「ion injection」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Injection is made so that the sulfuric acid ion concentration in a consolidated soil under an underground water level by the non-alkali silica injection material including sulfuric acid ions or the overall soil improvement area can be 10000 ppm or less in average.例文帳に追加

地下水面下の硫酸イオンを含む非アルカリ性シリカ注入材による固結土または地盤改良領域全体の硫酸イオン濃度の平均が１００００ｐｐｍ以下になるように注入する。 - 特許庁

To provide a linear ion accelerator in which injection efficiency is improved in order to make charged particles inject into a circular accelerator of the rear stage as an injection device by reducing the momental dispersion of emitting beams, and its design method.例文帳に追加

出射ビームの運動量分散を小さくし、入射器として後段の円形加速器に荷電粒子を入射するための入射効率を改善した線形イオン加速器及びその設計方法の提供。 - 特許庁

In the plasma ion injection method, a pulse bias voltage of -15 to -3 kV is preferably applied to a high-frequency power source.例文帳に追加

プラズマイオン注入法においては、高周波電源に対しマイナス１５ｋＶ以上マイナス３ｋＶ以下のパルスバイアス電圧を印加して行なうと、より好ましい。 - 特許庁

In this case, the ion injection is carried out under a condition that the low density source region 1b, 95 and the low density drain region 1c, 93 are able to reach a base insulating film 12.例文帳に追加

この際、低濃度ソース領域１ｂ、９５、および低濃度ドレイン領域１ｃ、９３が下地絶縁膜１２に届く条件でイオン注入する。 - 特許庁

At that time, the energy of the impurity ion injection is set so that the depletion layer of the n+-type semiconductor region 15 can be prevented from reaching an SOI insulation layer 2.例文帳に追加

この時、不純物イオン注入のエネルギーはｎ^+型半導体領域１５の空乏層がＳＯＩ絶縁層２まで達しないように設定する。 - 特許庁

Since the ion injection is performed in the state with crystal defects repaired, the crystal defects of the semiconductor substrate 10 is reduced.例文帳に追加

結晶欠陥が修復された状態でイオン注入を行うことができるので、半導体基板１０の結晶欠陥を低減することができる。 - 特許庁

It is preferable to control the injection of the ammonia removing agent by monitoring at least one of the pH, alkalinity, and ammonium ion concentration of the anaerobic sludge.例文帳に追加

嫌気性汚泥のｐＨ、アルカリ度、アンモニウムイオン濃度の少なくとも１つをモニターすることにより、アンモニア除去剤を注入制御することが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming a pocket area by using indium and decreasing the increase of leak current by ion injection of indium.例文帳に追加

インジウムを用いてポケット領域を形成し、かつインジウムのイオン注入によるリーク電流の増加を低減することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An n-type impurity 5 such as phosphorous or the like is introduced into the upper surface of a silicon substrate 1 by using the photo resist 4 as an injection mask by ion implantation.例文帳に追加

フォトレジスト４を注入マスクとして用いて、イオン注入法によって、リン等のＮ型不純物５を、シリコン基板１の上面内に導入する。 - 特許庁

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。 - 特許庁

A controller 10 for controlling an injection rate of the pH adjusting agent is connected to the bromine ion concentration measuring instrument 51 and the pH meter 52.例文帳に追加

また、臭素イオン濃度測定器５１およびｐＨ測定器５２に、ｐＨ調整剤の注入率を制御する制御装置１０が接続されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer capable of effectively and efficiently removing an injection damage while suppressing the diffusion of an injected ion.例文帳に追加

注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR CONTINUOUS SURFACE MODIFICATION OF POLYMER FILM, APPARATUS FOR CONTINUOUS SURFACE MODIFICATION AND POLYMER FILM IN WHICH ION INJECTION LAYER IS FORMED例文帳に追加

高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム - 特許庁

After forming the oxide film 2 on the semiconductor substrate 1, a p^+-type diffused layer 3 is formed on the cortex of the semiconductor substrate 1 by ion injection.例文帳に追加

半導体基板１の上に酸化膜２を形成した後、半導体基板１の表層にＰ^＋型拡散層３をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of restraining electric characteristics from lowering and threshold voltage from varying owing to ion injection.例文帳に追加

イオン注入を行うことに起因する電気的特性の低下およびしきい値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A low voltage driven n-channel transistor LV-N-LVt of a low threshold value type is formed directly on a p-type silicon substrate 1 without forming a well, and a process is reduced by integrating the ion injection process for the threshold value adjustment with the ion injection process for the threshold value adjustment of other transistor.例文帳に追加

低閾値型の低電圧駆動ＮチャンネルトランジスタＬＶ−Ｎ−ＬＶｔをウェルを形成せず、直接Ｐ型のシリコン基板１に形成するようにし、閾値調整のためのイオン注入工程を他のトランジスタの閾値調整のためのイオン注入工程と統合させることで工程の短縮を図る。 - 特許庁

In the electrification prevention device, a non-power ion dissociation means such as a static mixer is installed in the downstream of an injection point of gaseous CO_2 for promoting the ion dissociation (H^+, HCO_3^-) of dissolved H_2CO_3 components dissolved into ultrapure water or pure water.例文帳に追加

