「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

After a resist mask 7 having a hole part 128 in an upper part of a projection part 23 of an island-like Si thin film layer 33 which turns into a source/drain and a channel region, is formed on a polycrystalline Si film 6, implantation of Si ions 10 is carried out and the bonding of atoms of an SiON film constituting a gate insulation film 5 is weakeded.例文帳に追加

ソースドレインおよびチャネル領域となる島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３の上部に開孔部１２８を有するレジストマスク７を多結晶Ｓｉ膜６上に形成した後、Ｓｉイオン１０注入を行い、ゲート絶縁膜５を構成するＳｉＯＮ膜の原子同士の結合を弱める。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride substrate for mounting a light-emitting element, which has superior reflection characteristics in the visible light range, is inexpensive, eliminates the need to form a gap for insulation with wiring on a surface of the aluminum nitride substrate, and has a reflection layer with superior corrosion resistance; and to provide a light-emitting device using the aluminum nitride substrate.例文帳に追加

可視光域で優れた反射特性を有し、安価で、窒化アルミニウム基板表面の配線との間に絶縁用のギャップの形成が不要で、耐食性に優れた反射層を有する発光素子搭載用窒化アルミニウム基板、およびこの窒化アルミニウム基板を用いた発光デバイスを提供すること。 - 特許庁

The wiring board 101 has a plurality of IC connection terminals 131 formed on the surface 124H of a second principal surface side insulation layer 124 and connected respectively with the terminals of IC chips IC, and has a plurality of capacitor connection terminals 137 formed on the same surface 124H and connected respectively with the terminals of capacitors CON.例文帳に追加

配線基板１０１は、主面側第２絶縁層１２４の表面１２４Ｈ上に形成され、ＩＣチップＩＣの端子と接続される多数のＩＣ接続端子１３１と、同じ表面１２４Ｈ上に形成され、コンデンサＣＯＮの端子と接続される複数のコンデンサ接続端子１３７とを備える。 - 特許庁

A storage node 23 of a memory capacitor uses a layer insulation film of a low hierarchy as a base over a wide area, so that high capacitance value can be secured with small height, resulting steps can be reduced, the film thickness for opening capacitive contacts 32 is reduced and the opening of capacitive contacts 32 is stable in view of manufacturing.例文帳に追加

メモリキャパシタのストレージノード２３は、低い階層の層間絶縁膜を下地として広面積に渡って使用するので、低い高さで大きな容量値を確保できると共に、それによる段差を小さくでき、又、容量コンタクト３２を開口すべき膜厚が薄くなり、容量コンタクト３２の開口が製造上安定する。 - 特許庁

A conductive shield layer 13a is arranged between the thin-film transistor Tr and the pixel electrode a to keep insulation therebetween.例文帳に追加

基板１上に設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒの上部に保護膜１１および層間絶縁膜１５を介して設けられた画素電極ａとを備え、薄膜トランジスタＴｒと画素電極ａとの間には、これらとの間に絶縁性を保って導電性のシールド層１３ａが配置されている。 - 特許庁

In the piezoelectric element 12, part or all of an outer circumferential shape of the electrode 11 is formed to be a shape corresponding to distributions of a vibration mode of a target order or their sum and an insulation layer 13 comprising an insulating member is formed over an entire face of at least a lower face or an upper face of the electrode 11.例文帳に追加

電極１１における外周形状の一部または全部を、着目する次数の振動モード分布またはそれらの和に対応した形状に構成する一方、電極１１の下面側または上面側の少なくとも何れか一方の全面に亘って、絶縁部材からなる絶縁層１３を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 11, a sealing layer 26 laminated on a surface 14b of an insulation film 14, a first heat dissipation part 40 provided on an outer peripheral surface 11c of the semiconductor substrate 11, and a second heat dissipation part 30 provided on a main surface 11b of a rear side of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置１が、半導体基板１１と、絶縁膜１４の表面１４ｂに積層された封止層２６と、半導体基板１１の外周面１１ｃに設けられた第１の放熱部４０と、半導体基板１１の裏側の主面１１ｂに設けられた第２の放熱部３０と、を備える。 - 特許庁

