「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electronic member having higher insulation reliability under the condition that a plurality of metal bodies forming circuits become conductive through a bonding agent layer, even when the member is used in the high-temperature and low-humidity atmosphere and high-temperature and high-humidity atmosphere.例文帳に追加

高温乾燥下や高温高湿下で使用しても、回路を構成する複数の金属体が接着剤層を介して導通される恐れがなく絶縁信頼性の高い電子部材を提供する。 - 特許庁

To provide a double wall structure of a wooden building having an air layer inside a wall body, sufficient wall strength, and a simple structure and capable of providing sufficient thermal insulation performance and allowing easy construction.例文帳に追加

壁体内部に空気層を有する２重壁構造体において、十分な断熱性能を発揮でき、かつ十分な耐壁力を持ち、構造がシンプルで、施工がしやすい木造建築物の２重壁構造体を提供する。 - 特許庁

According to the above means, since the need of forming a p-type layer just below the field insulation film is obviated, while preventing formation of a parasitic MISFET and degradation of the withstand voltage, the number of processes can be reduced.例文帳に追加

上述した手段によれば、寄生ＭＩＳＦＥＴの形成及び耐圧の低下を防止しつつ、フィールド絶縁膜の直下にｐ型層を形成する必要がなくなるので、工程数の削減が可能となる。 - 特許庁

An induction heating hot tip for a mold for injection molding comprises a bobbin 2 having a partition wall 2a on which an induction heating coil 1 is wound in a manner of regular winding, and a non-dielectric layer 4 used also as a heat insulation and disposed at an outside of the bobbin 2 to manage a winding position and the number of turns.例文帳に追加

誘導加熱用コイル１を整列巻きさせる隔壁２ａを備えたボビン２を設け、巻き位置と巻き数を管理し、その外側に断熱を兼ねた非誘電体層４を配置する。 - 特許庁

The magneto-resistive film 5 is formed on the lower insulation layer 4, and magnetic bias layers 6 are formed so as to be brought into contact with both side surfaces of this magneto-resistive element film 5 in the direction parallel with the air bearing surface.例文帳に追加

そして、下部絶縁層４上において磁気抵抗効果膜５が形成し、この磁気抵抗効果膜５のエアベアリング面と平行な方向の両側面と接触するようにして磁気バイアス層６を形成する。 - 特許庁

Insulating layers 32 and 33 are formed on both upper and lower surfaces of a ground core 31 which keeps ground potential, respectively, and a semiconductor chip 35 is joined onto an exposed surface of the ground core 31 in a cavity 34 formed in the upper insulation layer 32.例文帳に追加

グランド電位に保たれるグランドコア３１の上下両面に絶縁層３２，３３を形成し、上側の絶縁層３２に形成したキャビティ３４内のグランドコア３１の露出面に半導体チップ３５を接合する。 - 特許庁

The connecting part is inserted into a connecting part housing part 2 of the insulation cap body 1, the sheet 3 is wound on the outer circumference of the connected electric wire, and the self-fusing layer 4 of the sheet 3 is contact-bonded to the electric wire.例文帳に追加

接続部を絶縁キャップ本体１の接続部収納部２の中に挿入した後、接続された電線の外周にシート３を巻き付けて、シート３の自己融着層４を電線と密着させる。 - 特許庁

After the sacrifice oxide film used as a mold for forming a wiring layer is removed by etching, an area where the sacrifice oxide film is removed is filled with a porous Low-k film, thereby forming an interlayer insulation film.例文帳に追加

配線層形成の型として用いた犠牲酸化膜をエッチングにより除去した後、犠牲酸化膜を除去した領域にポーラスＬｏｗ−ｋ膜を充填することにより、層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive lithographic printing plate material which is superior in coating properties and adhesiveness of an oxygen insulation layer, has high sensitivity, and superior in preheat latitude, a manufacturing method therefor, and a printing method that uses the method.例文帳に追加

塗布性、酸素遮断層の接着性が良好でありかつ感度が高く、プレヒートラチチュードに優れた感光性平版印刷版材料と、その製造方法及びそれを用いた印刷方法を提供する。 - 特許庁

A resin coating film 39 is formed as an electric insulation layer in the IC bonding region 38 and the polished face of the control IC is bonded to the IC bonding region 38 through the resin coating film 39.例文帳に追加

このＩＣ接合領域３８には、電気絶縁層として樹脂被膜３９を形成し、この樹脂被膜３９を介在させた状態で制御用ＩＣの研磨面をＩＣ接合領域３８に接合する。 - 特許庁

For the circuit substrate, the conductive circuit 2a is formed by coating and hardening a paste-like conductive material on a base film 11, and an insulation layer 3a is formed by coating and hardening the paste-like conductive material.例文帳に追加

