例文 (322件) |
ion injectionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 322件
The ion injection device 10 has an ion beam generating mechanism 15, a scanner part 16, and an ion injection chamber 20.例文帳に追加
イオン注入装置10は、イオンビーム発生機構15、スキャナ部16、イオン注入室20を有する。 - 特許庁
Alternatively, the injection ion is constituted of one of a carbon ion, a fluoride ion and a chloride ion.例文帳に追加
また、注入イオンは炭素イオン、フッ素イオンまたは塩素イオンのいずれかにより構成されている。 - 特許庁
ION GENERATING POWER SOURCE FOR ION SOURCE OF NEUTRAL PARTICLE INJECTION DEVICE例文帳に追加
中性粒子入射装置のイオン源用イオン生成電源 - 特許庁
ION BEAM ADVANCING ANGLE CORRECTION METHOD, AND ION INJECTION DEVICE例文帳に追加
イオンビームの進行角修正方法およびイオン注入装置 - 特許庁
ION INJECTION APPARATUS AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加
イオン注入装置およびその運転方法 - 特許庁
To provide an ion injection system that equalizes characteristics within the surface of a wafer 20, in an ion injection system provided with an ion injection device and injected characteristic measuring part.例文帳に追加
イオン注入装置と注入された特性測定部とを備えるイオン注入システムにおいて、ウェハ20面内の特性を均一にする。 - 特許庁
MEASURING METHOD OF CURRENT DENSITY DISTRIBUTION OF ION BEAM, ION INJECTION METHOD USING THE SAME AND ION INJECTION DEVICE例文帳に追加
イオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置 - 特許庁
ION INJECTION DEVICE HAVING ARC CHAMBER FOR IMPROVING ION CURRENT DENSITY例文帳に追加
イオン電流密度を向上させるアークチャンバを持つイオン注入装置 - 特許庁
To provide an ion source having a cathode and a counter cathode suitable for ion injection.例文帳に追加
カソード、カウンタカソードを備え、イオン注入に適したイオン源を提供する。 - 特許庁
ELECTROMAGNET FOR MASS SEPARATION, AND ION INJECTION DEVICE例文帳に追加
質量分離用電磁石及びイオン注入装置 - 特許庁
To provide an ion generation device which enables a long-time and stable ion injection, an ion radiation device, and a filament used for the ion radiation device.例文帳に追加
長時間、安定したイオン注入が効能なイオン発生装置、イオン照射装置、それに用いるフィラメントを提供する。 - 特許庁
ION SOURCE ACCELERATION POWER SOURCE OF NEUTRAL PARTICLE INJECTION DEVICE例文帳に追加
中性粒子入射装置のイオン源用加速電源 - 特許庁
The amorphous metal is prepared by ion injection to the metal.例文帳に追加
アモルファスは、金属へのイオン注入により形成する。 - 特許庁
ULTRASONIC ION PHASE SYNCHRONIZATION DRUG INJECTION/DISCHARGE DEVICE例文帳に追加
超音波イオン位相同期薬物注入・排出装置 - 特許庁
ION SOURCE, NEUTRAL PARTICLE BEAM INJECTION DEVICE FOR NUCLEAR FUSION, AND ION BEAM PROCESS DEVICE例文帳に追加
イオン源,核融合用中性粒子ビーム入射装置,及びイオンビームプロセス装置 - 特許庁
To provide an ion beam drawing electrode and an ion injection device which have a long life.例文帳に追加
寿命の長いイオンビーム引出電極およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING ION INJECTION MASK AND SILICON CARBIDE DEVICE例文帳に追加
イオン注入マスクの形成方法及び炭化珪素デバイス - 特許庁
INHOMOGENOUS ION INJECTION DEVICE AND METHOD例文帳に追加
不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法 - 特許庁
The ion injection device 1 is provided with the drawing electrode 20.例文帳に追加
イオン注入装置1は、引出電極20を備えている。 - 特許庁
To provide a measuring method of current density distribution of ion beam in which the ion injection quantity can be nearly uniformed throughout the whole face of a semiconductor board when carrying out ion injection on the semiconductor board, and an ion injection method using this measuring method, and an ion injection device.例文帳に追加
半導体基板にイオン注入を行なう場合に、イオン注入量を半導体基板全面にわたって略均一化できるイオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
ION INJECTION SIMULATION METHOD, ION INJECTION SIMULATION DEVICE, METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入シミュレーション方法及びイオン注入シミュレーション装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の設計方法 - 特許庁
