「etching reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

After the photoresist pattern and antireflective film are removed, the silicon nitride film 29 is etched by plasma etching using the silicon nitride film 30 as an etching mask while a light emission spectrum due to byproducts of reaction between nitrogen in the silicon nitride film 29 and etchant gas is monitored.例文帳に追加

フォトレジストパターンおよび反射防止膜を除去した後、窒化シリコン膜２９中の窒素とエッチャントガスとの反応生成物に起因した発光スペクトルをモニタしながら、酸化シリコン膜３０をエッチングマスクとして用いて窒化シリコン膜２９をプラズマエッチングによりエッチングする。 - 特許庁

Si plates 2 disposed to surround a substrate 1 adsorb and trap the radicals produced by the decomposition of an etching gas by plasma so that the radical reaction on the pattern side faces of the etched film can be decreased and so that etching on the pattern side face can be suppressed.例文帳に追加

基板１を包囲するように配置されたＳｉ板２が、プラズマによりエッチングガスが分解されて発生したラジカルを吸着してトラップすることにより、被エッチング膜のパターン側面でのラジカル反応の確率が低下し、パターン側面でのエッチングが抑制される。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor element 10 has a step for preparing the GaN epitaxially-grown layer having the (0001) face as the main face, and a wet etching step for executing wet etching so as to make the m face perpendicular to the (0001) face as a reaction rate-controlling face.例文帳に追加

半導体素子１０の製造方法は、（０００１）面を主面とするＧａＮエピタキシャル成長層を準備する工程と、（０００１）面と垂直方向であるｍ面が反応律速面となるウエットエッチングを行なうウエットエッチング工程とを備える。 - 特許庁

When two or more metals of the same kind whose manufacturing methods are different from each other are selectively etched, an etching method using the etchant of reaction rate-controlling characteristics, and a method for manufacturing the printed wiring board using the etching method are provided.例文帳に追加

製法の異なる２つ以上の同種金属を選択的にエッチングする際、反応律速性となるエッチング液を用いてエッチングを行う方法、およびその方法を用いたプリント配線板の製造方法を提供することで上記課題を解決した。 - 特許庁

Fine circulating currents (i) generated on the etching face 2A of a solid material 2 and the magnetic fields B applied from the outside are interacted to generate local Lorentz force F in the vicinity of the material 2, by the Lorentz force F, the convection of an etching soln. 1 is made, and by the control of the magnetic field intensity, etching reaction is controlled.例文帳に追加

固体材料（２）のエッチング面（２Ａ）上に生じる微小な循環電流ｉと、外部より印加した磁場Ｂとを相互作用させることにより、材料（２）近傍に局所的なローレンツ力Ｆを生成させそのローレンツ力Ｆによりエッチング溶液（１）の対流を作り出し、磁場強度を制御することにより、エッチング反応を制御する。 - 特許庁

Etchants 3, 18 are vaporized, the semi conductor substrate 6 is heated, and the semi conductor substrate 6 is etched to a predetermined depth by the etching vapor while exhausting a generated reaction gas.例文帳に追加

エッチング液３、１８を蒸気化させ、半導体基板６を加熱し、かつ反応生成ガスを排気しながら、エッチング蒸気で半導体基板６を所定の深さまでエッチングする。 - 特許庁

In the new method, excellent H passivations for interfaces are formed after thermal budget through a standard process flow is generated by carrying out an SF_6-based metal chemical etching reaction for introducing fluorine.例文帳に追加

新規な方法は、フッ素を導入するためにＳＦ_６ベースの金属エッチング化学反応を用い、これにより標準プロセスフローの熱量の後に、界面の優秀なＨパッシベーションが得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device, able to without fail remove a reaction product that adheres to the exposed portion of a wiring pattern during an etching process.例文帳に追加

エッチング工程で配線パターンの露出部に付着する反応生成物の除去を確実に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit board which has proper appearance and characteristics by easily removing etching residues, such as conductive reaction layer or the like which is left on an insulating board.例文帳に追加

絶縁基板上に残る例えば導電性反応層等のエッチング残査を簡単に除去するようにして、外観上及び特性的にも良好な回路基板を提供する。 - 特許庁

To surely end cleaning processing, when film etching which is conducted only through the reaction of an accumulated film with gas is ended.例文帳に追加

堆積膜とガスとの反応だけで行う膜エッチングが終了した時点で確実にクリーニング処理を終了させることができるＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

Uniform processing is possible by promoting the reaction of the chemical for the peripheral part of the substrate 12 in which the etching is easily insufficient to the center due to the temperature drop.例文帳に追加

