「ion injection」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A lithium ion secondary battery 1 has an inner lid 6 on which, a liquid injection port for injecting nonaqueous electrolyte having a diameter almost the same as that of a battery can 3 is arranged above an electrode group housed in the battery can 3.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池１は、電池缶３内に収容された電極群２の上方に、電池缶３の内径と略同一の外径を有し非水電解液を注入するための注液口が形成された内蓋６が配置されている。 - 特許庁

The electrode body is formed by forming, on at least part of the surface, a conductive film including a fluorine containing resin modified by ion injection and gold contained in polymeric material of polyamide group, polyester group, polyether group, or polyamide group.例文帳に追加

表面の少なくとも一部にイオン注入により改質された含フッ素系樹脂、ポリイミド類、ポリエステル類、ポリエーテル類、またはポリアミド類の高分子材料に金を含有する導電性皮膜が形成して構成されている。 - 特許庁

An anode electrode has an irregular shape to form a hollow cathode, and electrons emitted by ion injection to cathode surfaces are confined in space formed of recesses and protrusions of the cathode electrode, thereby allowing a dense electrode space to be formed.例文帳に追加

アノード電極を凹凸形状とすることによって、ホローカソードを形成し、カソード面へのイオン入射により放出さる電子を凸部と凹部からなるカソード電極間に閉じ込め、高密度電子の空間を形成することができる。 - 特許庁

Then processing using a pattern on the resist film as a mask (e.g. etching processing using the pattern on the resist film as the mask and an ion injection processing using the pattern on the resist film as the mask) is applied to the wafer on which the resist film having the rugged surface is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜の表面に凹凸が形成されたウエハは、レジスト膜のパターンをマスクとした処理（たとえば、レジスト膜のパターンをマスクとするエッチング処理、レジスト膜のパターンをマスクとするイオン注入処理）を受ける。 - 特許庁

When a flame is formed between spark gaps of the ignition plug in the direct cylinder injection engine and if a combustion ion output is changed from presence to absence in an interval from the ignition start to the top dead center(TDC) and the frequency of a rich mode in changing the combustion ion output to the presence after TDC exceeds a prescribed value, it is determined to be over-rich.例文帳に追加

筒内直噴エンジンにおける点火プラグの火花ギャップ間に火炎生成があるとき、着火開始時からＴＤＣ（上死点）の期間で燃焼イオン出力が有りからなしに変化し、かつＴＤＣ以降で燃焼イオン出力が有りに変化するときのリッチモードの発生頻度が所定値を越えるとオーバリッチと判定される。 - 特許庁

The apparatus for supplying the metallic ion-containing water is provided with a shrinkable inner vessel 12 in which an aqueous solution containing the metallic ion is filled, a casing 11 surrounding the inner vessel 12, a pump 16 and an injection port 15 for injecting water to a space between the inner vessel 12 and the casing 11 and a discharge port 14 for discharging the aqueous solution in the inner vessel 12.例文帳に追加

金属イオンを含有する水溶液を充填した収縮可能な内部容器１２と、前記内部容器１２を囲うケーシング１１と、前記内部容器１２と前記ケーシング１１間に水を注入するためのポンプ１６および注入口１５と、前記内部容器１２の前記水溶液を排出するための排出口１４を設けたものである。 - 特許庁

The ion injection device further has: an ion source 7 ionizing an impure gas; a mass analyzer 8 extracting the impure ions to be injected into the wafer 2 among ionized impure ions; an acceleration tube 9 accelerating the extracted impure ions; and a lens 10 forming the accelerated impure ions in a desired beam shape.例文帳に追加

前記イオン注入装置は、不純物ガスをイオン化するイオン源７と、イオン化された不純物のうちウェーハ２に打ち込む不純物イオンを抽出する質量分析器８と、抽出された不純物イオンを加速させる加速管９と、加速された不純物イオンを所望のビーム形状に成形するレンズ１０とを更に具備する。 - 特許庁

