「ion injection」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The ECU 31 allows the fuel injection valve 23 to inject the fuel so that the fuel 19 reaches the ignition plug 24 in the vicinity of the top dead center of an intake stroke by controlling the fuel injection valve 23 when the generation of the pre-ignition is detected by the ion sensor 29.例文帳に追加

ＥＣＵ３１は、イオンセンサ２９によるプレイグニッション発生検出時に燃料噴射弁２３を制御することにより、吸気行程の上死点近傍で点火プラグ２４に燃料１９が到達するように燃料噴射弁２３に燃料噴射を行わせる。 - 特許庁

To form a source-drain region by ion implantation (channeling injection) utilizing the channeling effect without forming a gate electrode sidewall film which becomes a part of a mask in the case of channeling injection when forming the source/drain region.例文帳に追加

チャネリング効果を利用したイオン注入（チャネリング注入）でソース・ドレイン領域を形成するに際し、チャネリング注入時にマスクの一部となるゲート電極側壁膜を成膜し直すことなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for reducing the unevenness of the opening part size of a mask for code ion injection and reducing the unevenness of the threshold value of a transistor as the result.例文帳に追加

本発明の目的は、コードイオン注入用マスクの開口部寸法のばらつきを低減し、その結果としてトランジスタの閾値のばらつきを低減させる製造方法を提供することである。 - 特許庁

Using a detector 8 in which micro detectors are arranged in two-dimension, deflection electrodes 71-74 are provided on an injection orbit through which an ion departed from a circulation orbit advances toward a detector 8.例文帳に追加

微小検出器が２次元的に配置された検出器８を用い、周回軌道から離脱したイオンが検出器８へ向かう射出軌道上に偏向電極７１〜７４を設ける。 - 特許庁

A thick insulator region, which is formed by an oxygen-ion injection process, is formed on a surface of a semiconductor substrate under a winding-shaped strip of conductive film configuring an inductance element.例文帳に追加

インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。 - 特許庁

To provide a chemical injection control method for effectively and profitably removing metal ions from metal ion-containing water to be treated and for recovering a removed metal compound.例文帳に追加

金属イオンを含む被処理水から効果的に、かつ経済的に金属イオンを除去し、除去した金属化合物を回収するための薬剤注入制御方法を提供する。 - 特許庁

The object to be inspected S is exposed to ions from an ion shower injection device 4 while it is being conveyed by a belt conveyor 2 to neutralize static electricity be adhered dust 3 is blown off easily.例文帳に追加

被検査物Ｓはベルトコンベア２よって搬送されながらイオンシャワー噴射装置４からのイオンを浴びて静電気が中和され、付着しているゴミ３が吹き飛ばされやすい状態となる。 - 特許庁

On an n^+ substrate as an n^+ drain region 11; an n^- drift region 12, a p^- body region 41, and an n^+ source region 31 are formed by epitaxial growth and ion injection.例文帳に追加

まず，Ｎ^+ ドレイン領域１１となるＮ^+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりＮ^- ドリフト領域１２，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^+ ソース領域３１を形成する。 - 特許庁

The upper layer resistors 7a and 7b and the lower layer resistors 9a, 9b and 9c are formed simultaneously by impurity ion injection to the semiconductor layer 3 and have the same resistivity.例文帳に追加

上層抵抗体７ａ，７ｂと下層抵抗体９ａ，９ｂ，９ｃは、半導体層３への不純物イオン注入によって同時に形成されたものであり、かつ、同じ抵抗率をもつ。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin composition lowered in an eluting property of an ammonium ion and generation of silver marks at injection molding, and to provide a molded article made of the composition.例文帳に追加

アンモニウムイオンの溶出性が低減され、また射出成形時のシルバーの発生が低減された熱可塑性樹脂組成物及び該樹脂組成物からなる成形体を提供することである。 - 特許庁

Further, the crystal defect generated nearby the silicon wafer surface due to the injection energy in the silicon injection stage S2 can be removed by removing a surface layer portion where the defect is generated owing to the ion injection energy.例文帳に追加

また、洗浄・熱処理（工程Ｓ３）により評価対象元素であるＦｅもウェハ中へ均一に拡散させた後、イオン注入エネルギーにより欠陥が生じた表層部分を除去する（工程Ｓ４）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ表面近傍に生じた結晶欠陥を除去することができる。 - 特許庁

After an offset spacer formation step (S104), the thickness of an alteration layer formed on the surface of a silicon substrate is measured (S106); the injection parameter of impurity elements is calculated from a relationship among the in-advance acquired injection parameter, sheet resistance, and the thickness of the alteration layer (S108); and then an extension area is formed by ion implantation by using the injection parameter.例文帳に追加

