「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The sound insulation layer 20 is composed of a curtain-like sound insulation sheet having flexibility, and in a state in which it is attached to the working vehicle 1, its upper end is fixed to the periphery of the revolving part 5.例文帳に追加

遮音層２０は、可撓性を有する幕状の遮音シートから構成され、作業用車両１に取付けられた状態で上端が旋回部５の周囲に固定される。 - 特許庁

A capacitor is formed on the insulation layers so as to be electrically connected to the node contact, and an intermediate contact is formed on the second insulation layer so as to be electrically connected to the lower contact.例文帳に追加

キャパシタをノードコンタクトと電気的に接続されるよう絶縁層の上に形成し、中間コンタクトを下部コンタクトと電気的に接続されるよう第二の絶縁層上に形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 12 is formed on a substrate plane 10a of a semiconductor substrate 10 in such a manner as to cover lower layer interconnections 11, and interconnection trenches 13 are formed in the interlayer insulation film 12.例文帳に追加

半導体基板１０の基板面１０ａ上に、下層配線１１を覆って層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２に配線溝１３を形成する。 - 特許庁

The metal material for electrical/electronic components is provided, in which a multilayer insulation coating layer 2 having two or more layers is provided at least on a location necessitating insulation on a metal base 1 and which has dielectric strength.例文帳に追加

金属基材１上の少なくとも絶縁を要する箇所に２層以上の多層絶縁コーティング層２が設けられ、絶縁耐圧性を有する電気電子部品用金属材料。 - 特許庁

To slip premolded insulation 11 over an insulating layer 3 comprising a CV cable 1 easily without damaging the inner surface of the premolded insulation 11.例文帳に追加

ＣＶケーブル１を構成する絶縁層３にプレモールド絶縁体１１を外嵌する作業を、このプレモールド絶縁体１１の内周面を傷付ける事なく容易に行なえる様にする。 - 特許庁

On the surface of the interconnection layer 14 in a laminated board structure, fine unevenness is formed to obtain the adhesion strength when pasting the other insulation substrate 19a to an insulation substrate 10.例文帳に追加

積層基板構造内の配線層１４の表面に、絶縁基板１０に他の絶縁基板１９ａを貼り合わせるときの密着強度を確保する微細凹凸が形成されている。 - 特許庁

Thermal insulation is improved by forming a recessed section in the protective cover to form an air layer or by providing a material having high thermal insulation in the recessed section, in protecting the motor from high temperature or local heat.例文帳に追加

高温あるいは局所的な熱から保護する際には、保護カバーに凹部を設け、空気層とするか、断熱性の高い物質を前記凹部に設けることで、断熱性を向上させる。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 10, a BPSG film as an interlayer insulation film 18 is so formed as to cover a field insulation film 12, gate electrode layers 16a, 16b, and an interconnection layer 16c.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にフィールド絶縁膜１２、ゲート電極層１６ａ，１６ｂ、配線層１６ｃを覆って層間絶縁膜１８としてのＢＰＳＧ膜を形成する。 - 特許庁

Also, the first insulation film 3b is formed in one side surface of the active region 3a, and is formed from the surface of the SOI layer 3 to a buried insulation film 2 across.例文帳に追加

また、第一の絶縁膜３ｂは、活性領域３ａの一方の側面に形成されており、かつ、ＳＯＩ層３の表面から埋め込み絶縁膜２にかけて形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring board with high insulation reliability between a conductive substrate and via in a wiring board having vias on the conductive substrate through an insulation layer.例文帳に追加

導電性基板に絶縁層を介してビアが設けられた配線基板において、導電性基板とビアとの絶縁信頼性が高い配線基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A thickness Ti of the insulation rubber layer is 0.1 to 1.0 mm, a tangent loss (tan δ) is 0.05 to 0.50, and an insulation height Hit is 0.4 to 1.0 times the folded height HP1.例文帳に追加

インシュレーションゴム層１１の、厚さＴｉは０．１〜１．０ｍｍ、正接損失（tanδ）は０．０５〜０．５０、インシュレーション高さＨｉｔは折返し高さＨＰ１の０．４〜１．０倍である。 - 特許庁

In addition, a heater 111 and a temperature measuring resistor 112 are provided in the inside of the insulation substrate, and is provided directly under the humidity sensitive layer in the inside of the insulation substrate.例文帳に追加