ベースフィルム１１上にペースト状の導電性材料を付与して硬化させることにより導電性回路２ａを形成し、ペースト状の絶縁材料を付与して硬化させることにより絶縁層３ａを形成する。 - 特許庁

To lower on-voltage of SiC-IGBT, whose inverted channel's channel resistance is high due to the influence from the surface level of the interface between a gate insulation film and a base layer, and whose on-voltage is high.例文帳に追加

ＳｉＣ−ＩＧＢＴは、ゲート絶縁膜とベース層との界面の表面準位の影響によって、反転型チャネルのチャネル抵抗が高くオン電圧が高いが、このオン電圧を低くすることが求められている。 - 特許庁

To provide a printed-wiring board having excellent adhesiveness, circuit shape and insulation properties between wirings in a laminated body of a polymer and a metal layer which can realize the printed-wiring board with a high density by a semi-additive method.例文帳に追加

セミアディティブ法で高密度のプリント配線板を実現できる高分子と金属層の積層体であって、その目的は、接着性、回路形状、線間絶縁性に優れたプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

An insulation layer 7 having molten solder repellency is formed between two conductive paths 5, 5 of the plurality of conductive paths 5, where the two conductive paths 5, 5 are on a pair of the faces 9A, 9B respectively and adjacent to each other.例文帳に追加

一対の面９Ａ，９Ｂ上にそれぞれ位置する複数の導電路５の部分のうち隣接する２つの導電路５，５の部分間に溶融半田をはじく性質を有する絶縁層７をそれぞれ形成する。 - 特許庁

To provide a translucent sound insulation wall capable of having a single layer and sufficient weather resistance on a translucent plate, and having fine hydrophilic from an initial stage and exhibiting an antifouling property and its manufacturing method.例文帳に追加

透光板上に単層で十分な耐候性を有するとともに初期段階から良好な親水性を有し、防汚性を発現することのできる透光性遮音壁およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the extraction terminal 2 of each electrode 13 housed in the separator bag 15 protrudes outside of the separator bag 15 through the opening 3, and an outer periphery of the opening 3 is covered by an electrical insulation layer 8.例文帳に追加

また、開口部３を介して、セパレータ袋１５内に収容された電極１３の引出端子２がセパレータ袋１５の外部に突出しており、開口部３の外周部が電気絶縁層８で覆われている。 - 特許庁

The substrate body 111 comprises a major surface side resin insulation layer 131 and signal conductor wires 141 and 142 for transmitting a high frequency signal of 200 Mb/sec or above are formed on the surface thereof.例文帳に追加

この基板本体１１１は、主面側樹脂絶縁層１３１を有し、この表面上には、２００Ｍｂ／Ｓｅｃ以上の高周波信号を伝送する信号導体線１４１，１４２が形成されている。 - 特許庁

The electrostatic chuck 100 has a structure for sandwiching an electrode 101 between insulating layers 103, and the insulation layer is made of a sintered material of AlN.TiC or the like having a volume resistivity of 1010 Ω.cm or less.例文帳に追加

静電チャック１００は絶縁層１０３で電極１０１を挟持した構造を有し、絶縁層は１０^１０Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有するＡｌＮ・ＴｉＣ等の焼結体からなる。 - 特許庁

Then a second opening W2 is formed to the second insulation film 23 on the base layer parts of the BJT and the HBT, and thereafter a second polycrystal semiconductor film 33 containing impurity is formed to form emitter layers 25, 26.例文帳に追加

次にＢＪＴ及びＨＢＴのベース層部分上の第２絶縁膜２３に第２開口Ｗ２を形成後、不純物含有の第２の多結晶半導体膜３３を形成し、エミッタ層２５、２６を形成。 - 特許庁

An Si layer of an SOI substrate forms a trench on a region separating an element, and forms an element separation region by burying SiN larger than a thermal expansion coefficient of Si as an insulation material in the trench.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のＳｉ層において、素子分離する領域にトレンチを形成し、このトレンチ内に絶縁材料としてＳｉより熱膨張係数の大きいＳｉＮを埋め込んで素子分離領域を形成する。 - 特許庁

A trench 6 with a gate electrode 8 buried via a gate insulation film 7 is formed by digging from the surface of the epitaxial layer 3 in a way that it penetrates the body region 5 and its deepest section reaches the N^--type region 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が埋設されるトレンチ６は、エピタキシャル層３の表面から掘り下げて形成され、ボディ領域５を貫通して、その最深部がＮ^−型領域４に達している。 - 特許庁

In an LDMOSFET 6 of the semiconductor device 1, a field insulation film 12 is formed between drain and body regions 11, 7 on the surface of an epitaxial layer 3 at an interval to the body region 7.例文帳に追加

半導体装置１のＬＤＭＯＳＦＥＴ６において、エピタキシャル層３の表面におけるドレイン領域１１とボディ領域７との間の部分に、ボディ領域７と間隔を空けてフィールド絶縁膜１２を形成する。 - 特許庁

