「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

A polysilicon film 12, a titanium nitride barrier metal layer 13 richer in titanium than the stoichiometric composition ratio and a tungsten film 14 are laminated via a silicon oxide film-made gate insulation film 11 on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の上に、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１１を介して、ポリシリコン膜１２、化学量論組成比よりもチタンがリッチな窒化チタンからなるバリアメタル層１３、及びタングステン膜１４が順次堆積されている。 - 特許庁

Image information is displayed by line sequential driving method using a lower electrode as a signal line and the upper bus electrode as a scanning line with the upper bus electrode constituted with multilayer interconnection connected through through holes in an interlayer insulation layer.例文帳に追加

層間絶縁層のスルーホールを介して接続された多層配線により構成された上部バス電極を用い下部電極を信号線、上部バス電極を走査線として、線順次駆動方式により画像情報を表示する。 - 特許庁

In this electron emission source 10, cathode electrode lines 2 are formed on a lower substrate 1, an insulation layer 3 are formed on the cathode electrode lines 2, and gate electrode lines 4 are formed across the respective cathode electrode lines 2.例文帳に追加

電子放出源１０は、下部基板１上にカソード電極ライン２が形成され、カソード電極ライン２上に絶縁層３が成膜され、さらに各カソード電極ライン２と交差してゲート電極ライン４が形成されている。 - 特許庁

To provide a MOS hetero structure wherein structure defects in semiconductor substrates are decreased, or no structure transition layer exists near an interface between an insulation film on a semiconductor substrate and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中の構造欠陥が低減されたＭＯＳ型ヘテロ構造、或いは、半導体基板上の絶縁膜における半導体基板との界面の近傍に構造遷移層が存在しないＭＯＳ型ヘテロ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a large remanent polarization indispensable to nonvolatile memory operation by forming a specific buffer dielectric layer between an electrode constituting the capacitor element of a semiconductor device and a capacitor insulation film.例文帳に追加

半導体装置の容量素子を構成する電極と容量絶縁膜の間に、特定のバッファー誘電体層を形成することにより、不揮発メモリ動作に不可欠な大きな残留分極を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) having a repeating unit containing fluorine atoms and a repeating unit containing a functional group that generates a dimerization reaction absorbing optical energy or electron beam energy.例文帳に追加

フッ素原子を含む繰り返し単位と、光エネルギー又は電子線のエネルギーを吸収して二量化反応を起こす官能基を含む繰り返し単位とを、有する高分子化合物（Ａ）を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can form a channel layer having favorable film quality and made of an organic semiconductor material on a gate insulation film having small surface roughness, and can improve the performance of a semiconductor device.例文帳に追加

表面ラフネスを小さく抑えたゲート絶縁膜上に有機半導体材料からなる膜質の良好なチャネル層を形成することが可能で、半導体装置の高性能化を図ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

A carbon layer 103 is formed by overlaying a paste material containing a carbon material having at least one of a carbon nano-tube, fullerene, nano-particle and nano-capsule on a cathode conductor 102 overlaid on an insulation substrate 101.例文帳に追加

絶縁基板１０１に被着したカソード導体１０２上に、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル及びナノカプセルの中の少なくとも一つを有するカーボン材料を含むペースト材料を被着してカーボン層１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a dry double floor capable of preventing resonance of an underfloor air layer and securing enough sound insulation capacity even if the clearance between the floor member and the wall or the clearance between the floor member and base board is reduced.例文帳に追加

床材と壁との間、あるいは、床材と幅木との間の隙間を小さくした場合でも、床下空気層の共振の発生を抑制して遮音性能を十分に確保することのできる乾式二重床を提供する。 - 特許庁

Each crimp piece 7 of a connecting terminal 4 is pierced in a flat cable 3 coating a flat conductor 1 with a flat insulation layer 2 at a spot of the flat conductor 1, and a tip end portion of each crimp 7 piercing the flat cable 3 is folded to crimp.例文帳に追加

フラット導体１をフラット絶縁層２で被覆したフラットケーブル３に、フラット導体１の箇所で接続端子４の各クリンプ片７を突き刺し、フラットケーブル３を突き抜けた各クリンプ片７の先端部を折曲げて加締める。 - 特許庁

