「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

In the edge parts of a plate body 2 used for the deposition of a cathode electrodeposited material in an electrode plate 1, at least the lower edge part 2a is coated with an insulation layer 6 consisting of a resin having insulation property, acid resistance and heat resistance instead of being coated with wax.例文帳に追加

電極板１においてカソード電着物の析出に供される板本体２の縁部のうち、少なくとも下縁部２ａを、ワックスによって被覆する代わりに、絶縁性、耐酸性、及び耐熱性を有する樹脂からなる絶縁層６によって被覆する。 - 特許庁

A SiCN film 5, and a SiOC film 6, a PAE film 8, and an SiOC film 8 are formed in this order on a substrate of which the surface layer is an interlayer insulation film 2 embedded with first Cu wiring 4, so as to form interlayer insulation films.例文帳に追加

第１Ｃｕ配線４が埋め込み形成された層間絶縁膜２を基板の表面層とし、当該基板上にＳｉＣＮ膜５、ＳｉＯＣ膜６、ＰＡＥ膜８、およびＳｉＯＣ膜８をこの順に成膜してなる層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

In a method for molding the optical disk substrate or the like, a part of a stamper to be used, that is, an interior and/or a rear surface is constituted of a heat insulation layer made of a heat insulation material having a thermal conductivity of 94 W/m.K of a polyimide, a polyamideimide, ceramics, bismuth or the like.例文帳に追加

光ディスク基板等の成形方法において使用するスタンパの一部、すなわち内部及び／または裏面が、ポリイミド、ポリアミドイミド、セラミクス、ビスマス等の熱伝導率が９４Ｗ／ｍ・Ｋより小さい断熱材料からなる断熱層で構成されている。 - 特許庁

To provide a low-temperature liquified gas storage tank with which an heat insulation material can be supplied and filled in a heat insulation layer between an inner tank and an outer tank and reduction of a manufacturing period and a manufacturing cost can be attained by reducing an elevated level work as much as possible.例文帳に追加

内槽と外槽との間の断熱層への断熱材の投入、充填を容易に行うことができ、高所作業を極力低減して製作期間の短縮や製作コストの削減を図ることができる低温液化ガス貯槽を提供する。 - 特許庁

The material of interface layer 106 comprises the functions of reinforcing adhesion between the interface layer 106 and insulation sealing material 102, reinforcing insulation between a solar cell 103 group or solar cell submodule 104 group and the rear face protection material 105, preventing material reaction between the insulation sealing material 102 and rear face protection material 105, and protecting a surface of the rear face protection material 105.例文帳に追加

界面層１０６の材料には、界面層１０６と絶縁性封止材１０２と間の接着性強化の機能を有し、太陽電池セル１０３群又は太陽電池サブモジュール１０４群と裏面保護材１０５との間の絶縁強化の機能を有し、絶縁性封止材１０２と裏面保護材１０５との間の材料間反応防止の機能を有し、裏面保護材１０５の表面保護の機能を有する材料を用いる。 - 特許庁

The thin-film transistor comprises an active layer 102 which is formed of a semiconductor thin film and has an unevenness of 10 nm or larger on the surface, gate insulation film 103 formed of a silicon nitride film containing fluorine on the surface of the active layer 102, a gate electrode 104 formed on the gate insulation film 103, and source and drain electrodes 105 electrically connected to the active layer 102.例文帳に追加

半導体薄膜からなり表面に１０ｎｍ以上の凹凸を有する活性層１０２と、活性層１０２の表面上に形成されフッ素を含むシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜１０３と、ゲート絶縁膜１０３上に形成されるゲート電極１０４と、活性層１０２と電気的に接続されるソース・ドレイン電極１０５とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The boundary contact comprises a first conductivity type first region and a second conductivity type second region formed adjacently to each other on a semiconductor substrate, a silicide abutting on the first and second regions, an insulation layer covering a part of the silicide, a contact formed to penetrate the insulation layer thus exposing a part of the silicide, and a metal layer filling the contact and being concatenated with the silicide.例文帳に追加