温度低下により中央部に対してエッチング処理が不十分になりやすい基板12の周辺部に対して、薬液の反応を促進することにより、均一な処理が可能になる。 - 特許庁

To provide a method for preventing a side deposition by a reaction product and improving the throughput, when a high melting point material such as Ir and Pt is subjected to dry etching by using a mixture gas of chlorine and argon.例文帳に追加

ＩｒやＰｔなどの高融点材料を、塩素とアルゴンの混合ガスを用いドライエッチングする場合の、反応生成物によるサイドデボを防止し、スループットを改善する方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which efficiently and surely removes reaction products deposited at the bottom of a specified concave pattern during etching for forming this pattern.例文帳に追加

所定の凹状パターンをエッチングによって形成する際に、凹状パターンの底に堆積する反応生成物を効率良く確実に除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A discharge and an etching function triggered by a chemical reaction generated by the positive and negative electrodes develop machining on the bad conducting material and, especially, relatively precise machining.例文帳に追加

陽極と陰極の発生する化学反応によりトリガする放電及びエッチング作用により、不良導電材料に対して加工を行い、特に比較的精密な加工を行う。 - 特許庁

To provide a method to produce a liquid crystal display device by which a reaction product is not deposited when a contact hole is opened in an interlayer insulating film by dry etching, and to provide a liquid crystal display device.例文帳に追加

ドライエッチングによる層間絶縁膜へのコンタクトホール開口時に反応生成物が再付着しない液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A quadruple mass spectrometer 41 is used to detect phosphorus contained in the reaction product, and a timing for terminating the etching is determined based on the timing at which phosphorus has been detected.例文帳に追加

四重極子質量分析計４１により反応生成物に含まれるリンを検出し、検出したタイミングに基づいてエッチングを終了するタイミングを決定するようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an integrated circuit device for reducing the reaction products of dry-etching causing connection failures among multilayered wirings and increase in connection resistances.例文帳に追加

多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制する集積回路装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a silicon wafer, which can compatibly decrease the amount of a reaction reagent (mixed acid) and secure in-plane uniformity of etching, and which has high precision and high sensitivity.例文帳に追加

本発明は、反応試薬（混酸）の少量化とエッチングの面内均一性確保の両立ができ、高精度で高感度なシリコンウェーハの評価方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a thin film deposition apparatus and method permitting the trend dispersion of reaction gas and control of discriminating etching to a substrate, and a liquid crystal display device thereof.例文帳に追加

反応ガスの傾向性散布が可能であって、基板に対する差別的なエッチングの制御が可能な薄膜形成装置及び方法並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device and its working method capable of quickly removing reaction product and effecting etching high in uniformity with high speed, in plasma processing employing gas pulse.例文帳に追加

ガスパルスを用いたプラズマ加工において、反応生成物を迅速に除去し、均一性の高いエッチングを高速で行うことができるプラズマ処理装置及び加工方法の提供。 - 特許庁

A thin film of non-single-crystalline silicon 4 deposited on an oxide film 3 is plasma-etched under a condition of having coated the inner wall of an etching reaction chamber 1 with a thin film 2 containing silicon.例文帳に追加

エッチング反応室１の内壁にシリコンを含有した薄膜２を被着した状態で、酸化膜３上に堆積させた非単結晶シリコン薄膜４をプラズマエッチングする。 - 特許庁

A material to be etched 1 is placed in a reaction container 2 and etched by introducing the etching gas and generating plasma 6 between the material to be etched 1 and an electrode 4 for generating plasma.例文帳に追加

反応容器２内に被エッチング材１を設置し、エッチングガスを導入し、被エッチング材１とプラズマ発生用電極４との間でプラズマ６を発生させ、被エッチング材１をエッチングする。 - 特許庁

A surface where light is incoming or outgoing in a body 1 to be treated for composing the optics is roughened by reaction ion etching using halogen plasma 3 containing an alkali metal.例文帳に追加

光学部品を構成する被処理体１において光が入射又は出射する面を、アルカリ金属を含むハロゲンプラズマ３を用いた反応性イオンエッチングにより粗面化する。 - 特許庁

To avoid influences due to contamination with reaction products, in plasma etching of an Al alloy layer, TiN layer or a laminate of these layers, etc.例文帳に追加

Ａｌ合金層、ＴｉＮ層又はこれらの層の積層等のプラズマエッチングにおいて反応生成物による汚れの影響を受けにくいエッチング終点検出方法を提供する。 - 特許庁

A process for radiating oxygen plasma of high frequency to a reaction product (4) covering a metal wiring film (2) and a photoresist film (3) after the microwave plasma etching is newly provided.例文帳に追加

マイクロ波プラズマエッチングの後、金属配線膜（２）及びホトレジスト膜（３）を被覆する反応生成物（４）に対して高周波を伴う酸素プラズマを照射する工程を新たに設けた。 - 特許庁

