shaped projections CP are formed corresponding to the positions of the sputtered particles SP.例文帳に追加

スパッタ粒子ＳＰがマスクとなって反応ガスのイオンＧＩによる光学部材ＯＷのエッチングが進行し、スパッタ粒子ＳＰの位置に対応してコーン状の突起ＣＰが無数に形成される。 - 特許庁

To suppress micro-loading effects by increasing the volatility of reaction products in etching a metal nitride film, and to improve CD controllability, without using dummy patterns and so on.例文帳に追加

金属窒化膜をエッチングする際の反応生成物の揮発性を高くすることにより、マイクロローディング効果を抑制し、ダミーパターン等を用いなくともＣＤ制御性を向上させることを可能にする。 - 特許庁

To prevent such a reaction of tantalum on oxygen generated when dry-etching a tantalum film or the alloy and oxide films thereof under the situation of generating oxygen that a tantalum oxide redeposits on the sidewall of the etched film.例文帳に追加

タンタル膜又はその合金膜や酸化膜を酸素が発生する状況下でドライエッチングするとタンタルと酸素が反応し、タンタル酸化物が被エッチング膜の側壁に再付着することを防止する。 - 特許庁

To provide an etching method with which deposition of reaction products called a fence can be suppressed when an AlNd layer to which Nd having heat resistance of approximately 400°C is added by 2 atom% is plasma etched.例文帳に追加

４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

NO_2 is supplied sufficiently even to a portion for ejecting chemical, and oxidation reaction by NO_2 is made uniform over the entire surface of a wafer resulting in improvement in uniformity of wet etching of the polysilicon film in the wafer surface.例文帳に追加

薬液吐出部においてもＮＯ_2が充分に供給されて、ウエハ面全体においてＮＯ_2による酸化反応が均一化され、ウエハ面内におけるポリシリコン膜のウエットエッチングの均一性が改善される。 - 特許庁

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.例文帳に追加

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁

Individual management devices 20a, 20b and 20c arranged in those processors 14, 16 and 18 capture the residual amounts of the reaction products in the etching chambers 15a, and properly decide the execution order of the plurality of processes to be executed in the respective etching chambers 15a based on the grasped residual amounts.例文帳に追加

各処理装置１４、１６、１８に設けられた個別管理装置２０ａ、２０ｂ、２０ｃがエッチングチャンバ１５ａ内の反応生成物の残留量を把握し、この把握した残留量に基づいて、それぞれのエッチングチャンバ１５ａ内で実施する複数の工程の実施順序を適切に決定する。 - 特許庁

After forming the trenches or the like in a surface layer of the semiconductor layer by anisotropic etching, isotropic dry etching is carried out, with the semiconductor layer being kept at 50-150°C, using a mixed gas containing CF_4 gas and O_2 gas, to deposit a protection film on an exposed surface by reaction between the mixed gas and the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の表面層に、異方性エッチングによりトレンチ等を形成した後、半導体層を５０〜１５０℃の温度に保持した状態で、半導体層と反応して露出面に保護膜を堆積するための、ＣＦ_４ガスおよびＯ_２ガスを含む混合ガスを用いて、等方性ドライエッチングをおこなう。 - 特許庁

After etching the WSi2 layer with a plasma of Cl2/O2 gas, by having it overetched to remove WSi2 layers 16e, 16f with a plasma of HBr/Cl2/O2 gas while reaction products suppress side etching, WSi2 layers 16a-16d corresponding to the layers 18a-18d are thereby obtained.例文帳に追加

Ｃｌ_２／Ｏ_２ガスのプラズマでＷＳｉ_２層をジャストエッチングした後、ＨＢｒ／Ｃｌ_２／Ｏ_２ガスのプラズマにより反応生成物でサイドエッチングを抑制しつつオーバーエッチングを行なってＷＳｉ_２層１６ｅ，１６ｆを除去することにより層１８ａ〜１８ｄに対応するＷＳｉ_２層１６ａ〜１６ｄを得る。 - 特許庁