In the plasma display panel, which uses a negative electrode 4 having an insulation film or insulating particulate layer on the surface the plasma display panel is equipped with an auxiliary electrode 13 for producing auxiliary discharge between the positive electrode 3, before the discharge is started between the negative electrode 4 and the positive electrode 3.例文帳に追加

絶縁体薄膜または絶縁体微粒子層を表面に有する陰極４を使用したプラズマディスプレイパネルにおいて、そのプラズマディスプレイパネルは、放電が陰極４と陽極３間で開始するに先立って、陽極３との間で補助放電を行わせるための補助陰極１３を具えて構成した。 - 特許庁

A fuse structure 42 of the semiconductor device comprises a pair of fuse electrodes 46A, B, respectively embedded in a layer insulation film 44, electrode pads 48, topmost wirings 50A, B of a multilayered wiring structure and TiN film fuses 52 of 100 Å thickness for connecting the pair of fuse electrodes.例文帳に追加

本半導体装置のヒューズ構造４２は、層間絶縁膜４４に、それぞれ、埋め込み形成された一対のヒューズ電極４６Ａ、Ｂと、電極パッド４８と、多層配線構造の最上段配線５０Ａ、Ｂと、及び一対のヒューズ電極を接続する膜厚１００ÅのＴｉＮ膜ヒューズ５２とを備えている。 - 特許庁

The heater is provided with an insulating winding core 1, pyrogenic conductors 3, 5 wound up in multi-layer and spirally on the outer periphery face of the winding core 1 with a certain interval between each other along the axis direction of the winding core 1, and at least insulation layers 8 interposed between the pyrogenic conductors 3, 5, which are connected in series.例文帳に追加

絶縁性の巻芯１と、該巻芯１の軸方向で互いに所定間隔をもって前記巻芯１の前記外周面上に多層にかつ螺旋状に巻かれている発熱導体３，５と、少なくとも前記発熱導体３，５間に介在した絶縁層８とを有し、前記発熱導体３，５が直列に接続されている。 - 特許庁

A semiconductor device includes the semiconductor element 40 mounted on the insulation substrate via a conductive bonding layer, at least one end temperature sensing element De provided at the peripheral end of the element 40, and at least one center temperature sensing element Dc provided at the center of the element.例文帳に追加

半導体装置は、導電性接合層を介して絶縁基板上に実装される半導体素子４０と、半導体素子４０の周辺端部に配置された少なくとも１つの端部温度検出素子Ｄｅと、半導体素子の中央部に配置された少なくとも１つの中央部温度検出素子Ｄｃと、を備えた。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electric cable which does not make an insulation layer polyethylene generate foams, and enables to obtain a perferable degree of cross-linking, when manufacturing an electric wire/cable by extruding a middle/low pressure method polyethylene, especially by extruding straight chain low density polyethylene and silane compound at the same time.例文帳に追加

本発明は中・低圧法ポリエチレン、特に直鎖状低密度ポリエチレンとシラン化合物を同時に押出成形に供して電線・ケーブルを製造する際、絶縁体層であるポリエチレンに発泡が生じないで、かつ良好な架橋度を得ることができる電線の製造方法を提供する。 - 特許庁

The element includes a substrate 2 having a concave part; an electron emission part 12 positioned by filling the concave part; and a cathode electrode 6 provided on the substrate 2 so as to be electrically connected to the emission part 12; and a gate electrode 10 formed on an upper part of the cathode electrode 6 through an insulation layer separating them.例文帳に追加

本発明の電子放出素子は，凹部を備える基板２と，凹部を満たして位置する電子放出部１２と，電子放出部１２と電気的に連結されるように基板に提供されるカソード電極６と，絶縁層を隔ててカソード電極６上部に形成されるゲート電極１０とを含む。 - 特許庁

Thereby, since not only it can raise the electron pouring nature from the negative electrode, but also it can thicken film thickness compared with the negative electrode buffer layer formed conventionally using the insulation material, the film-thickness control can become easy and can make reduction of manufacturing cost and improvement in the yield realize.例文帳に追加

