意味 | 例文 (999件) |
layer-insulationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5895件
A sound insulation plate 2 is supported between supports 1 vertically provided at a prescribed interval, forms a siliceous ceramic layer 4 comprising a polysilazane or its denaturant on a light transmission plate 3, and a photocatalyst containing layer 5 is formed on the outside.例文帳に追加
所定間隔をおいて立設された支柱1間に遮音板2を支持し、前記遮音板2は、透光板3にポリシラザン又はその変成物からなるシリカ質セラミックス層4を形成し、外面に光触媒含有層5を形成する。 - 特許庁
Consequently, a high dielectric constant gate insulation film having a multilayer structure including a nitrogen introduction layer having an effect of suppressing the penetration of a dopant such as B and a nitriding prevention layer which essentially has no requirement for introduction of nitrogen can be realized.例文帳に追加
これにより、Bなどの不純物の突き抜け抑制の効果のある窒素導入層と、本質的に窒素を導入する必要のない窒化防止層を含む層の多層構造からなる高誘電率ゲート絶縁膜を実現する。 - 特許庁
When an oxide insulator is formed as a protective film on an oxide semiconductor layer, a film is formed in an atmosphere containing an oxidizing gas, and the carrier density around an interface of the oxide semiconductor is made lower than that of an insulation layer side.例文帳に追加
酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。 - 特許庁
An insulation ring 17 made of a resin is fitted to an insulating layer at an end of a cable, and semiconductive tubular contact parts 19 from semiconductive layers 18 on both side faces of the insulating ring are jointed to a shield layer 13 or an internal conductor 16.例文帳に追加
ケーブル端末の絶縁層に樹脂製絶縁リング17を嵌め、その絶縁リング両側面の樹脂製半導電層18からの半導電性筒状接触部19をシールド層13又は内部導体16に接合する。 - 特許庁
To form an isolation insulation film optimum for each surface silicon layer in a method of manufacturing a semiconductor device, by which elements having different surface silicon layer film thicknesses are formed on the same SOI substrate.例文帳に追加
表面シリコン層の膜厚の異なる素子を同一SOI基板上に形成する半導体装置の製造方法において、各々の表面シリコン層に対して最適な素子分離絶縁膜を形成することを目的とする。 - 特許庁
Since an external case 11 is separated from respective constituent members by the insulation sheet 40, the constituent members are prevented from causing a short circuit by breaking the resin layer of an external body, and then abutting a metal layer when vibration or shock is applied to them.例文帳に追加
この絶縁シート40により外装ケース11と各構成部材との間が隔離されるので、振動や衝撃が加わったときに構成部材が外装体の樹脂層を破壊し、金属層に接触する短絡が防止される。 - 特許庁
Furthermore, since an insulation material of the buffer layer LB has the same kind of crystalline structure as that of a piezoelectric material which forms the piezoelectric thin film LP formed on the buffer layer LB, it is possible to increase adhesion properties and also restrict reduction in piezoelectric characteristics.例文帳に追加
また、バッファ層LBの絶縁材料は、バッファ層LB上に形成された圧電薄膜LPを形成する圧電材料と同種の結晶構造を有することで、密着性を高めるとともに、圧電性の低下を抑制できる。 - 特許庁
To provide a prepreg which enhances adhesive strength to a copper foil in an insulation layer having a p-aramid nonwoven fabric as the base material, and can contribute to further improvement of part mounting reliability, and a laminated plate having an inner layer circuit obtained by using this prepreg.例文帳に追加
パラ系アラミド不織布を基材とする絶縁層における銅箔密着強度を高め、部品実装信頼性の更なる向上に寄与し得るプリプレグ及びこれを用いてなる内層回路入り積層板を提供する。 - 特許庁
To provide a wiring board in which wettability between an underfill resin and an insulation layer or a solder resist layer used as a semiconductor element mounting surface is adjusted, and a void or the like is prevented from occurring in the underfill resin when the underfill resin is filled.例文帳に追加
