「ion injection」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of producing a magnetic recording medium having excellent smoothness of the surface, which reduces the risk of contamination, by significantly simplifying the manufacturing process compared with conventional magnetic layer working type or ion injection type production methods, in the method of producing the magnetic recording medium by depositing a magnetic layer on a base substrate and subsequently forming a magnetic pattern.例文帳に追加

本基板上に磁性層を成膜したのちに磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法において、従来の磁性層加工型やイオン注入型と比較して格段に製造工程を簡略化し、汚染リスクがすくなく、表面の平滑性に優れた磁気記録媒体が製造可能な方法を提供する。 - 特許庁

A compound having an ion exchange group protected by a protective group (called as a substance to be examined) is dissolved in or diluted by an organic solvent to be injected in a gas chromatography apparatus and a decomposed component, which is produced by thermally decomposing the compound at an injection port, is quantified to analyze and quantify the constitution or composition of the substance to be examined.例文帳に追加

保護基で保護されたイオン交換基を有する化合物（被験物質と称する。）を、有機溶媒に溶解、もしくは希釈し、ガスクロマトグラフィー装置に注入し、注入口で加熱分解されて発生する分解成分を定量することで被験物質の構成や組成を分析・定量することを特徴とする分析方法。 - 特許庁

To provide a silicon wafer imparting gettering ability of an epitaxial wafer and without producing crystal defect on an epitaxial growth layer of a surface by providing a place near a device active area as a gettering site due to the crystal defect and high concentration injection atom layers by ion implantation immediately under the epitaxial layer.例文帳に追加

デバイス活性領域に近い場所において、つまり、エピタキシャル層直下のイオン注入による結晶欠陥と高濃度注入原子層により、ゲッタリングサイトとして設けることで、エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を付与するとともに表面のエピタキシャル成長層に結晶欠陥を発生させないシリコンウエハの提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display having FETs of asymmetric LDD structure and storage capacitor on the same substrate and its manufacturing method which can avoid reducing the reliability due to injection of carriers at source regions, without separately adding any ion implanting process for forming the storage capacitors.例文帳に追加

同一基板上にＴＦＴと蓄積容量とが形成される液晶表示装置において、蓄積容量形成のためのイオン注入工程を別途追加することなく、かつ、ソース領域でのキャリアの注入による信頼性の低下を防止することができる非対称ＬＤＤ構造のＴＦＴを有する液晶表示装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The position sensitive ion detector 11 includes an electron multiplication plate 25 for emitting electrons with the injection of the ions 8, a spiral delay circuit line 41 into which part of the electrons emitted from the electron multiplication plate 25 is injected, and a conductive plate 42 into which electrons passing through the delay circuit line 41, out of the electrons emitted from the electron multiplication plate 25, are injected.例文帳に追加

位置感知型イオン検出器１１は、イオン８の入射により電子を放出する電子増倍板２５と、電子増倍板２５から放出された電子の一部が入射する螺旋状の遅延回路線４１と、電子増倍板２５から放出された電子のうち、遅延回路線４１の線間を通過した電子が入射する導電板４２とを含む。 - 特許庁

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

The lithium ion secondary cell with the inner pressure sensing type safety mechanism is manufactured by introducing a prescribed volume of gas in the cell prior to the injection of liquid, at that time, the volume of the space in the cell is measured by measuring the change of the pressure in the cell, and the volume of liquid to be injected is decided according to the result of the measurement, and the liquid is injected.例文帳に追加

内圧感知式の安全機構を有するリチウムイオン二次電池の製造方法において、注液を行うにあたり先ず、電池内に気体を一定量導入し、そのときの電池内圧力の変化を測定することにより電池内空間体積を測定し、前記測定の結果をもって注液量を決定し、注液を行う。 - 特許庁

The electrolyte injection device 40 comprises a sealed chamber part 1 storing a lithium ion secondary battery 30 having an upper lid 20b connected thereto and an opening 20b; a piston part 2 for pushing electrolyte out of an electrolyte storage part 4 temporarily storing the electrolyte; and a pipe 3 connecting the sealed chamber part 1 with the electrolyte storage part 4.例文帳に追加

電解液注入装置４０は、上蓋２０ｂが接続され開口２０ａが形成された状態のリチウムイオン二次電池３０を収容する密閉チャンバ部１、電解液を一時的に貯留した電解液貯留部４から電解液を押し出すピストン部２、密閉チャンバ部１と電解液貯留部４とを連通するパイプ３を備えている。 - 特許庁

The plasma processing method is used to form a silicon nitride film for a substrate 21 to be subjected to plasma processing by applying plasma of raw material gas containing silicon and hydrogen and a nitrogen containing gas, wherein a bias power for ion injection onto the substrate 21 is set higher than a threshold level, so that the increased Si-H coupling can reduce the compression stress.例文帳に追加

シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal plating material using a polymer material is characterized in that a polymer electrolytic material is used as the polymer material, ion injection is carried out onto the surface of the polymer electrolytic material via a mask having a predetermined pattern, and thereafter the polymer electrolytic material is subjected to nonelectrolytic plating.例文帳に追加