これにより、陰極からの電子の注入性を向上させることができるだけでなく、これまで絶縁性の材料を用いて形成された陰極バッファー層に比べて、膜厚を厚くすることができるので、膜厚制御が容易になり、製造コストの低減および歩留まりの向上を実現させることができる。 - 特許庁

To provide an electric insulating resin composition which forms an electric insulation layer that has a superior flexibility and board adhesion as well as high thermal resistance and moisture resistance, and endures high temperature treatment at soldering, and is used stably for a long period under a severe environment of high temperature and vibration of automobiles.例文帳に追加

優れた柔軟性、基板密着性を有するとともに、高い耐熱性、耐湿性を併せ持ち、ハンダ付け時の高熱処理にも耐え、自動車の高温と振動の過酷な環境下においても長期間にわたって安定使用が可能な電気絶縁層を形成することができる電気絶縁性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor device has: insulation layers 107 and 108 embedding separation grooves for partially separating a waveguide path in an optical resonator formed by a pair of reflecting mirrors, namely a distributed reflection type multilayer film mirror 104 and a dielectric multilayer film mirror 11; and a quantum well active layer 105.例文帳に追加

面発光型半導体装置は、分布反射型多層膜ミラー（１０４）と誘電体多層膜ミラー（１１）とからなる一対の反射鏡で構成される光共振器の導波路の一部が分離溝で分離され、分離溝を埋め込むシリコン系の絶縁層（１０７，１０８）と、量子井戸活性層（１０５）とを有する。 - 特許庁

To provide a flat type electrochemical cell for a lithium ion battery or the like in which the deterioration of an insulation property of a packing material caused by a thin thickness of a thermal adhesive resin layer at heat sealing can be prevented irrespective of a lamination composition of the packing material, and durability and safety are excellent while securing airtightness even if it is used for a long time.例文帳に追加

包装材の積層構成に関係なく、ヒートシール時の熱接着性樹脂層の肉薄による包装材の絶縁性低下を防止し、長期間の使用においても密封性が確保される耐久性、安全性の高いリチウムイオン電池等の扁平型電気化学セルを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 in contact with a silicon substrate 1 for forming a Schottky junction, a drain region 11, and an insulation layer provided to coat an area where a border between the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and an area where a border between the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

On the surface of a resin film, a film of a magnetic body or an insulating material mixed or not mixed with a magnetic body is provided, and a multilayer film formed by laying a plurality of the insulation films or a sheet of single layer film is punched or etched into the shape of motor core.例文帳に追加

樹脂フィルムの表面に、磁性体又は磁性体を混入した絶縁材又は磁性体を混入しない絶縁材の膜を設け、その絶縁フィルムを複数枚積層した積層フィルム又は一枚の単層フィルムを、打ち抜き又はエッチングによってモーター用コアの形状に成形したものである。 - 特許庁

In a hole penetrating semiconductor substrates and insulating films 31 of semiconductor chips 11 and 12, a substantially cylindrical metal plug 22 extending in the thickness direction of the semiconductor chips 11 and 12 is arranged, and a cylindrical insulation layer 23 of organic resin is arranged on the outer circumference of the metal plug 22 thus constituting a through electrode structure.例文帳に追加

半導体チップ１１，１２の半導体基板および絶縁膜３１を貫通する孔内に、半導体チップ１１，１２の厚み方向に延在する略円筒形の金属プラグ２２と、この金属プラグ２２の外周に配置されて有機樹脂からなる筒状の絶縁層２３とを配置して、貫通電極構造を構成する。 - 特許庁

By using a container which surrounds the cylindrical metallic coil 1, forms no electrically secondary circuit and has a heat insulation layer to introduce the atmospheric adjusting gas and a heater for temperature compensation, even the cylindrical metallic coil with the differential temperature can be uniformly heated in a short time while adjusting the atmosphere.例文帳に追加