超純水又は純水中へ溶解した溶解Ｈ_２ＣＯ_３成分のイオン解離（Ｈ^＋，ＨＣＯ_３^−）を促進させるためにＣＯ_２ガスの注入点の下流にスタティックミキサーのような無動力のイオン解離手段を設置する。 - 特許庁

The concentration gradient of the metal ion in the thickness direction is intently generated by controlling the acceleration voltage and injection amount of the metal ion so that the thin film has a structure in which a band gap or potential gradation is changed in the thickness direction.例文帳に追加

その際、厚さ方向に金属イオンの濃度勾配を加速電圧及び注入量を制御することにより意図的にもうけて、バンドギャップもしくは電位勾配を厚さ方向に変化させた構造を有する薄膜を提供する。 - 特許庁

Organic hydrocarbon components are decomposed by adding sulfate ion, ammonium ion and phosphate ion products, an easily decomposable organic material, and an extractive component to soil 3 containing the organic hydrocarbon components such as a low molecular weight oil component through an injection well 2 constructed in the soil to propagate sulfate-reducing bacteria.例文帳に追加

低分子油成分その他の有機炭化水素成分を含む土壌３に、土壌に構築した注入井戸２を通して、硫酸イオン、アンモニウムイオン及びリン酸イオン生成物質、易分解性有機物並びにエキス成分を添加して硫酸還元菌を増殖させることにより、有機炭化水素成分を分解するようにする。 - 特許庁

To improve a barrier property for ion implantation, to avoid the ion implanting to an unwanted part and to prevent the peeling of a film, even when a heating process is present thereafter in the case of performing the ion injection, after forming high melting point metal silicide.例文帳に追加

高融点金属シリサイドの形成後に、イオン注入した場合に、そのイオン注入に対するバリア性が優れており、不要な部分へのイオン注入を回避できると共に、その後に加熱工程が存在しても膜の剥離を防止できる高融点金属ポリサイド構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the first process, when the ion to be injected into the silicon layer 13 is oxygen ion, its injection is started in the state where the temperature of the SIMOX wafer is 50°C or lower, the amount of ion dose is 5×10^15-1.5×10^16 atoms/cm^2, and an injected energy is 150 keV or more and 220 keV or less.例文帳に追加

第１の工程は、シリコン層１３に注入するイオンを酸素イオンとするとき、ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態からイオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０^１５〜１．５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とする。 - 特許庁

To contribute to improvement in device characteristics by making it possible to set a resist size difference between an element formation region and an element isolation region during ion injection to be a desired value or below.例文帳に追加

イオン注入時における素子形成領域と素子分離領域とのレジスト寸法差を所望の値以下とすることができ、デバイス特性の改善に寄与する。 - 特許庁

Also, since the ion implantation is conducted, the ions of the insulator advances deep in the semi-insulating substrate 1 and an insulation injection part 6 are formed at the lower part of the step part 4.例文帳に追加

また、イオン注入を行なうため、絶縁物のイオンは半絶縁性基板１に深く進入し、段差部４の下部に絶縁注入部６が形成される。 - 特許庁

The MRI contrast medium contains composite magnetic particles obtained by allowing magnetic diamond particles obtained by the ion-injection of a magnetic element to nanoparticles of the diamond to carry nanoparticles of a noble metal.例文帳に追加

ナノダイヤモンド粒子に磁性元素をイオン注入してなる磁性ナノダイヤモンド粒子に、貴金属ナノ粒子が担持されてなる複合磁性粒子を含有するようにした。 - 特許庁

In this process, the substrate S is tilted against the ion beam while the injection energy by the accelerator 16 is maintained to change the infiltration depth of ions in accordance with the tilt.例文帳に追加

その際、加速器での注入エネルギーを保持した状態で、イオンビームに対して基板Ｓを傾け、当該傾きに応じてイオンの浸透深さを変化させる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide Schottky diode which can reduce a leak current when a reverse voltage is applied without using ion injection and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入を用いることなく、逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することができる炭化珪素ショットキーダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve decrease in transmittance of a photomask due to gallium injection by removing the gallium injected into a glass substrate for correcting a photomask defect by a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームによるフォトマスク欠陥修正でガラス基板に注入されたガリウムを除去してガリウム注入によるフォトマスクの透過率低下を改善する。 - 特許庁

The nanofiltration membrane is composed of a polymer material soluble in an organic solvent, and at least a part of the surface of the membrane is modified by an ion injection treatment and an etching treatment.例文帳に追加

有機溶媒に可溶な高分子材料より構成され、表面の少なくとも一部がイオン注入処理及びエッチング処理により改質されている、ナノ濾過膜。 - 特許庁

To provide an inspection device and inspection method capable of inspecting whether or not ions are injected to a desired position in an ion injection process by use of a stencil mask.例文帳に追加

ステンシルマスクを用いたイオン注入工程においても、所望の位置にイオンが注入されたか否かを検査できる検査装置および検査方法を提供する。 - 特許庁

When the diaphragm portion 4 is formed, an injection portion of high concentration ion is previously formed at a position corresponding to the diaphragm portion 4 of the front surface 1A side of the silicon substrate 1.例文帳に追加

