「ion injection」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Ion injection is performed by a first acceleration voltage with respect to the inter-layer insulating film 140, thereby to form a first ion layer 310.例文帳に追加

層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。 - 特許庁

As a result, in this method for manufacturing an epitaxial wafer having embedded ion injection layers 71' and 72', the saving of the pre-injection oxidization treatment and ion injection using only a photo-resist film as a mask 64 are enabled.例文帳に追加

その結果、埋込イオン注入層７１’，７２’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク６４として用いたイオン注入が実現される。 - 特許庁

Thermal treatment for crystal restoration after ion injection is carried out in a hydrogen atmosphere so that it is possible to extremely effectively suppress the generation of face roughness to ion injection layers 71 and 72 without carrying out pre-injection oxidization treatment.例文帳に追加

イオン注入後の結晶回復のための熱処理を水素雰囲気中にて行うことで、注入前酸化処理を行わなくともイオン注入層７１，７２への面荒れ発生が極めて効果的に抑制される。 - 特許庁

Moreover, the ionizer is arranged in which the ion injection part is integrally built in this kind of rotation device.例文帳に追加

また、このような回転装置にイオン噴射部を一体に組み込んだイオナイザとした。 - 特許庁

The additional thickness 42 is formed by injection of oxygen ion and annealing processing.例文帳に追加

厚み付加部分４２は酸素イオンの注入及びアニール処理によって形成される。 - 特許庁

A secondary-electron detecting sensor for detecting the secondary electrons is provided on an ion injection device.例文帳に追加

イオン注入装置には２次電子を検出する２次電子検出センサを設ける。 - 特許庁

The resist pattern 5 is cured by a plasma irradiation or the ion injection method, and this mold 1 is obtained.例文帳に追加

レジストパターン５をプラズマ照射またはイオン注入法により硬化し、モールド１を得る。 - 特許庁

The termination region is formed by single-step ion injection in which the kind of impurity and injection energy are fixed.例文帳に追加

終端領域は、不純物の種類および注入エネルギーを固定した１段階のイオン注入によって形成される。 - 特許庁

An injection angle measuring section 14 is arranged between the ion radiating section and the treatment substrate 16, and measures respective injection angles.例文帳に追加

注入角度計測部１４は、イオン照射部と処理基板１６との間に配設され、それぞれの注入角度を計測する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises an ion injection step, a carbon layer formation step, an ion activation step, and a removal step.例文帳に追加

半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、除去工程と、を含む。 - 特許庁

Arsenic and antimony are ion-injected to the laminated side face of a wafer 10 for an active layer, and then the ion injection face is etched by 5 to 20 nm.例文帳に追加

ヒ素、アンチモンを活性層用ウェーハ１０の貼り合わせ側の面にイオン注入後、このイオン注入面を５〜２０ｎｍエッチングする。 - 特許庁

Energy is given to ions 2 (B+ beams) having plus charges from the ion generation source of the ion injection device 1, and a wafer 3 is irradiated with the beam.例文帳に追加

イオン注入装置１のイオン発生源よりプラスの電荷を持ったイオン２（Ｂ^+ ビーム）にエネルギーを与え、ウエハ３に照射する。 - 特許庁

To provide an ion injection device by which a semiconductor device having little variation in property can be manufactured.例文帳に追加

特性のばらつきの少ない半導体装置を製造可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The ion signals are used as a feedback signal to control EGR and diesel injection timing.例文帳に追加

イオン信号をフィードバック信号として用いてＥＧＲおよびディーゼル噴射タイミングを制御する。 - 特許庁

An air injection tube 50 is arranged inside the ion generation chamber 36 at the position facing the air nozzle 51.例文帳に追加

エアノズル５１に対向する位置でイオン発生室３６内にエア吐出管５０を配置する。 - 特許庁

Furthermore, a p injection layer 6P is formed by the ion implantation of phosphorus (P) with the resist 7 as a mask.例文帳に追加

