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「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索
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layer-insulationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5895



例文

A three-level system is formed on a semiconductor substrate via an insulation film by using a bonded quantized dot and an EIT layer.例文帳に追加

結合量子ドットやEIT層を用いて3準位系を半導体基板上に絶縁膜を介して形成する。 - 特許庁

To provide a cable structure enabling highly reliable conductive connection by preventing a gap between a reinforcing plate and an insulation layer.例文帳に追加

補強板と絶縁層とのずれを防止し、信頼性の高い導通接続を可能にするケーブル構造を提供する。 - 特許庁

A plurality of partition walls 10 are provided parallel to the data electrodes 9 between the data electrodes 9 on the insulation layer 8.例文帳に追加

また、データ電極9間の絶縁体層8の上にデータ電極9と平行に複数の隔壁10を設ける。 - 特許庁

No electrode members other than the inner electrode and outer electrode are not adjacent to both the sides sandwiching the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層を挟んだ両側には、それぞれ内側電極及び外側電極以外の電極部材が隣接していない。 - 特許庁

例文

The chip is coated with an ion nonpermeable insulation film 125 to restrain a cation from being intruded through an oxidation film layer.例文帳に追加

また、酸化膜層を通じての陽イオンの侵入を抑制するために、イオン非透過性絶縁膜125によりチップを覆う。 - 特許庁


例文

A silicon nitride film 5 and a layer insulation film 6 are deposited on a Cu wiring 3 formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1上に形成した銅配線3上に窒化シリコン膜5及び層間絶縁膜6を堆積する。 - 特許庁

Cathode electrodes 202, an insulation layer 401 and gate electrodes 201 are formed on a back substrate 101 by screen printing.例文帳に追加

背面基板101上にスクリーン印刷でカソード電極202、絶縁層401、ゲート電極201を形成する。 - 特許庁

An SiO2 insulation film 7 and a p-side electrode 8 are laminated on the cap layer 6.例文帳に追加

p−GaAsキャップ層6の上には、SiO2 からなる絶縁膜7とp側電極8とが順に積層されている。 - 特許庁

To improve mechanical reliability by reducing the stress concentration at the interface between a semiconductor layer and an insulation film.例文帳に追加

半導体層と絶縁膜との間の応力集中を緩和することで機械的信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

例文

To provide a ceramic substrate capable of guaranteeing high electric insulation even when a ceramic layer has thickness of10 μm.例文帳に追加

セラミック層の厚みが10μm以下の場合においても、高い電気絶縁性を保証し得るセラミック基板を提供する。 - 特許庁

例文

A second MIM capacitor includes the intermediate metal film 5, the upper layer insulation film 7 and the overlaying metal film 8.例文帳に追加

中間金属膜5、上層絶縁膜7、及び上地金属膜8から第2のMIMキャパシタが構成される。 - 特許庁

Then, a block insulation layer 22 is formed on the exposed surface in the penetration hole 20 at the electrode film WL.例文帳に追加

次に、電極膜WLにおける貫通ホール20内に露出した面上にブロック絶縁層22を形成する。 - 特許庁

To obtain a building capable of suppressing the upward spread of fire even when a heat insulation layer which insulates heat is melted.例文帳に追加

断熱を施す断熱層が溶けた場合にも上方への火のまわりを抑制できる建造物を得ることにある。 - 特許庁

The semiconductor device 15 is constituted by a semiconductor substrate 1, a tunnel insulation film 5, and an electric charge storage layer 6 or the like.例文帳に追加

半導体装置15を半導体基板1、トンネル絶縁膜5、および電荷蓄積層6などから構成する。 - 特許庁

The premolded insulation 11 is slipped over the insulating layer 3 from the end of the CV cable in this state.例文帳に追加

この状態で、上記プレモールド絶縁体11を上記絶縁層3に、上記CVケーブル1の端部から外嵌する。 - 特許庁

A nitride film 3 is interposed between a layer insulation film 2 formed on an element formation region 1 and the pad film 4.例文帳に追加

素子形成領域1上に形成された層間絶縁膜2とパッド膜4との間に、窒化膜3を介在させる。 - 特許庁

The inter-layer deviation prevention tool is made of a press board, and incorporated inside a bushing as it is after insulation oil is immersed therein.例文帳に追加

この層間ずれ防止具はプレスボードからなり、絶縁油を含浸させた後、そのままブッシング内部に組み込まれる。 - 特許庁

A drain terminal TD side of the semiconductor relay Tr is arranged opposite to a heat sink HS via an insulation layer IF.例文帳に追加