半導体基板上に形成されて相互に隣接する第１導電形態の第１領域と第２導電形態の第２領域と、第１及び第２領域に接触するシリサイドと、シリサイドの一部を被覆する絶縁層と、絶縁層内に形成されて絶縁層を貫通し、シリサイドの一部を露出させるコンタクトと、コンタクト内に充填されてシリサイドに連接する充填金属層と、を具えている。 - 特許庁

This organic EL display includes: a substrate 12; the plurality of organic EL elements 16 arranged on the substrate 12; insulation members 14 disposed between the adjacent organic EL elements 16; and a first protection layer 18 which is sequentially formed from a region between the lower layer electrode 24 and the function layer 26 of the organic EL element 16 to the surface of the insulation member 14 and composed by containing fluorine.例文帳に追加

基板１２と、基板１２上に配列される複数の有機ＥＬ素子１６と、隣接する有機ＥＬ素子１６間に配置される絶縁部材１４と、有機ＥＬ素子１６が有する下層電極２４と機能層２６との間の領域から絶縁部材１４の表面にかけて連続的に形成され、フッ素を含んで構成される第１保護層１８と、を備えている有機ＥＬディスプレイ。 - 特許庁

The method of manufacturing circuit board utilizes an adhesive tape and comprises steps of (A) forming a circuit pattern on an adhesive agent layer of the adhesive tape by a conductor, (B) forming an insulated layer by coating the circuit forming surface of the adhesive tape with an insulation material, and then (C) exposing the circuit at the surface of insulation layer by peeling the adhesive tape.例文帳に追加

本発明の回路基板の製造方法は、粘着テープを用いた回路基板の製造方法であって、（Ａ）粘着テープの粘着剤層上に導体により回路パターンを形成する工程の後、（Ｂ）前記粘着テープの回路形成面に絶縁性材料を塗布して絶縁層を形成する工程、次いで（Ｃ）前記粘着テープを剥離して絶縁層表面に回路を露出させる工程を設けることを特徴とする。 - 特許庁

The substrate for light source mounting an element for light source comprises a base substrate having high thermal conductivity, an insulation layer having high thermal conductivity formed on the side of the base substrate for mounting the element for light source, a wiring pattern formed on the mounting surface side through the insulation layer, and a heat dissipation layer having high heat radiation properties formed on the side opposite to the mounting surface side.例文帳に追加

光源用素子が実装される光源用基板であって、高い熱伝導性を有するベース基板と、ベース基板の光源用素子が実装される実装面側に形成された高い熱伝導性を有する絶縁層と、絶縁層を介して実装面側に形成された配線パターンと、実装面側と反対側の面に形成された高い熱放射性を有する放熱層とを有する構成とする。 - 特許庁

There is provided an SOI semiconductor device where a resistance body 4, which is completely insulated and separated with an insulation film 2a, is formed with a surface semiconductor layer of the SOI substrate laminating the embedded insulation film 2 and surface semiconductor layer and the resistance value of the resistance body 4 is set, depending on the impurity concentration included in the surface semiconductor layer and a size of the resistance body 4.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜２及び表面半導体層が積層されてなるＳＯＩ基板の表面半導体層により形成され、絶縁膜２ａによって完全に絶縁分離された抵抗体４であって、抵抗体４の抵抗値が、抵抗体４を構成する表面半導体層に含まれる不純物濃度と抵抗体４の大きさとによって設定されてなるＳＯＩ半導体装置。 - 特許庁

In the dust core which is formed by press-forming soft magnetic metallic particles having an insulation oxide film on their surfaces, the soft magnetic metallic particle contains iron, and a metallic layer which is formed mainly of a magnetic element with higher equilibrium oxygen pressure than iron is provided between the soft magnetic metallic layer and the insulation oxide film.例文帳に追加

表面に絶縁酸化被膜を有する軟磁性金属粒子をプレス成形して形成されてなる圧粉磁心において、前記軟磁性金属粒子が鉄を含有し、前記軟磁性金属粒子と前記絶縁酸化被膜の間に、鉄より平衡酸素圧の高い磁性元素を主成分とする金属層を有することを特徴とする圧粉磁心。 - 特許庁

