「interconnection」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The interconnection members 91, 92, 93, 94 and 95 regulate at least one first opening 71 in the first surface and has a side wall portion 83 extending toward the second surface 85.例文帳に追加

相互連結部材９１，９２，９３，９４，９５は第一表面内の少なくともひとつの第一開口部７１を規定すると共に第二表面８５の方向に延びている側壁部分８３を有している。 - 特許庁

To prevent occurrence of dishing in embedded interconnections by properly growing a metal film, when the buried interconnections are formed by growing a metal film in wide interconnection trenches through plating.例文帳に追加

溝幅が大きい配線溝にめっき法により金属膜を成長させて埋め込み配線を形成する場合に、金属膜を良好に成長させて、埋め込み配線にディッシングが起こらないようにする。 - 特許庁

At least in the first overlapped region OL_R1, the second pads 217 are connected to the second blind via 216 either directly or via the sixth interconnection layer 218, but are not connected to a through-via.例文帳に追加

また、少なくとも第１の重複領域ＯＬ＿Ｒ１内において、第２パッド２１７は、直接または第６配線層２１８を介して第２ブラインドビア２１６に接続され、スルービアに接続されていない。 - 特許庁

One longitudinal end 82a of a flexible cable 82 is connected with an interconnection board while inclining by an angle θ2 and only one lateral end 82d of the flexible cable 82 is brought into contact with an exterior plate 60.例文帳に追加

フレキシブルケーブル８２の長手方向一端部８２ａを角度θ２だけ傾けて中継基板に接続させ、フレキシブルケーブル８２の幅方向一端８２ｄだけを外装板６０に接触させた。 - 特許庁

To suppress erosion which occurs in the interconnect-dense part of interconnection formed on the interlayer insulating film of a small relative dielectric constant, and to prevent the exposure of the interlayer insulating film of the small relative dielectric constant.例文帳に追加

比誘電率が小さい層間絶縁膜に形成された配線の配線密集部に生じるエロージョンを抑制して、比誘電率が小さい層間絶縁膜の露出を防止できるようにする。 - 特許庁

To obtain a highly reliable imaging apparatus while reducing the size, weight and cost by preventing the connection terminal of an imaging element connected with a flexible printed board by flip chip interconnection from breaking away.例文帳に追加

可撓性のフレキシブルプリント基板にフリップチップ実装法を用いて接続した撮像素子の接続端子の剥離を防止し、小型軽量、低コストでありながら信頼性の高い撮像装置を得る。 - 特許庁

To reduce the generation of obstacles such as the generation of void near a wiring, disconnection or the like without applying any big change on a conventional process, in reference to the multi-layer interconnection of a detailed/highly integrated semiconductor device.例文帳に追加

微細・高集積化した半導体装置の多層配線に関し、従来のプロセスに大きな変更を加えずに、配線近傍でのボイド発生による断線などの障害発生を低減する。 - 特許庁

When reducing plasma process is performed to a second embedded interconnection L2, electric power for applying to a first electrode holding a wafer is set lower than a second electrode disposed facing the wafer, or is set to zero.例文帳に追加

埋込第２層配線Ｌ２に対して還元性プラズマ処理する際に、ウエハを保持する第１電極に印加する電力を、ウエハに対向する第２電極よりも低くするか零にする。 - 特許庁

To provide an interconnection member having a sharp tip shape part of various shapes without depending on a supporting substrate and having a sufficient hardness without etching a supporting substrate directly, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

支持基板を直接エッチングすることなく、かつ、十分な硬度を有し、かつ、支持基板によらずに様々な形状の先端鋭利形状部を有する相互接続部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Each of the nodes making up a multiprocessor comprises a plurality of ports 301 to 303 for interconnection with other nodes, a configuration unit 500, a transaction sending unit 504, and a transaction receiving unit 505.例文帳に追加

マルチプロセッサを構成するノードのそれぞれは、他のノードと相互接続するための複数のポート301〜303と、コンフィグレーションユニット500と、トランザクション送信ユニット504と、トランザクション受信ユニット505とを備えて構成される。 - 特許庁

To prevent a lower layer inter connection formed on a BPSG film from being short-circuited electrically with an upper layer interconnection formed subsequently due to flow of the BPSG film occurring during a thermal process.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜上に形成された下部配線が熱工程の間に発生するＢＰＳＧ膜のフローにより、後続して形成される上部配線と電気的にショートされることを防止する。 - 特許庁

An interconnection bus bar 18A is extended from a distribution substrate 12 to penetrate the insulating substrate 36 of a control circuit substrate 13 and a relay terminal 23 is fitted to the distal end of the relay bus bar 18A.例文帳に追加

