「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for forming the organic semiconductor film comprises: a step for applying a liquid material in a region surrounded by a bank layer that is formed by stacking an lower insulation film consisting of an inorganic material and an upper insulation film consisting of an organic material; and a step for removing a solvent component from the liquid material.例文帳に追加

有機半導体膜の形成方法において、無機材料からなる下層絶縁膜、及び有材材料からなる上層絶縁膜が積層されてなるバンク層に区画された領域内に液状の材料を塗布する工程、及び前記液状の材料から溶媒成分を除去する工程、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A silicon based electric insulation film containing a second element with respect to silicon is formed beneath an isolation trench between adjacent power generating regions formed by shaping a second electrode layer and the content of the second element in the silicon based electric insulation film is made uneven in the film thickness direction thus obtaining a multilayer thin film solar cell.例文帳に追加

第２電極層の形状加工により形成される隣接する発電領域間の分離溝下に、シリコンに対し第２の元素を含むシリコン系電気絶縁膜が形成され、このシリコン系電気絶縁膜における第２の元素の含有量がその膜厚方向に不均一である集積型薄膜太陽電池により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The substrate 11 comprises: on one of surfaces thereof, a first electrode 12a as well as a first terminal 12d; first wiring 12b and 12c connecting the first electrode 12a and the first terminal 12d; a first insulation protection membrane 13 covering the first electrode 12a; and a first corrosion layer 14 arranged on the first insulation protection membrane 13.例文帳に追加

この基板１１の一方の面上には、第１の電極１２ａ及び第１の端子１２ｄと、第１の電極１２ａと第１の端子１２ｄとの間を接続する第１の配線１２ｂ，１２ｃと、第１の電極１２ａを覆う第１の絶縁保護膜１３と、第１の絶縁保護膜１３上に配置された第１の腐食層１４とを有する。 - 特許庁

A side face electrode electrically connected to the second ohmic electrode is formed on an insulation film formed on an inner wall surface of the opening, and a first contact electrode electrically connected to the first ohmic electrode and a second contact electrode electrically connected to the side face electrode are formed on the insulation film formed on the contact layer.例文帳に追加

開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, a mechanical stress imparted by a probe needle to a bonding pad formed on the upper surface of the semiconductor device can be born by an insulation film especially by setting the line width of the rectangular interconnect lines on the lowermost wiring layer and the width of the insulation film filling the gap between the rectangular interconnect lines ideally.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置においては、特に最下部配線層の矩形状配線の線路幅、および矩形状配線間に充填される絶縁膜の幅を最適に設定することにより、当該半導体装置の上部表面に形成されるボンディングパッドに与えられるプローブ針による機械的な応力を上記絶縁膜で支持する。 - 特許庁

Tapered through-holes 22 each having a large opening diameter on the side of a laser irradiation surface are formed at predetermined positions of a semi-hardenable insulation sheet 21 by means of excimer laser machining, and the insulation sheet 21 having the taped through-holes 22 formed is stuck on the conductive layer 12 of the laminate base 10 by directing the opening parts each having a large diameter downward.例文帳に追加

一方、半硬化性の絶縁シート２１の所定位置に、エキシマレーザー加工によりレーザー照射面の開口径が大きいすり鉢状の貫通孔２２を形成し、すり鉢状の貫通孔２２が形成された絶縁シート２１の開口径が大きい開口部を下にして片面銅貼り積層基板１０の導体層１２上に貼り合わせする。 - 特許庁

The flat panel display device is provided with a substrate, a source electrode and a drain electrode formed on the substrate, a semiconductor layer to contact the source/drain electrodes, a gate formed on the substrate, an insulation film formed between the source/drain electrodes and the gate and provided with an opening, and a pixel electrode a part of which is exposed through the opening of the insulation film.例文帳に追加

基板と、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース／ドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、ソース／ドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える平板表示装置である。 - 特許庁