さらに、レジスト７をマスクにして、リン（Ｐ）をイオン注入してＰ注入層６Ｐを形成する。 - 特許庁

INJECTION CONTROL METHOD OF SODIUM CARBONATE AND CALCIUM ION-CONTAINING WATER TREATMENT EQUIPMENT USING THE SAME例文帳に追加

炭酸ナトリウムの注入量制御方法及びこれを用いたカルシウムイオン含有水処理設備 - 特許庁

After completion of ion injection treatment, a resist pattern is subjected to fluorine treatment before the resist pattern is ashed.例文帳に追加

イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。 - 特許庁

The ion injecting device includes an ion radiating section 4 for radiating ion beams where respective injection angles to a plurality of arbitrary regions of a treatment substrate 16 have set values.例文帳に追加

イオン注入装置は、処理基板１６の任意の複数の領域に対するそれぞれの注入角度が設定値を有するイオンビームを照射するイオン照射部４を含む。 - 特許庁

Though ions are injected by the ion injection device so as to neutralize the electric charges of each liquid droplet, the polarity of the ions injected by the ion injection device is decided by the electric field direction immediately under a recording nozzle.例文帳に追加

各液滴の電荷を中和するためにイオン噴射装置よりイオンを噴射するが、イオン噴射装置より噴射するイオンの極性は記録ノズルの直下の電界の方向により決定する。 - 特許庁

To provide a charge up restraint device which can irradiate electrons on ion beam irradiation region of a substrate with excellent uniformity, and an ion injection device.例文帳に追加

高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができるチャージアップ抑制装置およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Concretely, after being performed in a manner not to increase the number of processes, ion injection for threshold control is performed, and a positive charge is charged by boron ion.例文帳に追加

具体的には、工程増を招くことのないように、デスカムを行った後に閾値制御のイオン注入を行い、ホウ素イオンにより正電荷に帯電させる。 - 特許庁

By ion shower injected from the ion shower injection nozzle 27, dust is blown off, and the dust blown off is sucked by a dust suction means.例文帳に追加

イオンシャワー噴射ノズル２７から噴射されるイオンシャワーによって塵を吹き飛ばし、吹き飛ばした塵を塵吸引手段（図示せず）により吸引する。 - 特許庁

The ion injection device 1 comprises an ion irradiation part 11 which can irradiate ions under different conditions for each of a plurality of regions on a treatment board.例文帳に追加

イオン注入装置１は、処理基板上の複数の領域のそれぞれに対して異なる条件でイオンを照射可能なイオン照射部１１を含む。 - 特許庁

ION SOURCE WITH ION BEAM ACCELERATING PART INCLUDING SUPPRESSOR FOR ABNORMAL VOLTAGE DUE TO INTERELECTRODE BREAKDOWN IN NEUTRAL PARTICLE INJECTION DEVICE OF NUCLEAR FUSION APPARATUS例文帳に追加

核融合装置の中性粒子入射装置における電極間放電破壊による異常電圧の抑制装置を備えたイオンビーム加速部付きイオン源 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus capable of improving uniformity of a beam current density distribution in the Y-direction of an ion beam in a ribbon shape at an injection position.例文帳に追加

注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an effective structure for a movement through connection in a vacuum process as an ion injection or the like.例文帳に追加

イオン注入等の真空プロセスへの動作貫通接続に特に有効である構造体の提供。 - 特許庁

For example, power consumption of an ion injector is suppressed to be low, based on the suppression of injection energy.例文帳に追加

注入エネルギーの抑制に基づき例えばイオン注入機の消費電力は低く抑えられる。 - 特許庁

To improve precision of Fe (iron) contamination quantity evaluation by an SPC (Surface Photo Voltage) method in an ion injection stage.例文帳に追加

イオン注入工程において、ＳＰＶ法によるＦｅ（鉄）汚染量評価の精度を向上させる。 - 特許庁

Then, ion injection into the n--type region 11 is carried out, so that a p-type well layer 12 can be formed.例文帳に追加