配電基板１２から中継バスバー１８Ａを延出させて制御回路基板１３の絶縁基板３６を貫通させ、中継バスバー１８Ａの先端部に中継端子２３を嵌合させる。 - 特許庁

Moreover, in a coupling part with the composite treatment part, the first and second exhaust parts are interconnected with the interior of the substrate treatment part, and furthermore these interconnection parts are selectively switched to release or clog.例文帳に追加

また、複合処理部との連結部では、第１および第２の排気部が基板処理部内部と連通しており、さらに、これら連通部が選択的に切り換えて開放または閉塞される。 - 特許庁

The other end of the interconnection line 26 is connected to the external connection terminal 28 by the connection portion 32 at a position predetermined distance from a first end of the external connection terminal 28 on the side of the conductor 27.例文帳に追加

引出線２６の他方の端部は、導電体２７側の外部接続端子２８の第１の端部から所定距離離れた位置において、接続部３２により外部接続端子２８と接続される。 - 特許庁

On an LSI chip, an interconnection for wiring patterns on a gate array IC 11 side and on a macro cell 12 side is disposed and wired automatically by data which depends on different CAD grids.例文帳に追加

ＬＳＩチップ１上においてゲートアレイ集積回路１１側とマクロセル１２側の配線パターン相互の接続は、互いに異なるＣＡＤグリッドに依存したデータにより自動配置配線される。 - 特許庁

To provide an optical interconnection circuit which accelerates signal transmission, is minute, compact, and easily manufactured, and also to provide a flat panel display and an electronic device.例文帳に追加

信号伝達速度を高速化することができるとともに容易に微細化及びコンパクト化することができ、簡易に製造することができる光インターコネクション回路、フラットパネルディスプレイおよび電子機器を提供する。 - 特許庁

This improves an embedding performance to exert a satisfactory device characteristic because of no over etching beneath the film 16 by itself when the wiring of each metal interconnection layer is etched.例文帳に追加

これによって、各金属配線層の配線をエッチングにする際に、そのストッパー膜１６によってその下側までオーバーエッチングされなくなるため、埋め込み性が向上して良好なデバイス特性を発揮できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which places no restraints on layout of a lower interconnection located below copper wiring and can reduce the variation in effective dielectric constant, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

銅配線の下方に位置する下部配線がレイアウト上の制約を受けず、しかも、実効誘電率のばらつきが低減される半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。 - 特許庁

One implementation form is an optical interconnection module including a silicon carrier, a communication integrated circuit mounted on the silicon carrier, and an optical integrated circuit mounted on the silicon carrier.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、シリコン・キャリアと、そのシリコン・キャリア上に搭載された通信集積回路と、そのシリコン・キャリア上に搭載された光集積回路とを含む光相互接続モジュールである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor manufacturing equipment which can prevent partial separation of an insulation layer on an aluminum interconnection and can also prevent a bad outer appearance and a poor reliability.例文帳に追加

アルミニウム配線上の絶縁層の部分的剥離を防止することができ、外観不良、信頼性不良をなくする半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inter-chip optical interconnection circuit capable of accelerating a signal transmission speed, being easily made fine and being easily manufactured, and to provide a photoelectric device and an electronic device.例文帳に追加

信号伝達速度を高速化することができるとともに容易に微細化することができ、簡易に製造することができるチップ間光インターコネクション回路、電気光学装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

To reduce the interconnection between a plurality of antennas and the radio wave leakage from a transmitting side antenna to a receiving side antenna in an antenna device with the respective antennas arranged on the same ground conductor plate.例文帳に追加

複数のアンテナを同一の接地導体板上に配置したアンテナ装置における各アンテナ間の相互結合及び送信側のアンテナから受信側のアンテナへの電波の漏れ込みを低減させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of readily forming a structure, such that a bump having a thickness that will not give stress to a semiconductor element and an interconnection below an electrode pad through plating.例文帳に追加

この発明は、電極パッドの下方に有する半導体素子や配線へストレスを与えない厚みのバンプをメッキにより容易に形成することができる構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a multilayer interconnection semiconductor device by which metallic wiring can be formed on a heat resistant polymer protective film without damaging the protective film.例文帳に追加

耐熱性高分子保護膜に損傷を与えることなく、耐熱性高分子保護膜上に金属配線を形成することができる多層配線半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A split barrier layer enables copper interconnection wires to be used in conjunction with a low-k dielectric film by preventing the diffusion of N-H base groups into the photoresist where they can render the photoresist insoluble.例文帳に追加

銅配線ワイヤを低ｋ誘電体膜とともに用いることが、分割バリア層によって、Ｎ−Ｈ塩基基がフォトレジスト内へ拡散してフォトレジストを不溶性にすることを防ぐことで可能になる。 - 特許庁

A fixed voltage unit 10 includes an output interconnection 16 to which either a first fixed voltage Vdd or a second fixed voltage GND which is different from the first fixed voltage Vdd is selectively applied.例文帳に追加