Insulation layers are formed among the patterned pixel electrodes on the substrate, and the hole transport layer is formed by printing hole transport ink prepared by dissolving or stably dispersing a hole transport material in a solvent on the pixel electrodes located among the insulation layers from projecting parts of a relief printing plate by a relief printing method.例文帳に追加

基板上のパターニングされた画素電極の間に絶縁層を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版の凸部から絶縁層の間にある画素電極に印刷し正孔輸送層を形成することにより、上記課題を解決することができた。 - 特許庁

The flat panel display device is equipped with: a substrate; a source electrode and a drain electrode formed on the substrate; a semiconductor layer contacting to a source and a drain electrodes; a gate formed on the substrate; an insulation membrane formed between the source and drain electrodes and the gate and equipped with an opening part; and a pixel electrode exposed one portion by the opening part of the insulation membrane.例文帳に追加

基板と、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース／ドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、ソース／ドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える平板表示装置である。 - 特許庁

The fuel reforming apparatus is constituted so that a unit composed of a reformer 1 and the associated instruments (a water evaporator 2, a feed fuel evaporator 3, a desulfurizer 4, a low temperature shift converter 5 and a selective oxidation CO remover 6) is covered with a vacuum heat insulation vessel 15 having the vacuum insulation layer formed between an inner cylinder 15a and an outer cylinder 15b.例文帳に追加

改質器１とその関連機器（水蒸発器２、原燃料気化器３、脱硫器４、低温シフトコンバータ５、及び選択酸化ＣＯ除去器６）とからなるユニットに対し、内筒１５ａと外筒１５ｂとの間に真空の断熱層１５ｃが形成される真空断熱容器１５を被せて覆うことにより、燃料改質装置を構成する。 - 特許庁

In this semiconductor device where a semiconductor element is formed on an insulation film formed in a predetermined region on a principal surface of a semiconductor substrate, the insulation film is formed in the region with a space, and a semiconductor layer of a conductive type opposite to the principal surface of the semiconductor substrate is formed on the semiconductor substrate principal surface located in the space.例文帳に追加

半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜上に半導体素子が形成された半導体装置において、前記絶縁膜を前記領域内に間隙をおいて形成し、前記間隙に位置する半導体基板主面に半導体基板主面とは反対導電型の半導体層を形成する。 - 特許庁

The substrate 11 also comprises: on the other surface, a second electrode 15a as well as a second terminal 15d; second wiring 15b and 15c connecting the second electrode 15a and the second terminal 15d; a second insulation protection membrane 16 covering the second electrode 15a; and a second corrosion layer 17 arranged on the second insulation protection membrane 16.例文帳に追加

また、基板１１の他方の面上には、第２の電極１５ａ及び第２の端子１５ｄと、第２の電極１５ａと第２の端子１５ｄとの間を接続する第２の配線１５ｂ，１５ｃと、第２の電極１５ａを覆う第２の絶縁保護膜１６と、第２の絶縁保護膜１６上に配置された第２の腐食層１７とを有する。 - 特許庁

To provide a CMP pad for cerium oxide polishing agent and a polishing method of a substrate, which enable a silicon oxide film to be polished effectively and rapidly and realize easy process management, by holding the surface state of a pad fixed without requiring dressing treatment in a CMP technique which flattens a layer insulation film, a BPSG film and a shallow trench isolating insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、ドレッシング処理を必要とせずパッドの表面状態を一定に保つことにより、酸化珪素膜の効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる酸化セリウム研磨剤用ＣＭＰパッド及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

The assembled conductor collectively arranging a plurality of conductive wires having a polygonal cross-section shape in parallel with each other comprises wire-rod insulating films coating each conductive wire, and an outermost insulation film coating an outermost layer of the assembled conductor, of which, the outermost insulation film is made of heat-resistant resin formed in an extrusion process.例文帳に追加

多角形の断面形状を有する導体線が互いに平行に複数本集合配置した集合導体であって、各導体線を被覆する線材絶縁膜と、集合導体の最外層を被覆する最外層絶縁膜を有し、最外層絶縁膜が、押出し方法で形成された耐熱性樹脂からなることを特徴とする集合導体である。 - 特許庁