また、ダイヤフラム部４の形成時には、シリコン基板１の表面１Ａ側のうちダイヤフラム部４に対応する位置に高濃度のイオン注入部位を予め形成しておく。 - 特許庁

Source and drain regions are formed, by injecting arsenic into a gate 15 of a low-breakdown-voltage N-channel MOS transistor M1 through arsenic ion injection.例文帳に追加

また、ヒ素のイオン注入により、低耐圧のＮチャネルＭＯＳトランジスタＭ１のゲート１５にヒ素を注入すると共に、ソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same in which the same ion injection process is performed on silicon layers embedded in trenches and on silicon layers formed on a semiconductor substrate between multiple trenches to form conductive layers.例文帳に追加

トレンチ内に埋め込まれたシリコン層と複数のトレンチ間の半導体基板上に形成されたシリコン層とを同じイオン注入を行ない導電層とすること。 - 特許庁

In a common rail type fuel injection system, a fuel supply system for supplying fuel from a fuel tank to an engine is mounted with a metal ion removal filter 6.例文帳に追加

コモンレール式燃料噴射システムにおいては、燃料タンクからエンジンへ燃料を供給する燃料供給システムに金属イオン除去フィルタ６が搭載されている。 - 特許庁

When forming the electron injection electrode 24 by a sputtering method or an ion plating method, damages can be prevented from spreading to the organic luminescent element 16 or the like by the buffer layer 22.例文帳に追加

バッファ層２２により、スパッタ法あるいはイオンプレイティング法による電子注入電極２４の形成時に有機発光層１６等へダメージが及ぶことを防止できる。 - 特許庁

A projection range measured from a surface at the side of the silicon nitride film 2 of the hydrogen introduced through the ion injection to the base material is present in the silicon substrate 1.例文帳に追加

窒化膜付き基材へのイオン注入により導入される水素の窒化シリコン膜２側の表面から測定した投影飛程はシリコン基板１中に存在する。 - 特許庁

The bearing needing no lubricating oil is manufactured by performing hard coating having excellent close adhesion property on a surface of the bearing rolling element using a plasma ion injection method.例文帳に追加

プラズマイオン注入法を用いて、ベアリング転動体の表面に密着性の優れた硬質コーティングを行うことによって、潤滑剤を必要としないベアリングを作製する。 - 特許庁

The radiation energy generated by the ion injection into the disk 9 is absorbed by the black electrode body 10, and as a result, temperature increase in the disk 9 is suppressed.例文帳に追加

ディスク９へのイオン注入により生じた放射エネルギーは、黒色の電極体１０によって吸収され、その結果ディスク９の温度上昇が抑制される。 - 特許庁

A metal area 65 containing a metal element or a metal ion is formed on the interface between the hole injection-transportation layer 60 and the light emitting layer 70.例文帳に追加

正孔注入・輸送層６０と発光層７０との間の界面に、金属元素または金属イオンが存在してなる金属領域６５が設けられている。 - 特許庁

With the photoresist 6 used as an injection mask, an n-type impurity 7, such as phosphorus, etc. is ion injected from a direction substantially perpendicular to the upper surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

フォトレジスト６を注入マスクとして用いて、シリコン基板１の上面に対してほぼ垂直な方向から、リン等のｎ型の不純物７をイオン注入する。 - 特許庁

Then the rear of the substrate is ground to the separate layer (step S5) and a collector layer is formed by second conductive impurity ion injection and annealing (step S6).例文帳に追加

その後は分離層に達するまで基板裏面を研削し（ステップＳ５）、第２導電型不純物のイオン注入とアニールによりコレクタ層を形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

To provide a technique capable of securely removing any metal-based contaminant adhering to a semiconductor substrate in impurity ion injection process into the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中への不純物イオンの注入工程時において半導体基板に付着した金属系汚染物を確実に除去できる技術を提供する。 - 特許庁

The film 13 is formed by the precipitation of a silver ion liquid by a silver mirror reaction of the injection of a reduced liquid, thereby performing the excellent electromagnetic wave shielding effect by the conductivity.例文帳に追加

銀被膜１３は、銀イオン液と還元液の噴射による銀鏡反応によって析出形成されたもので、優れた導電性による電磁波シールド効果を発揮する。 - 特許庁

An aluminum hydroxide layer 54 is formed on the aluminum alloy surface, by immersing the obtained injection joining object in the ion exchange water of 98°C and further heating it for one hour at 170°C.例文帳に追加

得られた射出接合物を９８℃のイオン交換水に浸漬してアルミ合金表面に水酸化アルミニウム層５４を形成し、さらに１７０℃で１時間加熱する。 - 特許庁

To provide an ion injection device injecting ions while controlling an affection resulting from channeling for each substrate to be treated by measuring a surface direction for each substrate.例文帳に追加

被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the property of an element is improved by reducing off current by preventing ion from being injected in the lower portion of a gate electrode at the time of ion injection for forming a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時にゲート電極の下部にイオンが注入することを防止して、オフ電流を減らすことで、素子の特性が向上するようにしたＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