In the electrostatic chuck wherein the surfaces of the electrodes are coated with the insulation layer, the electrodes are formed of a metal- ceramics composite material which is aluminum or aluminum alloy compounded with silicon carbide powder, the insulation layer is constituted of a ceramic plate, with the ceramic plate being brazed and bonded on the surfaces of the electrodes and coated.例文帳に追加

電極表面に絶縁層が被覆された静電チャックにおいて、該電極が、アルミニウムまたはアルミニウム合金に炭化けい素粉末を複合させた金属−セラミックス複合材料からなり、該絶縁層が、セラミックス板からなり、かつそのセラミックス板が電極表面にロウ付けで接合されて被覆されていることした静電チャック。 - 特許庁

The method of manufacturing an inkjet head includes a step of forming an insulation layer, which is denser than a piezoelectric member, in a region of the piezoelectric member other than a drive part for ejecting ink, and a step of forming an electrode for applying a drive voltage to the drive part by performing electroless plating of the drive part and the insulation layer.例文帳に追加

インクジェットヘッドの製造方法は、圧電部材のうち、インクを吐出させる駆動部以外の領域に対して、前記圧電部材よりも緻密な絶縁層を形成し、前記駆動部および前記絶縁層に対して無電解メッキを行うことにより、前記駆動部に駆動電圧を印加するための電極を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The double glazing panel forming an enclosed heat insulation layer space between a plurality of plate glasses has: a vacant chamber communicating with the atmosphere demarcated at a position adjacent to the end edge part of the plurality of the plate glasses; and a partition wall deformed in response to the fluctuation of an atmospheric pressure to be partitioned between the vacant chamber and the heat insulation layer space.例文帳に追加

密閉された断熱層空間を複数の板ガラスの間に形成してなる複層ガラスパネルを、複数の板ガラスの端縁部に隣接する位置に画定された大気中に連通する空室と、該空室と前記断熱層空間との間を仕切るべく気圧の変動に応じて変形可能な隔壁とを有することを特徴とするものとする。 - 特許庁

Fair-faced concrete comprises a heat insulation layer 3 containing a colored pigment high in the reflectance of near infrared rays to be rich in a heat insulation property and similar in color to the outer surface of the fair-faced concrete, and a self-cleaning layer 5 transparent and high in a hydrophilic property that are formed on the outer surface of the fair-faced concrete.例文帳に追加

近赤外線の反射率が高い着色顔料を含有することにより遮熱性に富むとともに当該着色顔料が打放しコンクリート外表面に似せた色彩とされた遮熱層３と、透明で親水性の高いセルフクリーニング層５とを外表面に形成して成ることを特徴とする打放しコンクリートである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass paste composition capable of forming a dielectric glass layer with while suppressing the occurrence of residual bubbles which causes the lowering of insulation resistant voltage and light transmittance, and a method for manufacturing a plasma display panel provided with the dielectric glass layer having homogeneity, high transparency, high reliability and high insulation resistant voltage.例文帳に追加

絶縁耐電圧および光透過率の低下を招く残留気泡の発生を抑制して誘電体ガラス層を形成できるガラスペースト組成物を製造する方法と、均質で透明性が高く、高い信頼性と高絶縁耐電圧とを有する誘電体ガラス層を備えたプラズマディスプレイパネルを製造する方法とを提供する。 - 特許庁

In an integrated circuit, a semiconductor substrate 2 whose P^-type or P^--type resistivity is 10 to 1000 Ω.cm is provided, a CMOS 5 is provided on the semiconductor substrate 2, a insulation layer 22 wherein several steps of wirings are buried is provided on the CMOS 5 and an inductor 23 is provided in a region off on the CMOS 5 on the insulation layer 22.例文帳に追加

集積回路１において、Ｐ^−型又はＰ^−−型の抵抗率が１０乃至１０００Ω・ｃｍである半導体基板２を設け、半導体基板２上にＣＭＯＳ５を設け、ＣＭＯＳ５上に数段の配線が埋め込まれた絶縁層２２を設け、絶縁層２２上におけるＣＭＯＳ５上から外れた領域にインダクタ２３を設ける。 - 特許庁