To provide an insulation sheet with a metal foil whose cured insulation layer has high rigidity, capable of simplifying lamination work for making a multilayered board, and making the multilayered board using a metal foil without a carrier even if the thickness of the metal foil is not greater than 9 μm.例文帳に追加

多層板とするために行う積層作業について、積層作業が簡略化できる金属箔付き絶縁シートであって、金属箔の厚さが９μｍ以下と薄い場合でも、キャリア付きでない金属箔を使用して多層板とすることができる金属箔付き絶縁シートであって、硬化した絶縁層の剛性が高い金属箔付き絶縁シートを提供する。 - 特許庁

When an insulation layer 3 is formed between pixel electrodes 2 which is patterned on the substrate, and transport materials are printed by letterpress printing method and hole transport inks are printed on a pixel electrode 2 which exists between the insulation layers 3 from the convex parts 32 of letterpress printing 30, the convex parts 32 of letterpress printing 30 is made to have an inside-protruded shape.例文帳に追加

基板上のパターニングされた画素電極２の間に絶縁層３を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版３０の凸部３２から絶縁層３の間にある画素電極２に印刷する場合、凸版３０の凸部３２を中凸形状にする。 - 特許庁

To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加

半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 100 on which a circuit is formed, a multilayer wiring layers formed on the substrate 100 with a protection insulation film 300 formed on a surface, and an electrode pad 200 disposed on a top layer of the multilayer wiring layers and connected to the circuit with a surface lying substantially in the same plane with the protection insulation film 300.例文帳に追加

この半導体装置は、回路が形成された基板１００と、この基板１００上に形成され、表面に保護絶縁膜３００が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド２００と、を備える。 - 特許庁

When a plurality of unit substrates 19, 19a, 19b, 19c of a similar constitution are laminated and compressed via insulation adhesive layers 20, 20a, 20b, the projection part passes through an insulation adhesive layer and is electrically connected to a wiring pattern or conductive substance of an adjacent unit substrate, and a multilayer printed wiring substrate can be manufactured by a simple compression operation.例文帳に追加

類似する構成の複数のユニット基板19、19ａ、19ｂ、19ｃを絶縁接着剤層20、20ａ、20ｂを介して積層し圧着すると、前記突出部が絶縁接着剤層を貫通して隣接するユニット基板の配線パターン又は導電性物質に電気的に接続され、単一の圧着操作で多層プリント配線板が製造できる。 - 特許庁

Another oxide layer is disposed in contact with an electron injection layer containing an alkaline earth metal, so that the heat generated by the short circuit between the electrodes of the light emitting element can react oxygen contained in the oxide layer with the alkaline earth metal contained in the electron injection layer to generate an oxide of the alkaline earth metal, which adsorbs out moisture entering the insulator generated by the insulation of the short circuit region.例文帳に追加

さらに、アルカリ土類金属を含む電子注入層と接して酸化物層を設けることにより、発光素子において両電極間の短絡が生じた際に発生する熱により、酸化物層に含まれる酸素と電子注入層に含まれるアルカリ土類金属とを反応させ、アルカリ土類金属の酸化物を生成することにより、短絡箇所の絶縁化により生成する絶縁体に侵入する水分を吸着して除去することができる。 - 特許庁

To provide a binder capable of preventing a reflection rate from reducing and improving film strength by restraining dyeing of a reflection layer with a colorant when specially forming the reflection layer of a dye-sensitized solar cell, a paste including the same binder, a white insulation film capable of using as a reflection layer obtained by sintering the paste, and a dye-sensitized solar cell having the same reflection layer.例文帳に追加

色素増感型太陽電池の特に反射層を形成する場合に、前記反射層の色素による着色を抑制して反射率低下を防止するとともに膜強度を向上させることが可能な、バインダーを提供するとともに、そのバインダーを含むペースト、さらにはこのペーストを焼成して得た前記反射層として使用可能な白色性絶縁膜、及び前記反射層を具えた色素増感型の太陽電池を提供する。 - 特許庁

