「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The ground wire 3 is electrically connected to the shield layer 4 formed on the back of the insulation layer 1 and a noise suppressing layer 6 having higher electric resistance than the shield layer 4 through a metallic bump 5 embedded in the insulating layer 1.例文帳に追加

グラウンド線３は、絶縁層１に埋め込み形成された金属バンプ５を介して当該絶縁層１の裏面側に形成されたシールド層４及び当該シールド層４よりも高い電気抵抗値を有するノイズ抑制層６と電気的に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor package 10 adopts a configuration that a conductor layer 9 is formed between a wafer 3 and a re-wiring layer 5, thereby forming a microstrip line structure wherein the conductor layer 9 and the re-wiring layer 5 are placed in opposition to each other via an insulation layer 42.例文帳に追加

本発明の半導体パッケージ１０は、ウェハ３と再配線層５との間に導電層９が形成された構成とすることによって、前記導電層９と再配線層５とが絶縁層４２を介して対向配置したマイクロストリップライン構造とする。 - 特許庁

To obtain a build-up wiring substrate provided both with such advantages in that a closely adhesive strength between an insulation layer formed by build-up and a copper plated layer formed thereon is high, and conduction between an inner layer conductive layer and the copper plated layer is superior and reliability in connection is high.例文帳に追加

ビルドアップで形成された絶縁層とその上に形成される銅メッキ層との密着強度が高く、かつ、内層導体層と銅メッキ層との導通が良好で、接続信頼性が高い、という長所を兼ね備えたビルドアッププリント配線板を得る。 - 特許庁

Namely, the cylindrical wall face of the housing 3 is a three-layer wall comprising an outer layer composed of the cover member 31, an inner layer composed of the case member 33, and a middle layer 32 composed of the gap between the cover member 31 and the case member 33 functioning as a sound insulation layer.例文帳に追加

すなわち、ハウジング３の円筒壁面においては、カバー部材３１が外層を構成し、ケース部材３３が内層を構成し、カバー部材３１とケース部材３３との間の隙間が遮音層として機能する中間層３２を構成し、３重層壁とする。 - 特許庁

In a transparent panel substrate 40 below the display part 16, a buffer layer 102, a TFT formation layer 110, a pixel electrode layer 160, an intermediate insulation layer 170 and a common electrode layer 180 having a slit 189, etc. are sequentially laminated on a lower glass substrate 100.例文帳に追加

表示部１６の下側の透明パネル基板４０は、下ガラス基板１００の上に、バッファ層１０２、ＴＦＴ形成層１１０、画素電極層１６０、中間絶縁層１７０、スリット１８９を有する共通電極層１８０等が順次積層される。 - 特許庁

A plurality of wiring layers include a four-layered wiring part in which a power supply layer L4, a ground layer L3, a first signal wiring layer L2 and a second signal wiring layer L1 are sequentially arranged via an insulation layer in each interlayer from one side to another side in a lamination direction.例文帳に追加

複数の配線層は、積層方向の一方側から他方側に向かって順に、電源層Ｌ４、グランド層Ｌ３、第１信号配線層Ｌ２、第２信号配線層Ｌ１の４層を層間に絶縁層を介して配置させた４層配線部を有する。 - 特許庁

The inorganic EL element (1) has a conductive layer (2), a phosphor layer (3), a reflecting insulation layer (4), and a rear electrode (5) in this order on a transparent support body (21), and the conductive layer (2) contains silica of 0.05 g/m^2 or more.例文帳に追加

透明支持体（２１）上に導電層（２）、蛍光体層（３）、反射絶縁層（４）および背面電極（５）をこの順で有するＥＬ素子であって、前記導電層（２）にシリカを０．０５ｇ／ｍ^2以上含有する無機ＥＬ素子（１）。 - 特許庁

Next, a support substrate 17 is laminated on the lattice relaxation layer 12 via an insulation layer 16 (S13), and thereafter, the Si substrate 10 and the porous Si layer 18 are removed to expose the lattice relaxation layer 12 (S14, S15).例文帳に追加