The sink body 12 has a thermal expansion coefficient of (2.0-10.0)×10^-6/°C, the insulation layer 13 is made of an inorganic matter, and the circuit 14 is made of an Al alloy of a purity of 99.5%.例文帳に追加

上記シンク本体１２は（２．０〜１０．０）×１０^-6／℃の熱膨張係数を有し、上記絶縁層１３は無機物により形成され、更に上記回路１４は９９．５％以上の純度のＡｌ合金により形成される。 - 特許庁

By folding a plate-form panel closed part, having a hinge mechanism molded integrally with a panel design part, back to the opposite side to the panel design part, an air layer is formed between the panel design part and the panel closed part to provide a heat insulation effect.例文帳に追加

パネル意匠部と反対側にパネル意匠部と一体成形されヒンジ機構を設けた板状のパネル閉鎖部を折返す事により、パネル意匠部との間で空気層を形成し断熱効果を持たせるものである。 - 特許庁

To provide an insulation sheet used for bonding a heat conductor having a thermal conductivity of 10 W/m K or more to a conductive layer, low in elastic modulus of a cured product after curing, and high in heat resistance and withstand voltage of the cured product.例文帳に追加

熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられ、硬化後の硬化物の弾性率が低く、かつ硬化物の耐熱性及び耐電圧性が高い絶縁シートを提供する。 - 特許庁

As the dielectric of the insulation layer 30, a combined resin composition of a low Tg resin having a glass transition temperature of 25°C or lower and a high Tg resin having a glass transition temperature higher than the low Tg resin (for example, 40°C or higher) is used.例文帳に追加

絶縁層３０の誘電体として、ガラス転移温度が２５℃以下の低Ｔｇ樹脂と、その低Ｔｇ樹脂よりも高いガラス転移温度（たとえば、４０℃以上）をもつ高Ｔｇ樹脂とを混合した樹脂組成物を用いる。 - 特許庁

The double gate transistor is formed by laminating in the order of a bottom gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor film, a BL insulating film, a contact layer, a drain electrode, a source electrode, a gate insulating film, a top gate electrode, and an insulation protective film.例文帳に追加

ダブルゲートトランジスタは、ボトムゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ＢＬ絶縁膜、コンタクト層、ドレイン電極及びソース電極、ゲート絶縁膜、トップゲート電極、並びに絶縁保護膜が順に積層されて形成される。 - 特許庁

As a means for solving the problem, the automotive sound insulation/water-proofing type mudguard is used, in which a surface of a plate-like body is a non-woven fabric layer having impact absorbing function and sound absorbing function and a water-proofing membrane impregnated with a resin is provided on a back surface.例文帳に追加

この課題を解決する為の手段として、板状体の表面が、衝撃吸収機能及び吸音機能を有する不織布層であって、且つ、裏面に樹脂を含侵させた防水膜を設けたものである。 - 特許庁

A resistance element is constituted, by using the two-layer gate structure, the first conductor is used as a resistor, and the second conductor and the insulation film are removed, with respect to a region of a part of the first conductor.例文帳に追加

抵抗素子は、二層ゲート構造を用いて構成され、第１の導電体が抵抗体として用いられ、この第１の導電体上の一部の領域に関し第２の導電体及び絶縁膜が除去されている。 - 特許庁

This LED device is excellent in a reflection factor and the light condensing, and is capable of achieving a high luminance, and is characterized in that an interior side of a cup portion made of resin is covered by a metallic deposition layer while being separated from a bottom face and maintaining an electrical insulation.例文帳に追加

樹脂製カップ部の内側面を、底面から離して、電気的絶縁を保って、金属蒸着層によって被覆していることを特徴とする、反射率や集光性に優れた高輝度化が可能なＬＥＤデバイスである。 - 特許庁

A polycrystalline substrate or a grain boundary in a semiconductor layer formed on the polycrystalline substrate is changed into porosity by anodization, and the grain boundary that has been changed into porosity is oxidized in an oxygen atmosphere for executing insulation treatment for inactivation.例文帳に追加

多結晶基体あるいはその上に形成した半導体層中の粒界部を陽極化成により多孔質化した後、酸素雰囲気中で多孔質化した粒界部を酸化して絶縁化処理を施すことにより、不活性化する。 - 特許庁

