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「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索
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layer-insulationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5895



例文

The method of manufacturing the suspension blanks with wiring for the hard disks by using a laminate of a three-layered structure laminated with a conductive layer across an electrical insulation layer on a metallic layer to develop spring characteristics comprises subjecting the surface of the insulation layer on the metallic layer surface side to preetching to decrease the differences in etching rates, thereby performing the polyimide etching with the high accuracy.例文帳に追加

バネ特性を発現させる金属層の上に電気的な絶縁層を介して導電性層が積層された3層構造の積層体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブランクスを製造する方法であって、前記金属層面側の前記絶縁層の表面のプレエッチングを実施し、エッチングレートの差を軽減させることにより、高精度にてポリイミドエッチング加工を行う。 - 特許庁

The thermal insulation layer is composed of a first foaming layer formed by closely and spirally winding a first foaming resin tape and a second foaming layer formed by spirally winding a second foaming resin tape at a predetermined interval on an inner peripheral surface of the first foaming layer; and is constituted in a spiral recessed groove of the thermal insulation layer with spiral clearance between the mutual adjacent second foaming resin tapes.例文帳に追加

また、第1発泡樹脂テープを隙間なく螺旋状に捲回して形成した第1発泡層と、前記第1発泡層の内周面に第2発泡樹脂テープを所定の間隔をあけて螺旋状に捲回して形成した第2発泡層とで断熱層を構成し、隣接する第2発泡樹脂テープ同士の螺旋状の隙間をもって断熱層の螺旋状の凹溝に構成する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method of an embodiment comprises: a process of forming a photodiode layer 4 which is an active region including a photodiode on a principal surface of a first substrate 1; a process of forming a wiring layer 7 including wirings 70, 71 and an insulation layer 6 covering the wirings 70, 71 on the photodiode layer 4; and a process of forming an insulation film 8 on the wiring layer 7.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の基板1の主表面上にフォトダイオード含んだ活性領域であるフォトダイオード層4を形成する工程と、前記フォトダイオード層4の上に、配線70、71およびそれを覆う絶縁層6を含む配線層7を形成する工程と、前記配線層7の上に絶縁膜8を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a terminal structure of a superconducting cable capable of grounding a superconducting layer without having degradation of insulating performance of an electric insulation layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

電気絶縁層の絶縁性能を劣化させることなく、超電導層の接地をとることができる超電導ケーブルの端末構造、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

A contact plug 28 with a tight-contact layer 27 as a base material is formed inside the contact hole 26, and Al interconnections 29 and 30 are formed on the third inter-layer insulation film 25.例文帳に追加

コンタクトホール26の内部に密着層27を下地としたコンタクトプラグ28を形成し、第3の層間絶縁膜25上にAl配線29、30を形成する。 - 特許庁


例文

The wiring board has a base board 1, a wiring layer laid on at least either the front or the back main planes of the base board 1, and an insulation layer laid thereon.例文帳に追加

ベース基板1と、ベース基板1の表裏2つの主平面のうち少なくとも一方の主平面上に配置された、配線層および絶縁層を有する。 - 特許庁

To provide a wiring board having fewer defective parts wherein insulating foundation substrate is exposed to a solder resist layer and having excellent electrical insulation reliability of the solder resist layer.例文帳に追加

ソルダーレジスト層に下地の絶縁基板が露出するような欠損部が少なく、ソルダーレジスト層の電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板を提供すること。 - 特許庁

A micro electromechanical system component area 22 is positioned above substrates 21 and has a metal layer 22a, a through hole layer 22b, an insulation material area 22c, and a second chamber 22d.例文帳に追加

マイクロ電気機械システム部品エリア22は、基板21の上方に位置し、かつ金属層22a、スルーホール層22b、絶縁材エリア22cおよび第二チャンバー22dを有する。 - 特許庁

A buried insulation layer 70 is formed at the lower end part of the impurity diffused layer 18, the first channel region 20a and the first n+ type floating emitter region 22a.例文帳に追加

不純物拡散層18、第1のチャネル領域20aおよび第1のn^+型フローティングエミッタ領域22aの下端部には、埋込み絶縁層70が形成されている。 - 特許庁

例文

To provide a thin film magnetic head capable of properly suppressing migration of an electrode layer while keeping favorable insulation withstand voltage of a gap layer.例文帳に追加

特に、ギャップ層の絶縁耐圧を良好に保ちつつ、電極層のマイグレーションを適切に抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。 - 特許庁