An inhibition layer 2 for inhibiting interface crystallization of a recording photoconducting layer laminated between a first electrode 1 and a recording photoconducting layer 3 is formed of an organic film which has insulation property to reverse polarity to charge moving to the first electrode in recording of image information, and has conductivity to charge of the same polarity as the charge moving to the first electrode.例文帳に追加

第１電極１と記録用光導電層３の間に積層された記録用光導電層の界面結晶化を抑制する抑制層２を、画像情報の記録の際に第１電極に移動する電荷と逆極性の電荷に対しては絶縁性を有し、第１の電極に移動する電荷と同極性の電荷に対しては導電性を有する有機膜により形成する。 - 特許庁

To provide a flexible photoelectric conversion element thin film solar cell that secures a sufficient supply amount of alkali metal to a photoelectric conversion layer, enhances conversion efficiency, is lightweight, superior in insulation and adhesion between an insulating layer and a layer formed thereupon, and has an excellent breakdown voltage; and to provide a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保することができ、光電変換効率を高めることができ軽量で絶縁性に優れかつ絶縁層とその上に形成される層との密着性に優れ好適な耐電圧特性を持つフレキシブルな光電変換素子薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this liquid crystal display device adopting a vertical alignment mode using a liquid crystal layer of vertical alignment in the initial alignment state, a reflection display region R encloses the surroundings of a transmission display region T in one dot and an insulation layer 21 for adjusting the thickness of liquid crystal layer is provided the region corresponding to the reflection display region R of the dot peripheral part.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、初期配向状態が垂直配向の液晶層を用いた垂直配向モードを採用しており、１つのドット内で反射表示領域Ｒが透過表示領域Ｔの周囲を取り囲んで設けられ、液晶層厚を調整するための絶縁膜２１が、ドット周縁部の反射表示領域Ｒに対応する領域に設けられている。 - 特許庁

In the failure analysis method of a semiconductor device for a failure cause made by wiring formed on a semiconductor silicon board, a layer insulation film 3 is etched and removed on the semiconductor silicon board by using etching gas (for instance, CHF3) having a high etching selection ratio between a lower layer wire 2 and upper layer wiring 4, and the failure cause (foreign matter 5) is analyzed.例文帳に追加

半導体シリコン基板上に形成した配線に起因する不良原因を解析する半導体装置の不良解析方法において、下層配線２や上層配線４との間で高いエッチング選択比を有するエッチングガス（例えば、ＣＨＦ_3）を用いて、半導体シリコン基板上の層間絶縁膜３をエッチング除去して、不良原因（異物５）を解析する。 - 特許庁

The three-dimensional substrate comprises: an insulating substrate at least the surface of which exhibits insulation properties; and a circuit including a first wiring layer formed on the surface of the insulating substrate, an electrodeposition coating film formed on the first wiring layer and having a certain film thickness, and a second wiring layer formed on the surface of the insulating substrate where the electrodeposition coating film is formed.例文帳に追加

そこで本発明の立体基板は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、絶縁性基体表面に形成された第１の配線層と、第１の配線層上に形成され、一定の膜厚を有する電着塗装膜と、電着塗装膜の形成された絶縁性基体表面に形成された第２の配線層とを含む回路部と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This floating surface protective film having excellent corrosion resistance, electric insulation and mechanical wear resistance in an ultrathin film is realized by arranging a silicon nitride thin film having high density, high electric resistance, chemical stability and high adherence to a substrate at the lowest layer of the floating surface protective layer and arranging a film composed of tetrahedral amorphous carbon and nitrogen at the highest layer of the floating surface protective film.例文帳に追加

高密度、高電気抵抗、化学的安定性、基板との高密着性を有する窒化珪素薄膜を浮上面保護膜最下層に配置し、テトラヘドラルアモルファスカーボンと窒素からなる膜を浮上面保護膜最上層に配置することによって、極薄膜において、良好な腐食耐性、電気的絶縁性、機械的耐摩耗性を有する浮上面保護膜が実現される。 - 特許庁