次に、絶縁層１６を介して前記格子緩和層１２に支持基板１７を張り合わせてから（Ｓ１３）、前記Ｓｉ基板１０，多孔質Ｓｉ層１８を除去して前記格子緩和層１２を露出させる（Ｓ１４，Ｓ１５）。 - 特許庁

This ferromagnetic tunnel junction element 7 includes a fixed layer 20, a tunnel insulation layer 21 and a recording layer 22 which are successively laminated, wherein the length of a magnetization easy axis direction of the recording layer 22 is shorter than the length of a magnetization difficult axis direction thereof.例文帳に追加

この強磁性トンネル接合素子７は、順次積層された固着層２０、トンネル絶縁層２１および記録層２２を含み、記録層２２の磁化容易軸方向の長さが磁化困難軸方向の長さよりも短い。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a supporting substrate 6; an insulating layer 8 formed on the supporting substrate 6; a semiconductor layer 10 formed on the insulating layer 8; and an insulation gate type field effect transistor 100 formed in the semiconductor layer 10.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板６と、支持基板６上に設けられた絶縁層８と、絶縁層８上に設けられた半導体層１０と、半導体層１０に設けられた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１００と、を含む。 - 特許庁

The coils using the magnetic layers for the core are radially arranged on a plane in the axial direction, a conductive layer is formed at a multi-pole coil resulting from connecting the one-side ends of the coils by the magnetic layer via an insulation layer, and preferably a magnetic layer is furthermore formed.例文帳に追加

磁性層を芯とする複数のコイルを軸方向に平面に放射状に並べ、コイルの一端を磁性層で接続した多極コイルに絶縁層を介して導電層を設け、好ましくはさらに磁性層を設ける。 - 特許庁

Therefore, the insulating layer is interposed also between an Al layer of a rear surface protection layer 17 and the sidewall surfaces 21i of the frame member 21 to improve insulation between them, and discharge is difficult to occur between the Al layer and the sidewall surfaces 21i also.例文帳に追加

このため、裏面保護層１７のＡｌ層と枠部材２１の側壁面２１ｉ間にも絶縁層が介在し、その間の絶縁性が向上し、Ａｌ層と側壁面２１ｉ間でも放電が生じ難くなっている。 - 特許庁

An interconnection line wiring device has an insulating layer 24 for electrical insulation, a connection portion 32 provided penetrating the insulating layer 24, an external connection terminal 28 formed on one surface of the insulating layer 24, and the interconnection line 26 formed on the other surface of the insulating layer 24.例文帳に追加

電気絶縁する絶縁層２４、絶縁層２４を貫通して設けられた接続部３２、絶縁層２４の一方の面に形成された外部接続端子２８、絶縁層２４の他方の面に形成された引出線２６を設ける。 - 特許庁

The bank for the light-blocking layer is formed by stacking an organic insulation coloring layer around the sensor electrode, and has a plurality of notches separated from each other with a predetermined distance by partially using a single layer or by partially reducing one layer.例文帳に追加

該遮光層用バンクはセンサー電極周囲に有機絶縁着色層の積層にて形成され、かつ部分的には単層もしくは一層少なくすることにより、所定の間隔を空けた複数の切り欠きを有する。 - 特許庁

A gate electrode 8 of a selective gate transistor ST is formed of the first layer gate electrode L1 and the second and the third layer gate electrode material films L2, L3 laminated on the first layer film L1 via an inter-layer insulation film 5.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴのゲート電極８は、第１層ゲート電極材料膜Ｌ１とこれに層間絶縁膜５を介して積層された第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３により形成される。 - 特許庁

Cathode connection wiring 6 is formed in an area between cathode leading about wiring 11 and the organic EL display element 7 in the lower layer of a layer of an insulation film 12 for electrically insulating the layer of an anode 11 and the layer of a cathode 2.例文帳に追加

