「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a material having an embedding property in a circuit pattern and robust adhesiveness to a conductor and an organic insulation layer forming a circuit, and long-term storage stability as a bonding sheet.例文帳に追加

本発明の課題は回路パターンへの埋め込み性や回路を形成している導体及び有機絶縁層との強固な接着性を有し、かつボンディングシートとしての長期の保存安定性を有する材料を提供することである。 - 特許庁

A wiring electrode 4 and an isolated gap electrode 5 without wiring are formed, an insulation layer 6 is formed thereon, then a display electrode 7, an exterior second display electrode 8a and an interior display electrode 8b are formed thereon.例文帳に追加

配線電極４と配線のない独立した隙間電極５を形成し、その上に絶縁膜６を形成し、その上に表示電極７、外側第二表示電極８ａ及び内側表示電極８ｂを形成している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a gate insulation film 105, a pMIS metal material 109 or an nMIS metal material 111, a gate electrode material 112, and a gate side wall metal layer 122 on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１上に、ゲート絶縁膜１０５と、ｐＭＩＳ用金属材料１０９又はｎＭＩＳ用金属材料１１１と、ゲート電極材料１１２と、ゲート側壁メタル層１２２とを備えている。 - 特許庁

To provide an electron emitter advantageous for realizing high resolution by heightening electron beam conversion efficiency by forming an insulation layer supporting a conversion electrode so as to have an opening with a high length/width ratio, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

集束電極を支持する絶縁層が高い縦横比の開口部を有するようにして、電子ビームの集束効率を高めて、高解像度の実現に有利な、電子放出素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one of the spacers arranged between the electrodes has a conductive substrate 131 and an insulation layer 132 which is formed of an insulating material on a face contacting at least the electrode out of the outer face of the substrate.例文帳に追加

電極の間に配置されるスペーサのうちの少なくとも１つは、導電性の基材１３１と、基材の外面のうち少なくとも電極に接する面に絶縁材料で形成された絶縁層１３２とを有している。 - 特許庁

In a preferable embodiment, at least one portion of the anode is made of lead, and the insulation layer (for covering the discharge surface of the anode), where the greater part is made of lead fluoride is formed by fluorine ion sputtering on an anode surface.例文帳に追加

好ましい実施形態では、陽極の少なくとも一部分は鉛から成っており、陽極面のフッ素イオン・スパッタリングによって、大部分が鉛フッ化物から成る絶縁層（陽極の放電面を覆う）が作り出される。 - 特許庁

A first conductive film for wiring on a semiconductor substrate 101 is etched with a first via contact 106 as a mask to form a first layer wiring 1 03A, and a second interlayer insulation film 108 is deposited.例文帳に追加

第１のビアコンタクト１０６をマスクとして半導体基板１０１上の第１の配線用導電膜に対してエッチングを行なって第１層配線１０３Ａを形成した後、第２の層間絶縁膜１０８を堆積する。 - 特許庁

A first wiring pattern 11 is formed by etching on a metal flat plate, and a second wiring pattern 14 conducted through a first insulation layer 12, the first wiring pattern 11 and a through hole 13 is formed thereon.例文帳に追加

金属平板上にエッチングによって第１の配線パターン１１を形成し、その上に第１の絶縁層１２、及び、第１の配線パターン１１とスルーホール１３を介して導通する第２の配線パターン１４を形成する。 - 特許庁

To provide a circuit board for securing insulation reliability between surface layer wiring conductors without making thick overcoat glass more than required and securing required junction reliability when mounting an electronic element or the like.例文帳に追加

本発明は、オーバーコートガラスの厚みを必要以上に厚くすることなく、表層配線導体どうしの絶縁信頼性を確保し、かつ、電子部品素子などの搭載時に必要な接合信頼性を確保できる回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of removing copper adhering without causing an increase in the resistance of a metal film on a lower layer and that in the permittivity of a low-permittivity insulation film because of moisture absorption of water.例文帳に追加

下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To manufacture a wiring board having excellent electrical properties, a high reliability, etc. by forming a via hole having a good shape surely and efficiently by irradiating a laser on an interlayer insulation layer on a composite base material.例文帳に追加

複合下地材上の層間絶縁層に対してレーザー照射を行うことにより、形状のよいビア穴を確実にかつ効率よく形成でき、もって電気的特性や信頼性等に優れた配線基板を製造すること。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

This EL element having a back electrode 14 and a front electrode 18 sandwiching an electroluminescent layer 16 made of an organic EL material is laminated on a surface of an insulation substrate 12.例文帳に追加

有機ＥＬ発光材料からなる電界発光層１６を挟んで背面電極１４と表面電極１８を備えたＥＬ素子が絶縁基板１２の表面に積層され、発光層１６の端面に透明なレンズ部２８を設ける。 - 特許庁