オフセットスペーサ形成工程（Ｓ１０４）の後に、シリコン基板表面に形成された変質層の厚さを測定し（Ｓ１０６）、予め取得した注入パラメータとシート抵抗と変質層の厚さとの関係から、不純物元素の注入パラメータを算出し（Ｓ１０８）、その注入パラメータを用いてイオン注入法によりエクステンション領域を形成する。 - 特許庁

When judged that complete misfire has occurred, based on the maximum value of an ion output value detected by an ion current detection unit 62, fuel is injected from an injection valve 52 in a cylinder and an ignition plug 36 is made to generate a discharge spark in the subsequent compression step.例文帳に追加

イオン電流検出部６２によって検出されるイオン出力値の最大値に基づき、完全失火が生じたと判断された場合、その直後の圧縮行程において、筒内噴射弁５２から燃料噴射させ、点火プラグ３６に放電火花を生じさせる処理を行う。 - 特許庁

An analyzer zone is predetermined by the electrode separating first and second spaces, and the analyzer zone is based on an ion focusing principal of a high-field asymmetrical waveform ion mobility spectroscopic method having a gas injection port for supplying a gas flow through the analyzer zone and a gas discharge port.例文帳に追加

アナライザ領域が第１および第２の空間を隔てた電極によって規定され、アナライザ領域がアナライザ領域を経てガスフローを距給するためのガス注入口およびガス放出口を有する高電界非対称波形イオン移動度分光法のイオン集束原理に基づいている。 - 特許庁

The primary reforming processing is carried out successively, on the preliminary reforming process; second ion implantation is performed with energy higher than that of the first ion injection to reform the organic SOG film to the target depth; and thus a lower reformed SOG film 52d is formed below the upper reformed SOG film 52u.例文帳に追加

予備改質工程に続いて本改質工程が行われ、第１のイオン注入より高いエネルギーで第２のイオン注入を行い、目的深さまでの有機ＳＯＧ膜を改質して、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕの下に下部改質ＳＯＧ膜５２ｄを形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has a high-density impurity layer formed by ion injection at an element separation region end so that the element separation region does not come into contact with a depletion layer, pixel portions being downscaled.例文帳に追加

素子分離領域に空乏層が接しないように、イオン注入により高濃度不純物層を素子分離領域端に形成した固体撮像素子において、画素部の微細化を図る。 - 特許庁

For removing dust generated in stripping a label, an ion shower injection nozzle 27 is provided toward a label 15 forming an angle of 30° relative to the label 15 near a label stripper 22 for stripping the label 15 from a base sheet 14.例文帳に追加

基材シート１４からラベル１５を剥がすラベル剥ぎ取り器２２の近傍において、ラベル１５に対して３０度の角度をなすように、ラベル１５に向けてイオンシャワー噴射ノズル２７を配置する。 - 特許庁

To provide a gate electrode for controlling generation of crystal defects due to the stress in the heat treatment while break of the gate electrode by ion injection is prevented, and also to provide a method of manufacturing the gate electrode.例文帳に追加

イオン注入によるゲート電極の突き抜けを防止しながら、熱処理時の応力発生による結晶欠陥の発生をも抑制するゲート電極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By moving the first link 115 and the second link 120 by a predetermined distance by the actuation of an end effector 140, ion injection is conducted while the substrate is linearly moved relative to the base 105 (not illustrated).例文帳に追加

エンドエフェクタ１４０の作動により、第１リンク１１５及び第２リンク１２０に所定の移動をさせ、基部１０５に関して（図示されない）基板の直線移動をしながら、イオン注入がなされる。 - 特許庁

To provide a fuel container for fuel cell installation and for refill in which metal ion and injection material are not mixed in the fuel cell fuel stored and which can be used repeatedly.例文帳に追加

収容した燃料電池用燃料に金属イオンおよび噴射材が混入しないと共に繰り返しての使用が可能な燃料電池装着用および再注入用の燃料容器を提供する。 - 特許庁

The heat radiation structure constituted of a recess or a convex part which is independent of crystal orientation can be formed by carrying out dry etching, wet etching, impurity ion injection and wet etching in this order.例文帳に追加

放熱構造は、ドライエッチング、ウエットエッチング、不純物イオンを注入した後ウエットエッチングを行うことで、結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部からなる放熱構造を形成することができる。 - 特許庁

A copper film 2 having thickness of 0.3 μm is formed on an inner wall 11a of a cylindrical hollow body 1 which is injection molded with cycloolefin polymer of a transparent synthetic resin by a high frequency ion plating method.例文帳に追加