例文

At forming of an opening 24a in an interlayer insulation layer 24 through dry etching, damage is absorbed by the polycrystal line silicon layer 12a even if over-etching is carried out.例文帳に追加

ドライエッチングにより層間絶縁膜24に開口部24aを形成する際において、オーバーエッチングを行っても、ダメージは多結晶シリコン層12aに吸収される。 - 特許庁

The surface layer 4S is formed of an elastic insulation material, so that a mounting portion 10 can be formed in an arbitrary position corresponding to the transmission medium 6 of the surface layer 4S.例文帳に追加

表面層4Sを弾性絶縁材で形成し、表面層4Sの伝送媒体6に対応する任意の位置に取付部10を形成できるようにする。 - 特許庁

A composite panel 3 composed of a heat insulation layer 1 and a mortal layer 2 is mounted with a separator 4 for maintaining an interval L, when concrete is placed, and is used as a sheathing board of a concrete form.例文帳に追加

複合パネル3は断熱層1とモルタル層2で構成され、コンクリート打設時には間隔Lを保持するセパレータ4が取り付けられ、型枠の堰板として用いられる。 - 特許庁

A diffusion barrier layer is formed between the bottom of the memory electrode and an insulation layer to prevent the diffusion of a metal contaminant which causes the reduction in quality of a transistor.例文帳に追加

本発明は、記憶電極と底部の絶縁層との間に、拡散バリア層を設け、金属汚染物が拡散してトランジスタの品質を低下させるのを防ぐ。 - 特許庁

In the process, not short-time heating by lamp anneal but furnace anneal is added as heat treatment after formation of an NSG layer 16 which is an uppermost layer of the first interlayer insulation film 10.例文帳に追加

このとき第1の層間絶縁膜10の最上層であるNSG層16の形成後の熱処理として、ランプアニールによる短時間加熱ではなく炉アニールを加える。 - 特許庁

The mother substrate connection terminals 45 are embedded in the openings 37, and terminal outer surfaces 45a thereof are located on an inner layer side relative to a surface 21a of the resin insulation layer 21.例文帳に追加

母基板接続端子45は、開口部37内に埋設されかつ端子外面45aが樹脂絶縁層21の表面21aよりも内層側に位置している。 - 特許庁

Next, a lower layer 11 of a second inter-layer insulation membrane is formed, an SOG membrane 14 is laminated and etched back to let the SOG membrane remain in the preliminary opening part C1a.例文帳に追加

次に、第2の層間絶縁膜下層11を形成し、さらにSOG膜14を積層させてからエッチバックして予備開口部C1aにSOG膜を残留させる。 - 特許庁

Although the association part exists in the center of the nuclide crystal layers in the conventional structure, it exists in the vicinity of boundary between the nuclide crystal layer and the insulation layer in this example.例文帳に追加

会合部は、種結晶層同士の中央に存在する従来の構造例に対し、本例では、種結晶層と絶縁層の境界付近に存在する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method in which generation of cracks is suppressed in the inter-insulation layer under a wiring layer that a pad opening reaches.例文帳に追加

パッド開口部が達している配線層の下方の層間絶縁層においてクラックが生じるのが抑えられた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin film for manufacturing a multilayer printed circuit board, which enables formation of an insulating layer having excellent insulation reliability, without damaging its adhesion to a conductive layer.例文帳に追加

導体層との密着性を損なうことなく絶縁信頼性に優れる絶縁層を形成することができる多層プリント配線板製造用樹脂フィルムを提供する。 - 特許庁

Interlayer insulation layers 20, 22, 24 and 26 on a semiconductor layer 10, the wiring layers 30, 32 and 34, and a pad wiring layer 40 consist of a pad 100 and a wiring 200.例文帳に追加

半導体層10上の層間絶縁層20,22,24、26と、配線層30,32,34、パッド配線層40は、パッド部100と配線部200とからなる。 - 特許庁

A bump 54 which connects an inter-layer insulation layer 60 between substrates 10, 12 of a printed circuit board is composed of the conductive particles, the polymer and the foamed polymer 100.例文帳に追加

印刷回路基板の基板10,12の層間絶縁層60を接続するバンプ54は、導電性粒子、ポリマー及び発泡ポリマー100を含む導電性ペーストからなる。 - 特許庁

Then, conductive bumps 21 are formed on the conductor layer 14, and furthermore, a prepreg 22 is superposed on the bumps 21 for the formation of an insulation layer 22 pierced by the bumps 21.例文帳に追加

