「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

Impurity ions are implanted to the semiconductor layer 12, an insulation film 14 composed of silicon oxide or the like is formed on the semiconductor layer 12 at a temperature of about 500°C or lower.例文帳に追加

半導体層１２に不純物イオンを注入し、その後、半導体層１２の上に約５００℃以下の温度で酸化シリコン等からなる絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁

This Schottky-barrier diode 1 is provided with: a GaN epitaxial layer 3 formed on a GaN self-standing substrate 2; a Schottky electrode 5, an insulation layer 4, and an electrode part 7.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ＧａＮ自立基板２上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ショットキー電極５と、絶縁層４と、電極部分７とを備える。 - 特許庁

A top cover and a container are made into a double structure, either a vacuum layer or a thermal insulation layer is arranged between the top cover and the container to increase a heat retaining property and prevent water droplets from being generated.例文帳に追加

上蓋及び容器を２重構造にし、その間に真空層又は断熱層を設けることにより、保温性を高め、水滴の発生を防ぐものである。 - 特許庁

To provide a thin film gas sensor, capable of averting the effects of stress changes between an electrical insulation layer and a sensing layer using a simple constitution and suppressing the occurrence of microcracks.例文帳に追加

簡易な構成にて電気絶縁層と感知層との応力変化による影響を回避し、マイクロクラックの発生を抑止するようにした薄膜ガスセンサを提供する。 - 特許庁

Next, a three-layer film 82 is formed on the surface of the second low-resistance layer 111, the inner wall surface of a contact hole 681 and the surface of a second interlayer insulation film 42.例文帳に追加

続いて、第２低抵抗層１１１の表面、コンタクトホール６８１の内壁面及び第２層間絶縁膜４２の表面に上述した三層膜８２を形成する。 - 特許庁

A conductive layer 34P on a core substrate 30 is formed so as to have a thickness of 30μm, and a conductive circuit 58 on an interlayer resin insulation layer 50 is formed so as to have a thickness of 15μm.例文帳に追加

コア基板３０上の導体層３４Ｐを厚さ３０μｍに形成し、層間樹脂絶縁層５０上の導体回路５８を１５μｍに形成する。 - 特許庁

To provide a building material produced by integrating a surface layer (outside) material having low water absorption, flame retardancy, fireproof property and durability with an inside layer material having hygroscopicity and properties of heat insulation, sound absorption and fireproof.例文帳に追加

吸水率が小さく、難燃、防火、耐久性のある表層材（外部）と吸湿、断熱、吸音、防火性のある内層材（内部）とが一体化した建材を提供する。 - 特許庁

As a result, despite a heating system, this hazeproof multiple layer mirror 9 can be formed by the lamination of the mirror plate, the insulation layer 3 and the rear plate body 4 thereby achieving simple and inexpensive manufacturing.例文帳に追加

加熱形式の防曇複層鏡９でありながら、鏡板１と絶縁層３と裏板体４の積層により形成でき、製作は簡単にかつ安価に行える。 - 特許庁

Then, an insulation film 13 of a two-layer structure which is higher than the projecting conductors 6 is thrust into the projecting conductors 6, and a basic layer 13a is thermocompressively bonded to the conductive sheet 12.例文帳に追加

突出導体６の高さより厚い二層構造の絶縁フィルム１３を突出導体６に突き刺し、基層部１３ａを導電シート１２に熱圧着する。 - 特許庁

The build-up layer 31 has a structure that interlayer insulation layers 33 and 35 and a conductive layer 42 are alternately laminated on the core main surface 12 and the chip main surface 102.例文帳に追加

ビルドアップ層３１は、層間絶縁層３３，３５及び導体層４２をコア主面１２及びチップ主面１０２の上にて交互に積層した構造を有する。 - 特許庁

Next, after an insulation film 35 or the like are formed, the data write-in element constituted of a lower part magnetic pole layer 35, a thin film coil 42, and an upper part magnetic pole layer 44 is formed.例文帳に追加