To provide an intermediate layer film for a laminated glass with improved heat-insulation, electromagnetic transmission, haze and adhesivity and a laminated glass using it.例文帳に追加

遮熱性に優れ、電磁波透過性が良好であり、安価で透明性、特にヘイズが良好であり、接着力の調整が可能な合わせガラス用中間膜、及び、その合わせガラス用中間膜を用いてなる合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To obtain reliable insulation and high cooling performance irrespective of the existence of a projection on the backside of a circuit structure wherein the backside thereof and a heat dissipation member are adhered with each other by means of an insulating layer.例文帳に追加

回路体裏面と放熱部材とが絶縁層を介して接着される回路構成体において、前記回路体裏面における突出部の存在にかかわらず確実な絶縁と高い冷却性能が得られるようにする。 - 特許庁

According to the outside insulation constructing method, the skeleton 1 allows the heat insulating material 8 to be stuck to an outer surface thereof by means of a foamed adhesive 7, and mortar 11 containing short fibers is trowelled on a surface of the heat insulating material 8 as a first layer.例文帳に追加

躯体１の外面に発泡系接着剤７で断熱材８を張り付けた後、断熱材８の表面に短繊維入りのモルタル１１をコテ塗りし、その上にネット２０を重ね、次いで、第２層目のモルタル１２をコテ塗りする。 - 特許庁

To provide a resin composition which excels in adhesion and heat cycle nature with a metal-based circuit board and an insulating layer and has enough insulation resistance, and to provide a resin sheet, a metal-based circuit board, an inverter and a power semiconductor device.例文帳に追加

金属ベース回路基板と絶縁層との密着性、およびヒートサイクル性に優れ、かつ十分な絶縁抵抗を有する樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first insulation layer 51 which is thick enough to make an upper surface flat and wherein a first via leading to the electrode terminal 2T is formed is formed on one surface of the substrate 1 and a formation surface of the electrode terminal 2T of the LSI chip 2.例文帳に追加

基板１の一面とＬＳＩチップ２の電極端子２Ｔ形成面との上に、上面が平坦となるような層厚で、電極端子２Ｔに至る第１のヴィアが形成された第１の絶縁層５１が形成される。 - 特許庁

The linear structure bodies are arranged in parallel to each other so that they are electrically insulated from each other through a first insulation line and a second conductor crosses the linear structure bodies, and are brought into electrical contact with the luminous layer structure at intersecting points arranged in matrix, and the linear conductors are electrically insulated from each other through a second insulation part.例文帳に追加

この線状構造体は、互いに電気的に第１の絶縁線で絶縁され、第２の導電体が線状構造体に対して交差するように互いに並列して配置され、マトリックス状に配置された交差位置において前記発光層構造に電気的に接触され、この線状の導電体は、互いに第２の絶縁部によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a TEOS film, and suppress generation of surface defects such as dishing, erosion, scratch, and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、ＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

The thin film semiconductor device has an active layer 207 of a crystalline semiconductor film formed on an insulation film 202 containing oxygen, argon, halogen elements or phosphorus wherein the concentration of a metallic element accelerating crystallization of silicon contained in the crystalline semiconductor film is lower than that of a metallic element in the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜２０２上の結晶性半導体膜からなる活性層２０７を有した薄膜半導体デバイスであって、前記絶縁膜中に酸素、アルゴン、ハロゲン元素もしくはリンを含み、前記結晶性半導体膜中に含まれる珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記絶縁膜中の当該金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device that has decreased electric resistance of electrodes by forming an electrode layer laminating part comprising a plurality of laminated electrode layers and has improved frequency temperature characteristic by forming an insulation film, the surface acoustic wave device that is structured to suppress deterioration in an impedance ratio due to the difference in level of the surface of the insulation film and deterioration in an insertion loss.例文帳に追加

複数の電極層を積層した電極層積層部の形成により電気的抵抗が低められており、かつ絶縁膜の形成により周波数温度特性が改善されている弾性表面波装置において、絶縁膜表面の段差によるインピーダンス比の劣化及び挿入損失の劣化を抑制する構造が備えられた弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device where silicon insulation films having a different thickness are formed, respectively, in a specified region and other specified region on a substrate, HMDS coating and heating are performed prior to coating of a photoresist layer when photolithographic etching, i.e., boring of an opening 28W, is performed in the process for removing the specified region of a first silicon insulation film 28.例文帳に追加