このとき、円筒状金属コイル１を囲む電気的に二次回路を形成しない、雰囲気調整ガスを導入できる断熱層と温度補償用ヒーターを設けた容器を用いることにより、温度偏差のついた円筒状金属コイルでも、雰囲気調整しながら短時間で温度を均一化した昇温ができる。 - 特許庁

The method for producing the printed wiring board comprises applying a resin composition consisting essentially of an epoxy resin having a biphenyl structure and a novolak structure, a particulate substance of acrylonitrile-butadiene copolymer, a phosphorus-containing phenol resin and a thermosetting agent and an inorganic filler to a glass nonwoven fabric, drying the coated nonwoven fabric and forming an insulation resin layer of the multilayer printed wiring board by using the resultant adhesive sheet.例文帳に追加

ビフェニル構造及びノボラック構造を有したエポキシ樹脂とアクリロニトリルブタジエン共重合物の粒子状物とリン含有フェノール樹脂と熱硬化剤と無機フィラーを必須成分とした樹脂組成物をガラス不織布に塗布、乾燥した接着シートを用いて、多層プリント配線板の絶縁樹脂層を形成する。 - 特許庁

For this protective insulation layer 3, the admixture of protection ink is used including, as the essential elements, the polyester resin of 100pts.wt., organic inflammable agent including nitrogen such as melamine cyanurate of 30 to 150pts.wt., inflammable assistant agent of red phosphorus and/or titanium oxide coated red phosphorus of 1 to 10pts.wt., and hydroxy zinc stannic acid of 0 to 10pts.wt.例文帳に追加

この保護絶縁層３には、ポリエステル樹脂１００重量部と、メラミンシアヌレートなどの窒素含有有機難燃剤３０〜１５０重量部と、赤リンおよび／または酸化チタンコーティング赤リンの難燃助剤１〜１０重量部、ヒドロキシスズ酸亜鉛０〜１０重量部を必須成分とする保護インク混和物を使用する。 - 特許庁

The superconductive cable core 10 having a superconductive conductor 12 and an insulating layer 13 covering the outer circumference of the superconductive conductor 12 is classified, in the longitudinal direction, into a cable portion 10k and a connection structure forming portion 10c which is located at both ends of the cable portion 10k and in which a reinforced insulation structure is formed when connected to the other conductive member.例文帳に追加

超電導導体12と、超電導導体12の外周を覆う絶縁層13とを備える超電導ケーブルコア10を、長手方向にケーブル部10kと、ケーブル部10kの両端部に位置して、他の導電部材と接続したときに補強絶縁構造が形成される接続構造形成部10cとに区分する。 - 特許庁

This manufacturing method is executed by forming a photoresist 35 acting as a mask so that the tip part of the upper pole is exposed after the upper pole 34 is formed so as to cover the pole chip 28 and applying anisotropic etching, in which an insulation layer 29 filling up the surrounding of the pole chip constitutes an etching stopper, thereby retreating the tip face of the upper pole from the air bearing surface.例文帳に追加

ポールチップ２８を覆うように上部ポール３４を形成した後、マスクとして作用するフォトレジスト３５を、上部ポールの先端部分が露出するように形成し、ポールチップの周囲を埋める絶縁層２９をエッチングストッパとする異方性エッチングを施して、上部ポールの先端面をエアベアリング面から後退させる。 - 特許庁

An insulation wire 5 including a conductor 1 and an insulator layer 2 coating the conductor 1 is characterized in that the insulator layer 2 includes a polyethylene obtained by synthesis using a metallocene catalyst, and an antioxidant having a chemical structure different from a hindered phenol structure, and the antioxidant is blended at a ratio of 0.01 or more to less than 1.5 parts by mass to 100 parts by mass of the polyethylene.例文帳に追加

導体１と、導体１を被覆する絶縁層２とを備える絶縁電線５であって、絶縁層２が、メタロセン触媒を用いて合成することによって得られたポリエチレンと、ヒンダードフェノール構造と異なる化学構造を有する酸化防止剤とを含み、酸化防止剤が、ポリエチレン１００質量部に対し０．０１質量部以上で且つ１．５質量部未満の割合で配合されていることを特徴とする絶縁電線５。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a conductive connecting material, having a laminating structure of a resin composition layer, including a resin element and a metal layer for attaining excellent electrical connection among connecting terminals opposed with each other and higher insulation reliability among neighboring terminals, and to provide a method of connecting terminals using a conductive connecting material manufactured by this method, and a method of forming connecting terminals.例文帳に追加