次に、絶縁膜３５等を形成した後、下部磁極層３５、薄膜コイル４２及び上部磁極層４４により構成されるデータ書込み素子を形成する。 - 特許庁

The first region occupying a region from the base part to the wiring layer is filled with a gas or under a condition where a first inter-layer insulation film 13 is arranged.例文帳に追加

下地部分から配線層までの領域を占める第１領域は、気体が充填された状態、または第１層間絶縁膜１３が配設された状態である。 - 特許庁

The upper surface of an insulating layer 17 covering the thin film coil 16 is flattened and only the connecting portion 16a of the thin film coil 16 is exposed from the upper surface of the insulation layer 17.例文帳に追加

薄膜コイル１６を覆う絶縁層１７の上面は平坦化され、薄膜コイル１６のうち接続部１６ａのみが絶縁層１７の上面から露出している。 - 特許庁

In the peripheral circuit region, a laminate structure DMM in which a layer of the same material as the magnetization free layer, a layer of the same material as the tunnel insulation layer, and a layer of the same material as the magnetization fixed layer are stacked is arranged so as to overlap with second wiring BL2 comprising the same layer as the first wiring BL in top view.例文帳に追加

上記周辺回路領域には、第１の配線ＢＬと同一レイヤにより構成される第２の配線ＢＬ２と平面視において重なるように、磁化自由層と同一材質の層、トンネル絶縁層と同一材質の層および磁化固定層と同一材質の層が積層された積層構造ＤＭＭが配置されている。 - 特許庁

A high electric field is impressed between a polysilicon layer 103 and a high melting point metal layer 105, after forming a gate insulation film 102, the polysilicon layer 103, a barrier metal layer 104 and the high melting point metal layer 105 on a silicon substrate 101, whereby an insulating film 107, formed in a boundary between the polysilicon layer 103 and the barrier metal layer 104, is made to conduct.例文帳に追加

シリコン基板１０１の上に、ゲート絶縁膜１０２、ポリシリコン層１０３、バリアメタル層１０４、高融点金属層１０５を形成した後、ポリシリコン層１０３と高融点金属層１０５との間に高電界をかけることにより、ポリシリコン層１０３とバリアメタル層１０４との界面に形成される絶縁膜１０７を導通させる。 - 特許庁

The storage element having magnetization perpendicular to a film surface comprises a storage layer 17 with a magnetization direction varying corresponding to information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film face, which serves as reference of information stored in the storage layer 17 and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。 - 特許庁

The storage element comprises a storage layer 17 having magnetization perpendicular to a film surface with a magnetization direction varying corresponding to information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film face, which serves as reference of information stored in the storage layer 17, and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。 - 特許庁

The storage element includes a memory layer 17 having magnetization which is perpendicular to the film surface and the orientation of which changes in response to the information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film surface which becomes the reference of information stored in the memory layer, and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the memory layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。 - 特許庁

The insulation wire has at least one or more inner layer coated around an outer periphery of a conductor, an outer layer coated around an outermost layer of the inner layer, with the inner layer at least in contact with the conductor formed of olefin system resin having a functional group, and with the outer layer formed of a non-halogen system flame-retardant resin composition.例文帳に追加

導体の外周に少なくとも１層以上の内層が被覆されるとともに、内層の最外周に外層が被覆されており、内層のうち、少なくとも導体に接する層は、官能基を有するオレフィン系樹脂より形成されており、外層は、ノンハロゲン系難燃樹脂組成物より形成された絶縁電線とする。 - 特許庁

The tube for regeneration 11 comprises forming in a pipe shape a laminated sheet made of an inside thermal barrier layer 12 which has heat insulation properties; a middle impermeable layer 13 which has water interception properties prepared in the outside of the inside layer and a protective layer 14 which is prepared in the outside of the impermeable layer and reinforces the impermeable layer.例文帳に追加