陽極１の層と陰極２の層とを電気的に絶縁するための絶縁膜１２の層の下層であって、陰極引き回し配線１１と有機ＥＬ素子７との間の部位において、陰極接続配線６を形成する。 - 特許庁

On the outer peripheral surface of the dielectric layer 13, an insulating layer 16 having an electric insulation property is formed in a region nearby an anode terminal 3, and the first cathode layer 14 is formed in a region different from the formation region of the insulating layer 16.例文帳に追加

誘電体層13の外周面には、陽極端子３の近傍領域に、電気絶縁性を有する絶縁層16が形成され、第１陰極層14は、絶縁層16の形成領域とは異なる領域に形成されている。 - 特許庁

A conductive portions 7 contacting with an electrode of the zebra type connector is composed of a single and partial zebra type conductive part which is a single layer of conductive layer or composed of a thin conductive layer and a thin insulation layer.例文帳に追加

該ゼブラ型コネクタの電極に接触する導電部分７が導電層の単一層であるかまたは薄層の導電層と薄層の絶縁層からなる単一の部分的ゼブラ型導電部分からなることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor layer 4 formed on an insulating substrate 1 of resin, a heat insulation layer 2 and an insulating layer 3 having a high thermal conductivity are provided on the insulating substrate 1 and the semiconductor layer 4 is provided thereon.例文帳に追加

樹脂性の絶縁性基板１上に半導体層４を形成してなる半導体装置において、絶縁性基板１上に断熱層２と熱伝導率が大きい絶縁性層３とを設け、その上に半導体層４を設けた。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a magnetic layer is accurately etched to obtain a prescribed form in an etching process of the magnetic layer and etching going to be applied to a conductive layer and an insulation layer can be prevented and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

磁性層のエッチング工程において、磁性層を正確にエッチングして所定の形状とすることができ、かつ、導電層や絶縁層がエッチングされることを防止可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At least a contact part 5 is a layered body of two layers comprising a tip layer 9 and a support layer 10, the tip layer 9 is formed of a conductive material of an excellent electric characteristic, and the support layer 10 is formed of an insulation material or the like.例文帳に追加

少なくとも接触部５は、先端層９と支持層１０からなる２層の積層体で、先端層９は、電気的特性の優れた導電性材料から形成し、支持層１０は、絶縁材料などで形成する。 - 特許庁

In this thermal insulation coating member, a substrate 7 and a surface layer 8 are formed on a base material 6, and the first intermediate layer 9 and the second layer 10 are interposed between the substrate 7 and the surface layer 8.例文帳に追加

本発明に係る遮熱コーティング部材は、基材６上に、下地層７と表面層８とを形成するとともに、下地層７と表面層８との間に、第１中間層９と第２中間層１０とを介装させた。 - 特許庁

The electrostatic chuck adheres a ceramic layer 103 on the disk of prescribed thickness through an adhesive layer on a disk-like metal board 101, and a high purity insulation material layer 105 is formed on the ceramic layer 103.例文帳に追加

静電チャックは、円板状金属基板１０１上に接着剤層を介して所定厚さの円板上のセラミック層１０３が接着され、セラミック層１０３の上には高純度絶縁材料層１０５が形成されている。 - 特許庁

The conductive layer 8 is formed on the part of the undoped polycrystalline silicon layer 23 by doping the n-type impurities on the undoped polycrystalline silicon layer 23 as a semiconductor layer formed on the insulation board 11.例文帳に追加

導電性層８は、絶縁性基板１１上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層２３にｎ形不純物をドーピングすることにより該ノンドープの多結晶シリコン層２３の一部に形成されている。 - 特許庁

The nano-gripper 1 is formed by machining a semiconductor substrate of a three-layer structure consisting of a base layer 101, an insulation layer 102, and a silicone layer 103 laminated on each other, and includes a gripper main body 2, guards 4, and joint portions 5 connecting between the main body and the guards.例文帳に追加