高分子材料を用いて金属メッキ材料を製造する方法であって、前記高分子材料として高分子電解質材料を用い、所定のパターンを有するマスクを介して当該高分子電解質材料の表面にイオン注入を行なった後、当該高分子電解質材料に無電解メッキを施すことを特徴とする金属メッキ材料の製造方法。 - 特許庁

This liquid for the recording head is supplied to a face having an injection port of a recording head for injecting the pigment ink containing at least a pigment, and 5.5 mmol or more of carboxylic ion, and the liquid for the recording head contains the buffer agent having a buffering function within a range of 6.0 or more and less than 9.0 of pH.例文帳に追加

少なくとも顔料及び５．５ｍｍｏｌ／Ｌ以上のカルボン酸イオンを含有する顔料インクを吐出するための記録ヘッドの吐出口を有する面に供給される記録ヘッド用液体であって、前記記録ヘッド用液体が、６．０以上９．０未満のｐＨの範囲に緩衝能を有する緩衝剤を含有することを特徴とする記録ヘッド用液体。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

Two-dimensional distribution previously specified for energy imparted depending on a distance from a primary ion injection point in a region where it exceeds the desorption energy of sample molecules is used as a blurring function for restoring an image to reduce the image blur of the mass spectrometry microscopic image which is formed by two-dimensionally displaying signal intensity with respect to each mass/charge ratio from an obtained two-dimensional mass spectrum.例文帳に追加

得られた二次元の質量スペクトルから質量/電荷比ごとに信号強度を二次元表示した質量分析顕微鏡像の像ボケを、一次イオンの入射点からの距離に応じた付与エネルギーについて試料分子の脱離エネルギーを超える領域で予め規定した二次元分布をボケ関数として用いて、画像復元により像ボケを低減する。 - 特許庁

The SiC single crystal is otherwise obtained as follows: an SiC injection-layer 8 is formed by injecting C ion to the surface of an Si substrate 2, an exciting-layer 12 is formed by irradiating the layer 8 with the exciting beam 10, and the layer 12 is converted into an SiC single crystal layer by heating the SiC substrate 2 which includes the SiC exciting layer 12.例文帳に追加

また、他の単結晶ＳｉＣは、Ｓｉ基板２の表面にＣイオンをイオン注入してＳｉＣ注入層８を形成し、このＳｉＣ注入層８に励起ビーム１０を照射してＳｉＣ励起層１２を形成し、このＳｉＣ励起層１２を有するＳｉ基板２を加熱してＳｉＣ励起層１２をＳｉＣ単結晶層１６に転換させて得られることを特徴としている。 - 特許庁

In the second operation cycle and on by injecting iron ion or insoluble iron oxide in the pipe 10 located on the downstream side from the condensate demineralizer 9 from iron injection device 20 for promoting the adhesion of corrosion product to fuel rod surface, the iron concentration in supply water is maintained within 0.5 to 1 ppb throughout each operation cycle after the second operation cycle.例文帳に追加

第２運転サイクル以降においては、腐食生成物の燃料棒表面への付着を促進するために、鉄注入装置２０から復水脱塩器９の下流側に位置する配管１０に鉄イオンや不溶解性鉄酸化物を注入することにより、第２運転サイクル以降の各運転サイクルを通じて給水鉄濃度を０.５〜１ppbの範囲内に保持する。 - 特許庁

The ion injection device injecting impure ions into a silicon wafer 2 has a platen 1 supporting the wafer 2, a goniometer moving the platen 1, an X-ray irradiation mechanism 3 irradiating X-rays to the wafer 2 supported by the platen 1, and a scintillation counter 6 detecting a reflected X-ray 5 which is an X-ray 4 irradiated from the mechanism 3 and reflected from the wafer 2.例文帳に追加

本発明に係るイオン注入装置は、シリコンウェーハ２に不純物イオンを注入する装置において、前記ウェーハ２を保持するプラテン１と、プラテン１を動かすゴニオメータと、プラテン１に保持された前記ウェーハ２にＸ線を照射するＸ線照射機構３と、機構３によって照射されたＸ線４が前記ウェーハ２で反射する反射Ｘ線５を検出するシンチュレーションカウンター６と、を具備する。 - 特許庁

To provide a cover of a capacitive sensor and the capacitive sensor allowing rapid progress of an injection work process of injecting liquid regarding washing of ion exchange resin and a discharging work process of discharging the liquid and reducing the inspection costs by preventing deposition of impurities in the work of washing the resin, in the cover for the capacitive sensor and the capacitive sensor for use in the detection of liquid including resin.例文帳に追加

樹脂を含有する液体を検知するために用いられる静電容量式センサのカバー及び、静電容量式センサであって、樹脂を洗浄する作業において不純物の付着を防止することにより、イオン交換樹脂の洗浄にかかる液体を注入する注入作業工程及び、液体を排出する排出作業工程の迅速な進行を図ることができると共に、点検コストの低減を図ることができる静電容量式センサのカバー及び、静電容量式センサを提供すること。 - 特許庁