更生用管状体は、断熱性を有する内側の断熱層１２と、該内側層の外側に設けられた遮水性を有する中間の不透水層１３と、該不透水層の外側に設けられ不透水層を補強する保護層１４とからなる積層シートを管状に形成したものである。 - 特許庁

The circuit board comprises a plurality of wiring layers, an insulation layer 20 having a fibrous filler and a resin 24 and insulating the plurality of wiring layers, and a conductor portion 41 formed on the sidewall 30a of a thermal via 30 penetrating the insulation layer 20.例文帳に追加

回路基板は、複数の配線層と、繊維状の充填材と樹脂２４とを有し複数の配線層を絶縁する絶縁層２０と、絶縁層２０を貫通するサーマルビア３０の側壁３０ａに形成された導体部４１と、を備える。 - 特許庁

The resin with the sound insulation performance is formed tightly in the form of layers on the outer circumference of the hard synthetic resin inner pipe constituting the drain pipe or the drain pipe joint and the layer of fiber mixing mortar is established with an opening on the layer of the resin with the sound insulation performance.例文帳に追加

排水管または排水管継手を構成する硬質合成樹脂の内管の外周に、遮音機能を有する樹脂を層状に密着形成し、該遮音機能樹脂の層の上に隙間を存して繊維混入モルタルの層を設けた。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device 5 has a first MR element 50, an insulation layer 55 formed on the first MR element 50, and a second MR element 6 stacked on the first MR element 50 via this insulation layer 55.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は、第１のＭＲ素子５０と、この第１のＭＲ素子５０の上に形成された絶縁層５５と、この絶縁層５５を介して第１のＭＲ素子５０の上に積層された第２のＭＲ素子６０とを備えている。 - 特許庁

The electrostatic chuck 1 is equipped with an insulation layer 2 which has the loading surface 2a to load the wafer 10, an inner electrode made inside the insulation layer 2, and a projection 3A which has a surface 14 to contact the wafer 10 projecting from the loading surface 2a.例文帳に追加

静電チャック１は、ウエハー１０を設置する設置面２ａを有する絶縁層２と、絶縁層２内に設置されている内部電極と、設置面２ａから突出する、ウエハー１０と接触する接触面１４を有する突起３Ａを備える。 - 特許庁

Meanwhile, since one part of an interlayer insulation layer 35 enters into the hole portion 161 when the capacitor 101 is disposed on the interlayer insulation layer 33, the positional deviation of the capacitor 101 in a plane direction can be prevented.例文帳に追加

なお、配線基板内蔵用キャパシタ１０１を層間絶縁層３３上に配置する際、層間絶縁層３５の一部が穴部１６１内に入り込むため、配線基板内蔵用キャパシタ１０１の平面方向への位置ずれを防止できる。 - 特許庁

After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with an insulation layer 14 on the lower surface of a planar base metal 12, two or more lines of wiring 16 are formed at the insulation layer 14, and a connection pad 18 is provided on one end part of each wiring 16.例文帳に追加

半導体装置１０は、平板状のベースメタル１２の下面に絶縁層１４が設けられており、絶縁層１４には、複数の配線１６が形成されており、それぞれの配線１６の一方の端部には接続パッド１８が設けられている。 - 特許庁

The circuit board comprises a plurality of wiring layers, an insulation layer 20 having a fibrous filler and a resin 24 and insulating the plurality of wiring layers, and a conductor portion 41 formed on the sidewall 30a of a via 30 penetrating the insulation layer 20.例文帳に追加

回路基板は、複数の配線層と、繊維状の充填材と樹脂２４とを有し複数の配線層を絶縁する絶縁層２０と、絶縁層２０を貫通するビア３０の側壁３０ａに形成された導体部４１と、を備える。 - 特許庁