In the production of the substrate for display panel provided with an insulating substrate and elements fabricated by processing a plurality of conductive layers, insulation layers and semiconductor layers which are formed on the insulation substrate, the lowermost conductive layer out of the conductive layers is processed into a wiring element, the other conductive layers are electrically connected to the lowermost conduct layer.例文帳に追加

絶縁基板と、その上に形成された導電層の複数、絶縁層および半導体層を加工して得られた要素とを備えた表示パネル用基板の製造において、導電層の複数のうち最下層に配された導電層を加工して形成された配線要素に電気的に接続した他の導電層を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the capacitance type electromechanical conversion device includes: a step of forming an insulation layer 2 on a first silicon substrate 1 and forming at least one recessed part 3; a step of joining a second silicon substrate 5 on the insulation layer 2 by the fusion junction; and a step of thinning the second silicon substrate 5 and forming a silicon film 7.例文帳に追加

静電容量型電気機械変換装置の作製方法は、第一のシリコン基板１上に絶縁層２を形成し、少なくとも一つ以上の凹部３を形成する工程と、第二のシリコン基板５を絶縁層２上に溶融接合により接合する工程と、第二のシリコン基板５を薄化し、シリコン膜７を形成する工程を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of providing an electrode pad 12 in the active side of a substrate 10 through an insulation layer 22, and forming a through electrode 30 by embedding a conductive material into a hole portion H3 reaching from the rear side opposite to the active side to the insulation layer 22 formed in the substrate 10 right above the electrode pad 12.例文帳に追加

基板１０の能動面側に絶縁層２２を介して電極パッド１２が設けられ、電極パッド１２直上の基板１０に形成された、能動面と反対の裏面側から絶縁膜２２まで到達する孔部Ｈ３に、導電材料を埋め込んで貫通電極３０を形成する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

An upper part of a circuit pattern 29 connected to the fixed side contact points 31 is covered with an insulation layer 30 with the circuit pattern 29 in a buried state, and the surface of the insulation layer 30 is protruded to make up protrusions 34, on a tip face of which, the fixed side contact points 31 is arranged to structure the fixed side formation 23.例文帳に追加

固定側の接点３１に接続される回路パターン２９の上部を絶縁層３０で覆い、回路パターン２９を埋設状態にするとともに、絶縁層３０の表面を突出させて突出部３４を形成し、その突出部３４の先端面に固定側の接点３１を配置して固定側形成体２３を構成する。 - 特許庁

To provide a soundproof material which has excellent sound absorption and sound insulation properties, can be manufactured cheaply, has no risk of delamination since the sound absorption layer and the sound insulation layer are firmly and integrally combined without using an adhesive, and has flexibility, to provide a plastic pipe member which has soundproof properties and uses the soundproof material for its exterior, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

優れた吸音性及び遮音性を有する防音材であって、安価に製造することができ、かつ、吸音層と遮音層が、接着剤を使用することなく、一体に強固に結合し、剥離の危険性がなく、かつ、柔軟性のある防音材、また、該防音材を外装に用いた防音性を有する合成樹脂管部材及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device provided with the fuse part 3a to which blowing processing is applied for the purpose of revising the circuit structure, a 2-layer structure comprising a first insulation film 11 with high packing performance and a second insulation film 12 with immunity to intrusion of the water contents and impurities is adopted for a passivation film for coating an uppermost wiring layer.例文帳に追加

回路構造を変更するために切断処理がなされるヒューズ部３ａを備える半導体回路装置において、最上位の配線層を被覆するパッシベーション膜を、充填性の高い第１の絶縁膜１１と、水分や不純物の進入に対する耐性を有する第２の絶縁膜１２との２層構造とする。 - 特許庁

This solar cell panel comprises a solar cell module, a transparent support body which covers at least the solar light incident surface of the solar cell module, and a heat insulation layer formed on the lower surface of the solar cell module, and the heat insulation layer is deformable at normal temperature and includes heat insulator particles having a high breakdown voltage.例文帳に追加