基板上の特定領域と、他の所定領域において、相互に厚さを異にするシリコン絶縁膜が形成されて成る半導体装置の製造方法であって、第１のシリコン絶縁膜２８の特定領域の除去工程におけるフォトリソグラフィによるエッチング、即ち開口２８Ｗの穿設において、フォトレジスト層の塗布に先立って、ＨＭＤＳ被着と加熱を行うものである。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress generation of surface defects such as dishing, erosion, scratch, and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device in which the gate insulation film is formed on a silicon single crystal substrate for the gate insulation film, an oxide layer is formed by an organic metal chemical vapor deposition method using a gaseous mixture having an oxidizing gas and an organic metal gas composed of the cyclopentadienyl complex of elements composed of one or more kinds of Ln (Ln is rare earth element).例文帳に追加

本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の１種類以上からなる元素のシクロペンタジエニル錯体からなる有機金属ガスと酸化性ガスとを有する混合ガスを用いた有機金属化学気相成長法によって酸化物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 106 is formed on a memory cell 100 constituted of a bit line 102 composed of a diffusion layer formed on a semiconductor substrate 101, a gate insulation film having a trapping performance formed between bit lines 102, and a word line 104 formed on the gate insulation film, and a bit line contact plug 109 connected to the bit line 102 is formed in this interlayer insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１０１に形成された拡散層からなるビット線１０２、ビット線１０２間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたワード線１０４とで構成されたメモリセル１００上に、層間絶縁膜１０６が形成され、この層間絶縁膜１０６中に、ビット線１０２に接続するビット線コンタクトプラグ１０９が形成されている。 - 特許庁

A through-hole 102 is formed in an insulation base component 101, a conductive material 104 is filled into the through-hole 102, and a metal wiring layer 108, which is connected to metal particles 106 or the set of the metal particles that has a desired shape and is buried near a surface including at least one of the surfaces of the insulation base component 101, is formed.例文帳に追加

絶縁性基材１０１に貫通穴１０２を設け、この貫通穴１０２に導電性材料１０４を充填し、絶縁性基材１０１の少なくとも片方の表面を含んだ表面近傍に埋設された所望パターン形状の金属粒あるいは金属粒の集合体１０６と接続された金属の配線層１０８を設けた構成とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。 - 特許庁

The linear structure bodies are arranged in parallel to each other so that they are electrically insulated from each other through a first insulation line, and a second linear conductor intersects the linear structure bodies, and are brought into electrical contact with the luminous layer structure at intersecting points arranged in matrix, and the linear conductors are electrically insulated from each other through a second insulation part.例文帳に追加

この線状構造体は、互いに電気的に第１の絶縁線で絶縁され、第２の導電体が線状構造体に対して交差するように互いに並列して配置され、マトリックス状に配置された交差位置において前記発光層構造に電気的に接触され、この線状の導電体は、互いに第２の絶縁部によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress occurrence of surface defects such as dishing, erosion, scratch and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a ceramic multilayer wiring board having a high substrate strength and a low dielectric loss by relieving generation of stress due to difference in thermal expansion or in firing shrinkage between an insulation substrate and an inner wiring circuit layer, in the multilayer wiring substrate formed by simultaneously firing with the insulation substrate comprising an aluminous ceramics containing high amount of alumina.例文帳に追加

高アルミナ含有量のアルミナ質セラミックスを絶縁基板とし、この絶縁基板と同時焼成によって形成された内部配線回路層を有する多層配線基板において、絶縁基板と内部配線回路層との熱膨張差や焼成収縮差などに起因する応力の発生を緩和し、高い基板強度と低誘電損失を備えたセラミック多層配線基板を得る。 - 特許庁

A thin film element substrate for transfer wherein the thin film element 13 is formed on a base substrate 11 via a stripping layer 12 is provided with an insulation layer 14 arranged on the thin film element 13 and formed with an opening 14a corresponding to a conductive section of the thin film element 13, and a conductive particulate layer composed of conductive particulates 15 and arranged in the opening 14a.例文帳に追加