アンダーフィル樹脂と半導体素子搭載面となる絶縁層やソルダーレジスト層との間の濡れ性を調整し、アンダーフィル樹脂を充填する時にアンダーフィル樹脂にボイド等発生しないような配線基板を提供する。 - 特許庁
A laminated member, composed of a first layer 32 having low friction property and insulation property formed at a laminated body 24 side, and a second layer 34 having shock absorbing property, are formed between the laminated body 24 and a tension plate 30.例文帳に追加
積層体24とテンションプレート30との間に、積層体24側から順に低摩擦特性と絶縁特性とを有する第1の層32と緩衝特性を有する第2の層34とからなる層部材を形成する。 - 特許庁
A metal foil 2, a hard insulation layer 3 not softening in a temperature range of 100-400°C, an adhesive resin layer 4 fusible temporarily in that temperature range, and a protective film 5 are arranged in this order and integrated.例文帳に追加
金属箔2と、100〜400℃の温度範囲において軟化しない硬質絶縁層3と、上記温度範囲において一時的に溶融可能となる接着樹脂層4と、保護フィルム5とを、この順に配置して一体化されている。 - 特許庁
A first supporting plug 22 is arranged in the first region so that the gas is charged or the first inter-layer insulation film is arranged between the first supporting plug 22 and the first connection plug, and reaches from the wiring layer to the base part, and further has a second Young's modulus.例文帳に追加
第1支持プラグ22は、第1接続プラグとの間に、気体が充填されるかまたは第1層間絶縁膜が配設されるように第1領域内に配設され、配線層から下地部分に達し、且つ第2ヤング率を有する。 - 特許庁
A multilayer thermal barrier (first layer) 404 is formed on substrate structure 402, a heating element 112 is arranged thereon, and a magnetic pole structure 410 is formed on the heating element 112 through a second layer 408 having an electrical insulation property.例文帳に追加
基板構造402の上に多層熱障壁(第1層)404が形成され、この上に発熱体112が配置され、発熱体112の上部に電気絶縁性の第2層408を介して磁極構造410が形成される。 - 特許庁
To provide an implement for softening lead glass which can drastically reduce the inclusion of bubbles into an adhesive layer (lead glass layer) and therefore yields high adhesion, hardly gives rise to an insulation defect and permits easy peeling of the joined material from the implement.例文帳に追加
接着層(鉛ガラス層)に泡が混入するのを激減させることができるので、接着力が高く、絶縁不良を起こす恐れが極めて小さく、しかも治具からの剥離が容易な鉛ガラス軟化用治具を提供する。 - 特許庁
To improve performance and reliability of components of a wiring layer composed of a diffused layer, etc., by forming impurity ion implanted regions in contract with the surface of an insulation film on a part of semiconductor regions formed on an SOI substrate surface, and thermally diffusing the impurity in the impurity ion implanted regions.例文帳に追加
半導体領域に不純物が拡散されている拡散層からなる配線層などの構成要素の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electric field light-emitting light of a superior quality, in which the cost is reduced by the reduction of the printing number of a reflection insulating layer, and in which the reflection insulating layer is made to be precise and with a high dielectric and in which the insulation resisting pressure and the luminance are improved.例文帳に追加
反射絶縁層の印刷回数を削減してコストを低減すると共に、緻密かつ高誘電率の反射絶縁層とし、絶縁耐圧と輝度を向上した高品質の電界発光灯を提供する。 - 特許庁
Due to this, the thickness of the insulating layer, consisting of the insulation- to-earth layer 12 and the semiconductive layers 13 and 15, is determined by the existing insulating techniques, but the thickness of the entire winding 10 is increased with the amount equivalent to the placed spacer 14.例文帳に追加
このため、対地絶縁層13及び半導電層13,15でなる絶縁層厚さは、現在の絶縁技術で決まる厚さとなるが、スペーサ14を介在させた分だけ、巻線10の全体の厚さは厚くなる。 - 特許庁