太陽電池モジュールと、前記モジュールの少なくとも太陽光入射面を被覆する透明材支持体と、前記モジュールの下面に設けられた断熱層とを含んでなり、前記断熱層は、常温で変形可能であり、耐圧性を有する断熱材粒子を含むことを特徴とする太陽電池パネル、およびその製造方法。 - 特許庁

In a thin film transistor 10 which has a crystallized silicon film 2 with a source-drain region 2a and a channel region 2b formed on a substrate 1, a gate insulation film 3 formed on this crystallized silicon film 2 and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3, an amorphous layer 5 and a crystalline layer 6 are formed in the gate electrode 4.例文帳に追加

基板１上に形成されたソース・ドレイン領域２ａ及びチャネル領域２ｂを有する結晶化シリコン膜２と、この結晶化シリコン膜２上に形成されたゲート絶縁膜３と、このゲート絶縁膜３上に形成されたゲート電極４とを備える薄膜トランジスタ１０にて、ゲート電極４に非晶質層５及び結晶質層６を設けること。 - 特許庁

A connection part of the wiring 30 of a first electrode 12 and a driving circuit 20 is electrically connected by capacity coupling in a state where an insulation layer 40 for a capacitor used as a capacitor made of same material as a second insulation layer 15 for structuring the inorganic EL element 10 is inserted in series between the wiring 30 and the driving circuit 20.例文帳に追加

第１の電極１２の配線３０と駆動回路２０との接続部は、これら配線３０と駆動回路２０との間に、無機ＥＬ素子１０を構成する第２の絶縁層１５と同じ材料よりなるコンデンサとしてのコンデンサ用絶縁層４０を直列に挿入した状態で容量結合により電気的に接続されている。 - 特許庁

The thin film transistor (TFT) substrate comprises: a plastic insulation substrate; a first silicon nitride layer with a first refractive index, formed on one surface of the plastic insulation substrate; and a TFT including a second silicon nitride layer formed with a second refractive index smaller than the first refractive index.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタ基板は、プラスチック絶縁基板と；前記プラスチック絶縁基板の一面に形成されており、第１屈折率を有する第１シリコン窒化物層と；前記第１シリコン窒化物層上に形成されており、前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する第２シリコン窒化物層を含む薄膜トランジスタとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The multilayer wiring board has at least two wiring layers and at least one interlayer insulation layer provided with through holes filled with a material containing a metal in order to connect the wiring layers wherein the interlayer insulation layer contains at least polyimide silicon based resin.例文帳に追加

少なくとも２つの配線層および少なくとも１つの層間絶縁層を持ち、層間絶縁層に貫通孔が設けられ、貫通孔が金属を含む材料で充填されることによりそれぞれの配線層が接続された多層配線基板であって、層間絶縁層が少なくともポリイミドシリコーン系樹脂を含有することを特徴とする多層配線基板。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device including a multilayer structure of an insulation layer 4 and metal layers 5, 6 and 7 comprises a step for applying a liquid material containing polysilazane and then calcinating the liquid material to form the insulation layer 4 wherein calcination is carried out in a steam atmosphere.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁層４と金属層５，６，７との積層体を含む半導体装置の製造方法であって、ポリシラザンを含む液体材料を塗布した後、これを焼成することで絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を備え、前記焼成を水蒸気雰囲気中にて行うことを特徴とする。 - 特許庁

This image pickup element has a plurality of light receiving sensors 11 and vertical transfer registers 12 arranged on one side of a light receiving sensor array, and insulation films 21 thicker than the gate insulation films 16 are formed just under ends of transfer electrodes 17A, 17C on first layer, and 17B, 17D on second layer arranged between vertically adjacent light receiving sensors 11.例文帳に追加

複数の受光センサ部１１と各受光センサ列の一側に配されて垂直転送レジスタ１２を有し、垂直方向に隣り合う受光センサ部１１間上に１層目及び２層目の転送電極１７Ａ及び１７Ｃ，１７Ｂ及び１７Ｄが転送電極１７の端部直下にゲート絶縁膜１６より厚い絶縁膜２１が形成されて成る。 - 特許庁