ナノグリッパ１は、ベース層１０１の上に絶縁層１０２，シリコン層１０３を有する３層構造の半導体基板を加工して形成され、グリッパ本体２、ガード４およびそれらを連結する連結部５から成る。 - 特許庁

With regard to the noise component, signal line noise and IC noise are reduced by employing a multilayer structure of a first insulation layer 14, a semiconductor layer 15, and a second insulation layer 16 at the intersection of a signal line and a switch TFT drive line thereby reducing parasitic capacitance at the intersection of wiring.例文帳に追加

ノイズ成分においては、信号線とスイッチＴＦＴ駆動配線との配線交差部を第１の絶縁層１４、半導体層１５、第２の絶縁層１６の積層構造とすることにより、配線交差部で形成される寄生容量を低減し、信号線ノイズ、ＩＣノイズを低減する。 - 特許庁

The connecting method of an electrode uses a circuit connecting member made by forming a hardenable insulation adhesive layer 2 on one side of a conductive adhesive layer 1 made of a conductive material 3 and a binder having conductivity in a pressure direction, and connecting a peelable separator to the hardenable insulation adhesive layer 2.例文帳に追加

導電材料とバインダとよりなる加圧方向に導電性を有する導電性接着層の片面に硬化性絶縁性接着層が形成されてなり、剥離可能なセパレータが硬化性絶縁性接着層に接してなる回路接続部材を用いた電極の接続方法 - 特許庁

The liquid crystal display device includes: a thin film transistor in which a gate electrode is formed on the under layer side of a gate insulation film and a drain electrode and a source electrode are formed on the above layer side of the gate insulation film; and an auxiliary capacitance electrode formed on the same layer as the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の下層側にゲート電極が形成されるとともに、ゲート絶縁膜の上層側にドレイン電極及びソース電極が形成された薄膜トランジスタと、ゲート電極と同一層に形成された補助容量電極とを備えた液晶表示装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which cracking in an inter-layer insulation film and segmentalizing of a wiring layer are avoided when an inter-layer insulation film of low strength is used and an aerial wiring structure is employed, in the semiconductor device comprising a multilevel interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置において、低強度の層間絶縁膜が使用された場合および空中配線構造が採用された場合、層間絶縁膜に亀裂が生じたり、配線層が分断されたりすることを回避可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

At least a top layer of the second insulation film for separating the bottom layer of the control gate from the rest of the second insulation film is constructed in a predetermined high-k material, chosen outside the group for avoiding a reduction in the work-function of the material of the bottom layer of the control gate.例文帳に追加

第２絶縁膜の少なくとも上部層は、制御ゲートの下部層を第２絶縁膜の残りから隔離するものであって、制御ゲートの下部層の材料の仕事関数の低減を回避するために、該グループ外で選ばれた所定の高誘電率材料で構築される。 - 特許庁

The common-mode filter layer 12a includes a first spiral conductor 17 formed on an insulation layer 16b, and a second spiral conductor 18 formed on an insulation layer 16c, and DC resistance of a common mode filter is 0.5-5 Ω.例文帳に追加

コモンモードフィルタ層１２ａは、絶縁層１６ｂ上に形成された第１のスパイラル導体１７と、絶縁層１６ｃ上に形成された第２のスパイラル導体１８とを備え、コモンモードフィルタの直流抵抗は０．５Ω以上５Ω以下であり、静電気対策素子の静電容量は０．３５ｐＦ以下である。 - 特許庁

To provide a method of readily specifying an insulation degraded portion of an electrochemical cell constituted of an outer package body formed by at least sequentially laminating a base material layer, a metal foil layer and a heat-adhesive resin layer and of clarifying in detail the cause of insulation degradation.例文帳に追加

本発明は、基材層と、金属箔層と、熱接着性樹脂層とを、少なくとも順次積層して構成される外装体からなる電気化学セルの絶縁性低下部位を容易に特定するとともに、絶縁性低下の原因を詳細に解明することができる方法を提供する。 - 特許庁