Before an ion injecting process (stage S2) as an object of metal contamination evaluation is performed, an amorphous silicon layer 2 is formed (stage S1) on a silicon substrate surface (a surface of a silicon wafer 1) to suppress a crystal defect induced nearby the surface of the silicon wafer 1 due to injection energy in the silicon injection stage S2.例文帳に追加

金属汚染評価対象であるイオン注入処理（工程Ｓ２）を行う前に、シリコン基板表面（シリコンウエハ１の表面）に非晶質シリコン層２を形成する（工程Ｓ１）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ１の表面近傍に誘発される結晶欠陥を抑制することができる。 - 特許庁

An opening part OP1 as a dummy pattern is provided for the photoresist PR4 in a free area other than patterns of elements and circuits in one chip, 1 i.e., in a dummy area DM1 and while the opening part of the photoresist PR4 is made larger, the ion injection is carried out.例文帳に追加

１チップ内の素子および回路のパターン以外の空き領域、すなわち、ダミー領域ＤＭ１においてフォトレジストＰＲ４にダミーパターンたる開口部ＯＰ１を設け、フォトレジストＰＲ４の開口部を増やしてイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing patterned media such as discrete track media to be used for a high-density hard disk (HDD) in an ion injection method, which eliminates deterioration of surface flatness due to a resist residue which remains after removing a resist mask layer.例文帳に追加

高記録密度ハードディスク（ＨＤＤ）等に用いられるディスクリートトラックメディア等のパターンドメディアをイオン注入法において製造する方法において、レジストマスク層除去後に残存するレジスト残りによる表面平坦度の悪化を根絶する。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

After impurities are introduced in the polysilicon layer 3 by ion injection, a heat treatment is carried out for IPO oxidation to form an IPO oxide film 4 on the surface of the polysilicon layer 3, and a second polysilicon layer is further formed on the IPO oxide film 4.例文帳に追加

不純物をイオン注入にてポリシリコン層３に導入した後に、熱処理することによりＩＰＯ酸化を行い、ポリシリコン層３の表面にＩＰＯ酸化膜４を形成し、さらにＩＰＯ酸化膜４の上に第二のポリシリコン層を形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose source region and base region are formed by ion injection by using the same mask and a manufacturing method therefor by improving the tradeoff relation between a channel resistance and a JFET resistance which is a problem arising when an element is made thin.例文帳に追加

素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とＪＦＥＴ抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

After that, by using ion injection, annealing, and so on, high-concentration P-type guard ring areas 14b are formed on the surfaces of the low-concentration P-type guard ring areas 14a so as to completely cover the low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法及びアニール処理等を用いて、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａの表面部分に、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを完全に被覆する状態で高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂを形成する。 - 特許庁

A signal based on logic of an output signal A of a signal generating circuit 1 generating an output based on threshold voltage in accordance with ion injection and a POWER-ON signal bar is obtained by a NOR gate 2 and an inverter 3.例文帳に追加

イオン注入に応じたしきい値電圧に基づいた出力を発生する信号発生回路１、その出力信号ＡとＰＯＷＥＲ−ＯＮ信号バーとの論理に基づいた信号をＮＯＲゲート２とインバータ３により得る。 - 特許庁

A halftone film 2 is formed on a quartz substrate 1 and ions 3 are injected by ion injection to the predetermined depth of the halftone film so as to impregnate the halftone phase shift mask with impurities 4 which are to act as the color centers to obtain a photomask blank.例文帳に追加

石英基板１上にハーフトーン膜２を形成して、ハーフトーン膜の予め規定された深さにイオン注入によってイオン３を注入してハーフトーン位相シフト膜に色中心となる不純物４を含ませて、フォトマスクブランクとする。 - 特許庁

Preferably, the metal compound having the ultraviolet-absorbing ability is deposited in the interior and on the surface of the porous vegetable fiber body by injecting an aqueous solution of a metal ion which is a precursor of the metal compound having the ultraviolet-absorbing ability into the porous vegetable fiber body by the reduced-pressure injection method, and treating the injected aqueous solution of the metal ion.例文帳に追加