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film.例文帳に追加

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

To provide a winding assembling method for motor stator and the motor stator having high reliability and high binding strength of wires by constituting a winding using the wire having a fusion layer made of a thermoplastic resin material at an insulation coating outer layer, shortening an excited heating time to the winding, and stopping the generation of bubbles at the fusion layer.例文帳に追加

本発明は、絶縁被膜外層に熱可塑性樹脂材からなる融着層を備えた電線を用いて巻線を構成し、巻線に対する通電加熱時間が短くてすみ、融着層に気泡の発生のないところから、電線相互の固着強度が大であって、信頼性の高い電動機の固定子における巻線組立て方法と、電動機の固定子を提供する。 - 特許庁

The electron emitting element is manufactured through a first process forming a cathode electrode and an emitter layer 4 on a cathode substrate 1, a second process forming an insulation layer, a gate electrode, and gate holes 12 on a supporting substrate 5 different from the cathode substrate 1, and a third process sticking the supporting substrate 5 on the cathode substrate 1 in a state of positioning the gate holes 12 on the emitter layer 4.例文帳に追加

カソード基板１上にカソード電極及びエミッタ層４を形成する第１の工程と、カソード基板１と異なる支持基板５上に絶縁層、ゲート電極及びゲートホール１２を形成する第２の工程と、エミッタ層４上にゲートホール１２を位置合わせした状態でカソード基板１と支持基板５とを貼り合わせる第３の工程とによって電子放出素子を製造する。 - 特許庁

To maintain sufficient insulation of an organic insulating film, while securing favorable electrical connection between an electrode on a chip and wiring connected thereto in a semiconductor device, in which the surface of a semiconductor chip is covered with the organic insulating film (polyimide layer or the like) and a metal layer (aluminium (Al) layer or the like) constituting an electrode pad is exposed, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体チップの表面が有機絶縁膜（ポリイミド層など）で覆われ、電極パッドを構成する金属層（アルミニウム（Ａｌ）層など）が露出している半導体装置及びその製造方法において、有機絶縁膜の十分な絶縁性を維持しながら、チップ上の電極とこれに接続される配線との間に良好な電気的接続を確保することを目的とする。 - 特許庁

The electromagnetic wave absorption sheet 1 comprises a soft magnetic layer 10 formed to have a predetermined thickness by laying flat soft magnetic metal powder having an insulating film on the surface in the thickness direction, and an electric insulation layer 20 covering the surface of the soft magnetic layer 10 wherein 40 wt% or more of the flat soft magnetic metal powder has a grain size of 45-125 μm.例文帳に追加

表面に絶縁膜を有する扁平状軟磁性金属粉が、その厚さ方向に積層されることで所定の厚さに形成された軟磁性層１０と、軟磁性層１０の表面を覆う電気絶縁層２０と、を備え、扁平状軟磁性金属粉の４０ｗｔ％以上が４５〜１２５μｍの粒径を有することを特徴とする電磁波吸収シート１である。 - 特許庁

A light emitting element 1 has a n-type semiconductor layer 2 composed of an n-type nitride semiconductor material and a p-type semiconductor layer 3 composed of a p-type nitride semiconductor material, and equipped with a light emitting diode A where electrodes 22 and 23 for injecting currents are laminated respective semiconductor layers 2 and 3, and an insulation layer 4 holding a light emitting part B of the light emitting diode A.例文帳に追加

発光素子１は、ｎ形窒化物半導体材料からなるｎ形半導体層２およびｐ形窒化物半導体材料からなるｐ形半導体層３を有し各半導体層２，３それぞれに電流注入用の電極２２，２３が積層された発光ダイオード部Ａと、発光ダイオード部Ａの発光部Ｂを保持した絶縁層４とを備えている。 - 特許庁