The multilayer wiring board comprising resin insulation layer and conductor films laid alternately in layers is provided with a via hole 6 connected with a signal transmission line and a via hole 7, formed coaxially with the via hole 6 on the periphery thereof, while being spaced apart constantly through the insulation layer and connected with a power supply and a ground line.例文帳に追加

樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層とが交互に積層されてなる多層配線基板において信号伝送配線に接続しているビアホール６と、その周辺部に一定の間隔を絶縁層で隔てた同心円上の同軸に形成されている電源ならびにグランド配線に接続しているビアホール７を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the printed circuit board includes forming an interlayer connector on a first carrier, stacking an insulation layer on the first carrier such that the interlayer connector is exposed, removing the first carrier, and forming a circuit pattern on the insulation layer such that the circuit pattern is electrically coupled with the interlayer connector.例文帳に追加

本発明の印刷回路基板製造方法は、第１キャリアに層間連結体を形成する段階と、第１キャリアに、層間連結体が露出するように絶縁層を積層する段階と、第１キャリアを除去する段階と、層間連結体と電気的に接続するように絶縁層に回路パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the printed circuit board includes: forming an interlayer connector on a first carrier, stacking an insulation layer on the first carrier such that the interlayer connector is exposed, removing the first carrier, and forming a circuit pattern on the insulation layer such that the circuit pattern is electrically coupled with the interlayer connector.例文帳に追加

本発明の印刷回路基板製造方法は、第１キャリアに層間連結体を形成する段階と、第１キャリアに、層間連結体が露出するように絶縁層を積層する段階と、第１キャリアを除去する段階と、層間連結体と電気的に接続するように絶縁層に回路パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A static-electricity countermeasure element 100 includes: an insulation substrate 11; a pair of electrodes 21 and 22 arranged opposed to each other with a space interposed therebetween on the insulation substrate 11; and a functional layer 31 arranged in between the electrodes 21 and 22; and a mesh intermediate electrode 41 arranged apart from the pair of electrodes 21 and 22 via the functional layer 31.例文帳に追加

静電気対策素子１００は、絶縁性基板１１と、絶縁性基板１１上において相互に離間して対向配置された一対の電極２１，２２と、電極２１，２２間に配置された機能層３１と、機能層３１を介して一対の電極２１，２２と離間して配置された網目状の中間電極４１と、を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device formed by laminating first dummy wirings, a layer insulation film and second dummy wirings in this order on a semiconductor chip and forming a plurality of dummy vias into the layer insulation film between the first and second dummy wirings, one of the first dummy wirings or the second dummy wirings is connected to the plurality of dummy vias.例文帳に追加

半導体チップ上に第１ダミー配線、層間絶縁膜及び第２ダミー配線がこの順に積層され、前記第１ダミー配線と第２ダミー配線との間の層間絶縁膜に複数のダミービアホールが形成されてなる半導体装置において、１つの第１ダミー配線又は第２ダミー配線が複数のダミービアホールと接続されてなる半導体装置。 - 特許庁

In the autoclave A for molding which includes the pressure vessel 10, a heater 20 for heating the inside of the pressure vessel 10, and a pressurizing device 30 for pressurizing the inside of the pressure vessel 10, an inner thermal insulation coating layer 16 is formed on the inner surface of the pressure vessel 10, and an outer thermal insulation coating layer 17 is formed on the outer surface of the pressure vessel 10.例文帳に追加

圧力容器１０と、圧力容器１０内を加熱する加熱装置２０と、圧力容器１０内を加圧する加圧装置３０とを備えた成形用オートクレーブＡにおける、圧力容器１０の内面に内面断熱塗装層１６を形成し、圧力容器１０の外面に外面断熱塗装層１７を形成した。 - 特許庁

A printed board 100 according to the present invention includes: a base member 110; an insulation layer 120 provided for each surface of the base member 110 for flattening the surface of the base member 110; circuit layers 130 provided for the insulation layer 120; and a via 140 for connecting the circuit layers 130 formed on the both surfaces of the base member 110 to each other.例文帳に追加

