「ion injection」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A control section 18 controls the ion radiating section in response to the information from the injection angle measuring section so that the difference between respective injection angles is ±0.1° or less.例文帳に追加

制御部１８は、注入角度計測部からの情報に応じて、それぞれの注入角度の相互間の違いが±０．１°以下となるようにイオン照射部を制御する。 - 特許庁

A first injection liquid 15 obtained by mixing the negative ion-generating powder into the polyester resin is injected into the recess 12, and the first injection liquid 15 is dried and solidified.例文帳に追加

次に、ポリエステル樹脂にマイナスイオン発生粉末が混入された第１の注型液１５を凹部１２に注型し、当該第１の注型液１５を乾燥により凝固させる。 - 特許庁

To provide a static eliminator capable of preventing the increase of injection pressure while securing the amount of generated ion in a prescribed amount.例文帳に追加

イオン生成量を所定量に確保しつつ、射出圧の増大を防止することができる除電装置を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING AND DETECTING QUANTITY OF CESIUM IN CESIUM OVEN IN NEGATIVE ION SOURCE OF NEUTRAL BEAM INJECTION DEVICE例文帳に追加

中性粒子入射装置の負イオン源におけるセシウムオーブン中のセシウム量を測定検出する方法及び装置 - 特許庁

Therefore, it is possible to remove 11 boron from the ion injection face prior to the lamination with a wafer 20 for a supporting substrate.例文帳に追加

よって、支持基板用ウェーハ２０との貼り合わせ前にイオン注入面から１１ボロンを除去することができる。 - 特許庁

The semiconductor layer 13 is formed by an ion injection process and an activation annealing process in the semiconductor formation process.例文帳に追加

半導体層形成工程では、イオン注入工程と活性化アニール工程とで半導体層１３を形成している。 - 特許庁

In manufacturing the circuit substrate having: the semiconductor circuit on the semiconductor substrate; and an ion injection layer under the semiconductor circuit on the semiconductor substrate into which the ion for cleavage separating the semiconductor substrate is injected, the ion for the cleavage separation existing in the semiconductor circuit is removed from the semiconductor circuit while keeping the ion in the ion injection layer.例文帳に追加

半導体基板上に半導体回路を有し、上記半導体基板内における上記半導体回路の下に、上記半導体基板を劈開分離するイオンが注入されたイオン注入層を有する回路基板を製造するに際し、上記イオン注入層中のイオンを保持したまま上記半導体回路から該半導体回路中に存在する上記劈開分離のためのイオンを脱イオンする。 - 特許庁

The inhomogenous ion injection device includes a wide ion beam generator which forms wide ion beams composed of a plurality of wide ion beams overlapping respectively on a plurality of regions of at least two places or more out of the total regions of a wafer, and a wafer rotating device which rotates the wafer in a fixed direction while the wide ion beams formed by the wide ion generator are irradiated.例文帳に追加

本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも２箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。 - 特許庁

In extracting the ion exchange resin 3, it is extracted from the discharge nozzle 3 while injecting water from the injection nozzle 4; and, in filling it, the ion exchange resin 2 and water are injected from the injection nozzle 4 and surplus water is discharged from the discharge nozzle 3.例文帳に追加

そして、イオン交換樹脂２の抜取時は、注入ノズル４から水を注入しながら排出ノズル３から抜き取り、充填時は、注入ノズル４からイオン交換樹脂２と水を注入し、排出ノズル３から余分な水を排出する。 - 特許庁

Thus, the adjustment of a sheet resistance of the ion injection resistor R3 adjusts the rate of change of the ion injection current Io to the change of Vcc and more reduces Vcc dependence of gm so that the said versatility can be increased.例文帳に追加