好ましくは、減圧注入法により、多孔性植物繊維体に、紫外線吸収能を有する金属化合物の前駆体である金属イオン水溶液を注入し、該金属イオン水溶液を処理することによって、多孔性植物繊維体内部及び表面に、紫外線吸収能を有する金属化合物を析出させたことを特徴とする。 - 特許庁

On a surface of a fitting main body 10 made of aluminum alloy, a color alumite 11 formed by color alumite treatment, an inclined layer 12 inclinatorily formed with a specific element on the surface of the color alumite layer 11 by a plasma ion injection treatment, and a DLC (Diamond Like Carbon) layer 13 formed by a plasma ion filming treatment on the surface of the inclined layer 12, are formed.例文帳に追加

アルミニウム合金製の部品本体１０表面には、着色アルマイト処理により形成されたカラーアルマイト１１と、カラーアルマイト１１の表層側にプラズマイオン注入処理により特定の元素が傾斜状に形成された傾斜層１２と、傾斜層１２の表層側にプラズマイオン成膜処理により形成されたＤＬＣ層１３とが形成されている。 - 特許庁

An ion source 11 injecting ions into a vacuum chamber 2 and a detector 12 detecting recoil atoms made to recoil by injection ions are communicated and mounted in the vacuum chamber 2 installed to the surface treatment apparatus for measuring the hydrogen concentration of a thin-film surface in the surface treatment apparatus (a film deposition device) by an elastic recoil- particle detecting method by a low-energy ion scattering spectral method.例文帳に追加

低エネルギーイオン散乱分光法による弾性反跳粒子検出法によって表面処理装置（成膜装置１）内の薄膜表面の水素濃度を測定するために、真空室２内にイオンを入射するイオン源１１と該入射イオンによって反跳される反跳原子を検出する検出器１２とを、表面処理装置が備える真空室２内に連通させて設ける。 - 特許庁

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁

A hydrogen ion injection part 151 wherein adjustment is so performed that the peak position of distribution of hydrogen ions is in a BOX layer 152 (buried oxide layer), and a single crystal Si thin film transistor 130 are formed on an SOI substrate 150, and bonding to an insulating substrate 110 is performed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１５０に、水素イオンの分布のピーク位置がＢＯＸ層１５２（埋め込み酸化膜層）内となるように調節した水素イオン注入部１５１と、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１３０とを形成し、絶縁基板１１０に接合させる。 - 特許庁

To provide a copper alloy collector with high jointing strength with resin, and capable of preventing peel-off at an interface between the collector and the resin, in case insulation and sealing of the collector for a lithium-ion battery or a capacitor and a case with injection molding resin.例文帳に追加

リチウムイオン電池やキャパシタの集電体とケースの絶縁及び密閉を射出成形樹脂により行う場合に、樹脂との接合強度が高く、集電体と樹脂との界面で剥離が発生するのを防止できる銅合金集電体を提供する。 - 特許庁

The hydrogen isotope of mass number 2, physical behavior of which resembles closely with that of hydrogen isotope of mass number 1, of very little abundance in the atmosphere as an elemental substances or a compound is introduced into a solid sample or an analytical object through ion injection.例文帳に追加

質量数１の水素同位体と物理的な挙動が酷似し、単体または化合物として大気中での存在量が極めて少ない質量数２の水素同位体をイオン注入によって分析対象とする固体試料中に導入する。 - 特許庁

A joint part is formed by injection molding of the external periphery 4e of the half case cover using a synthetic resin body 7, and the half cases 4a and 4b are placed opposite each other, a lithium ion secondary battery main unit 2 is inserted inside, and the joint part is bonded by ultrasonic welding.例文帳に追加