A second insulation layer (top insulation layer) 6 of the ONO laminate film is composed of a silicon oxide film, a silicon oxide nitride film having oxygen compositions more than a charge storage layer, Al_2O_3 film, ZrSiO film, HfSiO film, HfSiON film, ZrSiON film, or laminate film thereof.例文帳に追加

ＯＮＯ 積層膜の第２の絶縁膜（トップ絶縁膜）６ は、シリコン酸化膜または電荷蓄積層よりも酸素組成の多いシリコン酸窒化膜、または、Ａｌ_２ Ｏ_３膜、ＺｒＳｉＯ 膜、ＨｆＳｉＯ 膜、ＨｆＳｉＯＮ膜、ＺｒＳｉＯＮ膜またはそれらの積層膜のいずれかからなる。 - 特許庁

A transparent insulation layer 13 which light passes through is formed on the light shielding film 12 to embed the opening, and a convex inter-layer lens 25 and a transparent lens flattening film 26 covering the lens 25 are formed on the opening with the transparent insulation layer 13 between.例文帳に追加

この遮光膜１２の上に、前記開口部を埋めるように光が透過する透明絶縁層１３を形成し、さらに前記開口部上に透明絶縁層１３を介して凸形状層内レンズ２５と、この凸形状層内レンズ２５を覆う透明レンズ平坦化膜２６を形成する。 - 特許庁

Concerning the electrostatic chuck coating the surface of the electric conductor or the base with the insulation layer, the electric conductor or the base is a metal-ceramic composite material combining ceramic powder with metal of which the surface is formed of a metallic layer, and the insulation layer is ceramic.例文帳に追加

電導体または基台表面に絶縁層を被覆してなる静電チャックにおいて、該電導体または基台が、表面に金属層が形成されている金属にセラミックス粉末を複合させた金属−セラミックス複合材料からなり、該絶縁層が、セラミックス層からなることとした静電チャック。 - 特許庁

A membrane thickness of an inter-gate line or inter-emitter layer insulation layer is thinner at a tip of as gate opening end and increases in proportion to a distance from the opening end according as the insulation layer becomes more distant from the opening end, and is formed to have approximately the same height as that of the emitter in the area other than just above the emitter.例文帳に追加

ゲートラインもしくはゲート−エミッタ層間絶縁層の膜厚が、ゲート開口端では小さく、開口端から離れるに従って開口端からの距離に比例して増加し、エミッタ直上以外の領域においてはエミッタ高さ程度であるように形成する。 - 特許庁

After a first lower layer platinum film 15a is formed on a wall and bottom of a concave section of a second interlayer insulation film 14, and on the second interlayer insulation film 14 by a sputtering method, a second lower layer platinum film 15b is formed on the first lower layer platinum film 15a by CVD method.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４の凹部の壁面及び底面並びに第２の層間絶縁膜１４の上面にスパッタ法により第１の下層白金膜１５ａを形成した後、該第１の下層白金膜１５ａの上にＣＶＤ法により第２の下層白金膜１５ｂを形成する。 - 特許庁

The cable 1 has craft-paper tape wound around a conductor 2 side and an outer shielding layer 4 side to form craft-paper layers 6, 8, between which, a plastic laminated paper tape is wound to form a plastic laminated paper layer 7, and is further provided with an oil-immersed insulation layer 3 made by immersing high-viscosity insulation oil in the layers 6, 7, 8.例文帳に追加

ケーブル１は、導体側２と外部遮蔽層４側にクラフト紙テープを巻き回してクラフト紙層６、８を形成し、その間にプラスチックラミネート紙テープを巻き回してプラスチックラミネート紙層７を形成し、これらの層６、７、８に高粘度絶縁油を含浸してなる絶縁層３を有する。 - 特許庁