次に,当該導体層14上に導電性のバンプ21を形成し,さらにプリプレグ22を重ね合わせてバンプ21により貫通される絶縁層22を形成する。 - 特許庁

The separation layer 102 and a thin-film transistor layer 103 with a semiconductor film as an active region are successively formed on an insulation substrate 100, and a plurality of IDF chips 104 are formed.例文帳に追加

絶縁基板100上に剥離層102、半導体膜を能動領域とする薄膜トランジスタ層103を順次形成し、IDFチップ104を複数形成する。 - 特許庁

An inflow opening formed in the connector connected with the oil conduit is disposed under a floating layer of plastic deposit on a top layer of insulation oil charged into a container.例文帳に追加

容器内に充填されている絶縁油の上層にあるプラスチックの析出物の浮遊層よりも下方に、油導管に接続されるコネクタの流入口を配置する。 - 特許庁

After an inter-pixel insulation film 15 and an organic layer 16 are sequentially formed on a display area, a bias electrode 17 is arranged over a whole face of the flattened layer 12.例文帳に追加

表示領域に画素間絶縁膜15、有機層16を順次形成したのち、平坦化層12上の全面にわたって逆バイアス用電極17を配設する。 - 特許庁

Each of a plurality of pixel electrodes 36 with a film thickness of "an electrode thickness D2" is enclosed with an insulating layer with a film thickness of "an insulation layer thickness D1".例文帳に追加

膜厚が「電極厚さD2」からなる複数の画素電極36の各々を、膜厚が「絶縁層厚さD1」からなる絶縁層35によって囲うようにした。 - 特許庁

The field emission type cold cathode structure 100 comprises a substrate 102, an insulation layer 123, a wiring electrode 121, an electron emission member layer 122, and a gate electrode 124.例文帳に追加

電界放出型冷陰極構造100は、基板102と、絶縁体層123と、配線電極121と、電子放出部材層122と、ゲート電極124とを有する。 - 特許庁

The present invention is a manufacturing method of a thin film transistor including at least a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode provided on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極が少なくとも設けられた薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

Thereafter, a lower layer metallization 108 is formed on the ozone TEOS film 107 and an interlayer insulation film 109 is deposited on the lower layer metallization 108.例文帳に追加

次に、オゾンTEOS膜107の上に下層の金属配線108を形成した後、該下層の金属配線108の上に層間絶縁膜109を堆積する。 - 特許庁

Both of the magnetic path forming layer 18A and the radio absorption layer 18B can be formed by mixing mutually different magnetic powder into insulation material.例文帳に追加

磁路形成層18A及び電波吸収層18Bはともに、互いに異なる磁性粉末を絶縁性材料中に混合することにより形成することができる。 - 特許庁

To provide a venting heat insulating roof composite panel capable of providing the roof panel with air permeability without increasing the thickness of the panel and protecting a heat insulating layer with a thermal insulation reflection layer to improve the heat insulating function of the panel.例文帳に追加

屋根パネルに、パネル厚増大を生ずることなく通気性を付与し、断熱層を遮熱反射層で保護して、パネルの断熱機能向上を達成する。 - 特許庁

Then, the density of the insulation film 23 made high is while the substance layer 24 is formed by using the film formed at high temperature to form the substance layer 24.例文帳に追加

この時、高温で形成される膜を使用して物質層24を形成することによって、物質層24が形成される間、絶縁膜23の高密度化を実施する。 - 特許庁

In addition, a water vapor permeation resistant layer 6, having a coefficient of moisture permeability of 250 g/m2.h or smaller is formed at the interface between the front and rear surfaces of the metal foil 4 and the insulation layer 3.例文帳に追加

そして、上記金属箔4の表裏両面と絶縁層3との界面に、透湿率が250g/m^2 ・h以下の耐透湿層6が形成されている。 - 特許庁

While the base plate 10 thus selected is conveyed in the longitudinal direction, an insulation layer and a conductive layer are laminated on the base plate 10 to form a plurality of magnetic head suspensions.例文帳に追加

選択された基板10を長さ方向に搬送しつつ、基板10上に絶縁層および導体層を積層して複数の磁気ヘッドサスペンションを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the wiring board comprises a step for forming wiring, a step for forming the adhesion layer for the wiring board, and a step for forming the insulation layer.例文帳に追加

配線基板の製造方法は配線形成工程と、配線基板用密着層を形成する密着層形成工程と、絶縁層形成工程とを含む。 - 特許庁

Through-holes 36 are formed to penetrate a core substrate 30 and lower layer inter-layer resin insulation layers 50, and via holes 66 are formed directly above the through-holes 36.例文帳に追加