本発明に係るプリント基板１００は、ベース部材１１０と、ベース部材１１０の両面に形成され、ベース部材１１０の表面を平坦化する絶縁膜層１２０と、絶縁膜層１２０に形成された回路層１３０と、ベース部材１１０の両面に形成された回路層１３０同士を接続するビア１４０とを含んでなる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁

A first conducting path 31 extending in the long direction of the first laminate substrate 11 (from the front toward the back of the paper in Fig. 1) is provided on the first insulation layer 21, and a second conducting path 32 extending in the long direction of the first laminate substrate in parallel with the first conducting path 31 is provided on the second insulation layer 22.例文帳に追加

第１絶縁層２１上には、第１積層基材１１の長尺方向（図１では紙面の手前から奥に向かう方向）に延在する第１導電路３１が設け、第２絶縁層２２上には、第１積層基材の長尺方向に延在し、第１導電路３１と平行するように第２導電路３２が設ける。 - 特許庁

The communication cable includes a core cable 14 of an insulation coated electric wire, a sheath 17 (outside layer) of an insulation resin which encloses the core cable 14, and a magnetic fluid 20 which has a viscosity and is filled and sealed between the core cable 14 and the outside layer 17, at least on a terminal side of the core cable 14 to which a terminal is connected.例文帳に追加

絶縁被覆電線からなるコア線１４と、前記コア線１４を包囲する絶縁樹脂製のシース１７（外層）と、少なくとも端子が接続される前記コア線１４の端末側において、該コア線１４と前記外層１７との間に充填されて封止されている粘性を有する磁性流体２０と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a printed circuit board includes: a process of forming a circuit pattern by discharging conductive ink on a carrier through inkjet printing; a process of heating and sintering the circuit pattern; and a process of transferring the circuit pattern by stacking the carrier on an insulation layer such that the circuit pattern is buried in the insulation layer.例文帳に追加

本発明に係る印刷回路基板の製造方法は、インクジェット方式を用いてキャリアに導電性インクを吐出して回路パターンを形成する工程と、回路パターンを加熱して焼結する工程と、回路パターンが絶縁層に埋め込まれるように、絶縁層にキャリアを積層して回路パターンを転写する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an inter-layer insulation film 108, and the wiring 160 provided with a copper film 124 embedded in a groove formed on the inter-layer insulation film, whose film thickness is thinner than the depth of the groove and main material is copper, and a low expansion metal film 140 formed on the copper film, whose thermal expansion coefficient is smaller than the one of the copper film.例文帳に追加

層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜に形成された溝に埋め込まれ、溝の深さよりも膜厚の薄い、銅を主たる材料とする銅膜１２４、および銅膜の上に形成され、銅膜よりも熱膨張係数の小さい金属膜である低膨張金属膜１４０を備えた配線１６０とを有する構成である。 - 特許庁

Further, the moisture generated in the secondary decomposition of cumyl alcohol is dried in order to reduce the amounts of cumyl alcohol and moisture remaining in the reinforcement insulation layer 10, so the generation of moisture due to the secondary decomposition of cumyl alcohol in the reinforcement insulation layer 10 can be restrained even when the cable is used for years.例文帳に追加

更にクミルアルコールの２次分解で生じた水分の乾燥を行うことによって補強絶縁層１０に残留するクミルアルコールの量及び水分量の双方を低減させることができるため、ケーブルの経年使用に対して補強絶縁層１０中のクミルアルコールの２次分解による水分の発生を抑えることができる。 - 特許庁

The light emitting module 10 includes: a metal substrate 12; a conductive pattern 14 formed on the upper surface of the metal substrate 12 with an insulation layer 24 between; an opening 48 which is formed by removing partly the insulation layer 24; and a light emitting device 20 which is fitted to the upper surface of the metal substrate 12 exposed to the bottom of the opening 48.例文帳に追加

発光モジュール１０は、金属基板１２と、絶縁層２４を介して金属基板１２の上面に形成された導電パターン１４と、絶縁層２４を部分的に除去して設けられた開口部４８と、開口部４８の底部に露出する金属基板１２の上面に固着された発光素子２０とを主要に備えた構成となっている。 - 特許庁