また、絶縁基板の内部には、ヒータ１１１及び測温抵抗体１１２が配設され、これらが絶縁基板の内部において感湿層の直下に配設されていることが好ましい。 - 特許庁

From among insulation layers covering external peripheral faces of the strands, the insulation layer exposed to the external peripheral face of the insertion connecting part 12 is peeled off and removed by an organic solvent 18.例文帳に追加

これら各素線の外周面を覆った絶縁層のうち、上記挿入接続部１２の外周面に露出している絶縁層を、有機溶剤１８により剥離、除去する。 - 特許庁

A method for manufacturing the heat shield sound insulation plate comprises the steps of disposing a phenol resin having excellent heat insulation at a central core, and disposing a mirror surface aluminum plate at a heat source side and an aluminum nonwoven fabric at its opposite side to complicate to them to a three-layer structure.例文帳に追加

断熱性に優れたフェノール樹脂を中芯に配し、熱源側には鏡面アルミ板を、その反対側にはアルミ不織布を配する三層構造による複合化。 - 特許庁

The depth distribution of the upper insulation film 14 is made to be uniform and the depth distribution of the lower insulation film 12 is made not to be uniform, and a thick portion along a predetermined passage is formed on the silicon layer 13.例文帳に追加

上層絶縁膜１４の深さ分布を均一とし、下層絶縁膜１２の深さ分布を不均一とし、シリコン層１３に、所定の経路に沿った肉厚部を形成する。 - 特許庁

At least one electric charge storage layer 6 in which an electric charge supplied from the semiconductor substrate 1 through the tunnel insulation film 5 is stored is provided on the tunnel insulation film 5.例文帳に追加

トンネル絶縁膜５を介して半導体基板１から供給される電荷が蓄えられる電荷蓄積層６は、トンネル絶縁膜５上に少なくとも１つ設けられている。 - 特許庁

The first wiring 10 and the second wiring 20a are formed in a layer while sandwiching an insulation film 12, and the resistor 14 is formed in a via hole 13 formed in the insulation film 12.例文帳に追加

第１の配線１０と第２の配線２０ａが絶縁膜１２を挟んで層状に形成され、絶縁膜１２に形成されたバイアホール１３内に抵抗１４が形成されている。 - 特許庁

To combine heat insulation, noncombustibility and moisture preventive performance by a single layer material in an outside heat-insulating board mainly in the outside heat insulation of a wooden building while manufacturing excellent products even on the execution of works.例文帳に追加

主に木造建築物の外断熱に於ける、外断熱ボードを単一層材で、断熱、不燃、防湿性能を合わせ持つと共に、施工上からも優れた製品を作る。 - 特許庁

In the case of a liquid crystal display device, the gate insulation film of a TFT driven on a low voltage (3.3 V or 5 V) is constituted of one layer of an insulation film 113 and is turned to the thickness of 30 nm for instance.例文帳に追加

液晶表示装置の場合、低電圧（３．３Ｖ又は５Ｖ）で駆動するＴＦＴのゲート絶縁膜を１層の絶縁膜１１３で構成し、例えば３０ｎｍの厚さとする。 - 特許庁

A thin film transistor, of which the part of its gate insulation and protective insulation layers adjacent to a semiconductor layer is constructed with silicon oxide SiOx of ≥1.7 compositional ratio x, is used for a switching element.例文帳に追加

ゲート絶縁層及び保護性絶縁層の半導体層との隣接部分を組成比ｘが１.７ 以上の酸化シリコンで構成した薄膜トランジスタをスイッチング素子に用いる。 - 特許庁

To provide a fluid transportation flexible pipe which can perform the heat insulation of internal crude oil or the like, and has a high-strength heat insulation layer usable even at the internal peripheral side of the flexible pipe.例文帳に追加

内部の原油等の断熱を行うことが可能であるとともに、可撓管の内周側でも使用可能な高強度の断熱層を有する流体輸送用可撓管等を提供する。 - 特許庁

To provide a meshlike shape memory alloy actuator capable of improving the resistance against wear of a surface of an insulation layer, sliding property, and actuator performance and enhancing insulation effect.例文帳に追加

絶縁層の表面の耐磨耗性、摺動性を向上させ、絶縁効果を高め、アクチュエータ性能を向上させることができるメッシュ状形状記憶合金アクチュエータを提供する。 - 特許庁

A fibrous heat insulation material 3 of a predetermined thickness is fixed to a back side of the bearing face plate 1, an air layer 5 is opened outside the fibrous heat insulation material 3, and an external wall member 4 is mounted thereon.例文帳に追加