In a method for forming a positive oxide thin film pattern in which the top of a substrate is coated with a composition containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer, the resulting coating film is irradiated with light, a chemical reaction of the unirradiated part in the coating film is allowed to proceed and the irradiated part is dissolved and removed by etching with an etching solution, an aqueous alkali solution is used as the etching solution.例文帳に追加

金属アルコキシド及びキレート安定化剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布膜に光照射すると共に、この塗布膜における非照射部の化学反応を進行させた後、エッチング溶液にてエッチングして照射部を溶解、除去するポジ型酸化物薄膜パターンの形成方法において、前記エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いることを特徴とするものである。 - 特許庁

In a parallel plate type etching device, as a diameter of a wafer is increased, there is a trend of enlarging an interval between upper and lower electrodes 5 and 3 to make a pressure on the wafer uniform, and a plasma is spread in an overall reaction chamber 1.例文帳に追加

平行平板型のエッチング装置ではウエハの大口径化に伴いウエハ上の圧力均一化のため、上下電極間（５，３）の間隔が広がる傾向にあり、プラズマは反応室１全体に広がる。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of etching a side face of a mesa type diode chip 4, then coating the side face with a surface protective film 6 generated by a reaction generated water, heat treating it at 200 to 450°C, and growing a modified oxide film 5 on the connecting surface.例文帳に追加

メサ型ダイオードチップ４の側面をエッチング後、反応生成水を生じる表面保護膜６を塗布し、２００〜４５０℃で熱処理して、接合表面に改質酸化膜５を成長させる。 - 特許庁

A laminate 10 comprising a metal film 4, an insulating film 3, an antireflection film 2, and a patterned photosensitive resin film 1 formed sequentially in layers is placed in the reaction chamber of a plasma etching system.例文帳に追加

プラズマエッチング装置の反応室内に、金属膜４と、絶縁膜３と、反射防止膜２と、パターン形成された感光性樹脂膜１とが順に積層されてなる部分を有する積層体１０を配置する。 - 特許庁

In this method, the semiconductor wafer 1 is heated for releasing the gas 8 out of the resist film 4 before the reaction products between the etching gas and the resist film 4 are deposited on the surface of the resist film 4.例文帳に追加

ここで、エッチングガスと、レジスト膜４との反応により生じる反応生成物がレジスト膜４の表面に堆積する前に、半導体ウエハ１を加熱し、レジスト膜４中に存在するガス８を膜外へ放出させる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.例文帳に追加

エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

When the size-selective light etching method is applied to nanoparticles, pH on a size-selective photoetching reaction is controlled, so that the preparation of the monodispersed semiconductor nanoparticles having high reproducibility is made possible.例文帳に追加

ナノ粒子に対してサイズ選択光エッチング法を適用する際に、サイズ選択光エッチング反応時のｐＨを制御することにより、再現性の高い単分散半導体ナノ粒子の調製が可能となった。 - 特許庁

To provide a method for improving reliability of a reactor for stably performing, in particular, etching or vapor deposition by effectively removing chlorine-based residues adsorbed by a reaction tube.例文帳に追加

反応管に吸着された塩素系の残留物を効果的に除去することにより、特にエッチング又は蒸着を安定して行うことができる、反応装置の信頼性改善方法を提供することにある。 - 特許庁

In this method of forming the film having the composition containing Si, C, and N and used as the etching stopper layer, the film having the composition containing Si, C, and N is formed on a substrate disposed in a reaction chamber having a heated heating body by causing the vapor of an amino silicon component to exist in the reaction chamber.例文帳に追加

例えば、エッチングストッパ層として用いられるＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された加熱体を有する反応室内にアミノシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける膜形成方法。 - 特許庁

For analyzing the isotope percentage in the reaction product in etching the quadrupole mass analyzer is used here, but a similar analysis can be made by the spectroscopic analysis of the emission of the reaction product in a plasma.例文帳に追加

この膜をエッチングする工程において、反応生成ガスの同位体比率を四重極質量分析等の質量分析法、あるいはプラズマ発光分光法により測定することで、反応生成物中の同位体発生比率を処理中に逐次観測でき、実際にどの位置までエッチングが進んでいるのかを知ることができる。 - 特許庁