この半割ケースカバーの外周縁部４ｅを合成樹脂体７で射出成形して接合部を形成し、この半割ケースカバー４ａ、４ｂを対向させ内部にリチュームイオン二次電池本体２を挿入後接合部を超音波溶着で接合する。 - 特許庁

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

Ozonation includes the control of ozone injection efficiency or Quantity, the obtaining of sea water containing high concentration of bromic acid ion by ozonizing part of sea water supplied to the supply conduit and the ozonation of sea water used for cooling water in a cooling equipment.例文帳に追加

オゾン処理は、オゾン注入率や量の制御をすること、導水渠に導水する海水の一部をオゾン処理して高濃度の臭素酸イオンを含む海水を得ること、冷却設備で冷却水として使用された海水をオゾン処理することも含む。 - 特許庁

To provide a calcium ion-independent smooth muscle anomalous shrinkage inhibitor that is uneffective on the calcium ion-independent physiological smooth muscle shrinkage, an injection composition for treating the cardiovascular diseases caused by smooth muscle anomalous shrinkage, a prophylactic and/or therapeutic agent for black out and narrowed visual field, reduction of the side-effect of the chemical-inducing orthostatic hypotension and Rho- kinase signal transduction system inhibitor.例文帳に追加

カルシウムイオン依存性の生理的な平滑筋収縮に影響しない、カルシウムイオン非依存性の平滑筋異常収縮の抑制剤、血管平滑筋異常収縮に起因する循環器系疾患治療用の注射用組成物、暗黒視症および視野狭窄の予防および／または治療剤、薬物誘発起立性低血圧の副作用軽減剤およびＲｈｏキナーゼシグナル伝達系の阻害剤の提供。 - 特許庁

To further reduce fluctuations of a load on a swing motor, and to highly precisely operate the mechanical scanning of a holder and a wafer by generating a balancing torque in consideration of the angle from the level line of an arm and the injection angle of ion beams to a wafer from a counter balancer.例文帳に追加

アームの水平からの角度およびイオンビームのウェーハに対する注入角を考慮した釣り合いトルクをカウンタバランサから発生させることによって、スイングモータにかかる負荷変動をより小さくして、ホルダおよびウェーハの機械的走査をより高精度で行うことができるようにする。 - 特許庁

Then, a thermal oxide 4 and an insulating film 5 are formed on the major surface of the semiconductor substrate 1 and are flattened (S14, S15) and hydrogen ions are injected from the surface of the insulating film 5 to form an ion injection layer 6 (S16) and a base substrate 7 is bonded onto the surface of the insulating film 5.例文帳に追加

次に、半導体基板１主面に熱酸化膜４，絶縁膜５を形成し平坦化し（Ｓ１４，Ｓ１５）、その絶縁膜５の表面から水素イオン注入してイオン注入層６を形成した後（Ｓ１６）、前記絶縁膜５表面にベース基板７を接合する（Ｓ１７）。 - 特許庁

To reduce a leakage current in a silicon substrate by forming holes by a thin nitride film having an oxide film surface nitrided without difficulty in processing nor deterioration in light collection efficiency as compared with conventional constitution and capturing interstitial Si atoms generated by ion injection into the holes.例文帳に追加

酸化膜表面が窒化された薄い窒化膜により、従来の構成に比べて加工の困難性もなく集光効率の悪化もなく、空孔を発生させ、イオン注入によって発生した格子間Ｓｉ原子を空孔に捕獲させることによりシリコン基板内のリーク電流を低減させる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor substrate, the SiGe layer is formed on the substrate with a surface composed of a silicon (a), a semiconductor layer is further formed thereon (b) and heat treatment is performed by applying ion injection into the SiGe layer in a wafer region to be an element isolation forming region (c).例文帳に追加

（ａ）表面がシリコンからなる基板上にＳｉＧｅ層を形成し、（ｂ）さらにその上に半導体層を形成し、（ｃ）素子分離形成領域となる基板上の領域におけるＳｉＧｅ層内にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a humidification method by ion mist injection and a knockdown mobile humidifier capable of reforming air environment of high odor intensity, general home indoor environment, rainy season, a narrow room, sleeping environment and the like to necessary comfortable air environment corresponding to various purposes.例文帳に追加