To improve insulation and reliability of an insulating cap for distributing first and second internal electrodes in a dielectric layer provided between a pair of conductor layers of a capacitor to the pair of conductor layers.例文帳に追加

コンデンサの一対の導電体層間に設けられた誘電体層中の第１及び第２の内部電極を、前記一対の導電体層に振り分けるための絶縁キャップの絶縁性及び信頼性の向上を図る。 - 特許庁

Circuits 3 are provided on both the surfaces of an insulation layer 2 made of an organic macromolecular resin, and both the circuits 3 are electrically connected by a via hole that is made of a conductor 4 made of solder where metal powder 6 is dispersed.例文帳に追加

有機高分子樹脂からなる絶縁層２の両面に回路３が設けられ、これら両回路３が、金属粉末６が分散された半田製導電体４からなるビアホールにより電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a film carrier of which the strength of a flex portion does not deteriorate even when the solder resist layer in the flex portion is reduced, and which can prevent disconnection of a wiring pattern on the lacking portions of the insulation film.例文帳に追加

フレックス部のソルダーレジストの層を少なくしても、フレックス部の強度を低下させることがなく、また、絶縁性フィルムの欠けた部分の配線パターンの断線を防止することができるフィルムキャリアを提供する。 - 特許庁

Further, the laminated body 10 is dipped in a thiosulfuric acid compound solution of 200 W% to inactivate palladium ions on the surface of the insulation layer, so that their catalytic function is lost (C).例文帳に追加

次いで積層体１０を２０Ｗ％チオ硫酸化合物溶液に浸漬することによって、絶縁層１８の表面のパラジウムイオン２０が不活性化されて触媒としての機能を失うことになる（工程Ｃ）。 - 特許庁

After a resist 5 of a pattern in accordance with the program is formed on the layer insulation film 7, ion implantation for the program is carried out to a channel region 9 below the desired gate electrode 4.例文帳に追加

プログラムに応じたパターンのレジスト５を層間絶縁膜７上に形成した後、層間絶縁膜７の上から、所望のゲート電極４下部のチャネル領域９に対してプログラム用のイオン注入を行う。 - 特許庁

A nonwoven fabric of p-phenylene diphenyletherterephthalamide fibers (or mixed nonwoven fabric of poly-p phenylene terephthalamide fibers and poly-p phenylene diphenyletherterephthalamide fibers) is used in the insulation layer being built up on the core material printed wiring board.例文帳に追加

芯材プリント配線板にビルドアップする絶縁層にはｐ−フェニレンジフェニルエーテルテレフタルアミド繊維不織布（又は、ポリｐ−フェニレンテレフタルアミド繊維とポリｐ−フェニレンジフェニルエーテルテレフタルアミド繊維の混抄不織布）を使用する。 - 特許庁

To suppress contamination on a conductor layer due to scattering of conductors or insulation resin, etc., in laser machining and also the plating thickness of sections other than vias in forming field vias to make the wiring thickness uniform.例文帳に追加

レーザー加工時における導体や絶縁樹脂等の飛散に起因する導体層への汚染を押さえるとともに、フィルドビア形成において、ビア以外のめっき厚を押さえることで、配線厚みを均一にする。 - 特許庁

To provide a heat resistant panel used widely for a construction material or the like rich in flame retardance, heat resistance and heat insulation by integrally laminating a specific face material on a phenol resin foamed layer.例文帳に追加

本発明はフェノール樹脂フォーム層に特定の面材を一体的に積層することによって、難燃性、耐熱性及び断熱性に富む建築材料等に幅広く使用される耐熱性パネルを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of selectively removing a metallic layer in a predetermined gate opening, and reducing damage to a gate insulation film.例文帳に追加

本発明の目的は、所定のゲート開口部内の金属層を選択的に除去することができ、かつゲート絶縁膜へ与えるダメージを低減することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a resin composition giving a cured product having excellent flexibility, soldering heat-resistance, thermal aging resistance and electroless gold plating resistance, developable with organic solvent or dilute alkali solution and suitable for solder resist and interlaminar insulation layer.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層感絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A gate insulation film 6, a gate electrode 9, a source electrode 8 and a drain electrode 7 are formed such that the first region Re1 of the Si substrate 1 and the n-epitaxial layer 3 becomes an operating region.例文帳に追加

そして、ＳｉＣ基板１およびｎ−エピタキシャル層３のうち第１領域Ｒｅ１が動作領域となるように、ゲート絶縁膜６，ゲート電極９，ソース電極８およびドレイン電極７を形成する。 - 特許庁

In an element with an MIM insulation layer of a 9.6 nm thickness, a diode current Id exponentially rises from around 4.8 V together with and an emission current Ie exponentially rises from 4.7 V.例文帳に追加