To form an adhesive layer of equal thickness in an accurate position at one portion of a lead for putting an insulation tape, in a semiconductor device that puts the insulating tape to the lead for mounting a semiconductor chip and for carrying out resin sealing.例文帳に追加

リードに絶縁テープを貼り付けて半導体チップの搭載、樹脂封止を行う半導体装置において、リードの一部領域に対して均等な厚さでかつ正確な位置に接着剤層を形成して絶縁テープを貼り付ける。 - 特許庁

After a polysilicon film is formed on the entire surface of an interlayer insulation film 9, with a resist having a predetermined opening pattern as a mask, the polysilicon film is anisotropically dry-etched, thereby forming a polysilicon film 22a that contacts with a plug layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン膜を層間絶縁膜９上の全面に形成した後、所定の開口パターンを有するレジストをマスクとして、ポリシリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、プラグ層１１に接触するポリシリコン膜２２ａを形成する。 - 特許庁

Next, after a gate insulation film and a semiconductor layer are formed sequentially, a conductive film of MoW alloy is stacked and patterning is carried out using the same etchant as that for the gate line to form a data line having a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成した後、MoW alloyの導電膜を積層し、ゲート線用エッチング液と同一なエッチング液でパターニングしてソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。 - 特許庁

A live line diagnosis apparatus 12 measures a DC current component Idc of current flowing in a grounding line 10 and further measures sheath insulation resistance Rsh between a cable shielding layer of the high voltage power cable 1 and the ground.例文帳に追加

活線診断装置１２は、接地線１０を流れる電流の直流電流成分Ｉｄｃを測定し、さらに高圧電力ケーブル１のケーブル遮蔽層と大地との間のシース絶縁抵抗Ｒｓｈを測定する。 - 特許庁

In this method for producing a multilayer printed circuit board, the inner layer circuit board is soaked in a thermosetting resin solution and dried for forming a thin insulation coat on an inner circuit and thereafter, the adhesive sheet is heated and pressed for obtaining the multilayer printed circuit board.例文帳に追加

内層回路板を，熱硬化性樹脂溶液中に浸漬し，乾燥することにより，内層回路上に薄い絶縁性皮膜を形成した後，接着剤シートを加熱，加圧して得られる多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

By reducing the stress caused by the difference in thermal expansion between the IC chip 20, the core substrate 30 is relaxed by the filler resin 34, thus protecting an interlayer insulation layer 50 against stripping or cracking.例文帳に追加

充填樹脂３４の弾性率を下げることで、充填樹脂３４によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間の熱膨張差により生じる応力を緩和させ、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。 - 特許庁

OUTER THERMAL INSULATING CONSTRUCTION METHOD OF EXTERIOR WALL COPING WITH VARIOUS FINISHING WITH FUNCTION OF HEAT COLLECTING AND HEAT EXHAUST LAYER OF PASSIVE SOLAR SYSTEM, CONCRETE PLACING FORM PANEL FOR OUTER THERMAL INSULATION USING THE CONSTRUCTION METHOD, AND OUTER THERMAL INSULATING WALL PANEL FOR CURTAIN WALL CONSTRUCTION METHOD例文帳に追加

パッシブソーラーシステムの集熱および排熱層としての機能を持たせ、多様な仕上に対応する外壁の外断熱工法、同工法を用いた外断熱用コンクリート打込み型枠パネル、カーテンウォール工法用外断熱壁パネル - 特許庁

To provide a detection apparatus that prevents peel-offs of an insulation layer for preventing a leakage current that flows among wires from being generated, and at the same time, that can thicken film in lower wiring, and to provide a radiographic imaging system.例文帳に追加

配線間を流れるリーク電流の発生を防止するための絶縁層がはがれないと同時に、下配線の膜厚を厚くすることができる検出装置および放射線撮像システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

The cable 1 is manufactured by impregnating the gas-contained oil dissolved with the insulating gas substance in the insulation layer 12 formed by winding around an insulating material, after impregnating a non-gas oil in which the insulating gas substance is not dissolved.例文帳に追加

ケーブル1は、絶縁材を巻回して形成した絶縁層12に、絶縁性ガス物質を溶存させていないガス無し油を含浸させた後、絶縁性ガス物質を溶存させたガス入り油を含浸させることで製造される。 - 特許庁

MOS-type capacitance element 20, having a comparatively large area has a polysilicon layer 23 formed on an N-type lightly-doped region (N-region) 21 via a capacitor insulation film 22 (e.g., oxide film) on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

比較的大きな面積のＭＯＳ型容素子２０は、半導体基板１１上のＮ型の低濃度不純物領域（Ｎ^-領域）２１にキャパシタ絶縁膜２２（例えば酸化膜）を介してポリシリコン層２３が形成されている。 - 特許庁