単一の同一機器で、臭気度の高い空気環境や一般的な家庭の室内環境、雨期時や狭い部屋、安眠環境など多目的に対応するに必要な快適な空気環境に改質し得るイオンミスト噴射による加湿方法および組み立て移動式加湿器を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is stable and reduces the fluctuation or dispersion of characteristics, by suppressing the diffusion of an impurity inside a silicone substrate after compensation ion injection, and preventing the fluctuation of transistor characteristics or element separation characteristics.例文帳に追加

補償イオン注入後の不純物のシリコン基板内での拡散を押さえ、トランジスタ特性や素子分離特性の変動を防止することができ、安定で特性の変動やばらつきの少ない半導体装置を実現することができる半導体装置のコンタクト形成方法の提供を課題とする。 - 特許庁

A trench is formed in an n^- type drift layer (1) and embedded by crystal growth, by forming a p-type surf layer (4) by ion injection from oblique direction, and thus a 2nd n^- drift layer (5) is formed to form a longitudinal resurf structure, thereby forming a power MOSFET having low ON- resistance.例文帳に追加

ｎ^−型ドリフト層（１）にトレンチを形成し、斜め方向からのイオン注入によりｐ型リサーフ層（４）を形成し、トレンチを結晶成長により埋め込むことで第２のｎ^−ドリフト層（５）を形成することにより縦型リサーフ構造を形成し、低オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

At the time of forming the contact hole of an MOS transistor, a nitrided film is used as the stop film of etching so that the over-etching of an Si base can be prevented, and ion injection is carried out by using the contact hole as a mask so that a high concentration diffused area constituting a source/drain area can be formed.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのコンタクトホールを形成する際、チッ化膜をエッチングのストップ膜として使用しＳｉ基盤のオーバーエッチをなくし、そのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域を構成する高濃度拡散領域を形成すことを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, a new oxide film 18 can be formed on the bottom of the active layer 16 with predetermined depth and width of oxygen ion injection (Fig. 2(b)), and an embedded oxide film layer 15 having the protrusions and recesses matching those of the surface of the active layer 16 can be formed (Fig. 2(c)).例文帳に追加

この処理により、酸素イオンを注入した所定の深さ及び幅で活性層１６の底部に新たな酸化膜１８を生成することができ（図２（ｂ））、活性層１６の表面の凹凸と一致する凹凸を持つ埋め込み酸化膜層１５を形成できる（図２（ｃ））。 - 特許庁

An ion injection simulation method includes: calculating a reinjection dose injected into a structure formed on a substrate and reinjected from a side face of the structure to the substrate; and calculating concentration distribution of impurities injected into the substrate from a distribution function and reinjection conditions of the reinjection dose.例文帳に追加

基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。 - 特許庁

To provide an ozone gas injection control system which can control generation of energy useless for ozone gas generation, and control generation of a bromate ion by preventing dissolved ozone concentration from going to excess, and keep the proper quality of ozone-treated water.例文帳に追加

オゾンガスを生成するための無駄なエネルギーの発生を抑制することができ、しかも、溶存オゾン濃度が過剰となることを抑制することにより臭素酸イオンの生成を抑制することができ、オゾン処理水の水質を適正に保つことができるオゾンガス注入制御システムを提供する。 - 特許庁

An ion containing carbon and having a specified energy is injected on the substrate 20 having a surface composed of a Pd thin film 22 to introduce the carbon into the inside of the substrate 20; thereby, the substrate 20 is heated by the energy in injection and a mixture of the catalyst metal and the carbon is formed.例文帳に追加

