「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electroluminescence display panel capable of deleting an insulating layer and surely securing insulation between a first electrode and a second electrode.例文帳に追加

絶縁層を削除してなおかつ第１電極と第２電極との絶縁性を確実に確保することが可能な有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルを提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic element capable of insulating a wiring short circuit of the electronic element having an organic insulation layer, and the electronic element.例文帳に追加

有機絶縁層を有する電子素子の配線短絡を簡素な工程により絶縁することが可能な電子素子の製造方法および電子素子を提供する。 - 特許庁

To provide a transmission cable without fluctuations of inside skew generated by the crush of an insulation layer due to stress between a drain wire and insulated wire generated when transversally winding a conductive tape material.例文帳に追加

導電テープ材で横巻きされるときのドレイン線と絶縁線との間の応力により絶縁層が潰れることから生じる対内スキューのバラツキをなくす。 - 特許庁

Since Sr oxide (insulation matter) in an interfacial layer formed in an interface between a barrier metal film 13 and an SRO film 13 is thereby reduced, a contact resistance lowers.例文帳に追加

これによって、バリアメタル膜１３とＳＲＯ膜１３との界面に形成される界面層中のＳｒ酸化物（絶縁物）が減少するので、コンタクト抵抗は下がる - 特許庁

The insulator, comprising one or more insulation unit layer and being etched by a wet process, is processed through a dehydration catalyst following wet etching.例文帳に追加

ウェットプロセスによってエッチング可能な、一層以上の絶縁ユニット層を積層した絶縁体が、ウエットエッチングされた後に脱水触媒により処理して得られた絶縁体である。 - 特許庁

Thus, the high quality gate insulation film 2 (silicon oxide film) free from electric leak can be formed on the surface of a semiconductor layer 1a (polysilicon film) without increasing the thickness.例文帳に追加

これにより、膜厚を厚くすることなく、電気リークのない高品質なゲート絶縁膜２（シリコン酸化膜）を半導体層１ａ（ポリシリコン膜）の表面に形成することができる。 - 特許庁

It has a bottom insulation film BTM including an area different in nitrogen concentration in the film thickness direction between the semiconductor surface area CH of the board side and the charge accumulation layer FG.例文帳に追加

基板側の半導体表面領域ＣＨと電荷蓄積層ＦＧとの間に、膜厚方向に窒素濃度が異なる領域を含むボトム絶縁膜ＢＴＭを有する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, two or more interlayer insulation films 2 and 3 are so formed that an etching rate may become larger as it comes to an upper layer.例文帳に追加

半導体基板１上に上層になるにしたがって次第に等方性エッチングに対するエッチング速度が速くなるように２層以上の層間絶縁膜２，３を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a wireless suspension blank by which a fine wiring part can be formed at a low cost and dry etching of an insulation layer can be performed with high accuracy.例文帳に追加

低コストで、微細な配線部を形成することができ、また絶縁層に対するドライエッチングを加工精度よく行えるワイヤレスサスペンションブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high reliable semiconductor device in which a protecting insulation film with excellent characteristics in an interface with a GaN group semiconductor layer is formed and thereby electric properties become stable.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層との界面の特性が優れた保護絶縁膜を形成し、それにより、電気的特性が安定した、信頼性が高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a multilayer printed-wiring board that has improved electric connectivity and reliability having interlayer resin insulating layer with excellent heat-resistance, insulation, and crack-resistance and shape-maintaining characteristics.例文帳に追加

耐熱性、絶縁性、耐クラック性、および、形状保持性に優れた層間樹脂絶縁層を有する電気接続性や信頼性に優れた多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

This can be applied to cell voltage calculation in the case the heat insulation layer 4 is formed at the center side by one cell portion from the end cell C_N of the cell laminate.例文帳に追加

例えばセル積層体の端セルＣ_Nから１セル分中央寄りに断熱層４が形成されている場合のセル電圧算出に適用することができる。 - 特許庁

A contact hole 8 is shaped in the layer insulation film 7, and polysilicon 9 which becomes a capacity electrode is deposited.例文帳に追加

この層間絶縁膜7には、コンタクトホール8が開口形成され、容量電極となるポリシリコン9が例えばCVD(化学気相成長)法などで、600〜800nmの膜厚において堆積される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents a crack from resulting in an insulation film of a low dielectric constant under an electrode pad in a wire bonding and can control the deterioration of a wiring layer.例文帳に追加

ワイヤボンディング時に電極パッド下の低誘電率絶縁膜にクラックが発生することを防止し、配線層の劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a ferroelectric memory element which increases the adhesive strength between a layer insulation film and a lower electrode and improve the surface roughness of the lower electrode.例文帳に追加

層間絶縁膜と下部電極の間の接着力を増加させ、下部電極の表面粗さを向上させる強誘電体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A foamable filler 4 for forming air bubbles or balloons is incorporated into the layer 3A of silicone rubber or the silicone resin to improve the heat insulation properties much more and make the insulator lightweight much more.例文帳に追加