そして、ｎ^-型領域１１にイオン注入等を行うことで、ｐ型ウェル層１２を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is provided at a prestage of an ion reservoir provided in front of an injection portion to inject ions.例文帳に追加

イオンを射出する射出部の前に設けられているイオン溜りの前段にゲート電極を設ける。 - 特許庁

An As injection layer 6As is then formed by the oblique ion implantation of arsenic with the resist 7 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト７をマスクにして、砒素を斜めイオン注入してＡｓ注入層６Ａｓを形成する。 - 特許庁

Injection of iron formate is performed, until the iron(II) ion concentration in the pure water becomes 200 ppm or higher.例文帳に追加

ギ酸鉄の注入は、純水中の鉄(II)イオン濃度が２００ｐｐｍ以上になるまで行われる。 - 特許庁

USE OF ION INJECTION FOR PREPARING NORMAL LAYER IN SUPERCONDUCTIVE-NORMAL-SUPERCONDUCTIVE JOSEPHSON JUNCTION例文帳に追加

超伝導−通常−超伝導ジョセフソン接合中に通常層を作製するためのイオン注入の使用 - 特許庁

The source/drain extension region 10 is formed by a cluster injection in place of an ordinary ion implantation.例文帳に追加

ソース／ドレイン・エクステンション領域１０を、通常のイオン注入ではなく、クラスタ注入によって形成する。 - 特許庁

To shorten time of absorbing a solution of an electrolyte in a step of injection of the electrolyte of a lithium ion secondary battery.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の電解質注入工程において、電解質の吸液時間を短縮する。 - 特許庁

A discharge electrode 37 is arranged on both sides of the air injection tube 50 inside the ion generation chamber 36.例文帳に追加

放電電極３７をエア吐出管５０の両側位置でイオン発生室３６内に配置する。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

Then, based on the detected quantity of the secondary electrons detected by the secondary-electron detecting sensor, irradiation control of the ion beam is carried out, and at the same time, ion injection into the semiconductor board by ion beam is carried out.例文帳に追加

また、２次電子検出センサで検出した２次電子の検出量に基づいてイオンビームの照射制御を行ないながら半導体基板へのイオンビームによるイオン注入を行なう。 - 特許庁

An injection apparatus which includes: a dealkalization treatment part which ion exchange treats an Na ion in the colloidal silica near an injection field; and a storage unit which stores the silica solution obtained through the dealkalization treatment part, is used.例文帳に追加

注入現場付近においてコロイダルシリカ中のＮａイオンをイオン交換処理する脱アルカリ処理部と、脱アルカリ処理部を通して得られたシリカ溶液を貯蔵する貯蔵部とからなる注入装置を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which enables desired ion injection even if a polysilicon layer is thin or narrow when the polysilicon layer is used as a mask for ion injection.例文帳に追加

イオン注入用のマスクとしてポリシリコン層を用いる際、ポリシリコン層の厚さが薄かったりポリシリコン層の幅が狭い場合においても、所望のイオン注入を行うことができる、半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This is a method for using ion injection for preparing a normal layer in an SNS Josephson junction 10.例文帳に追加

ＳＮＳジョセフソン接合（１０）中に通常層を作製するためにイオン注入を使用する方法である。 - 特許庁

To calculate the damage of a workpiece occurring by a predetermined processing such as ion injection in a shorter time.例文帳に追加

イオン入射等の所定処理により発生する被加工体のダメージをより短時間で算出可能にする。 - 特許庁

To efficiently eliminate a resist film used as a mask in impurity ion injection and having an altered layer.例文帳に追加

不純物イオン注入の際にマスクとして用いられ、変質層を有するレジスト膜を効率的に除去する。 - 特許庁

Ion injection layers for raising a threshold voltage are provided in channel regions of the driving MOS transistors M1, M4 and M7.例文帳に追加

閾値電圧を高くするイオン注入層を各駆動ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ４、Ｍ７のチャネル領域に設ける。 - 特許庁