In a region overlapping with the color filter layer PCF when seen from a direction along a plane, the liquid crystal display device 1 has a connection line 218 to connect an effective display region 102 and a drive circuit region 110 in a state having at least a layer of an insulation film 217 disposed between the connection line 218 and the color filer layer when seen from a direction along a cross section.例文帳に追加

この発明の液晶表示装置１は、平面方向から見た状態でカラーフィルタ層ＰＣＦと交わる領域において、断面方向から見た状態で、カラーフィルタ層との間に少なくとも１層の絶縁膜２１７を介在させた状態で有効表示領域１０２と駆動回路部１１０とを接続可能な接続線２１８を有する。 - 特許庁

By forming the illuminant layer 11 with a synthetic resin binder 3, where a phosphor 4 and an inorganic positive ion exchanger 12 are dispersed, the inorganic positive ion exchanger 12 in the illuminant layer 11 catches ions dissolved from the phosphor 4 in high humidity, so that the EL element, capable of keeping the insulation property of the illuminant layer 11 and of hardly producing a black point, can be provided.例文帳に追加

蛍光体４及び無機陽イオン交換体１２を分散した合成樹脂バインダー３により発光体層１１を形成することによって、発光体層１１内の無機陽イオン交換体１２が、高湿度中で蛍光体４から溶出したイオンを捕捉するため、発光体層１１の絶縁性を維持し黒点の発生し難いＥＬ素子を得ることができる。 - 特許庁

A memory transistor 101 comprises a data memory 103, having a charge migration layer 6 which faces a charge storage electrode 12 through a first tunnel barrier film 5, a charge supply electrode 8 facing the charge migration layer 6 through a second tunnel barrier film 7, and a memory control gate electrode 11 surrounding the entire side face of the charge migration layer 6 through a memory control gate insulation film 10.例文帳に追加

メモリトランジスタ１０１は、第１トンネル障壁膜５を介して電荷蓄積電極１２と対向する電荷移動層６と、第２トンネル障壁膜７を介して電荷移動層６と対向する電荷供給電極８と、記憶制御ゲート絶縁膜１０を介して電荷移動層６の全側面を囲む記憶制御ゲート電極１１とを有するデータ記憶部１０３を備えている。 - 特許庁

This pannel comprises a surface material 12, a heat insulation layer 14 formed on a rear surface of the material 12, and a fire resistant film 13 made of coating film or sheet composed of foaming fire resistant coating composition which is provided at at least one position of a rear surface of the layer 14 and between the material 12 and the layer 14.例文帳に追加

耐火パネル１１は、表面材１２と、その表面材１２の裏面に設けられる断熱材層１４とにより構成され、その表面材１２の表面、断熱材層１４の裏面及び表面材１２と断熱材層１４との間の少なくとも１つの箇所に発泡耐火塗料組成物より得られる塗膜又はシートから耐火膜１３が形成されているものである。 - 特許庁

When forming, on the insulation film 6, an opening 60 for exposing the electron supply layer 4 therefrom, the SiN film 6A in contact with a semiconductor is side-etched, whereby contact between an inner peripheral surface 61 of the opening 60 on the electron supply layer 4 side and a gate electrode 7 is avoided, and only the InGsP layer 4B can be exposed around the gate electrode 7.例文帳に追加

絶縁膜６に電子供給層４を露出させる開口６０を形成する際に、半導体と接触しているＳｉＮ膜６Ａがサイドエッチングされることで、開口６０の電子供給層４側の内周面６１とゲート電極７との接触が回避され、しかもゲート電極７の周囲にＩｎＧａＰ層４Ｂのみを露出させることができる。 - 特許庁

The heat resistant insulation coated conductor equipped with a conductor and a glass layer coating its surface is manufactured by intercalating inorganic fine particles between the conductor and the glass layer, or by covering the conductor by forming the glass layer on the surface after applying the inorganic fine particles on the surface of the conductor.例文帳に追加

導体とその表面を被覆するガラス層を有する耐熱絶縁被覆導体であって、前記導体とガラス層間に、無機微粒子を介在させていることを特徴とする耐熱絶縁被覆導体、及び導体の表面に、無機微粒子を付置した後、該表面上にガラス層を形成して導体を被覆することを特徴とする耐熱絶縁被覆導体の製造方法。 - 特許庁