こうしてイオン注入抵抗Ｒ３のシート抵抗値を調整することによって、Ｖｃｃの変化に対する基準電流Ｉｏの変化率を調整し、ｇｍのＶｃｃに対する依存性を一層小さくし、汎用性を拡大することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer for extremely efficiently manufacturing an epitaxial wafer where a plurality of epitaxial layers are laminated through an embedded ion injection layer, and for reducing the lateral diffusion of the formed ion injection layer.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an intrinsic Josephson tunnel device which produces the intrinsic Josephson tunnel device without necessitating high grade and complicated technologies such as ion injection, ion beam etching, and lithography.例文帳に追加

イオン注入やイオンビームエッチングおよびリソグラフィーなど高度で複雑な技術を要することなく、固有ジョセフソントンネルデバイスを作製する固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法を提供する。 - 特許庁

The ion injection system feeds back an injected wafer characteristic data, extracts an area having deterioration tendency within the surface of a wafer 20, compensates a driving speed by an up and down mechanical driving speed controller 17 corresponding to the area and transmits to an ion injection part 2, and drives ion beam 12 to the area having deterioration tendency by changing the driving speed.例文帳に追加

注入されたウェハの特性デ−タをフィ−ドバックし、ウェハ２０面内の悪化傾向のある領域を抽出し、その領域に対応する上下メカニカル駆動速度制御部１７による駆動速度を補正しイオン注入部２に転送し、駆動速度を変えイオンビ−ム１２を悪化傾向の領域に駆動する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor device which can avoid generation of injection failure of a channel edge involved by ion implantation.例文帳に追加

薄膜半導体装置の製造方法に関し、イオン注入に伴うチャネルエッジ部分の注入欠陥の発生を回避する。 - 特許庁

To provide a lithium ion battery capable of improving shock resistance and liquid-injection workability, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

耐衝撃性および注液作業性を向上することができるリチウムイオン電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the oxidation step, the treatment of oxidizing the cured layer formed on the surface of the resist film pattern by the ion injection is performed.例文帳に追加

酸化工程では、イオン注入によりレジスト膜パターンの表面部に形成された硬化層を酸化する処理が実施される。 - 特許庁

Cleavage and separation are performed with the hydrogen ion injection part 151 by thermal treatment, and the unnecessary part of the SOI substrate 150 is eliminated.例文帳に追加

そして、熱処理により水素イオン注入部１５１で劈開分離させ、ＳＯＩ基板１５０の不要部分を除去する。 - 特許庁

In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on a surface of the substrate into which the ions are injected in the ion injection step.例文帳に追加

カーボン層形成工程では、イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a photoresist pattern by which the residual film rate can be controlled while securing the doping angle for ion injection.例文帳に追加

イオン注入のためのドーピング角を確保して残膜率を調節できるフォトレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, a p floating region 51 is formed by carrying out ion injection and thermal diffusion processing from the bottom of the trench 21.例文帳に追加

次に，トレンチ２１の底部からイオン注入および熱拡散処理を行うことでＰフローティング領域５１を形成する。 - 特許庁

Then, mask processing and ion injection are sequentially repeated to form the N-type and P-type gate electrodes 10, 12 (ST17).例文帳に追加

その後、マスク処理とイオン注入を順に繰り返し、Ｎ型及びＰ型のゲート電極１０、１２を形成する（ＳＴ１７）。 - 特許庁

In the mold 1 for fine molding, a high concentration injection ion layer 14 in which a concentration of an injection ion injected from the surface 13a of the base material 13 is higher than that of the other part is formed from the surface 13a of the base material 13 toward the bottom 11b of the recess 11.例文帳に追加

微細成形型１は、基材１３の表面１３ａから注入した注入イオンの濃度が他の部分よりも高い高濃度注入イオン層１４が基材１３の表面１３ａから凹部１１の底部１１ｂまでの間に形成されている。 - 特許庁

To realize a process of ion injection into a high-density diamond, which has been impossible substantially.例文帳に追加