また、シリコーンゴム又はシリコーン樹脂の層３Ａに気泡又はバルーン状の充填剤４を含ませて、より断熱性を向上させると共に、より軽量化を図る。 - 特許庁

A flexible and conductive strip member for use of an electrode is wound around the insulation layer 6 having an outer peripheral surface of an outer ring 3 coated, to form the electrode 15.例文帳に追加

外輪３の外周面を被覆した上記絶縁層６に対して、可撓性及び導電性を有する電極用帯状部材を巻装し、電極１５とする。 - 特許庁

The projection 3 for the orientation control is composed of a projection base 3A for the orientation control, and an insulation layer 3B formed through a transparent conductive film thereon.例文帳に追加

配向制御用突起３が、配向制御用突起土台３Ａと、その上に透明導電膜を介して形成された絶縁層３Ｂで構成されていること。 - 特許庁

The control gate 9a and the dummy gate 9b are patterned from the same second layer polysilicon film, and the insulation films 10a and 10b are patterned from the same ONO film.例文帳に追加

制御ゲート９ａ及びダミーゲート９ｂは、同じ２層目のポリシリコン膜からパターニングされ、各絶縁膜１０ａ，１０ｂは同じＯＮＯ膜からパターニングされたものである。 - 特許庁

To prevent inter-layer short-circuits even when a defective part such as a pinhole is present on a gate insulation film in an active matrix liquid crystal display element provided with a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示素子において、ゲート絶縁膜にピンホール等の欠陥部があっても、層間ショートが発生しないようにする。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of effectively forming a thin film, for example, MnOx, including metal such as Mn on a surface of an insulation layer low in a dielectric constant.例文帳に追加

比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

When the conductive film 4 is arranged between the heat insulation layer 5 and the glass 2 positioned at the room side, the heat produced by the conductive film 4 is transferred fully to the room side glass 2.例文帳に追加

導電膜４を断熱層５と車室内側に位置するガラス２との間に配置すれば、導電膜４で発生する熱はすべて車室内側ガラス２に伝わる。 - 特許庁

To provide a switchgear in which processing such as casting, or the like, is not required for forming the insulation layer of a main circuit conductor, and withstand voltage performance of the main circuit conductor can be enhanced.例文帳に追加

主回路導体の絶縁層の形成に注型等の加工を必要とせず、また、主回路導体の耐電圧性能を向上することができるスイッチギヤを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulation film having high insulating reliability in the boundary between an organic material layer formed on an electrically conductive part and an insulated part, and to provide a structure.例文帳に追加

導電部上に形成された有機材料層と絶縁部との界面で絶縁信頼性が高い絶縁膜の形成方法及び構造体を提供すること。 - 特許庁

The electrolytic corrosion preventive type rolling bearing includes a ceramic insulation layer 4 on its surface mounted to a housing or a shaft in an outer ring 2 or an inner ring 1.例文帳に追加

この電食防止型転がり軸受は、外輪２または内輪１におけるハウジングまたは軸に取り付けられる面にセラミックスの絶縁層４を有するものである。 - 特許庁

When the conductive film 6 is arranged between the heat insulation layer 5 and the glass 1 positioned outside of the room, the heat produced by the conductive film 6 is transferred to the glass 1 outside of the room.例文帳に追加

導電膜６を断熱層５と車室外側に位置するガラス１との間に配置すれば、導電膜６で発生する熱はすべて車室外側ガラス１に伝わる。 - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁

To avoid shape deformation such as dishing or recess when a metal layer is buried in trenches formed in an insulation film and it is planarized by the chemical-mechanical polishing method.例文帳に追加

絶縁膜に形成された溝に金属層を埋め込み、これを化学的機械研磨法で平坦化するに際し、ディッシングやリセス等の形状異常を防止する。 - 特許庁

Each exposed part of the insulation layer 13 and the LED element 12, and the periphery of light emitting element mounting surface of the substrate 11 are sealed with a sealing member 14 of glass.例文帳に追加

この絶縁層１３、ＬＥＤ素子１２の各露出部分、及び基板部１１の発光素子搭載面の周囲がガラス材による封止部材１４で封止される。 - 特許庁

A lead frame 16 constituting symmetric paths of currents to be measured is fixed on one surface of an insulation film 17 with a potting resin layer 21 added with a magnetic material.例文帳に追加

対称な被測定電流の経路を構成するリードフレーム１６を磁性体を添加したポッティング樹脂層２１により絶縁膜１７の一面に固定する。 - 特許庁

Thereby when the internal pressure of the vacant chamber is increased and decreased in response to the fluctuation of the atmosphere, the partition wall is deformed to balance the internal pressure of the heat insulation layer space with the atmosphere.例文帳に追加