電圧固定ユニット１０は、第１固定電圧Ｖｄｄまたは、第１固定電圧Ｖｄｄとは異なる第２固定電圧ＧＮＤのいずれかが選択的に印加される出力配線１６を含む。 - 特許庁

To achieve excellent reliability and a high production yield using a fluorine-containing silicon oxide film as an interlayer dielectric film, relating to a semiconductor device having a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

本発明は多層配線構造を有する半導体装置に関し、フッ素含有シリコン酸化膜を層間絶縁膜として用いつつ、優れた信頼性と、高い歩留まりとを実現することを目的とする。 - 特許庁

A switch circuit section SW and the electrostatic surge removal circuit S are formed on the multilayer interconnection board 51, and especially, the electrostatic surge removal circuit S is allowed to approach a terminal electrode 56 at ground potential.例文帳に追加

スイッチ回路部ＳＷと静電サージ除去回路部Ｓを、多層配線基板５１に形成するとともに、特に静電サージ除去回路部Ｓをグランド電位の端子電極５６に近接させた。 - 特許庁

A programmable logic gate cell array 20 includes: a plurality of logic gate cells 50A to 50B; and programmable interconnections 40A to 40N adapted to establish interconnection among the logic gate cells 50A to 50B.例文帳に追加

プログラム可能論理ゲートアレイ２０は、複数の論理ゲートセル５０Ａ〜５０Ｂと、論理ゲートセル５０Ａ〜５０Ｂ間を相互接続するように構成されたプログラム可能な相互接続４０Ａ〜４０Ｎとを含む。 - 特許庁

The upper layer power supply interconnections 111-114 are arranged at the position passing through over the macro cell 100 in the interconnection layer more superordinate than the macro cell 100 and the power supply interconnections 101, 102 for the macro cell.例文帳に追加

マクロセル１００およびマクロセル用電源配線１０１、１０２よりも上位の配線層において、マクロセル１００の上部を通過する位置に、上層電源配線１１１〜１１４が配置される。 - 特許庁

To maintain the safety of distributed energy systems and an entire distributed energy community, while reducing the burden of sharp output fluctuation to each of the distributed energy systems or connection breakup or re-interconnection.例文帳に追加

各々の分散型エネルギーシステムに対する急激な出力変動や解列−再連系といった負担を低減しつつ、分散型エネルギーシステムおよび分散型エネルギーコミュニティー全体の安全性を維持する。 - 特許庁

To solve the problem that in a dual damascene method, if an overlapping area between a trench for interconnection and a hole for a via is too small, embedding defects are caused when embedding the trench and the hole with copper.例文帳に追加

デュアルダマシン法において、配線用の溝とビア用の孔とがオーバーラップする領域の面積が小さ過ぎると、上記溝および孔に銅を埋め込む際に埋設不良が起こってしまう。 - 特許庁

To solve such a problem that installation of a relay for interconnection in an inverter of an AC module becomes the cause enlarging the inverter, and it is difficult for the user to confirm a cut-off condition of the AC module with the system when abnormality occurs.例文帳に追加

ACモジュールのインバータ内に連系リレーを備えることは、インバータを大型化させる一因になるし、異常が発生した際のACモジュールと系統との遮断状態を、ユーザが確認し辛い。 - 特許庁

A plurality of host PCs 101, 102 and respective printers 301, 302, 303 are connected to an interconnection net 20 and the printers 301, 302, 303 are connected to a digital copier 50 by an external video I/F 40.例文帳に追加

イーサーネット２０上に、複数のホストＰＣ１０_1，１０_２と各プリンタ３０_１，３０_２，３０_３が接続され、各プリンタ３０_１，３０_２，３０__３は、外部ビデオＩ／Ｆ４０により、デジタル複写機５０と連結している。 - 特許庁

To provide wireless communication equipment that can avoid an attenuation problem caused in a cable interconnecting an antenna section and a unit main body when the antenna section and the unit main body are separately installed and that eliminates the need for many interconnection cables to be installed.例文帳に追加

アンテナ部と装置本体とを分離設置する場合に、両者を接続するケーブルで発生する減衰の問題を回避するとともに、接続ケーブルを多数設置することを不要にする。 - 特許庁

To allow a memory access outputted by any one of processor units to be easily monitored by another cache by using an interconnection network, and simplify a circuit for determining a transmission destination of an access request to a memory mapped register.例文帳に追加

いずれかのプロセッサユニットが出力するメモリアクセスをインタコネクトネットワークを用いて他のキャッシュが簡単に監視でき、さらに、メモリマップドレジスタへのアクセス要求の送出先を決定する回路を簡単化する。 - 特許庁