従来の手法は、イオン注入による不純物元素添加によりダイヤモンドに電気伝導性を付与する手法としてある程度有効である。 - 特許庁

To provide an ion implanter in which COO can be reduced and the start-up of the device at the re-start of injection processing is rapid.例文帳に追加

ＣＯＯの低減を図ることができ、しかも注入処理再開時の装置の立ち上がりの速いイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The electron injection layer EI is arranged between a cathode and the electronic transporting layer ET, and includes lithium and a material for transferring lithium ion.例文帳に追加

電子注入層ＥＩは、陰極及び電子輸送層ＥＴ間に配置され、リチウムと、リチウムイオンを移動させる物質とを含んでいる。 - 特許庁

To provide an ion injection method of injecting ions at an arbitrary infiltration depth without reducing an amount of ions per unit area.例文帳に追加

単位面積当たりのイオン量が減少することなく、任意の浸透深さでイオンを注入できるイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

Resistances of the epitaxial layer 2 and the semiconductor substrate 1 are heightened, and the crystal defect is removed, by performing ion injection into the opening part.例文帳に追加

その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。 - 特許庁

The resist film pattern that has been used as an ion injection mask is removed by going through the steps of oxidation, swelling, and removal.例文帳に追加

イオン注入マスクとして使用されたレジスト膜パターンが酸化工程、膨潤化工程、除去工程を順に経ることにより除去される。 - 特許庁

Impurity ions 42 are injected to form an impurity ion injection area 52 on the semiconductor substrate 12, which is the outside of a lower end 32ba.例文帳に追加

不純物イオン４２を注入して、下端部３２ｂａ外である半導体基板に、不純物イオン注入領域５２を形成する。 - 特許庁

To sufficiently increase a bit line voltage value in reading data without adding an ion injection process for adjusting a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧調整のためのイオン注入工程の追加を行うことなく、データ読み出し時のビット線電圧値を十分大きくする。 - 特許庁

In the injection process, an impurity ion 18 is injected to the single crystal silicon layer 13a for activating the silicon layer 13a.例文帳に追加

注入工程は、単結晶シリコン層１３ａに不純物イオン１８を注入してシリコン層１３ａを活性化する工程である。 - 特許庁

A resist pattern 54 used for patterning at the 1st stage is used as it is for ion injection in the base region 35.例文帳に追加

そしてこの第１段階目のパターニングに使用したレジストパターン５４をそのまま用いて、ベース領域３５のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

A photoresist 17 is formed on a principal surface of the semiconductor wafer 1 in order to define an injection region of the P-type impurity ion.例文帳に追加

半導体ウェハ１の主表面上にＰ型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト１７を形成する。 - 特許庁

To provide a multivalent ion irradiation device capable of controlling spatially precisely and accurately ion injection amount or the like using low-speed multivalent ions, and a manufacturing method of a fine structure using the same.例文帳に追加

低速の多価イオンを用いて空間的に正確で、かつ、イオン注入量などを精密に制御できる多価イオン照射装置及びそれを用いた微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electromagnet for mass separation having an electromagnet, in which a sufficient mass separating function is displayed in response to a wide range of energy and ion mass, and to provide an ion injection device.例文帳に追加

広いエネルギー、及び、広いイオン質量の範囲に対応して十分な質量分離機能を発揮できる電磁石を備えた質量分離用電磁石とイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To realize an ion injection device which is easy to handle and can reduce power consumption with a simple structure by an assembly which can adjust uniformity of the current density of a ribbon form continuous ion beam.例文帳に追加

リボン状連続イオンビームの電流密度の均一性を調整可能とする組立体で操作が簡単で、単純な構造の電力消費量を削減できるイオン注入装置が望ましい。 - 特許庁

The ion injection method enables an ion beam 52 to go through a plasma shower at the transportation area in front of a wafer 55 when the ion beam 52 extracted from an ion source is transported and injected to the wafer 55, and a plasma shower consisting of an arc chamber 10 and a shower tube 11 is placed near a resolving aperture body 54 at the downstream.例文帳に追加