To provide a cleaning gas capable of improving cleaning effects by speeding up etching reaction in the cleaning gas containing fluorocarbon gas, and a cleaning method employing the cleaning gas.例文帳に追加

フルオロカーボンガスを含むクリーニングガスにおけるエッチング反応の速度向上を図り、クリーニング効果を高めることができるクリーニングガス及びこのクリーニングガスを使用したクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The method for etching the surface of a seed crystal is characterized by including a process for introducing catalytic agents 6 and 76 into a crystal growth vessel 12 after housing a seed crystal 2 in a reaction chamber 11 and a process for raising the temperature in the reaction chamber 11.例文帳に追加

本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Since the gas containing fluorine elements is used in addition to the oxygen gas, fine etching reaction is generated in ashing, so that an effect for removing re-attached components such as deposited reactants and resists heavily stuck to a treated substrate surface at the time of etching, particularly to the edge of an area coated with the resist is displayed.例文帳に追加

酸素ガスに加えて弗素元素を含むガスを用いているので、アッシング中に微量ながらエッチング反応が発生しており、エッチング時に処理基板面、特にレジストで被覆された領域のエッヂ部に多く付着したデポ反応物やレジスト等の再付着成分を除去する効果を奏する。 - 特許庁

The side wall of the step of the semiconductor device constituted of the principal surface and side wall of the device is etched, by controlling an impressing direction of a magnetic field or impressing directions of a magnetic field and an electric field upon etching species and by utilizing the reaction between the etching species and side wall.例文帳に追加

主表面と側壁とから構成される段差を有する半導体装置の段差の側壁を、エッチング種に磁界又は磁界と電界の印加方向を制御すること、エッチング種と側壁の反応を利用することで、エッチングすることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

Consequently, sticking of a reaction product due to etching of the substrate 4 on the bottom surface 21a of the recess 21 being a light transmission part during measurement by an optical measuring instrument 14 is suppressed both to prevent the dielectric window 5 from being fogged and to obtain the stability of the etching rate.例文帳に追加

これにより、光学測定器１４による測定の際の光透過部である凹部２１の底面２１ａへの基板４のエッチングによる反応生成物の付着を抑制して、誘電体窓５の曇り防止とエッチングレートの安定性とを両立させることができる。 - 特許庁

Then, the projected part projected upwards from the upper surface of the metal film 17 of the side wall 31 composed of a reaction product and formed on the inner side face of an etching part 18 in the process of the dry etching is removed by plasma treatment using gas containing fluorine elements.例文帳に追加

そして、前記ドライエッチングの過程でエッチング部位１８の内側面に形成された反応生成物からなる側壁３１の、金属膜１７の上面より上方に突出する突出部を、フッ素元素を含むガスを用いたプラズマ処理により行うこと除去する。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that the reaction product of the atom of a metal film and the gas of dry etching is generated for preventing the patterning of the insulating film in a termination process when the insulating film on the metal film is subjected to dry etching by a mask made of a photosensitive resin that is subjected to pattern formation.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガスとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化の支障になる。 - 特許庁

When Si dummy wafers are used in a continuous test, the amount of a reaction product is regulated in a dummy wafer etching condition, by which actual samples subjected to etching just after the dummy Si wafers can be processed without incurring a dimensional shift, so that expensive actual samples to prepare can be decreased in number.例文帳に追加

また、連続試験をＳｉダミーウェーハで行う場合、Ｓｉダミーウェーハエッチング条件も反応生成物量を調節することでＳｉダミーウェーハ直後の実サンプルの形状を寸法シフト異常なく加工することができ、コストのかかる実サンプルを用意する必要が低減される。 - 特許庁

When eliminating a reaction product material 4 containing halogen group gas on a wafer made of a piezoelectric substrate 2 by using a rinse liquid, after etching process wherein a pattern is formed on electrodes 1 on the wafer, using a dry etching apparatus, pure water is used, whose specific resistance is controlled to be 20 MΩ.m through the addition of alcohol.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用い圧電体基板２からなるウエハ上の電極１にパターンを形成するエッチング処理後にウエハ上のハロゲン系ガスを含んだ反応生成物４を洗浄液にて除去する際、アルコールを添加し比抵抗を２０ＭΩ・ｍ以下に制御した純水を用いる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor device which can prevent characteristics and reliability from becoming worse, owing to reaction products on the outermost surface of a semiconductor layer etched by a wet etching method using an adequate etchant by removing the reaction products.例文帳に追加

適当なエッチャントを用いた湿式エッチング法によりエッチングされた半導体層の最表面の反応生成物を除去することにより反応生成物に起因する特性及び信頼性の劣化を防止することができる化合物半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After an oxide film is removed from the surface of a silicon, the surface thereof is exposed at a temperature and partial pressure of oxygen such that etching reaction and oxidizing reaction are progressed at the same time, thereby form micro projections and recessed parts on the surface thereof.例文帳に追加