This testing method for ammonia leakage is carried out on a membrane tank 10 having a tank 2 isolated from a cold-insulation layer 3 by the membrane 4, and comprises the filling of the layer 3 with a pressurized gas, the measuring of displacement 25 of the membrane 4, and the controlling of the filling amount of gas based on the displacement 25.例文帳に追加

タンク２と保冷層３とがメンブレン４で隔離されているメンブレンタンク１０に実施されるアンモニアリーク試験方法であり、保冷層３にガスを加圧して充填すること、メンブレン４の変位２５を測定すること、変位２５に基づいてガスの充填する量を制御することとを具備している。 - 特許庁

A sound insulation floor constitution material 10 includes: a hard layer 15; joists 13 which are disposed in parallel at an interval on one surface of the hard layer 15, and are partially nonwoven fiber structures; and layers 14 to be compressed, which are disposed alternately and adjacently with the joists 13, and have a thickness greater than the joists.例文帳に追加

遮音床構成材１０は、硬質層１５と、この硬質層１５の一方の面に間隔をおいて平行に配設された一部が不織繊維構造体である根太１３と、この根太１３と交互に隣接して配設され、かつ根太よりも大きい厚みを有する被圧縮層１４とで構成されている。 - 特許庁

The metal inclusion layer 108 includes a first region 108a brought into contact with the wiring metal film 106, and a second region 108b that differs in the composition of the first region 108a while being brought into contact with the lower layer insulation film 102 without containing nitrogen substantially in the first region 108a at least.例文帳に追加

金属含有層１０８は、配線金属膜１０６と接する第１の領域１０８ａと、下層絶縁膜１０２と接するとともに第１の領域１０８ａと組成の異なる第２の領域１０８ｂとを含み、少なくとも第１の領域１０８ａにおいて窒素を実質的に含まない。 - 特許庁

A connection hole 17 and a U-shaped wiring groove 21 which reach the adjacent area are formed on the surface 2S of the lower insulation layer 2 from the exposed surface of the silicon oxide film, by using photolithographic technology, so as to form a porous silica layer 3, an HSQ film 4 and a silicon oxide film 5.例文帳に追加

そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、上記シリコン酸化膜の露出している表面から下部絶縁層２の表面２Ｓの内で接続孔１７及びその近傍の領域に至るＵ字型配線溝２１を形成することによって、ポーラスシリカ層３，ＨＳＱ膜４及びシリコン酸化膜５を形成する。 - 特許庁

The generation step of the metallization track 7 comprises an etching step of the track insulation material 1 forming a clearance 4 in the position of the track, a step for depositing a conduction barrier layer 5 in the clearance, a step for filling the clearance with copper, and a step for depositing a silicon nitride layer 8 on the predetermined metallization level.例文帳に追加

この金属トラック７の生成ステップは、前記トラックの位置に空隙４を形成するトラック間絶縁材料１のエッチング・ステップと、空隙に伝導バリア層５を堆積するステップと、銅で空隙を充填するステップと、予め定めたメタライゼーション・レベル上に窒化珪素層８を堆積するステップと、を含む。 - 特許庁

An insulation sheet 22 includes a support member 17x and an inorganic insulating layer 11a arranged on the support member 17x, and the inorganic insulating layer 11a includes a plurality of fibers 12 and the inorganic insulating members 13 each of which is connected to respective adjacent fibers 12 on the adjacent position between the adjacent fibers 12.例文帳に追加

本発明の一形態にかかる絶縁シート２２は、支持部材１７ｘと、該支持部材１７ｘ上に配された無機絶縁層１１ａとを備え、該無機絶縁層１１ａは、複数の繊維１２と、隣接する該繊維１２同士の近接箇所にて該隣接する繊維１２それぞれに接続した無機絶縁部材１３とを有する。 - 特許庁