透明合成樹脂であるシクロオレフィンポリマを射出成形した円筒状の中空体１の内壁１１aに、高周波イオンプレーティング法により厚さ０．３μｍの銅膜２を形成する。 - 特許庁

A hole injection CuPc organic film 5a is formed on the anode 4 as a plasma polymerized film having an improved transmission factor of red luminescence at the thickness of 1 μm or above by an ion plating method.例文帳に追加

陽極４の上には、ホール注入性のＣｕＰｃ有機膜５ａが１μｍ以上の膜厚でイオンプレーティング法により赤色発光の透過率が向上したプラズマ重合膜として成膜される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method remarkably improving cost performance of the semiconductor device by applying an oxygen ion injection process and an annealing process to the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

酸素イオン注入工程とアニール工程を半導体装置の製造方法に応用し、半導体装置のコストパフォーマンスを著しく向上させた半導体装置とその製造方法の提供。 - 特許庁

After an n-type epitaxial layer 13A is formed, an impurity, for instance, boron is implanted on the given area of the epitaxial layer 13A by ion implantation having a different injection energy plural times.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層１３Ａを形成した後、そのエピタキシャル層１３Ａの所定の領域へ複数回の注入エネルギの異なるイオン注入により不純物例えばボロンを注入する。 - 特許庁

A sacrifice oxide layer is caused to grow on the surface of a semiconductor, a first subset of line elements is exposed to ion injection beams including dopant seeds, the first subset it doped, and its etching rate is varied.例文帳に追加

半導体表面上で犠牲酸化物層を成長させ、ライン要素の第１サブセットを、ドーパント種を含むイオン注入ビームに露出させて、この第１サブセットをドープし、そのエッチング速度を変化させる。 - 特許庁

Consequently, heavy metal contamination (c) can be eliminated not only in the oxygen ion injection and its heat treatment for forming a buried silicon oxide film, but also in the heat treatment in the device process.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜を形成するための酸素イオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、重金属汚染ｃをなくすことができる。 - 特許庁

Furthermore, it is provided with a beam measuring instrument 46 measuring a beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4, and a control device 50 controlling each flow regulator 36 based on the measured information and uniformalizing the beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4 at an injection position.例文帳に追加

更に、イオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器４６と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器３６を制御して、注入位置でのイオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置５０とを備えている。 - 特許庁

To provide an ion source and a method capable of using for a new source material (especially, a thermosensitive material such as new deca-borane and hydride, and a dimer containing compound) which is worthy of production, and to attain a new range of performance in a commercial ion injection of a semiconductor wafer.例文帳に追加

新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon wafer having a strained silicon layer 10 includes steps of at least forming the surface layer of the silicon wafer as an ion injection layer 11 by injecting ion into a silicon wafer 12, and growing the strained silicon layer by vapor phase epitaxy of the silicon on the ion-injected surface of the silicon wafer after distorting lattices in the in-plane direction.例文帳に追加

歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウェーハにイオンを注入することによって該シリコンウェーハの表面層をイオン注入層とし面内方向の格子を歪ませた後、前記シリコンウェーハのイオン注入された面上にシリコンを気相成長させることにより歪みシリコン層を成長させることを特徴とする歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To promote high speed operation by optimizing an ion injection angle in the case of forming a pocket region in a logic part concerning a semiconductor integrated circuit device having a memory part and the logic part on the same wafer.例文帳に追加

同一半導体基板上にメモリ部とロジック部とを有する半導体集積回路装置において、ロジック部にポケット領域を形成する際のイオン注入角度を最適化することによって、高速動作を推進する。 - 特許庁

In addition, after the inside of the contact hole is filled with a metal 28 such as tungsten, an impurity area 32 is formed only on the lower part of the gate electrode 16 by ion injection over the whole active area.例文帳に追加

また、コンタクトホール内をタングステンのような金属２８で充填した後、活性領域の全体に亙ってイオン注入工程を実施することにより、ゲート電極１６の下部にのみ不純物領域３２を形成する。 - 特許庁

To improve read out characteristic of pixels and inhibit dark current by optimization of a pattern of an element isolation region and an angle of impurity injection, and by controlling an ion implantation amount depending on an implantation position.例文帳に追加

素子分離領域のパターンと不純物注入の角度を最適化し、イオン注入量を注入場所に応じて制御することにより、画素の読み出し特性を改善しかつ暗電流を抑制する。 - 特許庁

The irradiation damage generated with this is serially and continuously annealed by irradiating with laser beams simultaneously with ion injection.例文帳に追加