本発明は、シリコン表面より酸化膜を除去した後、該シリコン表面でエッチング反応及び酸化反応が同時に進行する温度及び酸素分圧の条件下に該シリコン表面を暴露し、該シリコン表面に微細な凹凸を形成するシリコンの表面処理方法を提案する。 - 特許庁

An arrangement is provided wherein ammonia gas is fed by a gas feeding device 50 to a reaction tube 1 in which a semiconductor wafer W given with etching and ashing treatments is accommodated, and the semiconductor wafer W is subjected to heat treatment in an ammonia atmosphere by heating the reaction tube 1 with a heater 3.例文帳に追加

エッチング、アッシング処理が施された半導体ウエハＷが収容された反応管１にガス供給装置５０でアンモニアガスを供給し、更に反応管１をヒータ３で加熱することにより、アンモニア雰囲気中で半導体ウエハＷを加熱処理する構成である。 - 特許庁

To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.例文帳に追加

反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。 - 特許庁

A carbon tetrafluoride gas is supplied into a reaction chamber 15 containing the wafer W to generate plasma, and after a polysilicon layer on a surface of the wafer W is subjected to plasma etching using the plasma, a chlorine gas and then an ammonia gas are supplied into the reaction chamber 15.例文帳に追加

ウエハＷを収容する反応室１５内へ四フッ化炭素ガスを供給してプラズマを生じさせ、該プラズマがウエハＷ表面のポリシリコン層にプラズマエッチングを施した後、反応室１５内に塩素ガスを供給し、次いで反応室１５内にアンモニアガスを供給する。 - 特許庁

After etching a semiconductor substrate 36, Ar gas is supplied into a process chamber 6 to evacuate a reaction product 43 from the process chamber 6, and the dummy arm 25 and the dust collection plate 26 are then inserted into the process chamber 6 to collect the reaction product 43.例文帳に追加

半導体基板３６に対するエッチング処理が終了した後、プロセスチャンバー６内にＡｒガスを供給して、反応生成物４３をプロセスチャンバー６の外部に排気した後、ダミーアーム２５と集塵板２６とをプロセスチャンバー６の内部に挿入することにより反応生成物４３を集塵する。 - 特許庁

In a vertical LPCVD apparatus to constitute a reaction chamber by an inner tube 1 and an outer tube 2, three pairs of thermocouples 17 are provided in the inner tube 1 as movable monitoring means to detect the reaction heat generated during the cleaning, and an injector 6 is provided as an etching gas inlet.例文帳に追加

インナーチューブ１とアウターチューブ２で反応室を構成する縦型ＬＰＣＶＤ装置において、インナーチューブ１内にクリーニングで生じる反応熱を検知する可動式のモニター手段として三対熱電対１７が備えられ、エッチングガス導入口としてインジェクター６が設けられている。 - 特許庁

The cleaning of a reaction vessel 101 is performed by dry etching after an aluminum made cylindrical dummy base body 202 having a diameter ϕdy smaller than the diameter ϕdx of the aluminum made cylindrical base body 102 for forming the deposition film is mounted in the reaction vessel 101.例文帳に追加

反応容器１０１内をクリーニングする際、堆積膜を形成するためのＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘより小さい直径φｄｙのＡｌ製円筒状ダミー基体２０２を反応容器１０１内に設置してからドライエッチングによるクリーニング処理を行う。 - 特許庁

The method is composed of a first process for plasma-etching a member to be etched 17, which is arranged in the reaction chamber 11, by using SiCl_4 or BCl_3 and a second process for introducing a plasma of gas, comprising oxygen into the reaction chamber 11, after the first process.例文帳に追加

反応室１１内に配置された被エッチング部材１７に対し、ＳｉＣｌ_４ またはＢＣｌ_３ を用いてプラズマエッチング処理する第１工程と、この第１工程の後、反応室１１内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第２工程とからなっている。 - 特許庁

The reaction product is a gas-phase compound which flows from a front surface of the workpiece and condensates a new material, and does not re-stick to a newly formed surface and make it expose to an etching agent.例文帳に追加

反応生成物は、加工物の表面から流れ、新たな材料を縮合及び新たに生じた表面上への再付着が生じることなくエッチング剤に露出させる気相化合物である。 - 特許庁

The etching reaction propagates to any direction of the thickness direction and the in-plane directions, and the unreacted metallic aluminum 5 existing among adjacent etched pores is sufficiently anodized to gradually convert the medium into a transparent medium.例文帳に追加

エッチング反応が厚み方向，面内方向の何れにも伝播し、隣接エッチド孔間にある未反応の金属アルミニウム5も十分な陽極酸化反応を受け、透明媒質化が進行する。 - 特許庁