半導体リレーTrのドレイン端子TD側は、絶縁層IFを介してヒートシンクHSに対向配置されている。 - 特許庁

Passive parts 16, 18, 20 are formed in or on an insulation matter layer 14 arranged in the semiconductor board 10.例文帳に追加

受動部品16,18,20は半導体基板10に配置される絶縁物質層14に又は上に形成される。 - 特許庁

An underlaying metal film 2, a lower layer insulation film 4 and an intermediate metal film 5 are sequentially laminated on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1上に、下地金属膜2、下層絶縁膜4、及び中間金属膜5を順に積層する。 - 特許庁

The contact holes 6a are filled up with an insulation film 8b in a hole formed on the upper layer side of the pixel electrode 7a.例文帳に追加

コンタクトホール6aは、画素電極7aの上層側に形成されたホール内絶縁膜8bにより埋められている。 - 特許庁

A luminous transmission section is formed that penetrates the intermetallic insulation layer film and covers the inner lens in the photodiode region.例文帳に追加

フォトダイオード領域で、金属層間絶縁膜を貫通して、インナーレンズを覆うように光透過部が形成されている。 - 特許庁

The bipolar battery contains an insulating porous body at least at a part of an insulation layer fitted around a single battery.例文帳に追加

単電池の周囲に設けられる絶縁層の少なくとも一部に、絶縁性の多孔質体を含む、バイポーラ電池である。 - 特許庁

The insulation layer covers the substrate and the switching device, and has a hole that exposes a portion of a drain electrode of the switching device.例文帳に追加

絶縁層は、基板とスイッチング素子をカバーするが、スイッチング素子のドレイン電極を露出させるホールが形成される。 - 特許庁

The charge retention layer 50a is provided between the electrode 70a and the channel tunnel insulation film 40a and retains an electric charge.例文帳に追加

電荷保持層50aは、電極70aとチャネルトンネル絶縁膜40aとの間に設けられ、電荷を保持する。 - 特許庁

The lower electrode 11 is formed by a sputter film of Al-Nd alloy, and the tunnel insulation layer 12 is formed by its positive electrode oxide film.例文帳に追加

下部電極11はAl−Nd合金のスパッタ膜、トンネル絶縁層12はその陽極酸化膜で形成する。 - 特許庁

The first insulation resin layer is a resin-fitted metal foil, whose resin is provided with amide radical through surface modification.例文帳に追加

また、前記第1の絶縁樹脂層が、表面改質によりアミド基が得られる樹脂である樹脂付き金属箔である。 - 特許庁

A gas discharge laser has slender cathode and anode, and a porous insulation layer for covering an anode discharge surface.例文帳に追加

細長い陰極と細長い陽極とを有し、陽極放電面を覆う多孔性絶縁層を備えるガス放電レーザ。 - 特許庁

In heat insulation sheets 1, 2, sheets of surface layer paper 11, 21 are stuck to surfaces of heat insulating materials 10, 20 such as glass wool.例文帳に追加

保温シート1,2が、グラスウールなどの断熱材10,20の表面に表層紙11,21を貼着したものである。 - 特許庁

Each of first and second transparent insulation layers (30) is interposed between the first lamination layer and the second lamination body.例文帳に追加

第1及び第2積層体の各間には夫々、第1及び第2透明絶縁層(30)が挿入されている。 - 特許庁

The layer insulation film IL is buried fully in a region underlying the pad within the range of a specified distance d1.例文帳に追加

PAD下周辺の所定距離d1の範囲内はすべて層間絶縁膜ILで埋められた構成となっている。 - 特許庁

A thickener portion 3a which increases adhesion when temperature rises is formed at the insulation layer 3 wound around the outer periphery of a conductor 1.例文帳に追加

導体1の外周に巻回される絶縁層3には、昇温されると粘着性が増す増粘部3aを形成している。 - 特許庁

A display color of the coloring resin layer is also made different according to the length of the fixture for the heat insulation waterproof construction.例文帳に追加

さらには、着色樹脂層の表示色を、断熱防水施工用固定具の長さによって異なるものとする。 - 特許庁

The hybrid heat dissipation substrate 100 includes: a metal core layer 110 having a cavity 115 formed in the thickness direction from an outer surface; a resin core layer 130 formed in the cavity 115; an insulation layer 120 formed on outer surfaces of the metal core layer 110; and a circuit layer 140 including a first circuit pattern 141 formed on the insulation layer 120, and a second circuit pattern 142 formed on the resin core layer 130.例文帳に追加