薄膜素子１３が剥離層１２を介して基礎基板１１上に形成される転写用薄膜素子基板であって、上記薄膜素子１３上に配置されかつ上記薄膜素子１３の導電部に対応する開口部１４ａが形成される絶縁層１４と、上記開口部１４ａ内に配置されかつ導電性微粒子１５によって形成される導電性微粒子層とを有する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises a network logic circuit block having a MOS transistor which performs a logic operation constituted of a pass transistor logic, a buffer circuit block which amplifies an output signal of the network logic circuit block, and MOS transistors 44 and 50 which are formed in a semiconductor layer of a fully-depleted type SOI substrate wherein the semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate 51 via a buried insulation layer 52.例文帳に追加

パストランジスタロジックにて構成される論理演算を実現するＭＯＳトランジスタを有するネットワーク論理回路ブロックと、ネットワーク論理回路ブロックの出力信号を増幅するバッファ回路ブロックとを備え、半導体基板５１上に埋込み絶縁層５２を介して半導体層が形成された完全空乏型ＳＯＩ基板の半導体層に形成されたＭＯＳトランジスタ４４、５０を有する。 - 特許庁

Disclosed is the sublimation type thermal transfer image receiving sheet comprising at least a base sheet (A), a heat insulation layer (B) and a receptive layer (C), wherein the receptive layer (C) contains at least a vinyl chloride based resin containing ≥80 mol% vinyl chloride unit and a releasing agent and the vinyl chloride based resin is cross-linked by the irradiation with a 1-10 Mrad electron beam.例文帳に追加

少なくとも基材シート（Ａ）、断熱層（Ｂ）、及び受容層（Ｃ）からなる昇華型熱転写受像シートにおいて、受容層（Ｃ）が少なくとも塩化ビニル単位を８０モル％以上含む塩化ビニル系樹脂と離型剤を含有した層であり、かつ該塩化ビニル系樹脂が１~１０Ｍｒａｄの電子線照射により架橋されていることを特徴とする昇華型熱転写受像シート。 - 特許庁

This filter for the organic EL element has the transparent substrate 2, the light shielding part 3 formed in a pattern shape on the transparent substrate 2 while containing a resin and a coloring agent and having insulation, a coloring layer 5 formed in the opening part of the light shielding part 3 on the transparent substrate 2, and an overcoat layer formed on the light shielding part 3 and the coloring layer 5.例文帳に追加

透明基板２と、上記透明基板２上にパターン状に形成され、樹脂および黒色着色剤を含有し、絶縁性を有する遮光部３と、上記透明基板２上の上記遮光部３の開口部に形成された着色層５と、上記遮光部３および上記着色層５の上に形成されたオーバーコート層６とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子用カラーフィルタ。 - 特許庁

In this structural material for sound insulation, the structural material has at least two integrally and mutually bonded natural fiber layers, at least the two different layers are mutually combined with a layer provided with a relatively thick fiber and/or a layer provided with a mixture composed of the relatively thick fiber and a relatively thin fiber and/or a layer provided with the relatively thin fiber.例文帳に追加

遮音のための構造材料において、該構造材料が、一体的に互いに結合された少なくとも２つの天然繊維層を有しており、少なくとも２つの異なる層が、比較的太い繊維を備えた層および／または比較的太い繊維と比較的細い繊維とから成る混合物を備えた層および／または比較的細い繊維を備えた層とから互いに組み合わされている。 - 特許庁

In a final step of the electric copper plating, the wiring layer surface is made to be a rough surface 23 by the electric copper plating and the organic polymer insulation layer is directly laminated the wiring layer surface formed on the rough surface.例文帳に追加

有機高分子絶縁層１１ａ上に電気銅めっきにより配線層２ａ、２ｂを形成し、配線層上に更に有機高分子絶縁層１１ｂを積層する工程を含むビルドアップ積層基板の製造方法において、電気銅めっきの最終工程において、電気銅めっきにより上記配線層表面を粗面２３に形成し、粗面に形成された配線層表面上に直接有機高分子絶縁層を積層する。 - 特許庁