イオン源から引き出されたイオンビーム５２を輸送してウエハ５５に注入するに際し、該イオンビームをウエハの手前の輸送区間においてプラズマシャワーを経由させるようにしたイオン注入方法であり、アークチャンバー１０とシャワーチューブ１１とによるプラズマシャワーをリゾルビングアパチャー体５４の下流側の直近位置に配置した。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer including an electron capture dissociation reactor low in efficiencies of electron injection and ion injection and capable of obtaining an electron capture dissociation spectrum at high speed.例文帳に追加

電子の導入効率およびイオンの導入効率が低く、高速の電子捕獲解離スペクトルを取得することが可能な電子捕獲解離反応装置を備えた質量分析装置を提供する。 - 特許庁

At this moment, correspondence relation between the size of the gate electrode 102 and an ion injection condition which can set the threshold voltage of a transistor to a prescribed value is previously found out, and the ion injection condition is set on the basis of the correspondence relation and the measured size of the gate electrode 102.例文帳に追加

ここで、トランジスタのしきい値電圧を所定値に設定できる、ゲート電極１０２の寸法とイオン注入条件との対応関係を予め求めておき、当該対応関係とゲート電極１０２の測定寸法とに基づいてイオン注入条件の設定を行なう。 - 特許庁

To easily form a hollow area in silicon with good controllability, and to form the hollow area in a hydrogen ion injection area by performing thermal treatment to the hydrogen injection area after injecting hydrogen ion into an area forming the hollow area.例文帳に追加

シリコン中に中空領域を制御性よく容易に形成するという目的を、中空領域を形成する領域に水素イオン注入を行った後、水素イオン注入領域に熱処理を行うことで、水素イオン注入領域に中空領域を形成することを可能とする。 - 特許庁

The turbid water treatment equipment is for neutralizing floating particles having negative charge by supplying positive ions to turbid water to flocculate and precipitate the floating particles, and equipped with an ion generator 6 for generating positive ions, a blower pump for supplying air to the ion generator 6 and an ion air injection duct 2 for blowing ion air containing positive ions into turbid water from the ion generator 6.例文帳に追加

濁水中にプラスイオンを供給してマイナスの電荷を持つ浮遊粒子を中和させ、浮遊粒子を凝集させて沈降させる濁水処理装置であって、プラスイオンを発生するイオン発生装置６と、該イオン発生装置６にエアを供給する送風ポンプ、前記イオン発生装置６から濁水中にプラスイオンを含むイオンエアを吹き込むイオンエア注入ダクト２とを具備したものである。 - 特許庁

On the other hand, when judged that partial misfire has occurred, based on the maximum value of an ion output value, fuel injection from both the injection valve 52 in a cylinder and a port injection valve 28 is prohibited until an intake valve 42 opens, in addition to the treatment.例文帳に追加

一方、上記イオン出力値の最大値に基づき、部分失火が生じたと判断された場合、上記処理に加えて、吸気バルブ４２が開弁するまで筒内噴射弁５２及びポート噴射弁２８の双方の燃料噴射を禁止させる処理を行う。 - 特許庁

To solve the problem, wherein when an organic SOG film, used as an interlayer insulating film of a semiconductor device, is to be reformed through ion injection, the film cracks occur.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜を、イオン注入により改質する際、クラックが発生する。 - 特許庁

The cluster ion beam can decompose gas supplied from a gas injection system 104 and make it deposited or make the gas activated for etching.例文帳に追加

クラスタイオンビームはガス注入システム１０４から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。 - 特許庁

After a storage node formation pattern 27 is formed before removing a resist 29, the ion implantation of an N-type impurity 30 is performed at an injection angle 0°.例文帳に追加

ストレージノード形成パターン２７の形成後、レジスト２９を除去する前に、Ｎ型不純物３０を注入角度０°でイオン注入する。 - 特許庁