After a resist layer 22 having a hole 22a exposing a shoulder of the insulation film 16a and a part of the resist layer 20B near the shoulder is formed, a connection hole 24 is formed in a wet-etching process with the resist layers 22, 20B as masks.例文帳に追加
絶縁膜16aの肩部とその近傍のレジスト層20Bの一部とを露呈する孔22aを有するレジスト層22を形成した後、レジスト層22,20Bをマスクとするウェットエッチング処理により接続孔24を形成する。 - 特許庁
To suppress the deterioration of insulation resistance between wirings by suppressing the excess imparting of a catalyst to the surface of an insulating layer while securing a close contact force between the wiring and the insulating layer in a method for wiring to a board.例文帳に追加
基板への配線方法において、配線と絶縁層間の密着力を確保しつつ触媒が絶縁層表面へ過剰に付与されることを抑制して、配線間の絶縁抵抗劣化を抑制することを課題とする。 - 特許庁
A low resistance fuse 10 includes a polymer membrane, a fuse element layer 20 formed on the polymer membrane, and first and second intermediate insulation layers 22, 24 extending on opposite sides of the fuse element layer 20 and coupled thereto.例文帳に追加
低抵抗ヒューズ10は、ポリマーメンブレン、そのポリマーメンブレン上に形成されたヒューズ要素層20、ならびにそのヒューズ要素層に対向する面に伸びて、且つそれに結合された第1および第2の中間絶縁層22,24を含む。 - 特許庁
This noise insulation structure 1 for automotive under body portion is provided with an under coat layer 4 on an acryl-epoxy thermosetting layer 3, on a coating surface of a steel plate 2 subjected to a primer coating.例文帳に追加
自動車のアンダーボディー部の防音構造1において、下塗り塗装を施した鋼板2の塗装面の上にアクリル−エポキシ系熱硬化層3の上にアンダーコート層4を有することを特徴とする、自動車のアンダーボディー部の防音構造。 - 特許庁
A chemical vapor deposition method comprises providing a thin silicon layer on the surface of an insulation-coated substrate before a tantalum-based barrier layer is formed from a mixture of a vapor-phase reactant comprising a tantalum halide and reducing gas.例文帳に追加
化学気相成長方法は、ハロゲン化タンタル及び還元ガスを含む気相反応物質の混合物からタンタルを基礎とするバリア層を成膜する前に絶縁被覆された基板の表面に薄いシリコンの層を備えることを含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate and manufacturing method thereof whereby gettering can be performed more properly than conventional ones even when using a semiconductor wafer having such a structure as to provide a semiconductor layer for forming elements thereon on an insulation layer.例文帳に追加
素子の形成される半導体層が絶縁層上に設けられる構造を有する半導体ウエハを用いる場合であれ、ゲッタリングをより適切に行うことのできる半導体基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The terminal member further comprises a circular cone semiconductive part 230 connected with the outer semiconductive layer 140 of the wire, and an insulating part 220 arranged on the insulation layer 130 of the wire integrally with the semiconductive part 230.例文帳に追加
さらに、この端末部材は、円錐面形状を有して前記電線の外部半導電層140と接続される半導電部230と、この半導電部230と一体で前記電線の絶縁層130上に配される絶縁部220とを有する。 - 特許庁
Preformed bell mouth portions 120, 130 and an internal electrode 110 are installed on the periphery of a stem 204, and a preformed outer shut-off layer 150 is installed in the inner circumference of the metal mold for forming a reinforcement insulation layer 140.例文帳に追加
心棒204の外周上に、予め形成されたベルマウス部120、130および内部電極110を配置し、補強絶縁層140を形成する金型の内周に、予め形成された外部遮蔽層150を配置する。 - 特許庁
Then, a solder resist layer is formed on the insulation layer so as to cover a part of the copper foil pattern (step S4), and water soluble heat resistant pre-flux is applied to the surface of the copper foil pattern when a metal film surface is exposed (step S5).例文帳に追加
次に、銅箔パターンの一部を被覆するように、ソルダーレジスト層を絶縁層上に形成し(ステップS4)、金属膜表面が露出した銅箔パターン表面に水溶性の耐熱性プリフラックスを塗布する(ステップS5)。 - 特許庁