After mixing the powder of an active carbon with an emulsion containing a latex and a carboxymethylcellulose as its main components, the layer of the obtained active-carbon ink is formed on an insulation base material, or the layer is formed by impregnating the insulation base material with the obtained active-carbon ink, so as to turn it into a material for electrodes by drying the layer.例文帳に追加

ラテックス、カルボキシメチルセルロースを主成分とするエマルジョンに活性炭粉末を混合して得た活性炭インクの層を絶縁性基材上に形成し乾燥する、又は活性炭インクを絶縁性基材に含浸して活性炭インクの層を形成し乾燥して電極材料とする。 - 特許庁

A recess 54 using a pair of second regions 58 as the bottom surface is formed on a surface of one organic insulation layer 52 or the organic insulation layer 52 closest to the wire 62 facing the liquid crystal layer 18 so that the pair of second regions 58 lower than a first region 56 is formed on both sides of the first region 56.例文帳に追加

１層の又は最も配線６２に近い有機絶縁層５２の、液晶層１８を向く面には、第１領域５６を挟んで第１領域５６よりも低い一対の第２領域５８が形成されるように、一対の第２領域５８を底面とする凹部５４が形成されている。 - 特許庁

A thermal insulation layer is formed on a surface of a steel frame structure by applying the thermal insulation paint to the coating film object surface of applying the primer, and the finish coat paint is applied to this surface by laminating the heating coating film layer by applying the heating paint on this film, and the electric current is carried to the heating coating film layer.例文帳に追加

鉄骨構造物の表面に、プライマーを塗布した被塗膜面に断熱塗料を塗布して断熱層を形成し、この上に前記発熱塗料を塗布して発熱塗膜層を積層せしめ、この表面に上塗り塗料を塗布して、発熱塗膜層に通電する。 - 特許庁

An eave 109a which extends to the outside from a region where the ledge structure 105a is formed, and forms a space between the first insulation layer 108 and a base layer 104 at a side of the ledge structure 105a is formed at a lower end of the second insulation layer.例文帳に追加

第２絶縁層の下端部には、レッジ構造部１１０５ａが形成されている領域より外側に延在し、第１絶縁層１０８およびレッジ構造部１０５ａの側方のベース層１０４との間に空間を形成する庇部１０９ａが形成されている。 - 特許庁

This device contains a silicon substrate 10 on which a MOS element 14 and an element-isolation region 12 are formed, a first interlayer insulation layer 20 formed on the silicon substrate 10, and a metallic wiring layer 30 (and 50) formed on the first interlayer insulation layer 20.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置は、ＭＯＳ素子１４および素子分離領域１２が形成されたシリコン基板１０、シリコン基板の上に形成された第１の層間絶縁層２０、および第１の層間絶縁層より上に形成された金属配線層３０（および５０）を含む。 - 特許庁

A first inter-layer insulation membrane 15 and a first wiring layer 25 are formed by laminating them in this order after forming the movable electrode 50, and a part of the first inter-layer insulation membrane 15 is left to cover the whole surface of the movable electrode 50 in order to form a preliminary opening part C1a.例文帳に追加

可動電極５０を形成した後、第１の層間絶縁膜１５と第１の配線層２５とをこの順に積層させて形成し、第１の層間絶縁膜１５の一部を可動電極５０の全面が覆われるように残して除去し予備開口部Ｃ１ａを形成する。 - 特許庁

A normal temperature insulation type superconductive cable 200 includes: a conductor part 210 having a superconductive conductor layer 212; a refrigerant piping 213 housing the conductor part 210 and allowing a refrigerant cooling the superconductive conductor layer 212 to circulate therein; and an electric insulation layer 215 formed on an outer periphery of the refrigerant piping 213.例文帳に追加

常温絶縁型超電導ケーブル200は、超電導導体層212を有する導体部210と、導体部210を収納し、超電導導体層212を冷却する冷媒が流通する冷媒配管213と、冷媒配管213の外周に形成される電気絶縁層215と、を備える。 - 特許庁