本発明のハイブリッド型放熱基板100は、外面から厚さ方向に形成されたキャビティ115を有する金属コア層110と、キャビティ115に形成された樹脂コア層130と、金属コア層110の外面に形成された絶縁層120と、絶縁層120に形成された第1回路パターン141、および樹脂コア層130に形成された第2回路パターン142を含む回路層140とを含んでなる。 - 特許庁

In the multilayer printed wiring board comprising a plurality of metal foils and conductor layers laid alternately in layers, an interlayer contact via pad provided in a first insulation layer, a wiring circuit, and an interlayer contact via bottom pad of a second insulation layer are provided in the same surface layer and the thicknesses at least of the interlayer contact via pad and the second insulation layer interlayer contact via bottom pad are identical.例文帳に追加

複数の金属箔と導体層を交互に積層してなる多層プリント配線板であって、第一の絶縁層に設けられた層間接続ビアパッドと配線回路と第二の絶縁層の層間接続ビア底部パッドが同一表面層に設けられ、かつ少なくとも当該層間接続ビアパッドと第二の絶縁層層間接続ビア底部パッドの厚みが同じであることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

In this circuit formation method for etching an organic insulation material of a polyimide layer 2, a mixture liquid of abrasive such as alumina 8 and water is discharged to collide it against the organic insulation material and scrape the organic insulation material off in the etching.例文帳に追加

ポリイミド層2などの有機絶縁材料をエッチングする回路形成方法において、前記エッチングは、アルミナ8などの研磨剤と水との混合液を吐出し、前記有機絶縁材料に衝突させ、前記有機絶縁材料を削り取る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board which disperses with the process to remove an insulation film by preventing the formation of the insulation film at the bottom portion of a hole when the hole having the bottom portion is bored for interlayer conducting with the laser to the insulation resin layer.例文帳に追加

多層プリント配線板の製造において、絶縁樹脂層にレーザで層間導通部用の非貫通穴をあけるとき、非貫通穴底部に絶縁膜の形成を防止し、この絶縁膜を除去する処理が不要な方法を提供する。 - 特許庁

The memory has a plurality of memory cell transistors each comprising a gate insulation film 2 electrically conducting owing to a tunnel effect, a floating gate electrode 21 on the gate insulation film 2, an inter-electrode insulation film 11 formed on the floating gate electrode 21 having a positive charge layer at the layer side of the lower half of a film thickness, and a control gate electrode 24 on the insulation film 11.例文帳に追加

トンネル効果で電気伝導するゲート絶縁膜2と、このゲート絶縁膜2上の浮遊ゲート電極21と、この浮遊ゲート電極21上に配置され、膜厚の半分よりも下層側に正電荷層を有する電極間絶縁膜11と、この電極間絶縁膜11上の制御ゲート電極24とを備えるメモリセルトランジスタを複数個配置する。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises: a multilayer wiring layer 73; a semiconductor layer 64 that is provided on the multilayer wiring layer 73 and has a penetration trench; a first conductive layer 69 embedded inside the penetration trench; a first insulation film 32 formed on the periphery of the first conductive layer 69; and a first impurity diffusion layer 36 of a first conductive type formed on the periphery of the first insulation film 32.例文帳に追加

固体撮像装置は、多層配線層73と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層64と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第1導電層69と、前記第1導電層の周囲に形成された第1絶縁膜32と、前記第1絶縁膜の周囲に形成された第1導電型の第1不純物拡散層36とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a plurality of integrated photosensors arranged on the same substrate, each composed of at least a lower electrode layer 103, a semiconductor layer 105 and an upper electrode 107, comprises a step of forming an insulation film 108 on the surface of the electrode layer or the semiconductor layer and a step of scribing at least the electrode layer or the semiconductor layer, starting from the insulation film 108.例文帳に追加

少なくとも下部電極層103と、半導体層105と、上部電極層107とからなる光起電力素子を同一基板上に複数配列してなる集積型光起電力素子の製造方法において、電極層または半導体層の表面に絶縁膜108を形成する工程と、絶縁膜108側から少なくとも電極層または半導体層をスクライブする工程とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a layer insulation film 2 formed on the substrate 1, fuses 4 formed on or in the insulation film 2 and a wiring layer 3 which is formed in the insulation film 2, insulated from the fuses and made smaller than the width of the fuse.例文帳に追加

半導体基板1と、この半導体基板1上に形成された層間絶縁膜2と、この層間絶縁膜の上又は内部中に形成されたヒューズ4と、このヒューズ直下で、層間絶縁膜中に形成されてヒューズから絶縁され、ヒューズの幅よりも小さい配線層3とを有する半導体装置として構成される。 - 特許庁