本発明の目的は、対向する接続端子間において良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることを可能にする、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、金属層の積層構造を有する導電接続材料の製造方法、並びに該製造方法で作製された導電接続材料を用い端子間の接続方法、接続端子の形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a dielectric porcelain composition, which is used as a dielectric layer of a layered ceramic capacitor, comprising minute dielectric particles, having good electric characteristics and temperature characteristics even if a capacitor is thin-layered, low in poor insulation rate, excellent in high temperature load life, and high in reliability, and electronic parts such as a layered ceramic capacitor having such dielectric porcelain composition as its dielectric layer.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用される誘電体磁器組成物において、微細な誘電体粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有し、絶縁不良率が低く、高温負荷寿命に優れ、信頼性の高い誘電体磁器組成物、およびこのような誘電体磁器組成物を誘電体層として有する積層セラミックコンデンサ等の電子部品を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor film with large crystalline size is obtained by the method for fabricating the thin film transistor comprising applying layer beam to an island like noncrystalline semiconductor film on a insulation film, scanning the region irradiated with the laser beam to crystallize the island like noncrystalline semiconductor film, and forming an active layer including a source region, a drain region and a channel forming region.例文帳に追加

絶縁表面上の島状の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記島状の非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた島状の半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

The field emission type electron source comprises a lower electrode, a multiple tunnel conductive layer including conductive fine particles and inter-particle insulation bodies intercalated between the conductive fine particles, and a surface electrode formed on the multiple tunnel conductive layer, and emits electron by the voltage impressed between the surface electrode as a positive electrode and the lower electrode.例文帳に追加

下部電極、前記下部電極上に形成され、導電性微粒子とこれら導電性微粒子間に介在する粒子間絶縁体とを含む多重トンネル伝導層、及び前記多重トンネル伝導層上に形成された表面電極を備え、前記表面電極を正極として前記表面電極及び前記下部電極間に電圧を印加することにより前記表面電極から電子を放射する電界放射型電子源。 - 特許庁

The function element is characterized by having a flattening insulation layer arranged at longitudinal ends of the stripes of the first electrode for flattening the ends by filling the spaces between the stripes, and by insulating the function layer from the first electrode at the longitudinal ends.例文帳に追加

基板上に複数のストライプ電極が並列した第１電極と、該第１電極と対向して配置された第２電極、および前記両電極間に機能層を挟持してなる機能素子であって、前記第１電極のストライプの長手方向の端部に配置され、前記ストライプ間の間隙を充填して該端部を平坦化する平坦化絶縁層を有し、前記長手方向の端部において前記機能層が前記第１電極に対して絶縁されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for producing a thin film transistor element sheet in which a plurality of thin film transistors each having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on a support are connected through a gate bus line and a source bus line, the drain electrode is connected with a pixel electrode and a step for forming the pixel electrode of a fluid electrode material is included.例文帳に追加

支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが、ゲートバスラインおよびソースバスラインを介して、複数個、連結された薄膜トランジスタ素子シートの製造方法において、該ドレイン電極に画素電極が連結され、且つ、該画素電極が流動性電極材料から形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ素子シートの製造方法。 - 特許庁

The polishing solution is used for the chemical mechanical polishing of the barrier layer and the interlaminar insulation film of a semiconductor integrated circuit, wherein its polishing composition includes abrasive grains, at least one of surfactants, and water, and at least one of the surfactants is a compound containing two or more tertiary amino groups and one lipophile part.例文帳に追加

半導体集積回路のバリア層と層間絶縁膜との化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、 研磨粒子、少なくとも１種の界面活性剤、水を含む研磨用組成物であって、該界面活性剤の少なくとも一つが、２つ以上の３級アミノ基と１つの親油部を含む化合物である研磨用組成物。 - 特許庁