ANGLE MEASURING APPARATUS AND RELATED APPARATUS FOR ION INJECTION DEVICE例文帳に追加
イオン注入装置用の角度計測装置および関連装置 - 特許庁
In this case, after performing the ion-injection by an ordinary accelerating voltage, an additional ion-injection with an accelerating voltage lower than it is performed.例文帳に追加
その際、通常の加速電圧でイオン注入を行った後、それよりも低い加速電圧で追加のイオン注入を行う。 - 特許庁
The electrode formation region is implanted with ion such as phosphorus as impurity ion injection regions 22 to 25.例文帳に追加
電極形成領域にリン等をイオン注入し、不純物イオン注入領域22〜25とする。 - 特許庁
To provide an ion-doping apparatus that can suppress production of particles at ion injection, and a thin-film semiconductor apparatus that has improved productivity and superior switching property by means of this ion- doping apparatus.例文帳に追加
試料にイオン注入する際にパーティクルの発生を抑制することのできるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
In a step 31 for the calculation of ion distribution, assumed ion distribution which is generated with a (n+1)th ion injection is calculated.例文帳に追加
イオン分布算出ステップ31は、第(n+1)回目のイオン注入によって生じると想定されるイオン分布を算出する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING COLORED DIAMOND BY ION INJECTION AND HEAT TREATMENT例文帳に追加
イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法 - 特許庁
An injection amount of the molybdic acid ion solution is adjusted on the basis of a sulfate ion concentration of furnace water.例文帳に追加
モリブデン酸イオン溶液の注入量は炉水の硫酸イオン濃度に基づいて調節される。 - 特許庁
To provide a particle removing method/device of an ion injection device which can easily remove the particles in the ion injection device.例文帳に追加
簡単にイオン注入装置のパーティクルを除去することができるイオン注入装置のパーティクル除去方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
ELECTRODE ASSEMBLY AND ELECTROSTATIC TETRODE LENS ASSEMBLY FOR ION INJECTION DEVICE例文帳に追加
イオン注入装置用の電極アセンブリおよび静電四極レンズアセンブリ - 特許庁
WAFER HOLDING DEVICE, ION INJECTION DEVICE PROVIDED THEREWITH AND WAFER HOLDING METHOD例文帳に追加
ウエハ保持装置、これを備えたイオン注入装置およびウエハ保持方法 - 特許庁
With a photoresist layer 7 as a mask, the ion injection of boron (11B+) (first implantation) and the ion injection of phosphorus (31P+) are continuously performed.例文帳に追加
このホトレジスト層7をマスクとして、ボロン(^11B^+)のイオン注入(第1のイオン注入)、リン(^31P^+)のイオン注入(第2のイオン注入)を連続して行う。 - 特許庁
To provide a wafer scanning device in which ion injection time of a wafer is reduced to improve productivity and uniformity of ion injection is improved, by not only suppressing unevenness of ion injection due to diffusion effect of the ion beams but also enabling high speed of scanning speed and high resolution of the wafer.例文帳に追加
イオンビームの拡散影響によるイオン注入のむらを抑制するだけでなく、ウエハのスキャン速度を高速化及び高分解能化可能にして、ウエハのイオン注入時間を短縮して生産性を向上させるとともに、イオン注入の均一性を向上させる。 - 特許庁
In addition, increase in the energy is not required at the ion implantation eliminates the need for providing an ion implantation device, capable of conducting the ion injection with enormous energy.例文帳に追加
また、イオン注入時のエネルギーを高くしなくても済むため、莫大なエネルギーでのイオン注入が行えるイオン注入装置を備える必要も無くなる。 - 特許庁
A negative ion generator 2 is connected to circulate hot water, to be blown out as negative ion hot water from an injection hole.例文帳に追加
マイナスイオン発生装置2を連結して温水を循環させて、噴出し穴からマイナスイオン湯となって吹き出る。 - 特許庁
Then the injection energy of the argon ion is reduced to deposit argon ion on the surface of the SiO2-GeO2 thin film 12.例文帳に追加
次にアルゴンイオンの注入エネルギを低下させ、SiO_2−GeO_2薄膜12表面にアルゴンイオンを堆積させる。 - 特許庁
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