コア基板30及び下層層間樹脂絶縁層50を貫通するようにスルーホール36を形成し、スルーホール36の直上にバイアホール66を形成してある。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with an organic protective layer 24 and a gate insulation layer 22 which are patterned so as to make a sealant 11 be directly in contact with a substrate.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置はシーリング剤が基板と直接接するようにパタニングされた有機保護膜とゲート絶縁膜とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

After removing the insulation layer 22, 23 by etching, the resist layer 32 is peeled off, and the through-electrode 30 is formed by embedding the conductive material into the hole portion H3.例文帳に追加

絶縁層22,23をエッチングにより除去した後、レジスト層32を剥離し、孔部H3内に導電材料を埋め込んで貫通電極30を形成する。 - 特許庁

The light shielding film 5 is formed on the upper layer of a corresponding vertical charge transmission unit 2 through an insulating layer 21 for the insulation between the film 5 and the transmission electrode 3.例文帳に追加

遮光膜5は、それと転送電極3との間を絶縁する絶縁層21を介して、対応する垂直電荷転送部2の上層に形成されている。 - 特許庁

On a substrate 20, a gate electrode 21, a gate insulation film 22, an intrinsic amorphous silicon layer 23 for working as an active region and an impurity containing amorphous silicon layer 24 are formed.例文帳に追加

基板20上にゲート電極21、ゲート絶縁膜22、活性領域として働く真性非晶質シリコン層23、不純物含有非晶質シリコン層24を形成する。 - 特許庁

A dummy gate 20 is formed on a light permeable substrate 10 and covered with an insulation oxide layer 30, an active silicon layer 40 and a photo resist film.例文帳に追加

光透過性基板10上にダミーゲート20を形成し、それを絶縁酸化物層30とアクティブシリコン層40、フォトレジスト膜で覆い、裏面露によりレジスト膜をパターニングする。 - 特許庁

On a main surface of the semiconductor substrate SUB, an uppermost wiring layer AL3 and a first interlayer insulation film II4 on the uppermost wiring layer AL3 are formed.例文帳に追加

半導体基板SUBの主表面上には最上層配線AL3と、最上層配線AL3上の第1の層間絶縁膜II4とが形成される。 - 特許庁

An N^+ dispersion layer 16 introducing the N type impurity is formed in a monocrystal silicon layer 11 with an element formation area 5 divided by the insulation separation trench 6.例文帳に追加

絶縁分離トレンチ6により区画された素子形成領域5間の単結晶シリコン層11にはN型不純物を導入されたN^+拡散層16が形成される。 - 特許庁

A dummy conductive layer DC is formed on the insulation layer FO between the field plate FP and the drift region DR and electrically connected to the source region.例文帳に追加

ダミー導電層DCは、フィールドプレートFPとドリフト領域DRとの間において絶縁層FO上に形成され、かつソース領域に電気的に接続されている。 - 特許庁

Two semiconductor layers of different compositions which are separated by an insulation layer are formed on an Si substrate, and a semiconductor device of desired characteristic is formed on each semiconductor layer.例文帳に追加

Si基板上に、絶縁層により分離された互いに組成の異なる半導体層を二層形成し、各半導体層上に所望特性の半導体装置を形成する。 - 特許庁

An insulation layer 2 not containing the conductive filler is formed on part of its surface layer by making part of a mold higher in temperature than other parts during the injection molding.例文帳に追加

その表層の一部には、射出成形時の金型面の一部を他の部分よりも高温とすることにより導電性フィラーを含まない絶縁層2が形成されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the multilayer interconnection structure, a groove 19 reaching a lower layer wiring is formed in an insulation film of a low-permittivity material covering the lower layer wiring 12.例文帳に追加

多層配線構造の製造方法において、下層配線(12)を被覆する低誘電率材料の絶縁膜に、前記下層配線に到達する溝(19)を形成する。 - 特許庁

This can complete the accumulation of the positive charges in the oxide semiconductor layer or at an interface between the oxide semiconductor layer and a gate insulation film in a short period of time.例文帳に追加

これにより、酸化物半導体層内又は酸化物半導体層及びゲート絶縁膜の界面への正電荷の蓄積を短期間で収束させることができる。 - 特許庁

例文

The heat-resistant film comprises an insulation layer 5, consisting of the integrally formed laminated mica on the outer surface of a heat-resistant layer 4.例文帳に追加

また、前記耐熱性フィルムが、耐熱層4の外面に一体的に形成された集成マイカからなる絶縁層5を備えることを特徴とする絶縁スリーブ1を提供する。 - 特許庁




  
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