The non-linear element 10x is a TFD (thin film diode) element provided with: a lower electrode 13x; an insulation layer 14x covering the surface of the lower electrode 13x; and an upper electrode 15x opposite to the lower electrode 13x via the insulation layer 14x.例文帳に追加

非線形素子１０ｘは、下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、およびこの絶縁層１４ｘを介して下電極１３ｘに対向する上電極１５ｘを備えたＴＦＤ素子である。 - 特許庁

The manufacturing method of the nonlinear voltage type resistor has a step for obtaining each compact by using a raw material of each nonlinear voltage type resistor body and has a step for applying the raw material of a first insulation layer to the side surface of each compact and baking it, to form the first insulation layer on each nonlinear voltage type resistor body.例文帳に追加

電圧非直線性抵抗体本体の素材を用いて成形体を得、上記成形体の側面に第１の絶縁層の素材を塗布して焼成し、電圧非直線性抵抗体本体に第１の絶縁層を形成する。 - 特許庁

With the p-MOS structure, the base body is an n-type silicon substrate 1, the high-potential electrode is a gate electrode 4, the low-potential electrode is a drain region (or a source region), and the insulation layer is a gate insulation layer 3.例文帳に追加

ｐ−ＭＯＳ構造をとるもので、基体がｎ型シリコン基板１であり、高電位電極がゲート電極４であり、低電位電極がドレイン領域（またはソース領域）２であり、絶縁層がゲート絶縁層３であることを特徴とする。 - 特許庁

An insulation layer is formed on the surface of the conductive substrate, and it is entirely or partly formed of more than two layers and a concave is formed to form wide plating in the insulation layer toward the direction of an opening.例文帳に追加

導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層の全部又は一部が二層以上からなり、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材。 - 特許庁

A microwave is transmitted through a heat insulation board to be emitted toward a coal layer charged into the carbide chamber in the coke oven, and the microwave reflected from the coal layer is received transmitted through the heat insulation board, using a microwave range finder.例文帳に追加

本発明は、マイクロ波距離計を用いて、コークス炉炭化室に装入された石炭層に、断熱ボードを透過させてマイクロ波を照射し、該石炭層から反射してくるマイクロ波を該断熱ボードを透過させて受信するところに要旨がある。 - 特許庁

To provide a wiring board capable of preventing expansion between an insulation substrate comprising low temperature baking ceramics and a metalized wiring layer and maintaining bonding strength between the metalized wiring layer and the insulation substrate.例文帳に追加

低温焼成セラミックスからなる絶縁基板とメタライズ配線層との同時焼成において、絶縁基板とメタライズ配線層との間の膨れを防止でき、かつメタライズ配線層と絶縁基板の接着強度が維持できる配線基板を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the wiring board 3 includes a step for laminating the insulation sheet 22 on a base 7 through a first resin layer 10a while arranging the inorganic insulating layer 11a of the insulation sheet 22 on the base 7 side.例文帳に追加

本発明の一形態にかかる配線基板３の製造方法は、上記絶縁シート２２の無機絶縁層１１ａを基体７側に配しつつ、絶縁シート２２を基体７に第１樹脂層１０ａを介して積層する工程を備えている。 - 特許庁

To provide an insulation wire in which there is no fear of foaming in a crosslinking reaction and deterioration of various physical properties due to a poor appearance in an insulating layer is not caused in the insulation wire including the insulating layer containing crosslinking silicone rubber.例文帳に追加

架橋シリコーンゴムを含む絶縁層を有する絶縁電線において、架橋反応の際に発泡する虞がなく、絶縁層の外観不良等に起因する各種物性の低下を引き起こすことのない絶縁電線を提供する。 - 特許庁

The distance dr, between a resist 18 and an element region 8 provided with an exposed surface, is decided based on the height Hr between the bottom surface of an embedded insulation layer 17 and the surface of the resist 18, thickness Hs of the embedded insulation layer 17, and ion implantation angle θ.例文帳に追加