Even when breakdown of the insulating layer on the outer circumference of the heating wire occurs, insulation between the heating wire and a heater unit outer side is secured because a waterproof insulating layer 470 is provided on outer circumferences of the metal foils 451, 453.例文帳に追加
そして発熱線の外周の絶縁層の絶縁破壊が生じた場合でも、金属箔451,453の外周に防水絶縁層470を備えた構成であるため、発熱線とヒータユニット外側との絶縁を確実にする。 - 特許庁
Since the electric field on the interface between the ferroelectric layer 30 and the upper electrode layer 40 is disturbed and a region being applied with a strong electric field is distributed, the concentration of the electric field is prevented and the deterioration of insulation can be suppressed.例文帳に追加
これによって、強誘電体層30と上部電極層40との界面の電界が乱されて強い電界のかかる領域が分散するため、電界の集中を防止して絶縁性の劣化を抑制することができる。 - 特許庁
With the insulation layers 11 and 21a being so located as to hold the circuit layers 12 and 22a from both sides, the patterns 13 and 23 for connection are fitted with each other, and the patterns 13 for connection are fastened on the insulation layer 21a of the printed circuit board 20 using an adhesive tape 40.例文帳に追加
両絶縁層11、21aが両回路層12,22aを両側から挟むように配置して両接続用パターン13、23を嵌め合わせ、接着テープ40を用いて接続用パターン13をプリント基板20の絶縁層21a上に固定する。 - 特許庁
Trenches la with embedded-insulation layers 5 embedded therein are formed in a silicon substrate 1, and a gate electrode 2 having an emitter area part 2a, a gate wiring part 2b, and a bonding pad part 2c, is formed over the silicon substrate 1 with an insulation layer 4 interposed between them.例文帳に追加
シリコン基板1内には、埋設絶縁層5によって埋め込まれたトレンチ1aが形成されており、シリコン基板1上には絶縁体層4を介して、エミッタエリア部2aと、ゲート配線部2bと、ボンディングパッド部2cとを有するゲート電極2が形成される。 - 特許庁
A thickness end surface of a cross section in the shorter side direction of a metal core part 14 of an insulation part 13, formed being covered with an insulation resin layer 15 for electrically insulating an anode part 11 and a cathode part 12, forms shapes protruding in the outer peripheral direction of the metal core part 14.例文帳に追加
陽極部11と陰極部12を絶縁するために絶縁樹脂層15で覆い形成された絶縁部13の金属芯部14の短手方向断面の厚み端面が、金属芯部14の外周方向に凸形状であるようにする。 - 特許庁
To provide a screen device for thermal insulation in which an air layer for thermal insulation is formed between inner and outer screens stackingly wound on a winding shaft and which prevents a difference in length between the screens on the inner and outer sides from affecting the attitude of a bottom bar.例文帳に追加
巻取り軸に重ねて巻いた内側と外側のスクリーンの間に断熱用の空気層を形成するものにおいて、内側と外側に巻かれたスクリーンの長さの差がボトムバーの姿勢に影響を与えないようにした断熱用スクリーン装置を提供する。 - 特許庁
Furthermore, by performing heat treatment, a barrier layer 14 is formed which is made of manganese silicate that is formed by bonding oxygen in the interlayer insulation film, silicon in the silicon-containing film 11 and manganese in the CuMn film 12, on a boundary face between the interlayer insulation film and the Cu film 13.例文帳に追加
その後、熱処理を行うことにより、層間絶縁膜中の酸素とシリコン含有膜11中のシリコンとCuMn膜13中のマンガンとを結合させたマンガンシリケートからなるバリア層14を、層間絶縁膜とCu膜13との界面に形成する。 - 特許庁
Circuit regions, 4 exposing the surface of the lead frame 3, and insulation regions 5 exposing the surface of the insulation layer 2 between the circuit regions 4, 4 and having surface projecting from the circuit region 4 are formed on the circuit forming of the heat conduction board 1.例文帳に追加
その回路形成面に、リードフレーム3の表面が露出する回路領域4と、回路領域4,4間において絶縁層2の表面が露出すると共にこの表面が回路領域4よりも突出している絶縁領域5とが形成されている。 - 特許庁