The signalling transformer or the vehicle transformer has insulation wires with at least one layer of polyphenylene sulfide extrusion-coated as an insulating resin layer on insulating element wires on which resin capable of being soldered without peeling of resin films is insulation coated on conductors by enamel baking, and has the insulation wires as winding wires.例文帳に追加

樹脂皮膜の剥離なしにはんだ付け可能な樹脂を導体にエナメル焼付けにより絶縁被覆した絶縁素線上に、絶縁樹脂層としてポリフェニレンサルファイドを少なくとも1層押出し被覆した絶縁電線、およびその絶縁電線を巻線として有する信号用トランスまたは車載用トランス。 - 特許庁

A topside-planarized silicon oxide upper layer insulation film 18 is formed on the insulation film 17 to form a layer insulation film 19 on which a second aluminum alloy wiring pattern 20 is formed and electrically connected to upper plus 15b.例文帳に追加

下部層間絶縁膜17の上には、酸化シリコンからなり、その上面が平坦化された上部層間絶縁膜18が形成されて層間絶縁膜19を構成し、該層間絶縁膜19の上にはアルミニウム合金からなる第2の配線パターン20が上部プラグ15bと電気的に接続されるように形成されている。 - 特許庁

An insulation film 150 comprising SiO_2 is formed on a p-type layer 106 and a multiple thickness film positive electrode 120 as a metal film formed by evapolation of a metal is formed on the insulation film 150 and on the p-type layer 106 which is exposed by forming of a window at the almost center area of the insulation film 150.例文帳に追加

p型層106の上にはSiO_2から成る絶縁膜150が形成されており、その絶縁膜150の上及び絶縁膜150のぼぼ中央部に窓の開けられ露出したp型層106の上に、金属蒸着による金属膜である多重厚膜正電極120が形成さている。 - 特許庁

A first inter-layer insulation film 15 is formed on a semiconductor substrate formed with transistors; and lower electrodes 22 electrically connected to the transistors, capacitive insulation films 23, and upper electrodes 24 sequentially formed from the lower side form the capacitive element on the first inter-layer insulation film 15.例文帳に追加

トランジスタが形成された半導体基板の上に、第1の層間絶縁膜15が形成され、第1の層間絶縁膜15の上には、トランジスタと電気的に接続され、下から順次形成された下部電極22と、SBTNからなる容量絶縁膜23と、上部電極24とによって容量素子が形成されている。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加

通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

A circuit board 10 comprises an insulation substrate 1, a brazing material layer 2 provided on a top face of the insulation substrate 1, a metal plate 3 bonded with the top face of the insulation substrate 1 by the brazing material layer 2, on which an electronic component 20 is implemented, and a frame body 5 bonded with a side face of the metal plate 3 by a bonding material 6.例文帳に追加

回路基板10は、絶縁基板1と、絶縁基板1の上面に設けられたろう材層2と、ろう材層2によって絶縁基板1の上面に接合されており電子部品20が搭載される金属板3と、接合材6によって金属板3の側面に接合された枠体5とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element, an insulation layer formed by mask printing an insulation material containing particles on the semiconductor element, and an external connection terminal formed on the insulation layer and connected electrically with the electrode of the semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子と、粒子を含有する絶縁材料を該半導体素子の上にマスク印刷することで形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成され該半導体素子の有する電極と電気的に接続した外部接続端子とを有するものである。 - 特許庁

The heat insulation panel for roof is adjustably machined by making a notch in the heat insulation material 12 and easily removing it according to the arrangement of the structural members such as the rafter making use of the non-adhesive portions 13 of the heat insulation material 12 to be adhered to the sheathing roof board 11 and/or the separation layer 15, enabling the heat insulation execution by the panel.例文帳に追加

野地板11に接着される断熱材12の非接着部分13または/および分離層15を利用して垂木など構造材の配置に応じて断熱材12に切り込みを入れて簡単に取り除くことで屋根用断熱パネルを調整加工し、パネルによる断熱施工を可能とする。 - 特許庁

例文

In a manufacturing step of the substrate 10c, a partial insulation layer 12a is formed on the substrate, a single crystal silicon layer 13 is grown on a region between the partial insulation layers 12a, a polycrystalline silicon layer 15 is grown on the layer 12a, and thereafter the substrate is ion injected to thereby form the layer 15 in the substrate.例文帳に追加

第1基板10cの作製工程では、基板上に部分的な絶縁層12aを形成し、部分的な絶縁層12aの間の領域には単結晶シリコン層13を成長させ、部分的な絶縁層12aの上には多結晶シリコン層14を成長させ、その後、該基板にイオンを注入することにより、該基板の内部に分離層15を形成する。 - 特許庁




  
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