Ｐｄ薄膜２２でなる表面を有する基体２０上に、所定のエネルギーを有した、炭素を含むイオンの注入を行い、基体２０内部に炭素を導入すると、基体２０が注入時のエネルギーにより加熱されると同時に、触媒金属と炭素の混合体が形成される。 - 特許庁

Unlike conventional techniques wherein ion injection is performed using a resist mask provided at a predetermined distance d from an element separation region end, the resist mask is not misaligned and the distance d from the end of the element separation region 13 is made stable to stably form a p-type impurity region 133.例文帳に追加

素子分離領域端から所定の距離ｄだけ離れるように設けられたレジストマスクを用いてイオン注入ろ行う従来技術のようにレジストマスクの合わせずれが生じることなく、素子分離領域１３の端からの距離ｄを安定化させて、ｐ型不純物領域１３３を安定化して形成することができる。 - 特許庁

A sliding member has, on its sliding surface, a thin coating film having a hydrogen content of less than 30 atomic %, the thin film being composed of a diamond-like carbon film or an amorphous carbon film, that are prepared by the plasma source ion injection process, wherein ions are injected by forming a plasma around a base material 3 and applying a negative pulse voltage to the base material.例文帳に追加

基材３の周囲にプラズマを形成し、基材に負のパルス電圧を印加することによってイオン注入を行うプラズマソースイオン注入法により作製したダイヤモンドライクカーボン膜あるいは非晶質カーボン膜であって、水素含有量が３０原子％未満である薄膜を摺動面に被覆した。 - 特許庁

In this light-receiving circuit and method of manufacturing the same, since the p-type light-absorbing layer of a single running carrier photodiode is formed in the undoped InGaAs layer corresponding to the collector of the heterojunction bipolar transistor, Be is doped into the p-type light- absorbing layer with the Be ion injection method having superior controllability of the doping profile in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、単一走行キャリアフォトダイオードのｐ形光吸収層をヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタに相当するアンドープＩｎＧａＡｓ層中に形成するため深さ方向ドーピングプロファイルの制御性に優れたＢｅイオン注入法を用い、ｐ形光吸収層にＢｅドープすることを特徴とする。 - 特許庁

Respective programmable elements are constituted of depletion type transistors D100, D101 being same as memory cells of a mask ROM apparatus, the depletion type transistors are programmed in a first program state of a conduction state in an ion injection process for memory cells of the mask ROM apparatus or in a second program state of a non-conduction state.例文帳に追加

プログラム可能な素子の各々はマスクＲＯＭ装置のメモリセルと同一の空乏型トランジスタＤ１００，Ｄ１０１で構成され、空乏型トランジスタはマスクＲＯＭ装置のメモリセルに対するイオン注入工程で導通状態の第１プログラム状態又は非導通状態の第２プログラム状態にプログラムされる。 - 特許庁

A method for measuring thin arsenic concentration in a sample liquid in which phosphoric acid and a silica ion exist, based on flow injection analysis using ammonium molybdate consists of: a first step of reacting the sample with an oxidant or a reductant; and a second step of reacting the reacted sample with a coloring agent.例文帳に追加

りん酸とシリカイオンが存在する試料液中の希薄な砒素濃度を、モリブデン酸アンモニウムを使ったフローインジェクション分析に基づいて測定する方法であり、前記試料を酸化剤、又は還元剤と反応させる第一段階と、前記反応させた試料を発色剤と反応させる第二段階とからなる。 - 特許庁

An SiGe film is formed on the top surface of a substrate which is composed of a silicon single-crystal layer with a surface azimuth (111) or (110), a buried crystal defect is introduced into the substrate by ion injection and annealing, and a semiconductor film is formed on the SiGe film.例文帳に追加

表面が（１１１）又は（１１０）の面方位のシリコン単結晶層からなる基板上面にＳｉＧｅ膜を形成し、イオン注入及びアニール処理を行って前記基板内に埋め込み結晶欠陥を導入し、前記ＳｉＧｅ膜上に半導体膜を形成することからなる半導体基板の製造方法。 - 特許庁