そして、耐力面材１の裏面には、一定厚さの繊維断熱材３を固定し、繊維断熱材３の外側には、空気層部５をあけて外壁材４を取り付ける。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor which includes an organic gate insulation film and wherein impurities in the organic gate insulation film are prevented from entering a channel layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

有機系ゲート絶縁膜を有し、かつ有機系ゲート絶縁膜中の不純物のチャネル層への侵入が防止された薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A fourth insulation film 109 and a third insulation 108 film are polished and planarized, applying a CMP method so that the top of the plug 106 and the contact layer 106a is not exposed.例文帳に追加

プラグ１０６と密着層１０６ａの上面が露出しないように、第４の絶縁膜１０９および第３の絶縁膜１０８をＣＭＰ法により研磨して平坦化する。 - 特許庁

A substrate 13 of this radio tag is formed into a separated metal layer 15 by providing a spacer 14 and a metal layer on a reverse side face of an antenna 12, and by providing an insulation area 16 in the central part of the metal layer.例文帳に追加

無線タグの基板１３において、アンテナ１２とは逆側の面にスペーサ１４および金属層を設け、この金属層の中央部に絶縁領域１６を設けて分離金属層１５とする。 - 特許庁

To provide a wiring structure or the like capable of surely connecting a body to be wired and a wiring layer while maintaining an insulation between the wiring layer and an adjacent wiring layer and capable of achieving a high-density mounting by narrowing pitches.例文帳に追加

隣接する配線層間の絶縁を維持しつつ被配線体と配線層とを確実に接続することができ、狭ピッチ化による高密度実装を実現できる配線構造等を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition which enhances the polishing rate of a metal film and is superior in prevention effects such as dishing, or the like of a metal siring layer, in a polishing surface having an insulation layer and metal layer.例文帳に追加

絶縁層と金属層を有する被研磨表面において、金属膜の研磨速度を向上させ、且つ金属配線層のディッシング等の防止効果に優れた研磨液組成物を提供すること。 - 特許庁

This insulation sheet 1 used for waterproof work is a laminate made of an upper adhesive film layer 11, a fiber layer 12 and a lower adhesive film layer 13 laminated integrally in the order from the top to the bottom.例文帳に追加

防水施工用絶縁シート１は、上面側から順に、上フィルム状接着剤層１１、繊維層１２、下フィルム状接着剤層１３が積層一体化されてなることを特徴とする。 - 特許庁

A movable electrode layer 13 and a fixed electrode layer 21 are formed on the opposite faces of the valve element part 11 and the valve seat 2, and an insulation layer 3 is formed on the surface of at least one these layers.例文帳に追加

弁体部１１と弁座２の対向面には、可動電極層１３と固定電極層２１が形成され、それらの少なくとも一方の表面には、絶縁層３が形成されている。 - 特許庁

Then, after the resist film 12 is removed and an insulation layer 20 for covering the interconnection layer 18 is formed, the metal thin plate 10 is removed to expose the bump 18c and the interconnection layer 18.例文帳に追加

さらに、レジスト膜１２を除去し、配線層１８を覆う絶縁層２０を形成した後に、金属薄板１０を除去することによりバンプ１８ｃ及び配線層１８を露出させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes: the channel protection layer 15 provided on a semiconductor layer 14 of a thin-film transistor TFT; and a carbon insulation film 16 provided between the source and drain electrodes 18 and an impurity semiconductor layer 17.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１４上に設けられるチャネル保護層１５と、ソース、ドレイン電極１８及び不純物半導体層１７との間に、カーボン絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

A copper wiring layer 114 becoming the uppermost layer of a seal ring 110 is formed in an interlayer insulation film 109 on a silicon substrate 101, and an aluminum wiring layer 141 covering its upper surface is formed.例文帳に追加

シリコン基板１０１上の層間絶縁膜１０９に、シールリング１１０の最上層となる銅の配線層１１４を形成し、その上面を覆うアルミ配線層１４１を形成する。 - 特許庁

Hence, in an organic EL element 102 having the fault, the transparent electrode 120 is separated from the organic layer 150 and a metal layer 160 through the insulation layer 140, thereby preventing short-circuit therebetween.例文帳に追加

これにより不良のある有機ＥＬ素子１０２では、透明電極１２０と有機層１５０および金属電極１６０とは絶縁層１４０により隔離され、これらの短絡が防止される。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 provides an insulation layer comprising SiO2 or the like of a single layer, forming a trench 50 (first recess part) making the recess part on a base layer 100 comprising Si or the like.例文帳に追加