これにより、大気圧の変動に応じて空室の内圧が増減すると、隔壁が変形して断熱層空間の内圧を大気圧と釣り合わせることができる。 - 特許庁

Then, after a plurality of insulation sheets 17 in which the wiring circuit layer 16 is buried in their surface are laminated and press-fitted, they are heated and cured at the same time so as to obtain a multilayered wiring board.例文帳に追加

その後、配線回路層１６が表面に埋設された複数の絶縁シート１７を積層圧着後、一括して加熱硬化して多層配線基板を作製する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises: forming a trench in an insulation layer; adding an impurity to an oxide semiconductor film contacting a top edge corner of the trench; and forming a source region and a drain region.例文帳に追加

絶縁層にトレンチを形成し、トレンチの上端コーナー部と接する酸化物半導体膜に不純物を添加し、ソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

An insulation gap (201), having a prescribed interval or a shielding layer (301) constituted of a conductor member, is arranged on the region (101) on which the flat cables 102, 103 are overlapped.例文帳に追加

フラットケーブル１０２、１０３の重なりあった領域（１０１）には、所定間隔の絶縁ギャップ（２０１）、あるいは導体部材から成る遮蔽層（３０１）を配置する。 - 特許庁

To provide a substrate for solar cell in which stripping of an insulation layer formed on a substrate can be suppressed even in a heating/cooling process and to provide the solar cell using the same.例文帳に追加

加熱・冷却工程においても、基板上に形成した絶縁層の剥離を抑制できる太陽電池用基板、およびそれを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

The method and a system are provided for repairing the insulation blankets 24a, 24b from an underlying layer 30 of which a metallized fabric 26 is separated.例文帳に追加

断熱ブランケット（２４ａ，２４ｂ）の下地層（３０）からメタライズ織物（２６）が剥離してしまった断熱ブランケット（２４ａ，２４ｂ）を修復する方法とシステムを提供する。 - 特許庁

When a voltage Vsub1 is applied to a substrate 20, holes are induced around the joint surface with respect to a body 26 and an insulation layer 22, so that an electrically induced body(ETB)-MOS transistor structure is formed.例文帳に追加

基板２０に電圧Ｖ_sub1が印加されると、ボディ２６の絶縁層２２に対する接合面付近にホールが誘起されたＥＩＢ−ＭＯＳトランジスタ構造となる。 - 特許庁

The insulation layer 22 is provided with a first opening 23 at a position to be a display pixel and a second opening 26 at a region 31 further outside of an anode wiring at an tip end.例文帳に追加

絶縁膜２２には、表示画素となる位置に第一の開口部２３を設け、一番端の陽極配線より外側の領域３１に第二の開口部２６を設ける。 - 特許庁

To provide an element for confirmation and an inspection method thereof for determining the end point of polishing process in the CMP process to form an embedded conductive layer within the recessed area of an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜の凹部内に導電層を埋め込み形成するＣＭＰ工程おける研磨終点を判断できる確認用素子及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a void from being generated even if a magnetic pole part of a magnetic recording head is manufactured by plating and damascene method of a magnetic material buried in a recessed part provided at an insulation layer.例文帳に追加

磁気記録ヘッドの磁極部を絶縁層に設けた凹部に埋設した磁性材料のめっきとダマシン法によって製造してもボイドが発生する不具合を防ぐ。 - 特許庁

Out of the surface of an outer ring 13, an outer peripheral surface 17, axial both ends 18, 18, and continuous portions 23, 23 are coated with a ceramic insulation layer 21 made of ceramics respectively.例文帳に追加

又、外輪１３の表面のうち、外周面１７、軸方向両端面１８、１８及び連続部２３、２３を、それぞれセラミックス製の絶縁層２１により被覆する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate in which flatness of a surface is high and an end of a partial insulation layer or a region near its end can be effectively used.例文帳に追加

表面の平坦性が高く部分的な絶縁層の端部やその近傍の領域を有効に使用することができる基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one face of a metal plate 3 is coated with a compound layer 2 formed by including heat insulation nonmetallic fiber except for asbestos, filler, elastomer, and cork grains.例文帳に追加

金属板３の少なくとも片面に、石綿以外の耐熱性非金属繊維と充填材とエラストマーとコルク粒とを含有してなるコンパウンドの層２をコーティングする。 - 特許庁

The insulation layer formed on a core main surface 12 side and the core rear surface 13 side is polished, so as to expose external electrodes 111, 112, 121, 122 of the ceramic capacitor 101.例文帳に追加

コア主面１２側及びコア裏面１３側に形成された絶縁層を研磨し、セラミックコンデンサ１０１の外部電極１１１，１１２，１２１，１２２を露出させる。 - 特許庁

The via layer insulation film has a groove including a region adjacent to the via in a width direction of the first and the second wires beneath the inter-wire region.例文帳に追加

前記ビア層絶縁膜は、前記第１および第２の配線の幅方向に前記ビアと隣接する領域を含む溝を前記配線間領域の下に有する。 - 特許庁