By the negative bias, positive holes are distributed unevenly in an n^+-type embedded region 3 and an n-type semiconductor layer 4 close to the trench insulation film 5, so that the center of the flow of electrons is shifted not only to the center of a pn junction but also to the side of the trench insulation film 5.例文帳に追加
この負バイアスにより、トレンチ絶縁膜5に近いn+型埋め込み領域3及びn型半導体層4内に正孔が偏在し、これにより電子の流れの中心はpn接合の中心だけではなく、トレンチ絶縁膜5側にシフトする。 - 特許庁
A polycrystal Si to be a heating resistor section, an interbedded insulation film 36, a metallic wiring pattern layer and a surface protection film 41 are formed on an SI substrate, then the interbedded insulation film 36 and surface protection film 41 are removed by a dry-etching method to open a pit 8 to form an opening.例文帳に追加
Si基板上に発熱抵抗体部となる多結晶Si、層間絶縁膜36、金属配線層、表面保護膜41などを形成後、層間絶縁膜36および表面保護膜41をドライエッチングによって除去し、ピット8を開口させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing of a semiconductor device suppressing reaction between a barrier metal film and an F-added carbon film in an opening to improve adhesiveness between a wire and an insulation film, in a multilayered wiring structure using an F-added carbon film as an inter-layer insulation film.例文帳に追加
F添加カーボン膜を層間絶縁膜として使った多層配線構造ににおいて、開口部内のバリアメタル膜とF添加カーボン膜との反応を抑制し、配線と絶縁膜の密着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The insulation material is made of a porous base with at least three layers where reinforcing materials 401 and 402 are laminated on both the surfaces of the insulation material 402 that has been semi-cured by impregnating a thermosetting resin, and the empty hole rate of the porous bases is allowed to differ between the outermost layers 401 and 403, and the inner layer 402.例文帳に追加
熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした絶縁材402の両表面に補強材401,402を積層した3層以上の多孔質基材からなり、かつそれらの多孔質基材の空孔率を最外層401,403と内層402とで異ならせる。 - 特許庁
The thin-film electron source is provided with a lower electrode 11 formed of metal, suitably, aluminum or an aluminum alloy on an insulation substrate, and a tunnel insulation layer 12 on the lower electrode 11, on which, further, a silicon-made upper electrode 23 is laminated.例文帳に追加
薄膜電子源として、絶縁基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金を好適とする金属で形成した下部電極11と、この下部電極11の上にトンネル絶縁層12を有し、さらにこの上層にシリコンの上部電極23を積層した構造とする。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition for a flexible printed wiring board, including no halogen with consideration given to an environment, having excellent flame retardancy and insulation reliability, and forming a cover insulation layer which hardly causes deposition of a flame retardant component.例文帳に追加
ノンハロゲン化による環境面が考慮され、優れた難燃性を備え、絶縁信頼性が良好で、難燃成分の析出が抑制されたカバー絶縁層を形成することのできるフレキシブルプリント配線回路基板用の感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a heat insulation waterproof structure and a method of heat insulation waterproofing which are used for laying down a heat insulating material and a waterproof layer on a metal roof substrate such as a deck plate and which provide a high reliability of wind resistance when strong wind blows.例文帳に追加
デッキプレート等の金属製屋根下地材に、断熱材および防水層を敷設する断熱防水構造および断熱防水工法において、強風時の耐風荷重に対して、より信頼性の高い断熱防水構造および断熱防水工法を提供する。 - 特許庁
A gate electrode 2 and a gate insulation film 3 are formed on a principal plane of a base substrate 1, a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed on the gate insulation film 3, and an organic semiconductor layer 6 is formed to continuously coat over the electrodes and between the electrodes.例文帳に追加