Since the surface of the node interconnection N1 is planar, the capacitor insulation film 131 and the upper capacitor electrode 132 can be made thin, reliability of the capacitor is enhanced and scaling-down can be attained by planarizing the upper layer interconnection.例文帳に追加

ノード配線Ｎ１の表面が平坦であるため、容量絶縁膜１３１と上部容量電極１３２の薄膜化が実現でき、キャパシタの信頼性を向上し、かつ上層配線の平坦化を図って微細化が可能になる。 - 特許庁

Only a hollow layer 34b on the upper surface part in the wall is made a normal pressure state, at least two or more detachable insulating plates 51 are layered and mounted, and the heat radiating amount from the upper surface part of the insulation container 44 can be controlled.例文帳に追加

壁のうち上面部の中空層３４ｂのみを常圧状態とし、かつ、少なくとも２以上の脱着可能な断熱板５１を積層充填し、断熱容器４４上面部からの放熱量を制御可能とする。 - 特許庁

Three layers of signal lines 42, 43, and 44 are disposed in an upper part of a silicon substrate 40 provided with a photodiode PD, an MOS gate or the like via an insulation layer 41, and a color filter 46 and an on-chip lens 47, are provided in an upper part thereof.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤやＭＯＳゲート等を設けたシリコン基板４０の上部に、絶縁層４１を介して３層の信号線４２、４３、４４が配置され、その上部にカラーフィルタ４６、オンチップレンズ４７が設けられている。 - 特許庁

To provide a low dielectric constant porous silica film suited to layer insulation films which stably reveals a low dielectric constant and has a mechanical strength durable against the latest high degree integration process, including the CMP method and various chemicals resistances.例文帳に追加

低誘電率を安定的に示すと共に、ＣＭＰ法をはじめとする最新の高集積化プロセスに耐えうる機械的強度と各種の耐薬品性を兼ね備えた層間絶縁膜に適した多孔質シリカ質膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a crosslinkable polymer sheet suitable as an insulation layer for the use of an electric circuit board, and to provide a crosslinked polymer sheet obtained by crosslinking the same, and a crosslinked polymer composite sheet obtained by crosslinking on a base material.例文帳に追加

電気回路基板に使用する絶縁層として好適な、架橋可能なポリマーシートであり、それを架橋させて得られる架橋ポリマーシート、および支持体上で架橋させて得られる架橋ポリマー複合シートを提供する。 - 特許庁

To provide a composition for buildings having improved thermal insulation, heat resistance, impact resistance and workability by using inorganic-based hollow particles or organic-based hollow particles having air layer inside as well as the method of use for the compositions.例文帳に追加

内部に空気層を有する無機系中空粒子或いは有機系中空粒子を用いて、断熱性、耐熱性、耐衝撃性及び作業性を向上させた建築物用組成物及びその使用方法を提供すること。 - 特許庁

The insulation coating layer 14 is structured of 6 pieces of rib parts 14a with inner ends in contact with an outer periphery face of an inner conductor 12 and radially extended outward, and a circular part 14b coupling outer ends of the rib parts 14a.例文帳に追加

絶縁被覆層１４は、内端側が内部導体１２の外周面に当接し、外方に向けて放射状に延びる６本のリブ部１４ａと、リブ部１４ａの外端側を連結する環状部１４ｂとから構成されている。 - 特許庁

The casing (30) has a casing body (31) with which the outside of the body (31) is covered and which is formed of a high-temperature heat insulator, and a heat insulation layer (32) made of a heat insulator having a smaller heat transfer coefficient than the high-temperature heat insulator.例文帳に追加

ケーシング（３０）は、高温用断熱材で形成されたケーシング本体（３１）と、ケーシング本体（３１）の外側を覆い且つ高温用断熱材より熱伝達率が小さい断熱材よりなる断熱層（３２）とを備えている。 - 特許庁

This is heated to eliminate gas in the interlayer insulation film 6 to quickly cool it down to a substrate holder temperature, and after impurities in the contact hole 6A are removed by RF plasma annealing, a wiring layer 7 is formed as a desirable pattern.例文帳に追加

これを加熱して層間絶縁膜６中のガス除去して基板ホルダ温度まで急速冷却し、ＲＦプラズマアニールによりコンタクトホール６Ａ中の不純物を除去した後配線層７を所望のパターンに形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a coating layer onto an object base material through coating with an insulating resin composition, wherein its adhesion or electric insulation is not degraded by peeling of a tape base material, and its characteristics are retained.例文帳に追加

対象基材上に、絶縁樹脂組成物の塗膜による被覆層が、テープ基材の剥離によっても接着性および電気絶縁性が劣化せず、その特性が維持された状態で形成される被覆層形成方法の提供。 - 特許庁

To obtain an economical heater one-piece type oxygen sensor that relieves thermal stress caused by the difference of a thermal expansion coefficient, prevents an insulation layer from being easily released even when a sudden temperature cycle is added, and also can be manufactured at extremely low costs.例文帳に追加