ＭＩＭ絶縁層の膜厚が９．６ｎｍの素子では、電圧と共にダイオード電流Ｉｄは４．８Ｖ付近から指数関数的に立ち上がり、エミッション電流Ｉｅは４．７Ｖから指数関数的に立ち上がる。 - 特許庁

To provide a disc brake squeak prevention shim and a disc brake which dranstically improve the squeak prevention effect and heat insulation performance and prevents the generation of interlayer peeling phenomena on the surface layer.例文帳に追加

鳴き防止効果および断熱性を著しく向上させることができ、しかも表面層において層間剥離現象等を発生することがないディスクブレーキの鳴き防止用シムおよびディスクブレーキを提供する。 - 特許庁

According to the electrostatic actuator, driving voltage to the movable electrodes 110 of an actuator substrate 100 is supplied from a movable electrode pad 118 arranged on a first insulation layer via an aluminum conductor 118a to respective separated sections 113.例文帳に追加

アクチュエータ基板１００の可動電極１１０への駆動電圧は、第１の絶縁層上に設けられた可動電極用パッド１１８からアルミニウムの導線１１８ａを介して各分離部１１３に供給する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor package, a surface active process is performed ununiformly using plasma discharge at least to a region on a surface insulation layer where a semiconductor element is mounted.例文帳に追加

少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 - 特許庁

The organic thin film transistor element has a channel of organic semiconductor coupling a source electrode with a drain electrode while touching a gate insulation layer wherein the channel consists of two or more organic semiconductor layers having no compatibility.例文帳に追加

ゲート絶縁層に接して、ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体からなるチャネルが、互いに相溶性を有さない２以上の有機半導体層で構成される有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

A Cu-based Cu wiring member 12 accompanying the coating of a barrier metal 11 and a diffusion barrier layer formed in an upper part is buried in an interlaminar insulation film 10 (101, 102) in multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線における層間の絶縁膜１０（１０１，１０２）中にバリアメタル１１の被覆及び上部の拡散バリア層形成を伴うＣｕを主成分としたＣｕ配線部材１２が埋め込み形成されている。 - 特許庁

The thin film electrode 302 is arranged to be opposed to the intermediate transfer belt 21, and the electron acceleration layer 303 contains metal particulates having high anti-oxidant power and insulation particulates larger in size than the metal particulates.例文帳に追加

薄膜電極３０２は、中間転写ベルト２１と対向して配置され、電子加速層３０３は、抗酸化力が高い金属微粒子と、金属微粒子の大きさより大きい絶縁体の微粒子とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a high-speed high-performance semiconductor device wherein a base film is formed by a non-selective growing method which is excellent in film thickness control property without causing any crystal defect, and bad insulation between a base layer and an emitter electrode is eliminated.例文帳に追加

ベース膜を膜厚制御性に優れ、結晶欠陥の無い非選択成長法により成膜し、ベース層とエミッタ電極との間の絶縁不良を無くし、高速で高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The stator coil insulation test device 1 detects a layer short-circuit which is a short-circuit of the winding in a stator coil 24 of a stator 22 in the combined state between the stator 22 of a motor 21 as a specimen and a rotor 23.例文帳に追加

ステータコイル絶縁試験装置１は、試験品であるモータ２１のステータ２２とロータ２３とが組み合わされた状態でステータ２２のステータコイル２４における巻線の短絡であるレアショートを検出する。 - 特許庁

The heating element plate 30 includes an insulating substrate in which a glass heat insulation layer 39 is formed on the surface of a ceramic plate 38 and a plurality of heating resistors 32 arranged at an interval on the surface of the insulating substrate.例文帳に追加

発熱体板３０は、セラミック板３８の表面に硝子の保温層３９を形成した絶縁基板と、この絶縁基板の表面に間隔をおいて配列された複数の発熱抵抗体３２とを備える。 - 特許庁

The outdoor intake port 31 for taking the air of the outside 2 opens in an insulation air layer 6 between an outer wall panel 4 and an inner wall panel 5, so that the intrusion of rain water from the outdoor intake port 44 can be prevented.例文帳に追加

室外２の空気を取り入れる室外吸気口31は、外壁パネル４と内壁パネル５との間の断熱空気層６に開口しているから、室外吸気口44からの雨水の浸入を防止できる。 - 特許庁

At another end of the straight copper wire 10, an enamel insulation layer is similarly peeled off, and a connecting metal fitting 15 is attached to the conductor 10a and fixed to the ground metal body of a car body via a metal bolt 16.例文帳に追加

平角銅線１０の他端部では、同様にエナメル絶縁層が剥離されて導体１０ａに接続金具１５が取り付けられ、車体のアース用金属体に金属ボルト１６を介して固定されている。 - 特許庁