支持基板1の主面に、ゲート電極2とゲート絶縁膜3とを形成し、ゲート絶縁膜3の上にソース電極4およびドレイン電極5を形成し、これらの電極上および電極間を連続的に被覆する有機半導体層6を形成する。 - 特許庁
Each trench comprises an insulation material 612 backing its surface, a conductive material 610 filling up a lower portion of the trench substantially down to a selected level below the upside of the upper layer, and an insulation material substantially filling up the rest of the trench.例文帳に追加
各トレンチはその表面を裏打ちする絶縁材料612と、上部層の上部表面の実質的に下方の選択されたレベルにまでその下部を充填する導電性材料610と、トレンチの残り部分を実質的に充填する絶縁材料とを含む。 - 特許庁
Then, the unnecessary barrier metal 4 still left on the interlayer insulation film 2 is selectively etched by an etching liquid until the interlayer insulation film 2 is exposed, thus forming a contact plug 6 formed of the barrier metal 4a and the conductor layer 5a within the contact hole 3.例文帳に追加
その後、層間絶縁膜2上に残存している不要なバリアメタル4を、エッチング液を用いて層間絶縁膜2が露出するまで選択的にウェットエッチングして、コンタクトホール3内にバリアメタル4a及び導電層5aからなるコンタクトプラグ6を形成する。 - 特許庁
The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.例文帳に追加
基板1上での第2層目の配線11の上側に第2層目の層間絶縁膜(膜13,14,15)を形成し、マスク16を用いて第2層目の層間絶縁膜(膜13,14,15)におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁
An insulation coat 3 is coated over a conductor (a bare copper wire 2), and a semiconductor layer 4 is coated by dip coating or the like using a coating liquid on the insulation coat 3, the coating liquid containing, by mass ratio, 5% or more and 10% or less of carbon black relative to a polyamideimide resin.例文帳に追加
導体(裸銅線2)上に絶縁被膜3を被覆し、絶縁被膜3の上から、カーボンブラックがポリアミドイミド樹脂に対して質量比が5%以上10%以下含まれたコーティング液でディップコート等により半導体層4を被覆する。 - 特許庁
In this semiconductor memory, a gate insulation film 13 capable of direct tunneling is used, and at of writing information, a gate voltage for which enables direct tunneling of the gate insulation film 13 is applied constantly and continuously, until an inversion layer 17 disappears.例文帳に追加
本発明の半導体記憶装置では、直接トンネリング可能なゲート絶縁膜13を用いており、情報を書き込む際には、ゲート絶縁膜13が直接トンネリング可能となるゲート電圧を、反転層17が消滅するまで一定して印加し続ける。 - 特許庁
To provide a metallic powder for a powder magnetic core which has an enhanced bonding strength between an insulation material and particles and has superior electrical insulation properties, by uniformly concentrating Si only on the surface layer of a powder without causing a deterioration of compressibility or a decrease of a saturation magnetic flux density.例文帳に追加
粉末の表層部のみにSiを均一に濃化させることにより、圧縮性の劣化や飽和磁束密度の低下を招くことなしに、絶縁材料と粒子間の結合力を高めた、電気絶縁性に優れた圧粉磁心用金属粉末を提供する。 - 特許庁
To provide a wiring board in which the occurrence of a cracking and voids in a resin insulation layer is suppressed by rounding the acute part of a through hole in order to improve the filling properties of insulation resin, and to provide a process for producing a wiring board in a high yield by suppressing lowering of the production efficiency.例文帳に追加
スルーホールの先鋭部に丸みを持たせて絶縁樹脂の充填性をよくし、樹脂絶縁層でのクラックやボイドの発生を抑制し得る配線基板と、生産効率の低下を抑制し、製品歩留まりのよい配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
An organic EL element 16 is composed by laminating an anode Pc, an insulation membrane I, an organic EL layer, and a cathode in an element formation region, and formed by protruding a functional liquid-drawing-in protrusion Ip of a bearded needle shape in four corners of the insulation membrane I toward the center of the element formation region.例文帳に追加
有機EL素子16は素子形成領域に陽極Pc、絶縁膜I、有機EL層及び陰極を積層して構成し、絶縁膜Iの四隅に髭状の機能液引込み突起Ipを素子形成領域の中央に向かって突出形成する。 - 特許庁
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