熱膨張係数の差に起因する熱応力を緩和し、急激な温度サイクルを加えても絶縁層が剥離しにくく、また、製造コストが極めて安価になり、経済性の観点から優れたヒータ一体型酸素センサを得る。 - 特許庁

Since an evacuated heat insulating layer 40 is formed between the front and rear glasses 37, 38 of the heat insulating window 35, heat insulation of the cooking chamber 13 is enhanced and power consumption of heater cooking is reduced.例文帳に追加

この構成の場合、断熱窓３５の前ガラス３７および後ガラス３８間に真空化された断熱層４０が形成されているので、調理室１３の保温性が高まり、ヒータ調理時の消費電力量が少なくなる。 - 特許庁

To obtain a resin composition which gives a cured item excellent in flexibility and resistances to soldering heat, heat degradation, and nonelectrolytic gold plating, can be developed with an organic solvent or a dilute alkali solution, and is suitable for a solder resist and an interlayer insulation layer.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用、層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The barrier layers 131, 133 are disposed to cover the upper surface and the lateral sides of the metal layers 111, 113, contain a material having a melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 and prevents diffusion of an atom in the layer of metal.例文帳に追加

障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。 - 特許庁

A cut is made from the upper surface to the lower surface at the side end part of a base part for mounting an IC and inserted with the terminal part, and an insulation layer is provided between the base part and the terminal part.例文帳に追加

ＩＣを載置するベース部の側端部に上面から下面へ達する切欠部を形成し、該切欠部に端子部を挿入設置するとともに、ベース部と端子部間に絶縁層を設けたことを特徴とするＩＣ用基板。 - 特許庁

A semiconductor component 2 is provided with an adhesive strength improvement film 15 made of silane coupling agent between the upper surface of a sealing film 14 including an external connection electrode 13 and an upper layer insulation film 21 covering the upper surface of the sealing film 14.例文帳に追加

半導体構成体２の外部接続用電極１３を含む封止膜１４の上面と該上面を覆っている上層絶縁膜２１との間にはシランカップリング剤からなる密着力向上膜１５が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device having a semiconductor film formed on a substrate using EBSP, undergoes a processing for reducing the thickness of the substrate by chemical mechanical grinding and a processing for exposing the surface of the semiconductor through removing the substrate reduced in thickness by etching, or removing the substrate and an insulation layer between the substrate and the semiconductor film.例文帳に追加

また、非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向性を高め、そのような結晶質半導体膜を用いたＴＦＴを提供することを第二の目的とする。 - 特許庁

A contact portion of a terminal pad 50 and a leading end of an electrode terminal 18 is exposed through an window 60 since the window 60 installed on an insulation layer 32 is disposed at a position approximately opposing the terminal pad 50.例文帳に追加

絶縁体層３２に設けられた窓部６０は端子パッド５０に略対向する位置に設けられていることから、その窓部６０を通してその端子パッド５０と電極端子１８先端との接触部を見ることができる。 - 特許庁

After an insulation layer 36 is covered with a resin film 50 in a resin paste printing step and a drying step, a thick film silver paste is applied to form row-direction wiring 34 in a thick film conductor paste printing step.例文帳に追加

樹脂ペースト印刷工程および乾燥工程において絶縁層３６が樹脂膜５０で覆われた後、厚膜導体ペースト印刷工程において行方向配線３４を形成するための厚膜銀ペーストが塗布される。 - 特許庁

The lowering of resistance of electrode wire is realized without using vacuum film formation equipment and a vacuum etching device by plating the copper on the exposed electrode wire (a scanning line and a signal line) and then, forming an organic insulation layer on the wire by electrodeposition.例文帳に追加

露出した電極線（走査線と信号線）上に銅を鍍金で、引き続き有機絶縁層を電着で形成することにより、真空製膜装置と真空食刻装置を用いることなく電極線の低抵抗化が実現する。 - 特許庁

When forming an embedded contact in the semiconductor device composed by fabricating one or more semiconductor elements on a silicon substrate 101, an interlayer insulation film 109 is formed on the entire surface of a semiconductor element layer (first process).例文帳に追加

シリコン基板１０１上に１又は複数の半導体素子が作り込まれてなる半導体装置に埋め込みコンタクトを形成するにあたり、半導体素子層の全面に層間絶縁膜１０９を形成する（第１工程）。 - 特許庁

In this state, the upper insulation film 7 and the base metal layer 9 formed on its surface exist among the wiring 11, so that no plating resist film 25 for forming a columnar electrode is inserted into among the wiring 11.例文帳に追加

この状態では、配線１１間に上層絶縁膜７およびその表面に形成された下地金属層９が存在するので、配線１１間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５が入り込む余地はない。 - 特許庁