本発明による半導体基板１は、Ｓｉ等から成る基層１００上に、凹部を成すトレンチ５０（第１の凹部）が形成された単層のＳｉＯ_2等から成る絶縁層１０１が設けられたものである。 - 特許庁

In a semiconductor substrate provided with a semiconductor layer 3 which is provided on the upper side with an insulation layer 2 interposed, a mark 4 is formed in an area other than the surface area of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

支持基板１の上方に絶縁層２を介して設けられた半導体層３を有する半導体基板において、半導体層３の表面領域以外の領域に、マーク４を形成する。 - 特許庁

An active brazing material layer 250 is thereby able to be provided on the surfaces of the electrode pad parts 118, 119, 232, and on the surface of the insulation layer 51 in its periphery and the second base layer 123.例文帳に追加

よって、活性ロウ材層２５０を、電極パッド部１１８，１１９および２３２の表面と、その周辺の絶縁層５１の表面及び第２基層１２３の表面とに設けることができる。 - 特許庁

A contact hole is opened in an insulation layer 9 on the N^+-type diffusion layer 6, and a cathode electrode 10 electrically connected with the N^+-type diffusion layer 6 is formed through this contact hole.例文帳に追加

Ｎ＋型の拡散層６上の絶縁膜９にはコンタクトホールが開口され、このコンタクトホールを通して、Ｎ＋型の拡散層６と電気的に接続されたカソード電極１０が形成されている。 - 特許庁

An organic EL layer 24 is formed on the whole surface and a part corresponding to the insulation groove 23 of the transparent conductive layer 22 and a metal electrode 25 like a mirror surface is formed on the organic EL layer 24.例文帳に追加

透明導電層２２の全面及び絶縁溝２３と対応する部分上に有機ＥＬ層２４が形成され、有機ＥＬ層２４上に鏡面状の金属電極２５が形成されている。 - 特許庁

A difference between "the insulation layer thickness D1" and "the electrode thickness D2" is larger than a film thickness of each of a hole transport layer 41 and a light-emitting layer 42 formed on the pixel electrodes 36.例文帳に追加

そして、「絶縁層厚さＤ１」から「電極厚さＤ２」を引いた差分が、画素電極３６上に形成する正孔輸送層４１及び発光層４２の各々の膜厚よりも大きくなるようにした。 - 特許庁

The core 10 in this line includes a former 11 as a circulation passage of the refrigerant, a superconducting conductor layer 12 arranged outside the former 11, and an electric insulation layer 13 arranged outside the conductor layer 12.例文帳に追加

この線路において、前記コア10は、冷媒の循環流路となるフォーマ11と、フォーマ11の外側に設けられる超電導導体層12と、この導体層12の外側に設けられる絶縁層13とを備える。 - 特許庁

Use of the drill prevents the through-hole from tapering and makes uniform the thickness of an outer layer resin filler 42 forming an insulation layer between the outer and inner layer through-holes 62, 63.例文帳に追加

ドリルを用いることで、スルーホールがテーパ状になるのを防止し、外層スルーホール６２と内層スルーホール３６との間の絶縁層を形成する外層樹脂充填剤４２の厚みを均一にする。 - 特許庁

An insulation layer on a Si substrate and an SiGe layer on another semiconductor substrate are bonded, by using a semiconductor lamination technique, and the semiconductor substrate on the SiGe layer side is removed by polishing, or the like.例文帳に追加

Ｓｉ基板上の絶縁層と、別の半導体基板上のＳｉＧｅ層とを、半導体張り合わせ技術を用いて接合し、ＳｉＧｅ層側の半導体基板を研磨等により除去する。 - 特許庁

A plurality of wiring layers is laminated that are composed of an interlayer insulation film 405 and interconnect 407 made of copper, a solder resist layer 408 is formed at an uppermost layer, and a multi-layer wiring structure is constituted.例文帳に追加

層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成し、多層配線構造体を構成する。 - 特許庁

The thin film transistor includes: a gate electrode and the channel layer which are formed sandwiching a gate insulation layer; and a source electrode and a drain electrode which make contact with the both ends of the channel layer respectively.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層を挟んで形成されたゲート電極及びこのチャンネル層と、このチャンネル層の両端にそれぞれ接触するソース電極及びドレイン電極と、を備える。 - 特許庁