The through-holes 5 are filled with a conductive paste or a conductive ink to form conductor sections 6, and after grooves 7 needed for forming required wiring patterns are formed in the conductor layer 1, grooves 8 are formed utilizing the grooves 7 in the insulation base 2 by laser beam machining, plasma etching or wet etching.例文帳に追加

この導通用孔５に導電ペ−スト又は導電インキを充填して導通部６を形成し、次に一方の導体層１に所要の配線パタ−ンを形成する為に必要な溝７を形成した後、この溝７を利用してレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に溝８を形成する。 - 特許庁

For forming a chemical image sensor cell using an optical address potential response sensor, a sensor signal electrode terminal part is provided at a part of the surface of the semiconductor layer and moreover, an electrode material film for a reference electrode and counter pole is formed flat, on the same surface of the sensor part via an insulation film and enclosing the sensor part.例文帳に追加

光アドレス電位応答センサを用いて、化学イメージセンサセルを構成するのに、上記半導体層の表面上の一部にセンサ信号電極端子部を設け、さらに上記センサ部の同一面上に絶縁膜を介し且つセンサ部を囲むように参照電極用及び対極用の電極材料膜を平面的に形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a memory cell including a first transistor 160, a second transistor 162, and an insulation layer 128 provided between a source region or a drain region 120 of the first transistor 160 and a channel formation region 144 of the second transistor 162.例文帳に追加

第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、第１のトランジスタ１６０のソース領域またはドレイン領域１２０と、第２のトランジスタ１６２のチャネル形成領域１４４との間に設けられた絶縁層１２８と、を含むメモリセルを有し、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor nano-wire 1 having a first region 7 provided with pn junction or pin junction, and a second region 8 provided with a field effect transistor structure; a pair of electrodes (2, 3) to be connected to both ends of the semiconductor nanowire 1; and a gate electrode 4 provided on at least one part of the second region via an insulation layer 5.例文帳に追加

ＰＮ接合またはＰＩＮ接合を備える第１の領域７と、電界効果型トランジスタ構造を備える第２の領域８とを有する半導体ナノワイヤ１と、半導体ナノワイヤ１の両端に接続される一対の電極（２，３）と、第２の領域の少なくとも一部に絶縁層５を介して設けられているゲート電極４とを備えている。 - 特許庁

A roof panel 100 includes a surface member 102, a back surface member 104 provided facing the surface member 102, a heat insulation layer 108 provided between the surface member 102 and the back surface member 104, and a soft polyvinyl chloride sheet 122 bonded to a surface on the opposite side of the surface facing the back surface member 104 of the surface member 102.例文帳に追加

屋根パネル１００は、表面材１０２と、表面材１０２と対向して設けられる裏面材１０４と、表面材１０２と裏面材１０４との間に設けられる断熱層１０８と、表面材１０２の、裏面材１０４と対向する面と反対側の面に接着される軟質ポリ塩化ビニルシート１２２とを備える。 - 特許庁

To provide an expandable nucleating agent for foamed insulation materials not increasing dielectric characteristics, particularly dielectric characteristics in high frequency band (≥1 GHz) at relatively low cost and to provide a high-frequency coaxial cable having a foamed insulator layer with high expansion degree and having little attenuation in a high frequency band by using the expandable nucleating agent.例文帳に追加

高周波帯域（１ＧＨｚ以上）での誘電特性、特に誘電正接を増大させることがないと共に、比較的低コストの発泡絶縁材料用の発泡核剤を提供すること、また、それを用いて高発泡度の発泡絶縁体層を有すると共に、高周波帯域での減衰量が少ない高周波同軸ケーブルを提供することにある。 - 特許庁

METHOD OF LINING UP TWO- OR THREE-LAYER STRUCTURE OF CURRENT PASSING BODIES VERTICALLY IN PROPER POSITIONS WITHIN CONTAINER IN PROPER SHAPE AND SIZE, AND HOT-SETTING FLAME-RETARDANT, HEAT-RESISTANT, AND INSULATION- RESISTANT THERMOSETTING RESIN OR MIXTURE THEREOF AND FILLER例文帳に追加