Consequently, even if the W layer 8 is exposed when the interconnection layer is processed by the dry etching, a trouble such as conventionally generated side etching or the like does not occur on account of the absence of the Ti layer 9.例文帳に追加

こうすることによって、配線層をドライエッチで加工するときにＷ層８が露出しても、Ｔｉ層９がないので、従来のようなサイドエッチが生じるといった問題が発生することがない。 - 特許庁

Only in the upper portion of the W layer 8 protruding from an interlayer insulation film 2, a Ti layer 9 and a TiN layer 10 are removed by a CMP method, and then an Al alloy layer 11 is formed to form an interconnection pattern.例文帳に追加

層間絶縁膜２から突出したＷ層８の上部のみＴｉ層９、ＴｉＮ層１０をＣＭＰ法で除去し、その後にＡｌ合金層１１を形成して配線パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection structure which can regulate a substrate thickness having excellent handleability and conveyability in a manufacturing process and which facilitates a mass production, and to provide a method for mounting a semiconductor device.例文帳に追加

製造プロセスにおける取扱い性、搬送性に優れた板厚に調整ができ、量産対応が容易となる多層配線構造の製造方法および半導体装置の搭載方法を提供する。 - 特許庁

To prevent bubbles, etc. from entering openings for vertical continuity which is formed in a base plate when forming a lower-layer interconnection by electrolytic plating, in a semiconductor apparatus wherein a semiconductor structure having a columnar electrode is mounted face down on the base plate and the lower-layer interconnection is formed below the base plate in such a state that it is electrically connected to the columnar electrode of the semiconductor structure.例文帳に追加

ベース板上に柱状電極を有する半導体構成体がフェイスダウンとされた状態で設けられ、ベース板下に下層配線が半導体構成体の柱状電極に電気的に接続されて設けられた半導体装置において、下層配線を電解メッキにより形成するとき、ベース板に形成された上下導通用の開口部内に気泡などが全く入り込まないようにする。 - 特許庁

The image sensor comprises: the readout circuit 120 formed in a first substrate 100; a first image sensing part 110 formed on one side of the readout circuit 120 of the first substrate 100; an interconnection 150 formed on the first substrate 100 so as to be electrically connected to the readout circuit 120; and a second image sensing part 210 formed on the interconnection 150.例文帳に追加

本発明によるイメージセンサは第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記第１基板１００の前記リードアウト回路１２０の一側に形成された第１イメージ感知部１１０と、前記リードアウト回路１２０と電気的に接続されるように前記第１基板１００上に形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成された第２イメージ感知部２１０と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The single operation detector 6, which detects a single operation state, is provided with a reactive power input unit 61 which periodically inputs a reactive power where a current gains, and a reactive power where a current delays to the output power of an inverter device 2, and a single operation detector 64 which determines whether the phase of an interconnection point voltage signal Vo at an interconnection point (a) has changed.例文帳に追加

単独運転状態であることを検出する単独運転検出装置６において、インバータ装置２の出力電力に、電流が進む無効電力と電流が遅れる無効電力とを周期的に注入させる無効電力注入部６１と、連系点ａにおける連系点電圧信号Ｖｏの位相が変化したか否かを判断する単独運転検出部６４とを設けた。 - 特許庁

The market price forecasting part 21 computes a forecast market price by a regression equation according to past meteorological result data, past idle capacity result data about interconnection lines connecting a plurality of supply areas, past power spot price result data, future meteorological forecast data, future idle capacity forecast data about the interconnection lines connecting the plurality of supply areas, company's own demand forecast data and company's own generation facility data.例文帳に追加

市場価格予測部２１は、過去の気象実績データ、複数の供給エリアを結ぶ連系線の過去の空き容量実績データ、過去の電力スポット価格の実績データ、将来の気象予測データ、上記複数の供給エリアを結ぶ連系線の将来の空き容量予測データ、自社の需要予測データ、及び自社の発電設備データに基づいて回帰式により予測市場価格を求める。 - 特許庁

The web 80 has many elastomeric interconnection members 91, 92, 93, 94 and 95 of an upward recess cross section for relieving strain induced stress applied to a first surface 90 from a second surface 85.例文帳に追加

ウエブ８０は第一表面９０に受ける歪誘発応力を第二表面８５から逃がすための上向き凹形状断面の多数のエラストマー性相互連結部材９１，９２，９３，９４，９５を備えている。 - 特許庁

Both the ends of the heating circuit pattern 40 are connected to land parts 60, which are formed on a 1st layer or an n-th layer 50 via through-holes 70 formed in the multilayer printed interconnection board.例文帳に追加

発熱回路パターン４０の両端は、第１層もしくは第ｎ層５０に設けた発熱回路パターン４０に接続するランド部６０に多層プリント配線板に構成したスルーホール７０で接続されている。 - 特許庁