That is, the n+a-Si:H layer 5 is etched by a pure chemical etching depending upon the chemical reaction substantially only by the radical species 24 with no physical reaction to the n+a-Si:H layer 5 and an a-Si:H layer 4 by ion species, and the a-Si:H layer 4 is exposed in the channel forming region.例文帳に追加

つまり、イオン種によるｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５及びａ−Ｓｉ：Ｈ層４に対する物理的反応を伴わない、実質的にラジカル種２４のみによる化学的反応に依拠する純化学的エッチングによって、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５がエッチングされ、チャネル形成領域のａ−Ｓｉ：Ｈ層４が露出されることになる。 - 特許庁

The etching apparatus comprises a reaction chamber 1, a lower electrode 2 provided on a bottom surface part of the reaction chamber 1, an upper electrode 10 provided on a ceiling part facing the lower electrode 2, and a focus ring 8 provided on the lower electrode 2 and having a cavity for holding a substrate 3 to be processed.例文帳に追加

本発明のエッチング装置は、反応室１と、反応室１の底面部に設けられた下部電極２と、天井部に下部電極２と対向して設けられた上部電極１０と、下部電極２の上に設けられ、被処理基板３を保持するための空洞を有するフォーカスリング８とを備えている。 - 特許庁

An etching operation is interrupted halfway, when substrates are subjected to etching in reaction chambers 11A and 11B, the substrate are transferred to ion irradiation chambers 12A and 12B, and the treated surfaces of the substrates are irradiated with positive ions, by which the treated surfaces of the substrates which are charged by the accumulation of electrons are turned electrically neutral.例文帳に追加

反応室１１Ａ、１１Ｂにて基板Ｗのエッチング処理を行っている途中で、エッチング処理を中断して、基板Ｗを反応室１１Ａ、１１Ｂからイオン照射室１２Ａ、１２Ｂへ搬送し、基板Ｗの被処理面へ正イオンを照射することにより、基板Ｗの被処理面の電子の蓄積による帯電を中和し除電する。 - 特許庁

In the production of the composite material, use is made of the plating bath wherein dispersibility is improved by protecting the photocatalytic particle with a surfactant and, after the metal layer containing the photocatalytic particle is formed by electroplating or a reducing reaction by a reducing agent and thereafter, many photocatalytic particles are exposed on a front layer by using chemical etching or electrolytic etching.例文帳に追加

この複合材は、光触媒粒子を界面活性剤で保護して分散性を高めためっき浴を用い、電気めっきまたは還元剤による還元反応により、光触媒粒子を含め金属層を形成させた後、化学エッチングまたは電解エッチングにより表層に光触媒粒子が多く露出させる方法で製造される。 - 特許庁

As a first stage, an alkali etching liquid of aluminum is introduced into a first electrolytic tank, and is passed through an ion exchange membrane, so as to separate Na^+ to the cathode side, and the Na+ is coupled with OH^- generated by cathode reaction, so as to obtain NaOH.例文帳に追加

第一工程としてアルミニウムのアルカリエッチング液を第一電解槽に導き、イオン交換膜を通してＮａ^＋を陰極側に分離し、前記Ｎａ^＋を陰極反応で生成されるＯＨ^−と結合させてＮａＯＨを得る。 - 特許庁

By using the component made of the resin-based raw material in the outer-periphery portion of this ceiling board, there is provided the structure having a characteristic that reaction products generated in etching are stuck thereto hardly, an excellent corrosion resistance to the plasma, and a relaxant quality of ion bombardment.例文帳に追加

この天板外周部に樹脂系素材のパーツを用いることによりエッチング時に発生する反応生成物が付着しにくい特性を有し、プラズマに対する耐食性に優れ、イオン衝突の緩和を図る構造を備える。 - 特許庁

To provide a method for preventing clogging in an outlet of a source gas by suppressing growth of an unnecessary SiC polycrystal formed in a place other than a crystal growth surface in a reaction vessel without using an etching gas.例文帳に追加

反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。 - 特許庁

To avoid depositing a foreign substrate during carrying or etching of a semiconductor substrate by evaluating the shape, the kinds and sizes of crystal defects or foreign substances clearly existing on or near the surface of the semiconductor substrate taken out from a reaction furnace.例文帳に追加