レジスト１８と露出面を備えた素子領域８との距離ｄｒが、埋め込み絶縁層１７の底面からレジスト１８の表面までの高さＨｒと埋め込み絶縁層１７の厚さＨｓとイオン注入の角度θとで決められる。 - 特許庁

The thin-film transistor includes the oxide semiconductor layer as the channel forming region, wherein an oxygen concentration of a surface which is in contact with an insulation film as a protective film on an opposite side (a back channel side) to a gate insulation film of the oxide semiconductor layer is controlled.例文帳に追加

酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタであって、該酸化物半導体層のゲート絶縁層とは反対側（バックチャネル側）であって、保護膜である絶縁膜と接する面の酸素濃度を制御することを要旨とする。 - 特許庁

The wiring board 1 further comprises first and second via conductors 26, 27 formed, respectively, in the first resin insulation layer 3 on the central board 2 a second resin insulation layer 4 and connected with the central conductor 16 on the central axis 9.例文帳に追加

さらに、配線基板１は、中心基板２上の第１樹脂絶縁層３及び第２樹脂絶縁層４に形成され、中心軸９上で中心導体１６とそれぞれ接続する第１ビア導体２６及び第２ビア導体２７を備える。 - 特許庁

Next, a laser beam 5 having an irradiation diameter corresponding to a predetermined rib width is radiated to the insulation layer 4 at a predetermined rib interval while scanning it at a speed at which only the surface of the insulation layer 4 is thermally set, so that the upper part of a part to be formed into ribs is thermally set.例文帳に追加

次に絶縁層４に、所定のリブ幅に対応させた照射径のレーザー光５を、所定のリブ間隔で、絶縁層４の表面のみが熱硬化する速度で走査しつつ照射して、リブとなる部分の上部を熱硬化させる。 - 特許庁

An opening pattern 112 is formed on the insulation layer 110 located between the through-hole 102 and the conductive pattern 120, and a distance r_3 from a circumference of an opening of the insulation layer 110 to the central axis of the through-hole 102 is smaller than a distance (radius) r_1 of the through-hole 102.例文帳に追加

開口パターン１１２は、貫通孔１０２と導電パターン１２０の間に位置する絶縁層１１０に形成されており、周から貫通孔１０２の中心軸までの距離ｒ_3が貫通孔１０２における距離ｒ_1より小さい。 - 特許庁

To provide a thin film transistor for a liquid crystal display device comprising a gate insulation layer in which leakage current of the thin film transistor is reduced simultaneously while forming the gate insulation layer with high dielectric constant insulating material to obtain high potential mobility.例文帳に追加

高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

When performing etching for forming grooves of dummy patterns 12, since the etching rate of the etching-resistant film 6 is made not higher than one-tenth of the etching rate of the second insulation layer, the etching-resistant film 6 functions as an etching stopper so that the etching does not proceed to the first insulation layer 5.例文帳に追加

ダミーパターン１２の溝の形成のためのエッチングの際は、絶縁層のエッチングの速度に対し、耐エッチング膜６のエッチングの速度が1/10以下であるため、これがエッチングストッパーとして機能し、第１の絶縁層５にまでエッチングが進むことがない。 - 特許庁

To provide an image display device (field emission display) capable of preventing disconnection of an upper electrode by decrease of a taper angle of an interlayer insulation layer, of realizing reduction of capacitance by increasing the thickness of the interlayer insulation layer and of preventing contamination of an electron source by sodium deposited from glass of a substrate.例文帳に追加

層間絶縁層の低テーパー角化による上部電極の断線を防止し、当該層間絶縁層を圧膜化して低容量化を実現するとともに、基板のガラスから析出したナトリウムによる電子源の汚染を防止する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor for a liquid crystal display device having a gate insulation layer, while forming the gate insulation layer with a high dielectric ratio insulating material to obtain a high potential mobility, leakage current of the thin film transistor is reduced simultaneously.例文帳に追加

高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