本願発明においては、試料を低温に保ちながらイオン注入を行い、それに伴って生成される照射損傷をイオン注入と同時にレーザー光を照射することにより逐次連続的にアニールする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide MOS semiconductor device whose pressure-resistant non-defectiveness rate is hardly deteriorated even when a high impurity density surface is formed by ion injection of high doze quantity necessary for satisfactory ohmic contact.例文帳に追加

良好なオーミック接触に必要な程度の高ドーズ量のイオン注入によって、高不純物密度表面を形成しても、耐圧良品率が低下し難い炭化珪素ＭＯＳ型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce the number of ion injection times and masks and simplify a step in order to create a path for connecting a green photosensitive layer and a red photosensitive layer with an active pixel sensor circuit formed on a silicon surface.例文帳に追加

緑色感光層と赤色感光層をシリコン表面に形成されるアクティブピクセルセンサ回路に連結するための経路を作るために、イオン注入及びマスクの数を低減し、工程を単純化するようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus and its manufacturing method which does not require an ion injection for a threshold value adjustment corresponding to each individual in a low voltage driven transistor with a different threshold value to form the same conductive type channel.例文帳に追加

同じ導電型のチャンネルを形成する閾値の異なる低電圧駆動トランジスタで、閾値調整のためのイオン注入を個別に対応させて行う必要のない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which ions can be injected into a deep region without performing ion injection with high energy, the number of processes can be reduced and a breakdown voltage close to an ideal withstand voltage can be obtained.例文帳に追加

高エネルギーでイオン注入することなく深い領域までイオン注入することができ、工程数を抑えるとともに、理想耐圧に近い降伏電圧を得ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To eliminate the incomplete welding of an end-sealing member by welding this member with one welding means in an sealing method of the injection port of a container constituting square, columnar and button-type lithium ion storage batteries.例文帳に追加

角形、円柱形およびボタン形リチウムイオン蓄電池を構成する容器における注入口の封止方法であって、封止部材を一つの溶接手段で溶接することによる不完全な溶接を解消させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can improve resist removability by reducing the setting area of resist and its size precision and prevent the photoresist from being charged up during ion injection.例文帳に追加

イオン注入の際に、フォトレジストの硬化する面積を減少させてレジスト除去性を改善し、かつ、その寸法精度の向上が図れ、フォトレジストのチャージアップをも防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a material having the same range of ion injection with SiC is used for the mask 9 in the tapered shape, the taper angle of the mask 9 is 30 to 60° and when SiO^2 is used, the taper angle is 20 to 45°.例文帳に追加

また、テーパ形状の同一マスク９の材料として、イオン注入の飛程がＳｉＣと同じ材料を用いた場合、マスク９のテーパ角度を３０°〜６０°とし、ＳｉＯ_２を用いた場合、２０°〜４５°とする。 - 特許庁

An optical mirror 20 is arranged in the direction opposite to the scattering direction of ion debris on the plane made by the direction of an impressed magnetic flux 9 toward the side of incident laser beam and the direction of liquid injection 8 thus avoiding possible damage by the debris on the optical mirror.例文帳に追加

レーザ光入射側の磁場印加方向９と流体噴射方向８とのなす平面とで、イオンデブリ１２の飛散方向と反対方向に光学ミラー２０を配置し、デブリによる光学ミラーの損傷を防止する。 - 特許庁

A longitudinal MOSFET which uses SiC has its source region 4 and base region 5 formed by ion injection by using the same mask 9 in a tapered shape and then the base region 5 is formed in the tapered shape.例文帳に追加

ＳｉＣを用いた縦型のＭＯＳＦＥＴにおいて、ソース領域４とベース領域５とを、テーパ形状の同一マスク９を用いてイオン注入を行うことにより形成し、ベース領域５の形状をテーパ形状とする。 - 特許庁

To provide a forming method of a dual gate oxide film, in which twice thermal processes or ion injection which may cause the complexity of processes and damages to a semiconductor substrate are not required, and a manufacturing method of a semiconductor element utilizing the forming method.例文帳に追加

工程の複雑性及び半導体基板の損傷を引き起こす、２回の熱工程やイオン注入を行わないデュアルゲート酸化膜を形成する方法及びそれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The problem is solved by so forming an ion injecting region whose thickness corresponds to the thickness of a plurality of layers comprising channel regions and source/drain regions, in a semiconductor substrate previously as to use this substrate in a transcribing method of utilizing the injection of hydrogen.例文帳に追加

予め半導体基板にチャネル領域とソース／ドレイン領域の複数層の厚さに対応するイオン注入領域を形成し、この基板を水素注入よる転写法に使用することで、上記課題を解決する。 - 特許庁