ＣＶＤ膜表面及び表面近傍の結晶欠陥又は異物の検出を容易にするような処理を施し、その形状及び密度等を評価することができる半導体基板の評価方法を提供すること。 - 特許庁

Etching is performed without damaging a silicon substrate 1 by bringing the surface of a second gate insulation film 5 of metal oxide into contact with a chloride atom imparting gas without forming an ion sheath the surface of the second gate insulation film 5 thereby causing reaction.例文帳に追加

金属酸化物からなる第２のゲート絶縁膜５の表面にイオンシースを形成することなく、塩素原子供与性ガスと接触させて反応させることにより、シリコン基板１にダメージを与えずにエッチング処理を行う。 - 特許庁

Next, a wafer 7 is etched in a state where the covering film is formed, and a reaction product which is adhered to the covering film during the process of etching is removed together with the covering film.例文帳に追加

次に、当該被覆膜が形成された状況下で、ウエハ７のエッチング処理が行われ、その後当該エッチング処理の過程で上記被覆膜上に付着した反応生成物が、上記被覆膜とともにエッチング除去される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sputter target by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prolong the operating life time of apparatus which can be applied to the etching process using different kinds of reaction gases, does not bring about reduction in a net working rate thereof resulting from the change of a discharge bulb and is capable of controlling the wearing of an expensive quartz discharge bulb.例文帳に追加

種々の異なる反応ガスを用いたエッチングプロセスに対応でき、放電管の交換に伴う装置の稼働率低下を招くことがなく、高価な石英放電管の消耗を抑制して装置の寿命を延ばす。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous method for efficiently producing a perfluoroalkyne compound useful as a raw material for producing gas for plasma reaction, a fluorine-containing polymer, a medicine and an agrochemical or as an etching agent useful in a semiconductor production process.例文帳に追加

プラズマ反応用ガス、含フッ素ポリマーや医農薬の製造原料または半導体製造工程で使用されるエッチング剤などとして有用であるパーフルオロアルキン化合物を効率良く、工業的に有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes steps of forming: multiple metal wires on a semiconductor substrate; a reaction prevention film on the metal wires in a region with via holes formed therein; an interlayer insulation film on the semiconductor substrate including the reaction prevention film; via holes by etching the interlayer insulation film above the reaction prevention film; and the via plugs in the via holes.例文帳に追加

半導体基板上に多数の金属配線を形成する段階;ビアホールが形成される領域の前記金属配線上に反応防止膜を形成する段階;前記反応防止膜を含む前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階;前記反応防止膜の上部の前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階;前記ビアホール内部にビアプラグを形成する段階を含む半導体素子の製造方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板１上にトレンチ５を形成する第１の工程を備え、そして、この第１の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ５の側壁の内面に形成された反応生成物２０を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ５の底部のコーナー部５ａを丸める第２の工程を備えたところに特徴を有する。 - 特許庁

In the dry etching process of the first stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, and a hole 4a having a depth of a level without exposing the carbon nanotube layer 3 is formed in a state where pressure in a reaction chamber is set below 50 Pa.例文帳に追加

第１段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０Ｐａより小さく設定されている状態で、カーボンナノチューブ層３を露出させない程度の深さのホール４ａが形成される。 - 特許庁

Furthermore, in the state that the first to third shutters are closed, reaction gas is introduced from a gas introduction device 31_1 into the first treatment chamber 11 interior to carry out etching of the surface of the substrate 70, and the foreign matter adhered to the surface of the substrate 70 is removed.例文帳に追加

さらに第一〜第三のシャッターを閉じた状態で、ガス導入装置３１_1より第一の処理室１１内部に反応ガスを導入して基板７０の表面のエッチングを行い、基板７０の表面に付着した異物を除去する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resist composition less liable to cause the photodegradation and crosslinking reaction of a base resin in a lithographic process using radiation of an ultra-short wavelength of ≤160 nm as a light source and excellent in dry etching resistance.例文帳に追加

波長１６０ｎｍ以下の超短波長放射線を光源に用いるリソグラフィープロセスにおいて、基材樹脂の光分解や架橋反応が起こりにくく、しかも耐ドライエッチング性に優れる放射線感応性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