二層あるいは三層構造の通電体を適切な形状・大きさの容器（型）内の適正な位置に垂直に整列させ、難燃・耐熱・耐絶縁熱硬化性樹脂、あるいは難燃・耐熱・耐絶縁熱硬化性樹脂とフィラー（ＳｉＯ２、ＡｌＯ２、ＺｒＯ２等）を適正比率に配合した混合体を、容器（型）内に流し込み、加熱硬化等させる方法による電子用基板の製造方法 - 特許庁

Rectangular projections 7 and spaces in which the rectangular projection 7 is not arranged (air heat insulation layer) exist between the joining part (joining surface 11) of the cast iron housing 5 and the joining part (opposite surface 12) of the aluminum housing 6 by providing the rectangular projections 7 projecting to the joining surface side of the cast iron housing 5 on the opposite surface 12 of the aluminum housing 6.例文帳に追加

アルミハウジング６の対向面１２に、鋳鉄ハウジング５の結合面側に突き出した矩形状突起７を設けることで、鋳鉄ハウジング５の結合部（結合面１１）とアルミハウジング６の結合部（対向面１２）との間に、矩形状突起７およびこの矩形状突起７が配置されていない空間（空気断熱層）が介在している。 - 特許庁

To provide a solder resist which enables to have both adequate sensitivity during exposure and alkali developability, is excellent in dimensional stability against temperature change, does not exhibit brittleness, and enables to obtain a cured product which is excellent in water resistance, electrical insulation, temperature cycle resistance (TCT resistance) and the like, a dry film having a solder resist layer, a cured product and a printed wiring board.例文帳に追加

露光時の感度とアルカリ現像性を両立させることができ、温度変化による寸法安定性にも優れつつも脆さが発現せず、さらには、耐水性、電気絶縁性、冷熱サイクル耐性（耐ＴＣＴ）等に優れた硬化物を与えるソルダーレジスト、ソルダーレジスト層を備えたドライフィルム、硬化物ならびにプリント配線板を提供する。 - 特許庁

After the polycrystalline silicon layer 5 is formed via an insulation film 3 on one surface of a semiconductor substrate 1, a first oxide film 6, which does not comprise an impurity element adjusting the diffusion of an impurity element, is formed and then a second oxide film 7 comprising an impurity element is formed.例文帳に追加

半導体基板１の一方の表面上に絶縁膜３を介して多結晶シリコン層５を形成した後、不純物元素の拡散を調整する不純物元素を含まない第１の酸化膜６を形成し、次いで、不純物元素を含む第２の酸化膜７を形成したことを特徴とする多結晶シリコン抵抗５１の製造方法。 - 特許庁

A pair of plate-like glasses 1 and 2, conductive films 4 and 6 arranged between the pair of glasses and for heating one of the pair of the glasses and a heat insulation layer 5 arranged between the pair of glasses and for thermally insulating the conductive films 4 and 6 from one of the glasses which is not heated by the conductive films 4 and 6 are arranged.例文帳に追加

一対の板状のガラス１、２と、一対のガラスの間に配置され、通電により発熱して一対のガラスのいずれかを加熱する導電膜４、６と、一対のガラスの間に配置され、導電膜４、６と一対のガラスのうち導電膜４、６にて加熱しない方のガラスとを熱的に遮断する断熱層５とを設ける。 - 特許庁

A surface of a metal is coated with a solution of the thiophene derivative to form a coating film, thereafter a solvent is evaporated from the coating film to generate a structure film having a two-dimensional crystalline arrangement by self-alignment action of the thiophene derivative, and thereby the film has an insulation property and can be used as a base layer of a molecule element or a gate insulating film.例文帳に追加

金属の表面にチオフェン誘導体の溶液を被着させ、塗膜を形成した後、塗膜から溶媒を蒸発させ、チオフェン誘導体の自己整列作用によって二次元結晶性配列を有する構造膜を生成させることにより、該膜は絶縁性であり、分子素子の下地層やゲート絶縁膜として用いることができる。 - 特許庁